CN102628804A

CN102628804A - 透射率测定装置和透射率测定方法

Info

Publication number: CN102628804A
Application number: CN2012100204230A
Authority: CN
Inventors: 石川晋; 园田恒彦; 饭塚隆之; 田中淳一; 吉田光一郎
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 2011-02-03
Filing date: 2012-01-29
Publication date: 2012-08-08
Anticipated expiration: 2032-01-29
Also published as: KR101779620B1; TW201237394A; KR20120089575A; CN102628804B; JP2012177678A; JP5869347B2; TWI522608B

Abstract

本发明提供-种透射率测定装置和透射率测定方法，能够抑制由于内部反射光而导致的误差并高精度地对测定对象区域的透射率进行测定。透射率测定装置由以下部件构成：光源装置，其射出被检光；第-光学系统，其会聚该被检光并在测定对象上形成点；第二光学系统，其对透射过测定对象的被检光进行会聚，形成点的共轭像；光圈，其配置在共轭像的形成位置附近；以及光检测单元，其对透射过光圈的被检光进行检测。

Description

透射率测定装置和透射率测定方法

技术领域

本发明涉及对具有透射光的区域的测定对象的透射率进行测定的透射率测定装置和透射率测定方法。

背景技术

在液晶面板等电子部件的制造工序中，为了通过削减掩模数量来实现低成本化，使用在现有的单色图案中追加至少一层半透射膜图案的所谓的多色调光掩模(参照日本特开2009-258250号公报(以下记为专利文献1))。在控制这种半透射膜图案的透射率时，对多色调光掩模的品质进行管理是很重要的。因此，在多色调光掩模的品质管理中，利用与实际构图的半透射膜相同的成分制作基准掩模，测定透射率，作为半透射膜图案的透射率进行评价。

在特许4358848号公报(以下记为专利文献2)中记载了对取样的特定区域(滤色器的像素)的透射率进行实测的透射率测定方法。在专利文献2所记载的透射率测定方法中，将被检光会聚在取样的测定对象区域，测定其透射光强度，根据测定强度计算该区域的透射率。

但是，半透射膜图案复杂且细微地形成在具有大面积的透明基板上，所以难以制造成均一的透射率，可能有时与基准掩模的透射率不一致。并且，仅形成有半透射膜的阶段中的光透射率、和经过多个工艺而成为实施了构图后的光掩模完成品时的光透射率有时不是同一透射率。因此，在对光掩模进行管理时，优选与周边图案无关地对在光掩模上的任意位置形成的半透射膜图案的透射率进行实测。

对上述专利文献2所记载的透射率测定方法进行改良并发展，认为如果实施使被检光会聚在多色调光掩模上的方法，则能够对细微的半透射膜图案的透射率进行实测。例如，认为当使被检光会聚在半透射膜图案上并利用光检测器检测其透射光时，能够不受周围图案的透射率的影响而测定细微的半透射膜图案的透射率。

但是，在实施了上述透射率测定方法的情况下，在光检测器中，假设不仅检测到直接透射过多色调光掩模的直接光，还混合存在有透明基板的内部反射光，该内部反射光也被检测到。内部反射光被定义为，在射出透明基板时产生的内部反射成分在透明基板的转印图案形成面再次进行内部反射后射出透明基板的光。在内部反射光中还包含有多次重复进行透明基板的射出面和转印图案形成面的内部反射的多重反射光。

转印图案形成面中的反射率依赖于转印图案形成面上描绘的图案而变化。当上述反射率变化时，由光检测器检测到的检测光量也变化。即，使用光检测器测定的半透射膜图案的透射率依赖于转印图案形成面上的图案而变化，所以难以准确地进行测定。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，提供能够抑制由于内部反射光而导致的误差并高精度地对测定对象区域的透射率进行测定的优选的透射率测定装置。

解决上述课题的本发明的一个方式的透射率测定装置的特征在于，该透射率测定装置具有：光源装置，其射出被检光；第一光学系统，其会聚该被检光并在测定对象上形成点；第二光学系统，其对透射过测定对象的被检光进行会聚，形成点的共轭像；光圈，其配置在共轭像的形成位置附近；以及光检测单元，其对透射过光圈的被检光进行检测。

根据本发明，能够通过光圈大致切断被检光透射测定对象时产生的内部反射光，并将不进行内部反射而透射过测定对象的直接光没有遗漏地导向光检测单元。实质上抑制了依赖于测定对象上的图案的透射率的变化，所以例如能够高精度地进行细微的半透射膜图案的透射率测定。即，根据本发明，提供能够抑制由于内部反射光而导致的误差并高精度地对测定对象区域的透射率进行测定的优选的透射率测定装置。

为了对透射直接光的功能和遮断内部反射光的功能进行补充，光圈的开口直径可以为共轭像的直径以上、并且小于被检光透射测定对象时产生的内部反射光在该光圈位置处的光束直径。

为了更加良好地发挥透射直接光的功能和遮断内部反射光的功能，光圈可以具有处于共轭像的直径的2～400倍的范围内的开口直径。

为了在测定对象上形成微小的点，光源装置可以构成为射出特定波长的光。

并且，在本发明的一个方式的透射率测定方法中，光掩模在透明基板上至少具有对半透射膜进行构图而得到的半透射图案，该光掩模的透射率测定方法包含如下方法：使用上述透射率测定装置测定半透射图案的透射率。

作为本发明的测定对象的光掩模通过在透明基板上具有对半透射膜进行构图而得到的半透射图案和对遮光膜进行构图而得到的遮光膜图案，成为具有透光部、遮光部和半透射部的多色调光掩模。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式的透射率测定装置的结构的框图。

图2是示出本发明的实施方式的透射率测定装置的结构的框图。

图3是示出作为测定对象的光掩模的转印图案形成面的图。

图4是示出作为测定对象的光掩模的转印图案形成面的图。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式的透射率测定装置进行说明。

本实施方式的透射率测定装置是对光掩模的透射率进行测定的装置，适于进行在透明基板上形成的细微的半透射膜图案的透射率测定。图1和图2是示出本实施方式的透射率测定装置100的结构的框图。图1示出透射率测定装置100全体的结构，图2示出透射率测定装置100的一部分的结构。

如图1所示，透射率测定装置100具有投光单元1和受光单元4。在投光单元1与受光单元4之间，按照使测定对象面(转印图案形成面)朝向投光单元1侧的方式安装有作为测定对象的光掩模8。在本实施方式中，光掩模8是除了单色图案以外还在透明基板上形成有半透射膜图案的、液晶面板制造用的所谓的多色调光掩模。

另外，如后所述，本发明的透射率测定装置和方法不限于液晶面板制造用光掩模，并且不限于多色调光掩模。

投光单元1具有光源装置2和第一会聚透镜系统3。光源装置2具有射出特定的单一波长的被检光的激光光源。光源装置2也可以具有LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等其他方式的光源。

并且，光源装置2也可以构成为，在水银灯、卤素灯、氙灯等射出宽波段的光的光源中，组合选择性地透射特定波长的光的波长选择滤波器。作为例子，光源装置2射出波长405nm的被检光。在光源装置2中包含有将来自光源的射出光转换为准直光并高效地导向第一会聚透镜系统3的准直透镜。

在本发明中，可以根据被检体的用途来选择光源。在透射率测定的被检体是液晶面板用光掩模的情况下，优选使用将该光掩模所具有的转印图案转印到被转印体上时使用的曝光机的光源所包含的波长，作为被检光波长。例如，可以使用i线(365nm)、g线(405nm)、h线(436nm)中的任意一方作为代表波长，可以使用能够射出该代表波长的水银灯、卤素灯、氙灯、LED光源等。

并且，激光的光束中的光强度一般具有大致高斯分布。即，在与光轴垂直的平面上，光束中央(光轴附近)的光强度相对较大，随着远离光轴(随着前往周边部)而减少。另一方面，在包含多种波长的上述灯或LED中，不具有上述激光那样的强度分布，光束中的光强度依赖于光源的形状和用于形成光束的光学系统。该情况下，为了具有与激光类似的光强度分布，可以具有以调整光束的光分布为目的的滤波器(例如切趾滤波器)。

在使用水银灯、卤素灯、氙灯等作为光源的情况下，优选组合使用从混合有多种波长的光中选择性地透射期望波长的光的波长选择滤波器。另一方面，在如激光光源或LED那样射出特定波长的光的光源的情况下，也可以构成为不设置波长选择滤波器。或者，应用搭载有多个单一波长的LED或激光光源的光源装置也是有用的。这样，通过切换使用彼此不同的单一波长的多个光源，能够测定每种不同波长的透射率。并且，从这些LED或激光光源射出的单一波长的光易于通过光学系统而会聚，能够缩小光束直径，因此是优选的。

在使用这些指向性高的光源时，也可以使用光束扩展器(未图示)等光学元件，将射出的光束的直径(光束直径)放大到规定倍率，并导入后述的第一会聚透镜系统3。并且，在使用激光光源作为光源时，优选使振荡为单一模式，光束直径的形状优选为圆或椭圆。

第一会聚透镜系统3充分进行像差校正，以便能够在光掩模8的测定对象区域11上形成微小的点。第一会聚透镜系统3例如为NA0.4，使从光源装置2射出的波长405nm的被检光以2.0μm以下的点径会聚在测定对象区域11上。在本说明书中，在如激光那样光源的强度分布为高斯分布的情况下，将具有1/e²(峰值的大约13.5％)以上的强度的范围定义为点径，在使用灯或LED等光源强度分布不是高斯分布的光源的情况下，将86.4％以上的光量所集中的范围定义为点径。并且，本说明书中，没有明确记载为“半径”的径全部是指“直径”。

投光单元1构成为，通过省略图示的移动机构，在与光掩模8的转印图案形成面平行的面内(即与光轴垂直的面内)移动自如，并且能够对与液晶面板用光掩模8之间的光轴方向的相对位置进行微调。投光单元1对与转印图案形成面平行的面内和光轴方向的位置进行调节，使得例如在测定对象区域11为半透射膜图案时，第一会聚透镜系统3的会聚点到达半透射膜图案上。

另外，受光单元4也通过省略图示的移动机构而移动自如。优选投光单元1和受光单元4经由连动机构而成为一体并相对于光掩模8进行移动。

在半透射膜图案上会聚的被检光透射光掩模8。被检光如图2中的虚线所示，在射出光掩模8的透明基板时，一部分光进行内部反射，在转印图案形成面上再次进行内部反射后射出透明基板。在受光单元4中，不仅入射有不进行内部反射而透射过光掩模8的直接光(图2中的实线)，还入射有这种内部反射光(图2中的虚线)。

受光单元4具有光量检测器5、第二会聚透镜系统6、光圈7。为了高效地取入通过第一会聚透镜系统3会聚的被检光的全部光束，优选第二会聚透镜系统6的光掩模8侧的NA大于通过第一会聚透镜系统3而收敛于光掩模8的测定对象区域11上的光束的NA。

在本实施方式中，光圈7被配置在通过第二会聚透镜系统6形成与测定对象区域11上的第一会聚透镜系统3的会聚点共轭的像的位置。因此，透射过测定对象区域11的被检光中的直接光在光圈7的位置形成微小的点的共轭像并透射光圈7(图2中的实线)，但是，内部反射光在与直接光不同的位置成像，在光圈7的位置扩展，所以大部分被光圈7遮断(图2中的虚线)。因此，在光量检测器5中，实质上仅检测到直接光。

在将基于第一会聚透镜系统3的被检光的会聚角定义为θ(单位：deg)、将光掩模8的厚度定义为t(单位：mm)、将光掩模8的折射率定义为n、将基于第二会聚透镜系统6的共轭像的成像倍率定义为m的情况下，光圈7的位置处的内部反射光的光束半径L(单位：mm)由下式(1)示出。

L＝2tanθ·(t/n)m...(1)

另外，与透明基板的厚度相比，半透射膜图案的厚度非常薄，在计算上忽略也没有影响。在本实施方式中，为了简便，设透明基板单体的厚度、折射率分别为光掩模8的厚度t、折射率n，计算光束半径L。

在将光圈7的开口半径定义为r(单位：mm)的情况下，光圈7的位置处的内部反射光的光束与光圈7的开口部的面积比Sr由下式(2)示出。

Sr＝r²/L²...(2)

在将透射测定对象区域11的被检光全体中的到达光圈7的内部反射光的比例定义为内部反射透射率Ix的情况下，透射测定对象区域11的被检光全体中的到达光量检测器5的内部反射光的比例(以下记为“内部反射透射率Iy”。)由下式(3)示出。另外，设内部反射光是具有相同强度分布的光束。

Iy＝Ix·Sr...(3)

这里，光圈7要求透射直接光的功能和遮断内部反射光的功能。为了对两个功能进行补充，光圈7的开口直径为大于等于形成在光圈7的位置处的共轭像直径(直接光的直径)SP、且小于内部反射光的光束直径(光束半径L×2)的大小即可。另外，在本说明书中，共轭像直径与点径同样，在如激光那样光源强度分布为高斯分布的情况下，将具有1/e²(峰值的大约13.5％)以上的强度的范围定义为共轭像直径，在使用灯或LED等光源强度分布不是高斯分布的光源的情况下，将86.4％以上的光量所集中的范围定义为共轭像直径。

在共轭像的形成位置和光圈7的开口中心由于组装误差等而偏心的情况下，共轭像可能由于光圈7而产生遮光。并且，根据产品规格，优选进一步减少到达光量检测器5的内部反射光。为了抑制该遮光量，需要较大地设计光圈7的开口直径，为了减少到达光量检测器5的内部反射光，需要较小地设计光圈7的开口直径。为了满足这些相反的要求，优选光圈7的开口直径被设计成处于共轭像直径SP的2～400倍的范围内的大小。

在光圈7的开口直径为共轭像直径SP的2倍时，对透射过第一会聚透镜系统3的直接光中的点径(1/e²)的外侧部分的一部分进行遮光。其结果，大约99.97％的光量的直接光到达光量检测器5。即使在共轭像的形成位置和光圈7的开口中心由于组装误差等而偏心的情况下，也只不过是共轭像中的强度低的边缘部分由于光圈7而产生遮光。即，直接光的损失轻微，所以实质上对半透射膜图案的透射率测定没有影响。

关于到达光量检测器5的内部反射光，鉴于光掩模的技术领域所要求的测定精度，优选通过光圈7抑制为1/100以下。即，根据式(2)，将光圈7的开口半径r设计成内部反射光的光束半径L的1/10以下，使得面积比Sr为1/100以下即可。例如在tanθ＝0.4、t＝6.0、n＝1.47、m＝4的情况下，根据式(1)，L＝13.32。为了使面积比Sr为1/100，根据式(2)，r＝1.332。在基于第一会聚透镜系统3的测定对象区域11上的点径为2.0μm时，由于m＝4，因此共轭像直径SP为8.0μm。为了使面积比Sr为1/100以下，由于开口半径r为1.332mm、共轭像直径SP的半径为4.0μm，因此，需要使光圈7的开口直径为共轭像直径SP的大约333倍以下。但是，当考虑到在廉价的光掩模中要求的测定精度低于上述例子，并且，在要求的测定精度低的测定装置中，增大机械配置偏差的容许范围或降低测定用光学系统的像差校正性能时，光圈7的开口直径可以容许到共轭像直径SP的400倍以下的大小。

另外，在本实施方式中，光圈7被配置在通过第二会聚透镜系统6形成与测定对象区域11上的第一会聚透镜系统3的会聚点共轭的像的位置。但是，根据本发明，不仅包含光圈7位于与第一会聚透镜系统3的会聚点完全共轭的位置的情况，还包含配置在其前侧或后侧的情况。即，光圈7如下构成即可：在通过第二会聚透镜系统6会聚的被检光入射到光量检测器之前，遮断其光束的一部分，并对光束进行调整。在该意思中，根据本发明，光圈7被配置在与测定对象区域11上的第一会聚透镜系统3的会聚点共轭的像的形成位置附近。例如，优选包含共轭像的形成位置在内，位于光轴方向的1000μm以内的区域。

优选光圈7被配置在收敛于将与上述会聚点共轭的位置作为中央值的规定容许公差内的位置。考虑光圈7的开口直径(由于组装误差等而引起的光圈7所导致的共轭像的遮光量)、由光量检测器5检测到的内部反射光的容许程度等，决定光圈7相对于共轭点的可容许配置误差。

根据发明人的研究，例如在设被检光在被检体表面的反射率为80％、在背面的反射率为4％时，通过使光圈7的开口直径为内部反射光的光束直径的1/2，能够使内部反射光针对透射率测定误差的影响为大约1％以下。

在光量检测器5中，假设了Si光电二极管或光电倍增管等。为了高精度地对测定对象区域11的透射光量进行测定，例如可以在积分球的内表面设置光量检测器5。该积分球发挥如下作用：使从入射端口进入的光(透射光束)在球内壁面进行扩散反射，从而在空间上进行积分而使其均匀地入射到光量检测器。

由光量检测器5检测到的光量数据输入到运算装置9。运算装置9根据所输入的光量数据运算光掩模8的透射率T(单位：％)。这里，使用透射率测定装置100预先测定形成薄膜之前的透明基板单体的透射率Tb(单位：％)，并保存在运算装置9的存储器中。运算装置9使用下式(4)，计算测定对象区域11上的半透射膜图案的透射率Ta(单位：％)。

Ta＝T/Tb...(4)

另外，可以在本发明的透射率测定装置中设置对光圈的开口直径的大小进行调整的光圈开口调整单元(未图示)。并且，可以具有能够在光轴方向上调整光圈位置的光圈位置可变单元。例如考虑存在厚度不同的多种光掩模的情况。该情况下，上述共轭像的形成位置根据光掩模的厚度而变动，这可能影响测定精度。该情况下，可以使用上述光圈位置可变装置提高测定精度。

进而，本发明的透射率测定装置可以具有在与光轴方向垂直的方向上调整光圈位置的单元。

图3是示出光掩模8的转印图案形成面的图。这里示出液晶面板用光掩模。图4(a)、(b)是分别放大示出图3中的区域R₁、R₂的图。如图3和4所示，并不是同样地在转印图案形成面上形成图案。位于光掩模8中央的区域R₁是与像素对应的部分，所以图案少，透射区域的比例大。位于光掩模8外周附近的区域R₂是布线部，所以图案多，遮光膜图案的比例大。区域R₂中的遮光膜图案的比例大，所以与区域R₁相比，内部反射光增多。下面，使用比较例进行具体说明。

(比较例)

在图4(a)、(b)中，设半透射膜自体的透射率Ta为45.0％，设透明基板的透射率Tb为96.0％。根据式(4)，光掩模8的透射率T是

0.45×0.96×100＝43.2％

并且，关于内部反射光在转印图案形成面进行内部反射时的内部反射率(对来自透明基板背面的反射光的光束所照射的区域的反射率进行平均而得到的值)，当在图4(a)的例子中设为5.0％、在图4(b)的例子中设为40.0％时，内部反射透射率Ix分别为

0.45×(1-0.96)×0.05×100＝0.09％

0.45×(1-0.96)×0.40×100＝0.72％

在没有第二会聚透镜系统6和光圈7的情况下，使用光量检测器5测定的光掩模8的透射率T为透射率T+内部反射透射率Ix，所以在图4(a)的例子中为43.29％，在图4(b)的例子中为43.92％。这样，在没有第二会聚透镜系统6和光圈7的情况下，本来应该为相同值的透射率T依赖于测定对象区域11上的周围图案而变化，所以妨碍了半透射膜图案的透射率测定。另外，在本比较例和接着说明的各实施例中，由于多重反射光的光量非常小，所以不予考虑，以便能够简单地掌握发明的特征。

【实施例1】

在本实施例1中，构成透射率测定装置100的各要素的规格如下所示。另外，在本实施例1和接着说明的实施例2中，由于作为测定对象的光掩模8在比较例和各实施例中相同，因此，透射率T、Ta、Tb、内部反射透射率Ix的各值引用比较例的值。

光源装置2...射出准直光的波长405nm的半导体激光模块

第一会聚透镜系统3...NA0.4(式(1)的tanθ＝0.43)的显微镜物镜

光量检测器5...Si光电二极管

第二会聚透镜系统6...焦距30mm的非球面透镜

光圈7...开口

的针孔

光掩模8...厚度t＝7.0mm的合成石英(波长405nm时的折射率n＝1.46966)

第二会聚透镜系统6被配置在第一会聚透镜系统3的会聚点在光圈7上成为4倍的位置(即m＝4)。

在本实施例1中，根据式(1)，光束半径L为16.38mm。根据式(2)，面积比Sr为3.72E-7。表记E表示以10为基数、以E右侧的数字为指数的乘幂。根据式(3)，被检光透射过区域R₁、R₂中的半透射膜图案时的内部反射透射率Iy分别如下所示。

0.09×(3.72E-7)×100＝3.35E-6

0.72×(3.72E-7)×100＝2.68E-5

在配置有第二会聚透镜系统6和光圈7的情况下，使用光量检测器5测定的光掩模8的透射率T为透射率T+内部反射透射率Iy，所以在图4(a)、(b)的任意例子中均大致为43.2％。在本实施例1中，通过配置第二会聚透镜系统6和光圈7，能够将直接光没有遗漏地导向光量检测器5并大致切断内部反射光，能够在实质上抑制由于测定对象区域11上的周围图案而导致的透射率的变化。因此，能够准确地进行细微的半透射膜图案的透射率测定。

【实施例2】

在本实施例2中，构成透射率测定装置100的各要素的规格如下所示。

光源装置2...波长355nm的YAG激光器+光束扩展器(准直管)

第一会聚透镜系统3...NA0.65(式(1)的tanθ＝0.86)的显微镜物镜

光量检测器5...光电倍增管

第二会聚透镜系统6...焦距50mm的两张结构的透镜系统

光圈7...开口

光掩模8...厚度t＝12.0mm的合成石英(波长355nm时的折射率n＝1.47604)

第二会聚透镜系统6被配置在第一会聚透镜系统3的会聚点在光圈7上成为3倍的位置(即m＝3)。

在本实施例2中，根据式(1)，光束半径L为41.95mm。根据式(2)，面积比Sr为3.20E-4。根据式(3)，被检光透射过区域R₁、R₂中的半透射膜图案时的内部反射透射率Iy分别如下所示。

0.09×(3.20E-4)×100＝0.003

0.72×(3.20E-4)×100＝0.023

关于使用光量检测器5测定的光掩模8的透射率T，在图4(a)的例子中为43.203％，在图4(b)的例子中为43.223％。在本实施例2中，通过配置第二会聚透镜系统6和光圈7，能够将直接光没有遗漏地导向光量检测器5并大致切断内部反射光，能够稍微抑制由于测定对象区域11上的周围图案而导致的透射率的变化。因此，能够准确地进行细微的半透射膜图案的透射率测定。

以上是本发明的实施方式的说明。本发明不限于上述结构，能够在本发明的技术思想的范围内进行各种变形。例如，本发明不限于设测定对象为光掩模的透射率测定装置，也能够应用于对具有透射光的区域的其他方式的测定对象的透射率进行测定的透射率测定装置。

并且，如在本实施方式中说明的那样，本发明包含透射率测定方法，作为测定对象，举出具有对在透明基板上形成的半透射膜进行构图而得到的半透射膜图案的测定对象。并且，通过还具有遮光膜图案，在具有遮光部、透射部、半透射部的多色调光掩模中，本发明的效果显著。相对于曝光光，优选半透射膜的透射率为5～80％。

通过使用这种光掩模在形成于被转印体上的抗蚀膜上进行曝光、显影，使曝光量局部不同，能够形成残膜量局部不同的抗蚀图案。该情况下，能够利用1张掩模进行以往使用2张掩模的工序，所以能够削减掩模使用张数，液晶面板等的生产效率提高。

进而，还提出了具有由光透射率不同的2种以上的半透射膜图案形成的多个半透射部的、4色调以上的多色调光掩模。在这种多个半透射部的透射率的保证方面，本发明是有效的。

作为液晶面板用的光掩模，例如可以使用如下的多色调光掩模：将TFT(薄膜晶体管)中的与源极、漏极对应的部分形成为遮光部，将与在该源极、漏极之间相邻设置的沟道部相当的部分形成为半透射部。近年来，伴随TFT沟道部等图案的细微化，在多色调光掩模中，也需要越来越细微的图案，TFT沟道部的图案中的与沟道宽度相当的部分、即遮光膜之间的半透射部的宽度也存在细微化倾向。在液晶面板的明亮度提高和反应速度提高的方面，这种细微化是有效的。为了实现细微化，细微图案部分的透射率管理是很重要的。

并且，本发明还能够有效地应用于在透明基板上仅形成半透射膜并对其实施规定构图而得到的光掩模，能够精致地对半透射部的细微图案的透射率进行测定。

作为本发明的测定对象，例示了在半透射图案中具有0.5μm以上10μm以下的线宽的测定对象。进而，在1μm以上7μm以下、更加优选为2μm以上7μm以下时，本发明的效果显著。

在上述内容中，举出液晶面板用光掩模为例进行了说明，但是，光掩模的用途不限于此。本发明的透射率测定装置和方法同样适用于其他用途的光掩模的透射率测定，能够发挥有用的效果。例如，除了液晶以外，还可以列举包含有机EL等的显示装置用的光掩模、摄像装置用的光掩模、集成电路用光掩模等。根据用途，半透射膜使透射光相位反转，从而在利用干涉作用(针对透射光的代表波长，相位偏移量为180度±30度)、或者实质上不利用干涉效应(针对透射光的代表波长，相位偏移量为60度以下)的任意一方中，本发明的效果是有用的。

Claims

1.一种透射率测定装置，其特征在于，该透射率测定装置具有：

光源装置，其射出被检光；

第一光学系统，其会聚所述被检光并在测定对象上形成点；

第二光学系统，其对透射过所述测定对象的被检光进行会聚，形成所述点的共轭像；

光圈，其配置在所述共轭像的形成位置附近；以及

光检测单元，其对透射过所述光圈的被检光进行检测。

2.根据权利要求1所述的透射率测定装置，其特征在于，

所述光圈的开口直径大于等于所述共轭像的直径、并且小于所述被检光透射所述测定对象时产生的内部反射光在该光圈位置处的光束直径。

3.根据权利要求1所述的透射率测定装置，其特征在于，

所述光圈具有处于所述共轭像的直径的2～400倍的范围内的开口直径。

4.根据权利要求1所述的透射率测定装置，其特征在于，

所述光源装置射出特定波长的光。

5.一种光掩模的透射率测定方法，该光掩模在透明基板上至少具有对半透射膜进行构图而得到的半透射图案，其特征在于，

使用权利要求1～4中的任意一项所述的透射率测定装置，测定所述半透射图案的透射率。

6.根据权利要求5所述的光掩模的透射率测定方法，其特征在于，

所述光掩模通过在透明基板上具有对半透射膜进行构图而得到的半透射图案和对遮光膜进行构图而得到的遮光膜图案，成为具有透光部、遮光部和半透射部的多色调光掩模。