JPH0460637A - 位相シフトマスクとその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクとその製造方法Info
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- JPH0460637A JPH0460637A JP2172150A JP17215090A JPH0460637A JP H0460637 A JPH0460637 A JP H0460637A JP 2172150 A JP2172150 A JP 2172150A JP 17215090 A JP17215090 A JP 17215090A JP H0460637 A JPH0460637 A JP H0460637A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光リソグラフィに用いられる位相シフトマスク
とその製造方法に関するものである。
とその製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体製造プロセスにおける光リソグラフィでは、位相
シフトマスクが注目されている。これを用いると、マス
クパターンの端部ての光の干渉による悪影響が除去でき
るので、光リソグラフィの高解像度化および焦点余裕度
の拡大が可能になる。
シフトマスクが注目されている。これを用いると、マス
クパターンの端部ての光の干渉による悪影響が除去でき
るので、光リソグラフィの高解像度化および焦点余裕度
の拡大が可能になる。
第４図は従来の自己整合型位相シフトマスクの構成を示
す断面図で、これは第３７回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集２８ａ−ＰＤ−３、４などで公知のものであ
る。
す断面図で、これは第３７回応用物理学関係連合講演会
講演予稿集２８ａ−ＰＤ−３、４などで公知のものであ
る。
第４図（ａ）の位相シフトマスクは、透光性の石英基板
１の表面に、遮光性のクロム膜パターン２およびレジス
ト膜パターン３を形成したものである。図示の通り、ク
ロム膜パターン２は製造プロセスでオーバーエツチング
されているので、レジスト膜パターン３の端部から一定
の幅たけセットハックしている。これによれば、クロム
膜バタン２か存在しない部分のレジスト膜パターン３か
位相シフタとなり、ここで透過光の位相を１８０度すら
せることて、光の干渉による悪影響を除去することかで
きる。
１の表面に、遮光性のクロム膜パターン２およびレジス
ト膜パターン３を形成したものである。図示の通り、ク
ロム膜パターン２は製造プロセスでオーバーエツチング
されているので、レジスト膜パターン３の端部から一定
の幅たけセットハックしている。これによれば、クロム
膜バタン２か存在しない部分のレジスト膜パターン３か
位相シフタとなり、ここで透過光の位相を１８０度すら
せることて、光の干渉による悪影響を除去することかで
きる。
第４図（ｂ）の位相シフトマスクでは、石英基板１の表
面にクロム膜パターン２を形成し、その間の石英基板１
をエツチングして凹部４を形成している。図示の通り、
エツチングによる凹部４から僅かにセットバックした位
置に、遮光用のクロム膜パターン２を形成している。こ
のため、凹部４の深さを透過光の位相が１８０度ずれる
深さとしておくことで、この部分を位相シフタとして働
かせることか可能になる。
面にクロム膜パターン２を形成し、その間の石英基板１
をエツチングして凹部４を形成している。図示の通り、
エツチングによる凹部４から僅かにセットバックした位
置に、遮光用のクロム膜パターン２を形成している。こ
のため、凹部４の深さを透過光の位相が１８０度ずれる
深さとしておくことで、この部分を位相シフタとして働
かせることか可能になる。
しかしなから、第４図（ａ）の従来マスクは、レジスト
膜パターン３を形成するＰＭＭＡ （ポリメチルメタク
リエート）などの有機物が、位相シフタとして位相シフ
トマスクに残存するため、マスクとしての安定性に欠け
る。また、位相シフトマスクの洗浄か難しくなる。一方
、第４図（ｂ）の従来マスクでは、エツチングによる凹
部の端面て先の散乱が生じる欠点かある。
膜パターン３を形成するＰＭＭＡ （ポリメチルメタク
リエート）などの有機物が、位相シフタとして位相シフ
トマスクに残存するため、マスクとしての安定性に欠け
る。また、位相シフトマスクの洗浄か難しくなる。一方
、第４図（ｂ）の従来マスクでは、エツチングによる凹
部の端面て先の散乱が生じる欠点かある。
また、第４図（ｂ）の位相シフトマスクの製造に隙して
は、四部４の形成にはドライエツチングを用いることか
必要になるが、深さ制御か極めて困難である。更に、エ
ツチング中にゴミか発生し易い欠点もある。
は、四部４の形成にはドライエツチングを用いることか
必要になるが、深さ制御か極めて困難である。更に、エ
ツチング中にゴミか発生し易い欠点もある。
本発明はかかる従来技術の問題点を解決した位相シフト
マスクと、その製造方法を提供することを目的とする。
マスクと、その製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る位相シフトマスクは、透光性の基板と、こ
の基板上で所定パターンに形成された遮光膜パターンと
、基板中の遮光膜パターンに覆われていない部分の所定
領域に形成されｔ＝位相シフタ領域とを備え、この位相
ンフタ領域は不純物がドーピングされて基板よりも高屈
折率もしくは低屈折率となっていることを特徴とする。
の基板上で所定パターンに形成された遮光膜パターンと
、基板中の遮光膜パターンに覆われていない部分の所定
領域に形成されｔ＝位相シフタ領域とを備え、この位相
ンフタ領域は不純物がドーピングされて基板よりも高屈
折率もしくは低屈折率となっていることを特徴とする。
また、本発明に係る位相シフトマスクの第１の製造方法
は、透光性の基板に遮光性の材料およびレジスト材料を
順次に堆積して遮光膜およびレジスト膜を形成し、次い
でレジスト膜をバターニングしてレジストパターンを形
成する第１の工程と、レジストパターンをマスクとして
遮光性の材料を選択的に除去し、遮光膜パターンを形成
する第２の工程と、レジストパターンをマスクとして不
純物を基板中にドーピングし、基板よりも高屈折率もし
くは低屈折率となった位相シフタ領域を形成する第３の
工程と、基板とレジストパターンの間で露出した遮光膜
パターンを所定量オーバーエツチングする第４の工程と
、レジストパターンを除去する第５の工程とを備えるこ
とを特徴とする。
は、透光性の基板に遮光性の材料およびレジスト材料を
順次に堆積して遮光膜およびレジスト膜を形成し、次い
でレジスト膜をバターニングしてレジストパターンを形
成する第１の工程と、レジストパターンをマスクとして
遮光性の材料を選択的に除去し、遮光膜パターンを形成
する第２の工程と、レジストパターンをマスクとして不
純物を基板中にドーピングし、基板よりも高屈折率もし
くは低屈折率となった位相シフタ領域を形成する第３の
工程と、基板とレジストパターンの間で露出した遮光膜
パターンを所定量オーバーエツチングする第４の工程と
、レジストパターンを除去する第５の工程とを備えるこ
とを特徴とする。
ここで、上記の第１の製造方法において、第３の工程に
先立って第４の工程を実行することを特徴としてもよい
。
先立って第４の工程を実行することを特徴としてもよい
。
また、本発明に係る位相シフトマスクの第２の製造方法
は、透光性の基板に遮光性の材料を堆積して一部を選択
的に除去することにより、所定部分に開口を有する第１
の遮光膜パターンを形成する第１の工程と、レジスト材
料を堆積してバターニングすることにより、第１の遮光
膜パターンの開口近傍の一部もくしは全部を露出させた
レジストパターンを形成する第２の工程と、レジストパ
ターンをマスクとして遮光性の材料を選択的に除去する
第３の工程と、レジストパターンをマスクとして不純物
をドーピングし、基板よりも高屈折率もくしは低屈折率
となった位相シフタ領域を形成する第４の工程と、レジ
ストパターンを除去する第５の工程とを備えることを特
徴とする。
は、透光性の基板に遮光性の材料を堆積して一部を選択
的に除去することにより、所定部分に開口を有する第１
の遮光膜パターンを形成する第１の工程と、レジスト材
料を堆積してバターニングすることにより、第１の遮光
膜パターンの開口近傍の一部もくしは全部を露出させた
レジストパターンを形成する第２の工程と、レジストパ
ターンをマスクとして遮光性の材料を選択的に除去する
第３の工程と、レジストパターンをマスクとして不純物
をドーピングし、基板よりも高屈折率もくしは低屈折率
となった位相シフタ領域を形成する第４の工程と、レジ
ストパターンを除去する第５の工程とを備えることを特
徴とする。
本発明に係る位相シフトマスクによれば、位相シフタ領
域は基板に比べて高屈折率もしくは低屈折率とされてい
るので、透過光に位相差か生じることとなり、従って光
の干渉の悪影響を防止し得る。
域は基板に比べて高屈折率もしくは低屈折率とされてい
るので、透過光に位相差か生じることとなり、従って光
の干渉の悪影響を防止し得る。
また、本発明に係る位相シフトマスクの第１の製造方法
によれば、遮光膜パターンを形成するためのレジストパ
ターンを用いて、基板中への不純物のドーピングを行な
うことにより、自己整合的に位相シフタ領域を基板に形
成することかできる。
によれば、遮光膜パターンを形成するためのレジストパ
ターンを用いて、基板中への不純物のドーピングを行な
うことにより、自己整合的に位相シフタ領域を基板に形
成することかできる。
さらに、第２の製造方法によれば、自己整合プロセスに
よることなく、基板中に不純物をドーピングすることて
位相シフタ領域を形成できる。
よることなく、基板中に不純物をドーピングすることて
位相シフタ領域を形成できる。
以下、添付図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は実施例に係る位相シフトマスクの構成と作用を
示す図であり、同図（ａ）は自己整合プロセスにより作
製されたもの、同図（ｂ）は非自己整合プロセスにより
作製されたものに対応している。また、図中の矢印は光
リソグラフィにおける露光用の光を示し、ハツチングで
示したものは位相シフタにより位相が１８０度ずれた透
過光に対応している。
示す図であり、同図（ａ）は自己整合プロセスにより作
製されたもの、同図（ｂ）は非自己整合プロセスにより
作製されたものに対応している。また、図中の矢印は光
リソグラフィにおける露光用の光を示し、ハツチングで
示したものは位相シフタにより位相が１８０度ずれた透
過光に対応している。
第１図（ａ）の実施例では、石英基板１の表面にクロム
膜パターン２が形成され、この開口部にはクロム膜パタ
ーン２から一定の間隔をあけて位相シフタ領域５が形成
されている。同図（ｂ）の実施例では、クロム膜パター
ン２の開口部は互いに近接した位置に形成され、一方の
開口部にのみ位相シフタ領域５が形成されている。この
位相シフタ領域５は石英基板１の屈折率よりも高いか、
または低いかのいずれかであり、これにより、透過光の
位相が１８０度すれるようになっている。
膜パターン２が形成され、この開口部にはクロム膜パタ
ーン２から一定の間隔をあけて位相シフタ領域５が形成
されている。同図（ｂ）の実施例では、クロム膜パター
ン２の開口部は互いに近接した位置に形成され、一方の
開口部にのみ位相シフタ領域５が形成されている。この
位相シフタ領域５は石英基板１の屈折率よりも高いか、
または低いかのいずれかであり、これにより、透過光の
位相が１８０度すれるようになっている。
高屈折率化させるためのドーパントとしては、例えば窒
素（Ｎ）か用いられ、これによってＳｉＮ からなる領
域５か形成される。すなわち、位相シフタ領域５は透過
光の位相か１８０度すれるたけのドーパント濃度と厚さ
を有する透明層となっている。
素（Ｎ）か用いられ、これによってＳｉＮ からなる領
域５か形成される。すなわち、位相シフタ領域５は透過
光の位相か１８０度すれるたけのドーパント濃度と厚さ
を有する透明層となっている。
この実施例によれば、石英基板１と位相シフタ領域５の
光学定数の差により、隣接する透過光の位相には１８０
度の差が生しる。従って、透過光の干渉による悪影響か
除去されるので、透過光強度のコントラストが増大する
。このため、微細なパターンを半導体ウェーハ上に形成
てきる。また、この位相シフトマスクは有機物を構成要
素に含んでいないので、安定でしかも洗浄が容易である
。
光学定数の差により、隣接する透過光の位相には１８０
度の差が生しる。従って、透過光の干渉による悪影響か
除去されるので、透過光強度のコントラストが増大する
。このため、微細なパターンを半導体ウェーハ上に形成
てきる。また、この位相シフトマスクは有機物を構成要
素に含んでいないので、安定でしかも洗浄が容易である
。
また、表面の凹凸も少ないので、汚染されにくく、光の
散乱も少ない効果かある。
散乱も少ない効果かある。
次に、第１図（ａ）に示す位相シフトマスクの製造方法
を、第２図の製造工程別の素子断面図により説明する。
を、第２図の製造工程別の素子断面図により説明する。
ます、石英基板１を用意し、表面にクロムを堆積してク
ロム膜２ａを形成する。次に、Ｐ Ｍ Ｍ Ａなとのレ
ジストを全面に塗布し、パターニングしてレジストパタ
ーン６を形成する（第２図（ａ）図示）。ここで、クロ
ム膜２ａは１００ＯＡ程度の厚さで蒸着すればよく、レ
ジストは５００ＯＡ程度の厚さにスピンコードすればよ
い。また、レジストパターン６の形成は電子ビーム露光
と現像を用いればよい。
ロム膜２ａを形成する。次に、Ｐ Ｍ Ｍ Ａなとのレ
ジストを全面に塗布し、パターニングしてレジストパタ
ーン６を形成する（第２図（ａ）図示）。ここで、クロ
ム膜２ａは１００ＯＡ程度の厚さで蒸着すればよく、レ
ジストは５００ＯＡ程度の厚さにスピンコードすればよ
い。また、レジストパターン６の形成は電子ビーム露光
と現像を用いればよい。
次に、レジストパターン６をマスクとしてクロム膜２ａ
をウェットエツチングにより除去し、形成されたクロム
膜パターン２ｂの開口部を通して、１５μｍ程度の幅で
石英基板１を露出させる（同図（ｂ）図示）。しかる後
、レジストパターン６およびクロム膜パターン２ｂをマ
スクとして、Ｎ＋ （窒素イオン）を加速電圧５０ｋｅ
Ｖ、ドーズｆｆｉ １０１６ａｍ−２オーダーでドーピ
ングし、石英基板１にＳｉＮ を含む位相シフタ領域
５を形成する（同図（ｃ）図示）。
をウェットエツチングにより除去し、形成されたクロム
膜パターン２ｂの開口部を通して、１５μｍ程度の幅で
石英基板１を露出させる（同図（ｂ）図示）。しかる後
、レジストパターン６およびクロム膜パターン２ｂをマ
スクとして、Ｎ＋ （窒素イオン）を加速電圧５０ｋｅ
Ｖ、ドーズｆｆｉ １０１６ａｍ−２オーダーでドーピ
ングし、石英基板１にＳｉＮ を含む位相シフタ領域
５を形成する（同図（ｃ）図示）。
次に、クロム膜パターン２ｂを石英基板１とレジストパ
ターン６の間の露出部からオーバーエツチングし、位相
シフタ領域５から幅０．５μｍ程度以下でセットバック
させたクロム膜パターン２を形成する（同図（ｄ）図示
）。しかる後、レジストパターン６をプラズマ分解によ
り除去し、洗浄すると、同図（ｅ）に示す自己整合型位
相シフトマスクが得られる。
ターン６の間の露出部からオーバーエツチングし、位相
シフタ領域５から幅０．５μｍ程度以下でセットバック
させたクロム膜パターン２を形成する（同図（ｄ）図示
）。しかる後、レジストパターン６をプラズマ分解によ
り除去し、洗浄すると、同図（ｅ）に示す自己整合型位
相シフトマスクが得られる。
次に、第１図（ｂ）に示す位相シフトマスクの製造方法
を、第３図の製造工程別の素子断面図により説明する。
を、第３図の製造工程別の素子断面図により説明する。
ます、石英基板１を用意し、クロム膜２ａを形成した後
にレジストを塗布する。そして、レジスト膜をパターニ
ングして、第１のレジストパターン６１を形成する（第
３図（ａ）図示）。そこで、この第１のレジストパター
ン６１をマスクとして露出しているクロム膜２ａをエツ
チングし、クロム膜パターン２Ｃを形成した後、第１の
レジスト膜９−＞６１を除去して新しいレジスト膜を塗
布形成する（第３図（ｂ）図示）。
にレジストを塗布する。そして、レジスト膜をパターニ
ングして、第１のレジストパターン６１を形成する（第
３図（ａ）図示）。そこで、この第１のレジストパター
ン６１をマスクとして露出しているクロム膜２ａをエツ
チングし、クロム膜パターン２Ｃを形成した後、第１の
レジスト膜９−＞６１を除去して新しいレジスト膜を塗
布形成する（第３図（ｂ）図示）。
次に、電子線露光と現像により上記レジスト膜をパター
ニングし、第２のレジストパターン６２を形成する。こ
の場合、第２のレジストパターン６２の開口部は、クロ
ム膜パターン２Ｃの開口部の近傍に形成される（同図（
ｃ）図示）。しかる後、第２のレジストパターン６２を
マスクとしてクロム膜パターン２Ｃをエツチングし、形
成されたクロム膜パターン２の開口部を通して石英基板
１を露出させる。
ニングし、第２のレジストパターン６２を形成する。こ
の場合、第２のレジストパターン６２の開口部は、クロ
ム膜パターン２Ｃの開口部の近傍に形成される（同図（
ｃ）図示）。しかる後、第２のレジストパターン６２を
マスクとしてクロム膜パターン２Ｃをエツチングし、形
成されたクロム膜パターン２の開口部を通して石英基板
１を露出させる。
次に、第２のレジストパターン６２をマスクとして、Ｎ
＋を前述の実施例と同一条件でドーピングし、石英基板
１に位相シフタ領域５を形成する（同図（ｄ）図示）。
＋を前述の実施例と同一条件でドーピングし、石英基板
１に位相シフタ領域５を形成する（同図（ｄ）図示）。
しかる後、第２のレジストパターン６２を除去すると、
第３図（ｅ）の位相シフトマスクか得られる。
第３図（ｅ）の位相シフトマスクか得られる。
前述した第２図および第３図の製造方法では、イオン注
入によって位相シフタ領域が形成されるのて、ドーピン
グ濃度および厚さの制御が極めて良好である。また、ク
リーンプロセスにより形成されるので、ゴミか発生した
りすることもない。
入によって位相シフタ領域が形成されるのて、ドーピン
グ濃度および厚さの制御が極めて良好である。また、ク
リーンプロセスにより形成されるので、ゴミか発生した
りすることもない。
以上、詳細に説明した通り本発明では、位相シフタ領域
は基板に比べて高屈折率もしくは低屈折率とされている
ので、透過光に位相差が生しることとなり、従って光の
干渉の悪影響を防止し得る。
は基板に比べて高屈折率もしくは低屈折率とされている
ので、透過光に位相差が生しることとなり、従って光の
干渉の悪影響を防止し得る。
この位相シフトマスクは、表面か平坦であって安定性に
優れているので、微細パターンの光リソグラフィに好適
に使用できる。
優れているので、微細パターンの光リソグラフィに好適
に使用できる。
また、本発明の第１の製造方法によれば、遮光膜パター
ンを形成するためのレジストパターンを用いて、自己整
合的に位相シフタ領域を基板に形成することかでき、第
２の製造方法によれば、自己整合プロセスによることな
く、位相シフタ領域を基板に有する位相シフトマスクか
得られる。この場合、特に位相シフタ領域の形成にイオ
ン注入法を用いることで、その厚さと屈折率を良好に制
御できるので、歩留り良く、解像度の優れた位相シフト
マスクを作製することか可能になる。
ンを形成するためのレジストパターンを用いて、自己整
合的に位相シフタ領域を基板に形成することかでき、第
２の製造方法によれば、自己整合プロセスによることな
く、位相シフタ領域を基板に有する位相シフトマスクか
得られる。この場合、特に位相シフタ領域の形成にイオ
ン注入法を用いることで、その厚さと屈折率を良好に制
御できるので、歩留り良く、解像度の優れた位相シフト
マスクを作製することか可能になる。
第１図は本発明の実施例に係る位相シフトマスクの構成
と作用の説明図、第２図および第３図は本発明の第１お
よび第２実施例に係る位相シフトマスクの製造方法を示
す断面図、第４図は従来の位相シフトマスクの断面図で
ある。 １・・・石英基板、２・・・クロム膜パターン、５・・
・位相シフタ領域、６・・・レジストパターン、６１・
・・第１のレジストパターン、６２・・・第２のレジス
トパターン。 代理人弁理士 長谷用 芳 樹Ｍ１実施例の製
造方法 第２図 透過光 透過光 実施例の構成上作用 第１図 第２実施例の製造方法 第３図
と作用の説明図、第２図および第３図は本発明の第１お
よび第２実施例に係る位相シフトマスクの製造方法を示
す断面図、第４図は従来の位相シフトマスクの断面図で
ある。 １・・・石英基板、２・・・クロム膜パターン、５・・
・位相シフタ領域、６・・・レジストパターン、６１・
・・第１のレジストパターン、６２・・・第２のレジス
トパターン。 代理人弁理士 長谷用 芳 樹Ｍ１実施例の製
造方法 第２図 透過光 透過光 実施例の構成上作用 第１図 第２実施例の製造方法 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光リソグラフィに用いられる位相シフトマスクにお
いて、 透光性の基板と、この基板上で所定パターンに形成され
た遮光膜パターンと、前記基板中の前記遮光膜パターン
に覆われていない部分の所定領域に形成された位相シフ
タ領域とを備え、前記位相シフタ領域は不純物がドーピ
ングされて前記基板よりも高屈折率もしくは低屈折率と
なっていることを特徴とする位相シフトマスク。 ２、光リソグラフィに用いられる位相シフトマスクの製
造方法において、 透光性の基板に遮光性の材料およびレジスト材料を順次
に堆積して遮光膜およびレジスト膜を形成し、次いで前
記レジスト膜をパターニングしてレジストパターンを形
成する第１の工程と、前記レジストパターンをマスクと
して前記遮光性の材料を選択的に除去し、遮光膜パター
ンを形成する第２の工程と、 前記レジストパターンをマスクとして不純物を前記基板
中にドーピングし、当該基板よりも高屈折率もしくは低
屈折率となった位相シフタ領域を形成する第３の工程と
、 前記基板と前記レジストパターンの間で露出した前記遮
光膜パターンを所定量オーバーエッチングする第４の工
程と、 前記レジストパターンを除去する第５の工程とを備える
ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 ３、請求項２記載の位相シフトマスクの製造方法におい
て、前記第３の工程に先立って前記第４の工程を実行す
ることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 ４、光リソグラフィに用いられる位相シフトマスクの製
造方法において、 透光性の基板に遮光性の材料を堆積して一部を選択的に
除去することにより、所定部分に開口を有する第１の遮
光膜パターンを形成する第１の工程と、 レジスト材料を堆積してパターニングすることにより、
前記第１の遮光膜パターンの前記開口近傍の一部もくし
は全部を露出させたレジストパターンを形成する第２の
工程と、 前記レジストパターンをマスクとして前記遮光性の材料
を選択的に除去する第３の工程と、前記レジストパター
ンをマスクとして不純物をドーピングし、前記基板より
も高屈折率もくしは低屈折率となった位相シフタ領域を
形成する第４の工程と、 前記レジストパターンを除去する第５の工程とを備える
ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2172150A JPH0460637A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 位相シフトマスクとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2172150A JPH0460637A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 位相シフトマスクとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0460637A true JPH0460637A (ja) | 1992-02-26 |
Family
ID=15936495
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2172150A Pending JPH0460637A (ja) | 1990-06-29 | 1990-06-29 | 位相シフトマスクとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0460637A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994017449A1 (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-04 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission |
| FR2804517A1 (fr) * | 2000-05-31 | 2001-08-03 | Commissariat Energie Atomique | Masque de lithographie a decalage de phase et procede de realisation d'un tel masque |
| FR2836590A1 (fr) * | 2002-02-25 | 2003-08-29 | Marie G R P | Generateur de puissance electrique utilisant la fusion du criterium en helium |
-
1990
- 1990-06-29 JP JP2172150A patent/JPH0460637A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994017449A1 (en) * | 1993-01-21 | 1994-08-04 | Sematech, Inc. | Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission |
| FR2804517A1 (fr) * | 2000-05-31 | 2001-08-03 | Commissariat Energie Atomique | Masque de lithographie a decalage de phase et procede de realisation d'un tel masque |
| FR2836590A1 (fr) * | 2002-02-25 | 2003-08-29 | Marie G R P | Generateur de puissance electrique utilisant la fusion du criterium en helium |
| WO2003077617A1 (fr) * | 2002-02-25 | 2003-09-18 | Marie G R P | Generateur de puissance electrique utilisant la fusion du deuterium en helium |
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