KR950001917A - 반도체 소자의 패턴 형성 방법 - Google Patents
반도체 소자의 패턴 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 웨이퍼 상에 패턴을 형성하지 않는 보조 패턴을 이용한 패턴 형성 방법에 있어서, 크롬 주 패턴 사이에서 불 균일한 빛의 강도 증가 또는 주 패턴 가장자리가 둥글되는 것을 방지하기 위하여 크롬 보조 패턴(d)을 소정의 크기로 형성하여 웨이퍼를 노광시키는 것을 특징으로 하는 보조 패턴을 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 간단한 보조 패턴을 사용함으로써 제작자가 원하는 크롬 패턴을 형성할 수 있고, 또한 빛의 강도를 균일하게 형성할 수 있어 선폭조절을 용이하게 실현하여 초고집적 소자의 패턴 형성을 이룰 수 있는 효과가 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 따라 보조 패턴을 사용한 크롬 패턴 마스크 평면도, 제5도는 제4도의 마스크를 사용하여 노광한 웨이퍼 상의 빛 분포도, 제6도는 제4도의 마스크를 사용하여 노광한 웨이퍼 상의 빛의 강도를 나타낸 그래프.
Claims (2)
- 웨이퍼 상에 패턴을 형성하지 않는 보조 패턴을 이용한 패턴 형성 방법에 있어서, 크롬 주 패턴 사이에서 불 균일한 빛의 강도 증가 또는 주 패턴 가장자리가 둥글게 되는 것을 방지하기 위하여 크롬 보조 패턴(d)을 소정의 크기로 형성하여 웨이퍼를 노광시키는 것을 특징으로 하는 보조 패턴을 이용한 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 보조 패턴 형성 지역은 주 패턴이 형성되지 않는 지역의 교차점에 형성하는 것을 특징으로 하는 보조 패턴을 이용한 패턴 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930011019A KR950001917A (ko) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019930011019A KR950001917A (ko) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR950001917A true KR950001917A (ko) | 1995-01-04 |
Family
ID=67134819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019930011019A KR950001917A (ko) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 반도체 소자의 패턴 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950001917A (ko) |
-
1993
- 1993-06-16 KR KR1019930011019A patent/KR950001917A/ko not_active Application Discontinuation
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