KR960026148A - 반도체소자 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 고집적 반도체소자의 콘택홀 형성방법에 관한 것으로, 콘택홀을 형성한 다음, 동일 반응로에서 인 시투 플라즈마 이온주입으로 노출된 확산영역으로 불순물을 주입하여 추가 확산영역을 형성하여 콘택저항을 감소시키며, 반도체소자의 열화를 개선할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 의해 콘택홀을 형성하고, 인 시투 플라즈마 도핑공정으로 추가 접합영역을 형성한 단면도.
Claims (4)
- 반도체소자 제조방법에 있어서, 집합영역이 형성된 반도체기판에 절연막을 도포하고 콘택홀 마스크용 감광막패턴을 형성하는 단계와, 노출된 절연막을 식각하여 상기 접합영역이 노출되는 콘택홀을 형성하는 단계와, 노출된 접합영역으로 인 시투 플라즈마 도핑방법으로 상기 접합영역의 표면에 추가 접합영역을 형성하는 단계를 포함하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 인 시투 플라즈마 도핑을 실시할때 플라즈마 형성가스는 플라즈마 상태에서 3족 또는 5족의 원소가 이온화 되는 가스인 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택 마스크의 오정렬에 의해 접합영역의 일정부분만 노출된 콘택홀이 형성되고, 후공정에서 콘택홀에 노출되는 반도체기판까지 인 시투 플라즈마 도핑방법에 의해서 추가 접합영역이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택홀을 형성할때 과도식각으로 인하여 접합영역에 홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039058A KR960026148A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039058A KR960026148A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026148A true KR960026148A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039058A KR960026148A (ko) | 1994-12-29 | 1994-12-29 | 반도체소자 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026148A (ko) |
-
1994
- 1994-12-29 KR KR1019940039058A patent/KR960026148A/ko not_active Application Discontinuation
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