KR970048981A - 위상반전 마스크 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 공정에 사용되는 포토 마스크에 관한 것으로, 다수의 크롬패턴이 구비되고 상기 크롬패턴 사이에 위상반전막 패턴이 번갈아가면서 구비되는 얼터네이팅 위상반전 마스크에 있어서, 상기 크롬패턴의 경계면에서 양측으로 동일위상으로 되는 지역에 상기 크롬패턴을 제거하고 이지역에 180°위상 반전이 발생하도록 하는 것이다. 그로인하여 크롬패턴의 양측의 동일 위상을 갖는 지역에서 발생되는 간섭효과를 최소화하여 원하는 패턴을 형성할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의해 크롬 패턴의 일정부분에 동공이 발생하는지역에 크롬패턴의 이정부분을 제거하고 위상반전막 패턴을 구비한 것을 도시한 도면,
제4도는 발명에 의해 제조된 위상반전 마스크를 이용한 광의 세기를 측정한 것을 도시한 도면.
Claims (5)
- 다수의 클롬패턴이 구비되고 상기 크롬패턴 사이에 위상반전막 패턴이 번갈아가면서 구비되는 얼터네이팅 위상반전 마스크에 있어서, 상기 크롬패턴의 경계면에서 양측으로 동일위상으로되는 지역에 상기 크롬패턴을 제거하고 이지역에 180°위상 반전이 발생하도록 위상번전막 패턴이 구비된 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 180°의 위상 반전이 발생하도록 위상바전막 패턴이 구비된 것을 특징으로하는 위상반전 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 180°의 위상 반전이 발생하도록 투명기판의 일정 깊이를 식각한 것을 특징으로 하는 위상반전 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 크롬패턴의 경계면에서 양측으로 동일위상으로 되는 지역에 상기 크롬패턴을 제거하고 이 지역에 180°위상 반전이 발생하도록 하는 것을 폴라리티(polality)가 닥크필드(dark field)이거나 크리어 필드(clear field)인 위상반전 마스크에 적용하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.
- 제1항에 있어서, 상기 위상반전 마스크에 적용되는 노광파장 G(λ=436nm), I(λ=365nm), DUV(λ157-248nm)또는 X-Ray 인 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052458A KR970048981A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 위상반전 마스크 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950052458A KR970048981A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 위상반전 마스크 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970048981A true KR970048981A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66646496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950052458A KR970048981A (ko) | 1995-12-20 | 1995-12-20 | 위상반전 마스크 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970048981A (ko) |
-
1995
- 1995-12-20 KR KR1019950052458A patent/KR970048981A/ko not_active Application Discontinuation
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