JP2006017798A - ハーフトーン型位相シフトマスク及びその検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板の片面に光透過パターンを形成し、その周りに所定幅で形成の光半透過位相シフト膜の光半透過位相シフトパターンを区画形成し、前記透明基板の他方に光半透過位相シフトパターンの外周部を包囲する遮光膜の遮光パターンを区画形成したハーフトーン型位相シフトマスクで、その検査では、光半透過位相シフト膜は、光半透過位相シフト膜の面側から検査光が反射してなる反射光により、遮光パターンは、遮光膜の面側から検査光が反射してなる反射光により、光透過部は、検査光が透過してなる透過光によりライトキャリブレーションを行った後、検査する外観検査方法。
【選択図】図1
Description
(33)の中に部分的に遮光膜(34)を設けて、光透過部(32)と光半透過部(33)及び遮光部(34)が形成されたハーフトーン型位相シフトマスク(1)である。
を検出する判定方法である。従って、前記データの外周部の近傍のみにフォトマスク面に形成された膜段差(パターンエッジ)が形成されている。すなわち、データ画像が白、黒の2値化され、撮像画像でも白、黒の2値化されることである。
、ゴースト等の転写不良が発生せずに高解像度でパターン転写することができる。さらに、検査時、疑似欠陥を発生させることなく、真の欠陥を検出することができる。
な遮光パターン(14)が形成され、該遮光パターンの周りに所定幅で形成されたハーフトーン位相シフトパターン(13)を区画形成し、該ハーフトーン位相シフトパターンの外周部を包囲する光透過パターン(12)が区画形成されている。パターンP3では、中央に大面積の遮光パターン(14)が形成され、該遮光パターンの周りに所定幅で形成されたハーフトーン位相シフトパターン(13)を区画形成し、該ハーフトーン位相シフトパターンの外周部を包囲する光透過パターン(12)が区画形成されている。なお、図2aでは、遮光膜(4)側よりの平面図であり、ハーフトーン位相シフト膜(3)は透明基板の裏面に形成されたものである。図2bは、各々のパターンの側断面図であり、P1及びP2の断面は、遮光膜(4)の周りに所定幅だけ拡張した形状のハーフトーン位相シフト膜(3)が形成されている。
ことができる。
2)を主体に検査し全ての外観を検査した。本発明のハーフトーン型位相シフトマスクは、所定の検査感度規格に適合した品質が確保できた。検査時間も大幅に短縮された。
2…透明基板
3…光半透過位相シフト膜(ハーフトーン位相シフト膜)
4…遮光膜
10…転写領域のパターン
12…光透過パターン
13…光半透過位相シフトパターン(ハーフトーン位相シフトパターン)
14…遮光パターン
20…転写領域外のパターン
32…光透過部
33…光半透過部
34…遮光部
P1…微細な寸法パターン
P2…微細な寸法パターン
P3…大面積のパターン
Claims (10)
- 透明基板の面上に、露光光を透過させるための光透過パターンと、位相を変換させるための光半透過位相シフトパターンと、露光光を遮蔽させるための遮光パターンとを形成したハーフトーン型位相シフトマスクにおいて、透明基板の一方の面上に光透過パターンを形成し、該光透過パターンの周りに所定幅で形成された光半透過位相シフト膜からなる光半透過位相シフトパターンを区画形成し、前記透明基板の他方の面上に、前記光半透過位相シフトパターンの外周部を包囲する遮光膜からなる遮光パターンを区画形成したハーフトーン型位相シフトマスクであって、前記光半透過位相シフトパターン及び遮光パターンの各々中心位置が重なり合うことを特徴としたハーフトーン型位相シフトマスク。
- 前記光半透過位相シフトパターンが、遮光パターンの形状より外周部方向に所定幅だけ拡張した形状であることを特徴とした請求項1記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
- 前記光透過パターン及び光半透過位相シフトパターン及び遮光パターンの形成領域が、被転写基板に転写形成される転写領域と、その外周部にアライメント及び枠等の転写形成されない転写領域外とで形成され、転写領域のパターンでは、光半透過位相シフトパターンが遮光パターンの形状より外周部方向に所定幅だけ拡張した形状であり、転写領域外のパターンでは、光半透過位相シフトパターンが遮光パターンの形状と同じ形状で重なり合う位置に形成されたことを特徴とした請求項1、又は2記載のハーフトーン型位相シフトマスク。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載のハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法において、光半透過位相シフトパターンの検査を行う場合には、光半透過位相シフト膜の面側から検査光を照射し、該検査光が反射してなる反射光により光半透過位相シフト膜と透明基板でライトキャリブレーションを行った後、検査することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載のハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法において、遮光パターンの検査を行う場合には、遮光膜の面側から検査光を照射し、該検査光が反射してなる反射光により遮光膜と透明基板でライトキャリブレーションを行った後、検査することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載のハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法において、光透過パターンの検査を行う場合には、透明基板面に検査光を照射し、該検査光が透過してなる透過光により遮光膜と透明基板でライトキャリブレーションを行った後、検査することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載のハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法において、光半透過位相シフトパターンの検査を行う場合には、光半透過位相シフト膜の面側から検査光を照射し、該検査光が反射してなる反射光により光半透過位相シフト膜と透明基板でライトキャリブレーションを行ない、且つ、遮光パターンの検査を行う場合には、遮光膜の面側から検査光を照射し、該検査光が反射してなる反射光により遮光膜と透明基板でライトキャリブレーションを行った後、検査することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載のハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法において、光半透過位相シフトパターンの検査を行う場合には、光半透過位相シフト膜の面側から検査光を照射し、該検査光が反射してなる反射光により光半透過位相シフト膜と透明基板でライトキャリブレーションを行ない、且つ、光透過パターンの検査を行う場合
には、検査光が透過してなる透過光により遮光膜と透明基板でライトキャリブレーションを行った後、検査することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項記載のハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法において、遮光パターンの検査を行う場合には、遮光膜の面側から検査光を照射し、該検査光が反射してなる反射光により遮光膜と透明基板でライトキャリブレーションを行ない、且つ、光透過パターンの検査を行う場合には、検査光が透過してなる透過光により遮光膜と透明基板でライトキャリブレーションを行った後、検査することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法。
- 請求項1乃至3のいずれか1項記載のハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法において、光半透過位相シフトパターンの検査を行う場合には、光半透過位相シフト膜の面側から検査光を照射し、該検査光が反射してなる反射光により光半透過位相シフト膜と透明基板でライトキャリブレーションを行ない、且つ、遮光パターンの検査を行う場合には、遮光膜の面側から検査光を照射し、該検査光が反射してなる反射光により遮光膜と透明基板でライトキャリブレーションを行ない、且つ、光透過パターンの検査を行う場合には、検査光が透過してなる透過光により遮光膜と透明基板でライトキャリブレーションを行った後、検査することを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクの外観検査方法。
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