KR970051950A - 반도체장치의 고저항 영역 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체장치의 고저항영역 형성공정에서 수행되는 고열처리 공정에서 반도체장치의 고저항 영역의 온도 특성이 저하되지 않는 반도체 장치의 고저항영역 형성방법에 관한 것으로, 기판상에 산화막과 포토레지스트를 순차적으로 형성하여 상기 포토레지스트를 베이스 영역 및 고저항 영역이 형성될 부분을 한정하여 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 베이스영역 및 고저항영역이 형성될 부분의 상기 산화막을 식각하는 공정과; 상기 산화막의 식각으로 노출된 기판상에 제1완충산화막을 형성하는 공정과; 상기 산화막의 시각으로 노출된 기판상에 제1완충산화막을 형성하는 공정과; 베이스 영역 및 고저항 영역이 형성될 부분의 상기 기판내로 불순물 이온을 주입하여 확산시키는 공정과; 상기 고저항 영역이 형성될 부분의 상기 산화막을 식각하는 공정과; 상기 고저항 영역이 형성될 부분의 노출된 기판상에 제2완충산화막을 형성하는 공정과; 상기 베이스 영역을 제외한 상기 고저항 영역이 형성될 부분의 기판내로 다시 한번 불순물 이온을 주입하는 공정과; 상기 고저항 영역의 기판내로 주입된 상기 불순물 이온을 확산시키는 공정을 포함하고 있다. 이와 같은 방법에 의해 반도체장치의 고저항 영역의 표면농도를 높여줌으로써, 고저항영역의 저항 및 온도 특성의 저하를 방지할 수 있다.

Description

반도체장치의 고저항 영역 형성방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1A도 내지 제1D도는 본 발명의 실시예에 따른 반도체장치의 고저항 영역의 형성방법을 보여주는 순차 공정도.

Claims (2)

1. 기판(10)상에 산화막(12)과 포토레지스트를 순차적으로 형성하여 상기 포토레지스트를 베이스 영역(18) 및 고저항 영역(20)이 형성될 부분을 한정하여 패터닝하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 베이스 영역(18) 및 고저항 영역(20)이 형성될 부분의 상기 산화막(12)을 식각하는 공정과; 상기 산화막(12)의 식각으로 노출된 기판(10)상에 제1완충산화박(14)을 형성하는 공정과; 베이스 영역(18) 및 고저항 영역(20)이 형성될 부분의 상기 기판(10) 내로 불순물 이온(16)을 주이하여 확산시키는 공정과; 상기 고저항 영역(20)이 형성될 부분의 상기 산화막(12)을 식각하는 공정과; 상기 고저항 영역(20)이 형성될 부분의 노출된 기판(10)상에 제2완충 산화막(14a)을 형성하는 공정과; 상기 베이스 영역(18)을 제외한 상기 고저항 영역(20)이 형성될 부분의 기판(10)내로 다시 한번 불순물 이온(16a)을 주입하는 공정과; 상기 고저항 영역(20)의 기판(10)내로 주입된 상기 불순물 이온(16)을 확산시키는 공정을 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 고저항 영역 형성방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 고저항 영역(20)의 표면농도는 상기 베이스 영역(18)의 표면농도에 비해 상대적으로 고농도로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 고저항 영역 형성 방법.

   ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.