JPH04190352A - フォトマスク - Google Patents
フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH04190352A JPH04190352A JP2321798A JP32179890A JPH04190352A JP H04190352 A JPH04190352 A JP H04190352A JP 2321798 A JP2321798 A JP 2321798A JP 32179890 A JP32179890 A JP 32179890A JP H04190352 A JPH04190352 A JP H04190352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- phase
- shifter
- sog
- phase shift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 claims description 26
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 6
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 abstract description 3
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造のフォト工程に関し、特に位相シ
フト法を用いたフォトマスクに関する。
フト法を用いたフォトマスクに関する。
［従来の技術］
近年の半導体装置製造では、飛躍的にその微細化が進ん
でいる。フォト工程では、微細化への対応として縮小露
光装置の高ＮＡ化や光源の使用波長域の単波長化を計っ
ている。また、近年著しいレジストの高性能化もその微
細化に貢献している。
でいる。フォト工程では、微細化への対応として縮小露
光装置の高ＮＡ化や光源の使用波長域の単波長化を計っ
ている。また、近年著しいレジストの高性能化もその微
細化に貢献している。
ハーフミクロンプロセスルールにおいては、前述の技術
向上によってフォトプロセスの技術は確立されるであろ
う。
向上によってフォトプロセスの技術は確立されるであろ
う。
しかしながら、更に微細化が進むと縮小露光装置の高Ｎ
Ａ化による焦点余裕の低下が大きな問題となり、また光
露光による微細化の限界にも近づくため、半導体装置製
造に必要なレジストパターン形成が困難となる可能性が
多大にある。その原因は、光の特徴である回折の効果に
よるものである。第４図（Ｂ）は、−船釣なフォトマス
クの断面図である。石英ガラスからなるフォトマスク（
４１）には、露光時に光を遮蔽するためのクロムパター
ン（４２）がある。しかしながら、前述の理由により隣
合う光透過部が半導体装置の製造の微細化に伴い、近接
してくると光の回折効果により、半導体基板上では完全
に分離しなくなってくる。つまり、ウェハー上では第４
図（Ｂ）に示したような位相を示すからである。光強度
は、位相の二乗になる。よって、隣接するパターンが接
近してくると遮蔽しなければならない部分にも光の回折
効果により光強度を生じるようになる。そこで最近、光
のもう１つの特徴である位相を用いた微細化に対応する
新技術として注目されているのが位相シフト法である。
Ａ化による焦点余裕の低下が大きな問題となり、また光
露光による微細化の限界にも近づくため、半導体装置製
造に必要なレジストパターン形成が困難となる可能性が
多大にある。その原因は、光の特徴である回折の効果に
よるものである。第４図（Ｂ）は、−船釣なフォトマス
クの断面図である。石英ガラスからなるフォトマスク（
４１）には、露光時に光を遮蔽するためのクロムパター
ン（４２）がある。しかしながら、前述の理由により隣
合う光透過部が半導体装置の製造の微細化に伴い、近接
してくると光の回折効果により、半導体基板上では完全
に分離しなくなってくる。つまり、ウェハー上では第４
図（Ｂ）に示したような位相を示すからである。光強度
は、位相の二乗になる。よって、隣接するパターンが接
近してくると遮蔽しなければならない部分にも光の回折
効果により光強度を生じるようになる。そこで最近、光
のもう１つの特徴である位相を用いた微細化に対応する
新技術として注目されているのが位相シフト法である。
第５図は、位相シフト法を用いたフォトマスクの断面図
を示す図である。
を示す図である。
このフォトマスクの特徴は、隣合う光透過部のパターン
の一方に光の位相を変化させるためのシフター（５３）
が設けられている。一般のフォトマスク同様、石英ガラ
ス（５１）からなるフォトマスクには、クロム（５２）
がスパッタされており、半導体装置製造のフォト工程同
様、前記クロム（５２）上にレジストを塗布し、電子線
或は、レーザービームによってレジストを描画露光、現
像し、更にエツチングすることにより前記クロムパター
ン（５２）を形成している。
の一方に光の位相を変化させるためのシフター（５３）
が設けられている。一般のフォトマスク同様、石英ガラ
ス（５１）からなるフォトマスクには、クロム（５２）
がスパッタされており、半導体装置製造のフォト工程同
様、前記クロム（５２）上にレジストを塗布し、電子線
或は、レーザービームによってレジストを描画露光、現
像し、更にエツチングすることにより前記クロムパター
ン（５２）を形成している。
第６図（Ａ）〜（Ｂ）は、従来の位相シフト法のフォト
マスクの製造方法である。第６図（Ａ）は、前述の方法
によって石英ガラス（６１）にクロムパターン（６２）
を形成した図である。前記クロムパターン（６２）上に
位相を変化させるためのシフター（６５）の材料として
一般的にＳＯＧを塗布する。塗布膜厚ｄは、位相を１８
０度変化させる条件である以下の式によって決まる。
マスクの製造方法である。第６図（Ａ）は、前述の方法
によって石英ガラス（６１）にクロムパターン（６２）
を形成した図である。前記クロムパターン（６２）上に
位相を変化させるためのシフター（６５）の材料として
一般的にＳＯＧを塗布する。塗布膜厚ｄは、位相を１８
０度変化させる条件である以下の式によって決まる。
ｄ＝λ／ （２＊ （ｎ−１））
λ：露光波長 ｎニジフタ−の屈折率ＳＯＧを用いた
場合、ＳＯＧの屈折率は１．４５でｇ線の波長が０．４
３６μｍなので前記シフター（６５）の膜厚は０．４８
４μｍとなる。
場合、ＳＯＧの屈折率は１．４５でｇ線の波長が０．４
３６μｍなので前記シフター（６５）の膜厚は０．４８
４μｍとなる。
前記膜厚でＳＯＧ （６５）を塗布した後、レジスト（
６６）を更に前記ＳＯＧ上に塗布し、電子線によって描
画露光、現像した図が第６図（Ｂ）である。次に第６図
（Ｂ）をフロン１４（ＣＦ４）とフロン２３（ＣＨＦ３
）の混合気によってドライエツチングした後、不用なレ
ジストを硫酸によって剥離すると第６図（Ｃ）のように
なり、シフター（６５）を形成することができる。
６６）を更に前記ＳＯＧ上に塗布し、電子線によって描
画露光、現像した図が第６図（Ｂ）である。次に第６図
（Ｂ）をフロン１４（ＣＦ４）とフロン２３（ＣＨＦ３
）の混合気によってドライエツチングした後、不用なレ
ジストを硫酸によって剥離すると第６図（Ｃ）のように
なり、シフター（６５）を形成することができる。
このことにより、第４図（Ａ）に示したように位相シフ
ト法を用いたフォトマスク（４１）を透過した光のウェ
ハー上での位相は、シフター（４３）がある光透過部で
１８０度反転している。クロムパターン（４２）によっ
て、遮蔽された部分にも光の回折効果により光強度を生
じるが、光強度は、位相の二乗となるので、ウェハー上
の光強度は、隣合う光透過部間で必ず光強度が０となる
。
ト法を用いたフォトマスク（４１）を透過した光のウェ
ハー上での位相は、シフター（４３）がある光透過部で
１８０度反転している。クロムパターン（４２）によっ
て、遮蔽された部分にも光の回折効果により光強度を生
じるが、光強度は、位相の二乗となるので、ウェハー上
の光強度は、隣合う光透過部間で必ず光強度が０となる
。
そのため、露光現像後のレジストパターンは、完全に分
離するため一般のフォトマスクに比べ、位相シフト法を
用いたフォトマスクは高解像度化が容易に行える。
離するため一般のフォトマスクに比べ、位相シフト法を
用いたフォトマスクは高解像度化が容易に行える。
［発明が解決しようとする課Ｈ］
しかしながら、従来技術には以下のような問題を有する
。
。
位相シフト法は、一般にクロムパターン形成後にＳＯＧ
をスピン塗布するため、クロムパター ン段差によりＳ
ＯＧの膜厚の均一性が著しく低下する。そのため、ＳＯ
Ｇのシフターによる位相の変化にばらつきを生じる。普
通、位相シフト法では、シフターによる位相のシフトを
１８０度±１０度に制御しなければならないが、ＳＯＧ
では、完全には位相シフトを１８０度±１０度に制御で
きないのが現状である。本発明は、以上のような問題点
を解決するもので、その目的とするところは、シフター
の膜厚の均一性を向上させることにより、シフターによ
る位相変化を安定させ、前記位相変化を十分に１８０度
±１０度に制御できるフォトマスクを提供するところに
ある。
をスピン塗布するため、クロムパター ン段差によりＳ
ＯＧの膜厚の均一性が著しく低下する。そのため、ＳＯ
Ｇのシフターによる位相の変化にばらつきを生じる。普
通、位相シフト法では、シフターによる位相のシフトを
１８０度±１０度に制御しなければならないが、ＳＯＧ
では、完全には位相シフトを１８０度±１０度に制御で
きないのが現状である。本発明は、以上のような問題点
を解決するもので、その目的とするところは、シフター
の膜厚の均一性を向上させることにより、シフターによ
る位相変化を安定させ、前記位相変化を十分に１８０度
±１０度に制御できるフォトマスクを提供するところに
ある。
［課題を解決するための手段］
遮蔽部を挟む透明領域の少なくとも一方の透過光の光位
相を変化させる位相シフト法を用いたフォトマスクにお
いて、前記遮蔽部を挟む前記透明領域の少なくとも一方
のフォトマスク基板のガラス面にシフターを設けること
を特徴とする。
相を変化させる位相シフト法を用いたフォトマスクにお
いて、前記遮蔽部を挟む前記透明領域の少なくとも一方
のフォトマスク基板のガラス面にシフターを設けること
を特徴とする。
［実施例］
第１図は、本発明の一実施例を示した図である。
従来技術同様、石英ガラスからなるフォトマスク（１１
）の一方には、半導体装置製造に必要なりロムパターン
（１２）が形成されている。位相を変化させるためのシ
フター（１３）は、従来の位相シフト法を用いたフォト
マスクと異なり、ガラス面に形成されている。このこと
が本発明の最大の特徴となっている。
）の一方には、半導体装置製造に必要なりロムパターン
（１２）が形成されている。位相を変化させるためのシ
フター（１３）は、従来の位相シフト法を用いたフォト
マスクと異なり、ガラス面に形成されている。このこと
が本発明の最大の特徴となっている。
第２図（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の一実施例のフォトマ
スクの製造方法を示した図である。−船釣なフォトマス
ク同様、第２図の（Ａ）の様にフォトマスク（２１）に
クロムパターン（２２）を形成した後、第２図（Ｂ）の
様に本実施例の場合、シフター材料としてＳＯＧ （２
３）をガラス面側にスピン塗布する。前記ＳＯＧ （２
３）の塗布膜厚は、位相を１８０度変化させるので、以
下の式より求められる。
スクの製造方法を示した図である。−船釣なフォトマス
ク同様、第２図の（Ａ）の様にフォトマスク（２１）に
クロムパターン（２２）を形成した後、第２図（Ｂ）の
様に本実施例の場合、シフター材料としてＳＯＧ （２
３）をガラス面側にスピン塗布する。前記ＳＯＧ （２
３）の塗布膜厚は、位相を１８０度変化させるので、以
下の式より求められる。
ｄ＝λ／ （２！＊ （ｎ−１） ）
λ：ｎ光波長 ｎ： シフターの屈折率本実施例の場
合 ＳＯＧの屈折率は１．４５でｇ線の波長が０．４３
６μｍなので前記シフター（２３）の膜厚は０．４８４
μｍとなる。
合 ＳＯＧの屈折率は１．４５でｇ線の波長が０．４３
６μｍなので前記シフター（２３）の膜厚は０．４８４
μｍとなる。
次に第２図（Ｃ）の様にシフターのパターンを形成する
だめのレジスト（２４）をスピンコードにより塗布する
。前記（２４）をＥＢ直直装装置より露光現像すると第
２図（Ｄ）の様になる。更に前記レジストパターン（２
４）をマスクとしてＳＯＧ （２３）をフロン１４（Ｃ
Ｆ、）とフロン２３（ＣＨＦ３）の混合気でドライエツ
チングした図が第２図（Ｅ）である。この後、硫酸によ
りレジストを剥離することにより第１図の様な位相シフ
ト用のフォトマスクが完成する。
だめのレジスト（２４）をスピンコードにより塗布する
。前記（２４）をＥＢ直直装装置より露光現像すると第
２図（Ｄ）の様になる。更に前記レジストパターン（２
４）をマスクとしてＳＯＧ （２３）をフロン１４（Ｃ
Ｆ、）とフロン２３（ＣＨＦ３）の混合気でドライエツ
チングした図が第２図（Ｅ）である。この後、硫酸によ
りレジストを剥離することにより第１図の様な位相シフ
ト用のフォトマスクが完成する。
以上のように位相シフト法を用いたフォトマスクによっ
て、従来技術では、クロムパターン上にＳＯＧ膜を形成
していたため、クロムパターンの段差によりＳＯＧ膜の
均一性が十分に得られていなかった。そのため、位相シ
フト法で最も重要な要素である位相のシフトを１８０度
±１０度に完全に制御することできていなかった。しか
しながら、本発明では、平坦であるガラス面側に位相を
シフトさせるためのシフター材料、ＳＯＧを塗布するた
め、従来技術に比べて前記ＳＯＧ膜の均一要素である位
相のシフトを１８０度±１０度に完全に制御することで
きていなかった。しかしながら、本発明では、平坦であ
るガラス面側に位相をシフトさせるためのシフター材料
、ＳＯＧを塗布するため、従来技術に比べて前記ＳＯＧ
膜の均一性が格段に向上した。そのため、位相の変化量
をほぼ１８０度±１０度に制御できるようになった。
て、従来技術では、クロムパターン上にＳＯＧ膜を形成
していたため、クロムパターンの段差によりＳＯＧ膜の
均一性が十分に得られていなかった。そのため、位相シ
フト法で最も重要な要素である位相のシフトを１８０度
±１０度に完全に制御することできていなかった。しか
しながら、本発明では、平坦であるガラス面側に位相を
シフトさせるためのシフター材料、ＳＯＧを塗布するた
め、従来技術に比べて前記ＳＯＧ膜の均一要素である位
相のシフトを１８０度±１０度に完全に制御することで
きていなかった。しかしながら、本発明では、平坦であ
るガラス面側に位相をシフトさせるためのシフター材料
、ＳＯＧを塗布するため、従来技術に比べて前記ＳＯＧ
膜の均一性が格段に向上した。そのため、位相の変化量
をほぼ１８０度±１０度に制御できるようになった。
以上、本発明の一実施例を述べたがこれ以外にも、
１）ガラス面側に形成するシフター材料をＳＯＧ以外の
材料を用いる。
材料を用いる。
２）本発明を第３図のようにエッチ強調型（第３図（Ａ
））や遮光効果強調型（第３図（Ｂ））の位相シフト法
に用いる。
））や遮光効果強調型（第３図（Ｂ））の位相シフト法
に用いる。
などについても、本実施例と同様の利点が得られること
はいうまでもない。
はいうまでもない。
［発明の効果］
以上、本発明によれば、
遮蔽部を挟む透明領域の少なくとも一方の透過光の光位
相を変化させる位相シフト法を用いたフォトマスクにお
いて、前記遮蔽部を挟む前記透明領域の少なくとも一方
のフォトマスク基板のクロムパターン面でない面にシフ
ターを設けることにより、シフター膜の均一性が格段に
向上し、そのため、位相の変化量をほぼ１８０度±１０
度に制御できるという効果を有するものである。
相を変化させる位相シフト法を用いたフォトマスクにお
いて、前記遮蔽部を挟む前記透明領域の少なくとも一方
のフォトマスク基板のクロムパターン面でない面にシフ
ターを設けることにより、シフター膜の均一性が格段に
向上し、そのため、位相の変化量をほぼ１８０度±１０
度に制御できるという効果を有するものである。
第１図は、本発明の実施例の位相シフト法を用いたフォ
トマスクを示した図である。 第２図（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例の位相シフト
法を用いたフォトマスクの製造方法を示す図である。 第３図（Ａ）（Ｂ）は、本発明をエッチ強調型と遮蔽効
果強調型の位相シフト法のフォトマスクに適用した場合
の図である。 第４図（Ａ）、 （Ｂ）は、一般のフォトマスクと位相
シフト法を用いたフォトマスクの効果を示した図である
。 第５図は、従来技術の位相シフト法を用いたフォトマス
クを示した図である。 第６図（Ａ）〜（Ｃ）は、従来技術の位相シフト法を用
いたフォトマスクの製造方法を示す図。 １１・・・フォトマスク（石英ガラス）１２・・・クロ
ム １３・・・シフト領域 ２１・・・フォトマスク（石英ガラス）２２・・・クロ
ム ２３・・・シフト領域 ２４・・・光透過領域 ２５・・・レジスト ３１・・・フォトマスク（石英ガラス）３２・・・クロ
ムパターン ３３・・・シフター領域 ４１・・・フォトマスク（石英ガラス）４２・・・クロ
ムパターン ４３・・・シフター（ＳＯＧ） ５１・・・フォトマスク（石英ガラス）５２・・・クロ
ム ５３・・・シフター ５４・・・光透過領域 ６１・・・フォトマスク（石英ガラス）６２・・・クロ
ム ６３・・・シフト領域 ６４・・・光透過領域 ６５・・・シフター ６６・・・レジスト 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）ウェハー上での
光位相状態 ウェハー上での光強度 第 ４ 図 （Ａ） ウェハー上での位相状態 ウェハー上での光強度
トマスクを示した図である。 第２図（Ａ）〜（Ｅ）は、本発明の実施例の位相シフト
法を用いたフォトマスクの製造方法を示す図である。 第３図（Ａ）（Ｂ）は、本発明をエッチ強調型と遮蔽効
果強調型の位相シフト法のフォトマスクに適用した場合
の図である。 第４図（Ａ）、 （Ｂ）は、一般のフォトマスクと位相
シフト法を用いたフォトマスクの効果を示した図である
。 第５図は、従来技術の位相シフト法を用いたフォトマス
クを示した図である。 第６図（Ａ）〜（Ｃ）は、従来技術の位相シフト法を用
いたフォトマスクの製造方法を示す図。 １１・・・フォトマスク（石英ガラス）１２・・・クロ
ム １３・・・シフト領域 ２１・・・フォトマスク（石英ガラス）２２・・・クロ
ム ２３・・・シフト領域 ２４・・・光透過領域 ２５・・・レジスト ３１・・・フォトマスク（石英ガラス）３２・・・クロ
ムパターン ３３・・・シフター領域 ４１・・・フォトマスク（石英ガラス）４２・・・クロ
ムパターン ４３・・・シフター（ＳＯＧ） ５１・・・フォトマスク（石英ガラス）５２・・・クロ
ム ５３・・・シフター ５４・・・光透過領域 ６１・・・フォトマスク（石英ガラス）６２・・・クロ
ム ６３・・・シフト領域 ６４・・・光透過領域 ６５・・・シフター ６６・・・レジスト 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 鈴木喜三部（他１名）ウェハー上での
光位相状態 ウェハー上での光強度 第 ４ 図 （Ａ） ウェハー上での位相状態 ウェハー上での光強度
Claims (1)
- 遮蔽部を挟む透明領域の少なくとも一方の透過光の光
位相を変化させる位相シフト法を用いたフォトマスクに
おいて、前記遮蔽部を挟む前記透明領域の少なくとも一
方の前記フォトマスク基板のクロムパターン面でない面
（以下、ガラス面とする）にシフターを設けることを特
徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321798A JPH04190352A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2321798A JPH04190352A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04190352A true JPH04190352A (ja) | 1992-07-08 |
Family
ID=18136535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2321798A Pending JPH04190352A (ja) | 1990-11-26 | 1990-11-26 | フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04190352A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06295053A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-10-21 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 位相シフトマスクの形成方法 |
| JPH08114909A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Nec Corp | 位相シフトマスク及び位相差測定方法 |
-
1990
- 1990-11-26 JP JP2321798A patent/JPH04190352A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06295053A (ja) * | 1992-08-24 | 1994-10-21 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 位相シフトマスクの形成方法 |
| JPH08114909A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Nec Corp | 位相シフトマスク及び位相差測定方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100425903B1 (ko) | 포토마스크에있어서의패턴형상평가방법,포토마스크,포토마스크의제작방법,포토마스크의패턴형성방법,및노광방법 | |
| US5219686A (en) | Photomask | |
| KR100618811B1 (ko) | 반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| JP3205241B2 (ja) | 光学リソグラフイーで使用するための移相フォトマスクの製造方法及び移相フォトマスク | |
| US5248575A (en) | Photomask with phase shifter and method of fabricating semiconductor device by using the same | |
| JPH1097052A (ja) | 露光量調節による位相反転マスクの製造方法 | |
| JPH03141354A (ja) | 露光マスク及び露光方法 | |
| JPH04190352A (ja) | フォトマスク | |
| JPH08123008A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH0764274A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| US5356738A (en) | Reticle comprising phase shifter with a tapered edge | |
| JP2624351B2 (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| KR20100076693A (ko) | 위상반전마스크의 제조방법 | |
| JPH08254813A (ja) | 位相シフトマスク及びそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH0990602A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| KR100790565B1 (ko) | 포토 마스크 | |
| US5928814A (en) | Photomask controlling transmissivity by using an impurity-containing film formed on a transparent substrate | |
| KR0151228B1 (ko) | 고립된 다수의 패턴을 형성하기 위한 포토마스크 | |
| JPH063803A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| KR100524630B1 (ko) | 선택적 감쇄형 위상반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| KR100190075B1 (ko) | 반도체 소자의 투과율 조절 마스크 제조 방법 | |
| KR100244243B1 (ko) | 위상쉬프트 마스크 제조방법 | |
| KR100244304B1 (ko) | 위상 반전 마스크 제조방법 | |
| JPH0460637A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法 | |
| JPH1069061A (ja) | 位相反転マスク及びその製造方法 |