JP2001174977A - 露光パターン及び露光原版の検査方法 - Google Patents
露光パターン及び露光原版の検査方法Info
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- JP2001174977A JP2001174977A JP36106999A JP36106999A JP2001174977A JP 2001174977 A JP2001174977 A JP 2001174977A JP 36106999 A JP36106999 A JP 36106999A JP 36106999 A JP36106999 A JP 36106999A JP 2001174977 A JP2001174977 A JP 2001174977A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトマスク検査において、２重露光箇所で
エラーが多発して検査ができなくなることを回避する。 【解決手段】 露光時に２つ以上のマスクパターンが形
成された露光原版の２つのマスクパターンの重なる領域
の配線に対して、２重露光を考慮して、フォトマスクに
ネガレジストを使用した場合は、２つのマスクパターン
の論理積をとった配線部分に一定の太り量となる太らせ
処理を行い、フォトマスクにポジレジストを使用した場
合は、２つのマスクパターンの重なった配線部分に一定
の細り量となる細らせ処理を行ったものを検査用データ
に反映させて検査を行う。
エラーが多発して検査ができなくなることを回避する。 【解決手段】 露光時に２つ以上のマスクパターンが形
成された露光原版の２つのマスクパターンの重なる領域
の配線に対して、２重露光を考慮して、フォトマスクに
ネガレジストを使用した場合は、２つのマスクパターン
の論理積をとった配線部分に一定の太り量となる太らせ
処理を行い、フォトマスクにポジレジストを使用した場
合は、２つのマスクパターンの重なった配線部分に一定
の細り量となる細らせ処理を行ったものを検査用データ
に反映させて検査を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レイアウト設計さ
れたマスクパターンデータを用い、１枚の露光原版上に
電子線等により描画合成してマスクパターンを形成する
露光原版の作製方法に関する。
れたマスクパターンデータを用い、１枚の露光原版上に
電子線等により描画合成してマスクパターンを形成する
露光原版の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路製造におけるフォトリソグラフ
ィー技術では、フォトマスク（露光原版）が用いられて
いる。このフォトマスクは、ガラス基板上にクロムなど
の金属遮光体によるマスクパターンが形成されたもので
ある。そのマスクパターンは、電子線（ＥＢ）露光装置
を用い、電子線を用いたリソグラフィー技術で形成され
る。そして、集積回路の設計データから得られるレイア
ウト設計データによるパターンデータにより、その電子
線露光装置で描画を行っている。そのパターンデータ
は、たとえば集積回路上ではゲート電極となる部分やソ
ース・ドレインとなる部分など、矩形パターンの組み合
わせで構成されている。
ィー技術では、フォトマスク（露光原版）が用いられて
いる。このフォトマスクは、ガラス基板上にクロムなど
の金属遮光体によるマスクパターンが形成されたもので
ある。そのマスクパターンは、電子線（ＥＢ）露光装置
を用い、電子線を用いたリソグラフィー技術で形成され
る。そして、集積回路の設計データから得られるレイア
ウト設計データによるパターンデータにより、その電子
線露光装置で描画を行っている。そのパターンデータ
は、たとえば集積回路上ではゲート電極となる部分やソ
ース・ドレインとなる部分など、矩形パターンの組み合
わせで構成されている。
【０００３】フォトリソグラフィー工程においては、マ
スクパターンが試料上に縮小投影される。このときの縮
小率は、通常１／５である。
スクパターンが試料上に縮小投影される。このときの縮
小率は、通常１／５である。
【０００４】ここで、レイアウト設計では、トランジス
タなどの基本素子を構成するレイアウトデータは、あら
かじめ用意されており、それらを組み合わせて配置する
ようにしている。そして、複数のレイアウトデータを配
置してそれらの間を接続したデータを、電子線露光装置
の露光データに変換している。
タなどの基本素子を構成するレイアウトデータは、あら
かじめ用意されており、それらを組み合わせて配置する
ようにしている。そして、複数のレイアウトデータを配
置してそれらの間を接続したデータを、電子線露光装置
の露光データに変換している。
【０００５】ところが、それら用意してあるレイアウト
データには、半導体装置製造プロセスの進歩により、古
いプロセス用のものと新しいプロセス用のものとがあ
り、古いプロセス用のレイアウトデータを有効に利用す
るために、古いプロセス用のＥＢ露光データと新しいプ
ロセス用のＥＢ露光データとに分けて１枚のフォトマス
ク上に複数回露光することが行われている。
データには、半導体装置製造プロセスの進歩により、古
いプロセス用のものと新しいプロセス用のものとがあ
り、古いプロセス用のレイアウトデータを有効に利用す
るために、古いプロセス用のＥＢ露光データと新しいプ
ロセス用のＥＢ露光データとに分けて１枚のフォトマス
ク上に複数回露光することが行われている。
【０００６】また、これ以外に、大容量、高集積の１チ
ップデータをＥＢ露光データに変換する、もしくは大容
量、高集積のデータ同士を合成する必要がある場合、処
理能力やディスクの容量の問題で処理できないときがあ
り、その場合には、大容量、高集積のデータを２つもし
くはそれ以上のモジュールに分割してそれぞれのＥＢ露
光データに変換し、これら２つもしくはそれ以上のＥＢ
露光データを用いて１枚のフォトマスク上に複数回露光
することが行われている。
ップデータをＥＢ露光データに変換する、もしくは大容
量、高集積のデータ同士を合成する必要がある場合、処
理能力やディスクの容量の問題で処理できないときがあ
り、その場合には、大容量、高集積のデータを２つもし
くはそれ以上のモジュールに分割してそれぞれのＥＢ露
光データに変換し、これら２つもしくはそれ以上のＥＢ
露光データを用いて１枚のフォトマスク上に複数回露光
することが行われている。
【０００７】そして、露光後の状態は、異なるマスクパ
ターンの接合部が、２重露光された状態になっていて、
露光時のずれにより、スリットが発生しないような対策
がなされている。
ターンの接合部が、２重露光された状態になっていて、
露光時のずれにより、スリットが発生しないような対策
がなされている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、２つ
もしくはそれ以上のＥＢ露光データにより複数回露光を
行って１枚のフォトマスク上にマスクパターンを形成し
た場合、異なるマスクパターンの接合部はＥＢ露光時に
２重露光となり、ネガレジストの場合は、この箇所の遮
光体マスクパターンが太めに形成され、ポジレジストの
場合は、この箇所の遮光体マスクパターンが細めに形成
される。
もしくはそれ以上のＥＢ露光データにより複数回露光を
行って１枚のフォトマスク上にマスクパターンを形成し
た場合、異なるマスクパターンの接合部はＥＢ露光時に
２重露光となり、ネガレジストの場合は、この箇所の遮
光体マスクパターンが太めに形成され、ポジレジストの
場合は、この箇所の遮光体マスクパターンが細めに形成
される。
【０００９】図４は、マスクパターンＡとマスクパター
ンＢとを２回に分けて１枚のフォトマスク上に露光した
ときの状態を示す図である。図４（ａ）は、ネガレジス
トの場合であり、マスクパターンの接合部に存在する配
線４０１〜４０４が２重露光となるために太めに形成さ
れている状態を示しており、図４（ｂ）は、ポジレジス
トの場合であり、マスクパターンの接合部に存在する配
線４１１〜４１４が２重露光となるために細めに形成さ
れている状態を示している。
ンＢとを２回に分けて１枚のフォトマスク上に露光した
ときの状態を示す図である。図４（ａ）は、ネガレジス
トの場合であり、マスクパターンの接合部に存在する配
線４０１〜４０４が２重露光となるために太めに形成さ
れている状態を示しており、図４（ｂ）は、ポジレジス
トの場合であり、マスクパターンの接合部に存在する配
線４１１〜４１４が２重露光となるために細めに形成さ
れている状態を示している。
【００１０】１枚のフォトマスク上でＥＢ露光時に２つ
もしくはそれ以上のパターンを露光するという作業を行
った場合、これらのパターンがずれがなく形成されてい
るかという点についても新たなフォトマスク検査が必要
となる。この検査では、レイアウトデータ上で作成した
検査用データと同じパターンにフォトマスクが形成され
ているかを確認するが、２重露光が行われた場所に存在
する配線が、２重露光により、検査用データよりも太め
もしくは細めにできてしまうため、フォトマスク上のマ
スクパターンと検査用データとは完全に一致させること
ができない。
もしくはそれ以上のパターンを露光するという作業を行
った場合、これらのパターンがずれがなく形成されてい
るかという点についても新たなフォトマスク検査が必要
となる。この検査では、レイアウトデータ上で作成した
検査用データと同じパターンにフォトマスクが形成され
ているかを確認するが、２重露光が行われた場所に存在
する配線が、２重露光により、検査用データよりも太め
もしくは細めにできてしまうため、フォトマスク上のマ
スクパターンと検査用データとは完全に一致させること
ができない。
【００１１】フォトマスク検査は、フォトマスク上に形
成された遮光体マスクパターンの形状と、検査用データ
が異なっていたとしても、その異なる形状が各工程毎の
欠陥規格から算出した範囲内であれば、検査でＮＧにな
らないシステムになっている。そのため、欠陥規格の精
度に応じてエラー数の上限値を設定することによって、
検査機が止まるのを回避することができる。しかしなが
ら、上述の２重露光の場所が存在すると、この上限を超
えてしまうことがあり、それによって検査機がＮＧと判
断し、止まってしまうことでこれ以上検査が行えなくな
る。
成された遮光体マスクパターンの形状と、検査用データ
が異なっていたとしても、その異なる形状が各工程毎の
欠陥規格から算出した範囲内であれば、検査でＮＧにな
らないシステムになっている。そのため、欠陥規格の精
度に応じてエラー数の上限値を設定することによって、
検査機が止まるのを回避することができる。しかしなが
ら、上述の２重露光の場所が存在すると、この上限を超
えてしまうことがあり、それによって検査機がＮＧと判
断し、止まってしまうことでこれ以上検査が行えなくな
る。
【００１２】本発明の目的は、以上の問題点を解決する
ためになされたものであり、１枚のフォトマスク上に古
いプロセス用のＥＢ露光データと新しいプロセス用のＥ
Ｂ露光データとを２重に露光した際のフォトマスク検査
において、２重露光した配線部分で検査機が止まらなく
なるようにする露光原版の検査方法を提供することにあ
る。
ためになされたものであり、１枚のフォトマスク上に古
いプロセス用のＥＢ露光データと新しいプロセス用のＥ
Ｂ露光データとを２重に露光した際のフォトマスク検査
において、２重露光した配線部分で検査機が止まらなく
なるようにする露光原版の検査方法を提供することにあ
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、露光時に２つ
以上のマスクパターンが形成された露光原版の検査方法
において、２つのマスクパターンの重なる領域の配線に
対して、２重露光を考慮して、フォトマスクにネガレジ
ストを使用した場合は、２つのマスクパターンの論理積
をとった配線部分に一定の太り量となる太らせ処理を行
い、フォトマスクにポジレジストを使用した場合は、２
つのマスクパターンの重なった配線部分に一定の細り量
となる細させ処理を行ったものを検査データに反映させ
て検査を行うことを特徴とする。
以上のマスクパターンが形成された露光原版の検査方法
において、２つのマスクパターンの重なる領域の配線に
対して、２重露光を考慮して、フォトマスクにネガレジ
ストを使用した場合は、２つのマスクパターンの論理積
をとった配線部分に一定の太り量となる太らせ処理を行
い、フォトマスクにポジレジストを使用した場合は、２
つのマスクパターンの重なった配線部分に一定の細り量
となる細させ処理を行ったものを検査データに反映させ
て検査を行うことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００１５】本発明の第１の実施の形態は、２重露光部
分を太らせもしくは細らせた検査用データを作成して、
マスクパターンの２重露光部の太りもくしは細り部分
と、なるべく形状を同じようにしてエラー箇所を限りな
く０にしてフォトマスク検査の途中で検査機が止まって
しまうことのないようにするものである。
分を太らせもしくは細らせた検査用データを作成して、
マスクパターンの２重露光部の太りもくしは細り部分
と、なるべく形状を同じようにしてエラー箇所を限りな
く０にしてフォトマスク検査の途中で検査機が止まって
しまうことのないようにするものである。
【００１６】図１は、本発明の第１の実施の形態を説明
するためのマスクパターンを示す図であり、図２（ａ）
に示すマスクパターンＡと図２（ｂ）に示すマスクパタ
ーンＢを境界部に２重露光部を設けて露光した場合の状
態を示す図である。境界３００ａと境界３００ｂの間
は、露光時のずれにより、スリットが発生しないよう２
重露光された部分である。ここでは、境界３００ａと境
界３００ｂの間５μｍを２重露光している。
するためのマスクパターンを示す図であり、図２（ａ）
に示すマスクパターンＡと図２（ｂ）に示すマスクパタ
ーンＢを境界部に２重露光部を設けて露光した場合の状
態を示す図である。境界３００ａと境界３００ｂの間
は、露光時のずれにより、スリットが発生しないよう２
重露光された部分である。ここでは、境界３００ａと境
界３００ｂの間５μｍを２重露光している。
【００１７】図１（ａ）は、フォトマスクがネガレジス
トの場合のマスクパターンを示す図である。
トの場合のマスクパターンを示す図である。
【００１８】フォトマスクがネガレジストの場合は、フ
ォトマスクの２重露光部の出来上がりを考慮し、マスク
パターンＡの接合部の配線１０１〜１０４とマスクパタ
ーンＢの配線１１１〜１１４の論理積をとった配線部分
のみ、例えば片側０．３μｍ、すなわち両側で合計０．
６μｍだけ太らせ処理を行ってできた太らせ配線２０１
〜２０４の太らせ量を上記の検査用データにマージさせ
る。
ォトマスクの２重露光部の出来上がりを考慮し、マスク
パターンＡの接合部の配線１０１〜１０４とマスクパタ
ーンＢの配線１１１〜１１４の論理積をとった配線部分
のみ、例えば片側０．３μｍ、すなわち両側で合計０．
６μｍだけ太らせ処理を行ってできた太らせ配線２０１
〜２０４の太らせ量を上記の検査用データにマージさせ
る。
【００１９】また、図１（ｂ）は、フォトマスクがポジ
レジストの場合のマスクパターンを示す図である。
レジストの場合のマスクパターンを示す図である。
【００２０】フォトマスクがポジレジストの場合は、フ
ォトマスクの２重露光部の出来上がりを考慮し、マスク
パターンＡの接合部の配線１０１〜１０４とマスクパタ
ーンＢの接合部の配線１１１〜１１４の重なった配線部
分のみ、例えば片側０．３μｍ、すなわち両側で合計
０．６μｍだけ細らせ処理を行ってできた細らせ配線２
１１〜２１４を検査用データに反映させる。
ォトマスクの２重露光部の出来上がりを考慮し、マスク
パターンＡの接合部の配線１０１〜１０４とマスクパタ
ーンＢの接合部の配線１１１〜１１４の重なった配線部
分のみ、例えば片側０．３μｍ、すなわち両側で合計
０．６μｍだけ細らせ処理を行ってできた細らせ配線２
１１〜２１４を検査用データに反映させる。
【００２１】この場合、フォトマスク検査で２重露光箇
所のみで検査機が止まってしまわないようにすることが
目的なので、マスクパターンＡのＥＢ露光データとマス
クパターンＢのＥＢ露光データについては、上記の処理
を行わない。
所のみで検査機が止まってしまわないようにすることが
目的なので、マスクパターンＡのＥＢ露光データとマス
クパターンＢのＥＢ露光データについては、上記の処理
を行わない。
【００２２】従来は、２重露光を行ったフォトマスクの
フォトマスク検査で検査機が止まってしまった場合、こ
の原因を２重露光のみと判断して、やむを得ず、この検
査を省いていたため、信頼性に問題があった。
フォトマスク検査で検査機が止まってしまった場合、こ
の原因を２重露光のみと判断して、やむを得ず、この検
査を省いていたため、信頼性に問題があった。
【００２３】しかしながら、検査用データに前述の太ら
せ処理を行って検査を行うことによって、検査機が止ま
らず最後まで検査が行え、２重露光のエラーのみであっ
たことを確認している。
せ処理を行って検査を行うことによって、検査機が止ま
らず最後まで検査が行え、２重露光のエラーのみであっ
たことを確認している。
【００２４】上記のフォトマスク上の太り量０．６μｍ
の数値は、２重露光による配線の太り量と欠陥規格から
算出した数値である。この実施の形態の２重露光箇所の
配線太り量の平均は０．４μｍであった。
の数値は、２重露光による配線の太り量と欠陥規格から
算出した数値である。この実施の形態の２重露光箇所の
配線太り量の平均は０．４μｍであった。
【００２５】また、各工程毎に決まっている欠陥規格か
ら、フォトマスク検査でどのくらいのマージンをもって
検査を通すようにするかが決められるようになってい
る。この実施の形態では、その２重露光の太りにより検
査が通らなくなった場合の工程の欠陥規格は０．６μｍ
であり、その値の１／３の０．２μｍのマージンで検査
を通すように設定を行った。
ら、フォトマスク検査でどのくらいのマージンをもって
検査を通すようにするかが決められるようになってい
る。この実施の形態では、その２重露光の太りにより検
査が通らなくなった場合の工程の欠陥規格は０．６μｍ
であり、その値の１／３の０．２μｍのマージンで検査
を通すように設定を行った。
【００２６】したがって、検査用データの２重露光箇所
の配線の太り量を０．２μｍ〜０．６μｍにして処理を
行ったデータで検査を行えば、２重露光箇所のみでエラ
ーが多発して検査ができなくなることはないということ
になる。
の配線の太り量を０．２μｍ〜０．６μｍにして処理を
行ったデータで検査を行えば、２重露光箇所のみでエラ
ーが多発して検査ができなくなることはないということ
になる。
【００２７】この実施の形態では、フォトマスク上の太
り量を０．６μｍにしたが、０．２μｍ〜０．６μｍの
範囲内で太らせ処理を行うのであれば、いずれもフォト
マスク検査は問題なく最後まで行えるようになる。も
し、配線の太り量の平均が０．２μｍになっているとし
たら、０．２μｍ±０．２μｍで、０μｍ〜０．４μｍ
の範囲内で配線を太らせればよいことになるから、検査
用データの２重露光箇所の配線は太らせなくても、フォ
トマスク検査は問題なく最後まで行えることになる。
り量を０．６μｍにしたが、０．２μｍ〜０．６μｍの
範囲内で太らせ処理を行うのであれば、いずれもフォト
マスク検査は問題なく最後まで行えるようになる。も
し、配線の太り量の平均が０．２μｍになっているとし
たら、０．２μｍ±０．２μｍで、０μｍ〜０．４μｍ
の範囲内で配線を太らせればよいことになるから、検査
用データの２重露光箇所の配線は太らせなくても、フォ
トマスク検査は問題なく最後まで行えることになる。
【００２８】上記の配線の太り量の平均は、マスクメー
カーの製造条件によって異なる。フォトマスクの描画装
置には、ＥＴＥＣ（株）のＭＥＢＥＳ−４５００形式を
使用した。この機種は、業界標準として広く使用されて
いる。
カーの製造条件によって異なる。フォトマスクの描画装
置には、ＥＴＥＣ（株）のＭＥＢＥＳ−４５００形式を
使用した。この機種は、業界標準として広く使用されて
いる。
【００２９】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。
説明する。
【００３０】本発明の第２の実施の形態は、検査用デー
タ、ＥＢ露光データの両方とも修正する方法であり、あ
らかじめ２重露光の際にネガレジストであればデータよ
りも太めに、ポジレジストであればデータより細めにな
ることを考慮して、ＥＢ露光データを作成する元になる
第１のデータまたは第２のデータを修正し、それに応じ
て検査用データ、マスクパターンＡのＥＢ露光データ、
マスクパターンＢのＥＢ露光データを作成するものであ
る。
タ、ＥＢ露光データの両方とも修正する方法であり、あ
らかじめ２重露光の際にネガレジストであればデータよ
りも太めに、ポジレジストであればデータより細めにな
ることを考慮して、ＥＢ露光データを作成する元になる
第１のデータまたは第２のデータを修正し、それに応じ
て検査用データ、マスクパターンＡのＥＢ露光データ、
マスクパターンＢのＥＢ露光データを作成するものであ
る。
【００３１】図３は、マスクパターンＡとマスクパター
ンＢの配線が５μｍ重なった状態にした箇所の配線を示
す図である。
ンＢの配線が５μｍ重なった状態にした箇所の配線を示
す図である。
【００３２】図３（ａ）では、マスクパターンＡの配線
あるいはマスクパターンＢのどちらかの配線を、例えば
片側０．３μｍ細らせ処理を行って細らせ配線２２１に
修正している。こうすれば、ネガレジストでもポジレジ
ストでも２重露光による影響を受けない。また、細らせ
処理を行うのは少なくともパターン同士が重なる領域に
ついて処理すればよい。
あるいはマスクパターンＢのどちらかの配線を、例えば
片側０．３μｍ細らせ処理を行って細らせ配線２２１に
修正している。こうすれば、ネガレジストでもポジレジ
ストでも２重露光による影響を受けない。また、細らせ
処理を行うのは少なくともパターン同士が重なる領域に
ついて処理すればよい。
【００３３】図３（ｂ）では、マスクパターンＡの配線
あるいはマスクパターンＢのどちらかの配線を、例えば
片側０．３μｍ太らせ処理を行って太らせ配線２２２に
修正している。こうすれば、ネガレジストでもポジレジ
ストでも２重露光による影響を受けない。また、太らせ
処理を行うのは少なくともパターン同士が重なる領域に
ついて処理すればよい。
あるいはマスクパターンＢのどちらかの配線を、例えば
片側０．３μｍ太らせ処理を行って太らせ配線２２２に
修正している。こうすれば、ネガレジストでもポジレジ
ストでも２重露光による影響を受けない。また、太らせ
処理を行うのは少なくともパターン同士が重なる領域に
ついて処理すればよい。
【００３４】その後に、マスクパターンＡのＥＢ露光デ
ータとマスクパターンＢのＥＢ露光データを作成し、同
様に検査用データを作成する。この片側０．３μｍのフ
ォトマスク上の太り量は、第１の実施の形態と同じ理由
で、２重露光を行ったときの配線の太り量の状態と欠陥
規格から算出した数値である。
ータとマスクパターンＢのＥＢ露光データを作成し、同
様に検査用データを作成する。この片側０．３μｍのフ
ォトマスク上の太り量は、第１の実施の形態と同じ理由
で、２重露光を行ったときの配線の太り量の状態と欠陥
規格から算出した数値である。
【００３５】なお、図３（ａ）および図３（ｂ）では、
マスクパターンＡの配線あるいはマスクパターンＢのど
ちらか一方の配線に太らせ処理または細らせ処理を行っ
ているが、両方の配線に太らせ処理または細らせ処理を
行ってもよい。また、その形状は、図３（ａ）および図
３（ｂ）に示すものに限るものではなく、種々の形状が
考えられる。図３（ｃ）の形状はその一例である。
マスクパターンＡの配線あるいはマスクパターンＢのど
ちらか一方の配線に太らせ処理または細らせ処理を行っ
ているが、両方の配線に太らせ処理または細らせ処理を
行ってもよい。また、その形状は、図３（ａ）および図
３（ｂ）に示すものに限るものではなく、種々の形状が
考えられる。図３（ｃ）の形状はその一例である。
【００３６】また、この実施の形態では、１枚のフォト
マスク上に複数回露光を行う際、露光するデータそれぞ
れの露光時縮小率が同じであることを前提にして説明し
たが、この発明は、露光するデータの露光時縮小率が異
なる場合を含むものである。
マスク上に複数回露光を行う際、露光するデータそれぞ
れの露光時縮小率が同じであることを前提にして説明し
たが、この発明は、露光するデータの露光時縮小率が異
なる場合を含むものである。
【００３７】また、この実施の形態では、フォトマスク
上にマスクパターンを形成する場合について説明した
が、この発明は、フォトマスクを用いないで、直接ウエ
ハ上にマスクパターンを形成する場合にも適用できるも
のである。
上にマスクパターンを形成する場合について説明した
が、この発明は、フォトマスクを用いないで、直接ウエ
ハ上にマスクパターンを形成する場合にも適用できるも
のである。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、２重露
光部分を太らせもしくは細らせた検査用データを作成す
ることにより、２重露光部で検査機が止まらなくなり、
真のエラー箇所のみＮＧとして検出することができる。
そうすることで、２重露光部で多数のエラー箇所を検出
して検査機が止まった原因を調べていた時間を短縮でき
るので、検査時間を短縮でき、スムーズで正確な検査を
行うことができる。
光部分を太らせもしくは細らせた検査用データを作成す
ることにより、２重露光部で検査機が止まらなくなり、
真のエラー箇所のみＮＧとして検出することができる。
そうすることで、２重露光部で多数のエラー箇所を検出
して検査機が止まった原因を調べていた時間を短縮でき
るので、検査時間を短縮でき、スムーズで正確な検査を
行うことができる。
【００３９】また、本発明は、処理能力や、ディスクの
容量の問題でＥＢ露光データに最後まで変換ができない
大容量、高集積の１チップデータに対して、ある領域で
区切り、その区切られたデータそれぞれを別々にＥＢ露
光データ変換処理を行い、その処理によって作成された
それぞれのＥＢ露光データを使用して描画を行うことに
よって通常と同じように１つのフォトマスク上にパター
ンを形成する場合にも適用することができる。
容量の問題でＥＢ露光データに最後まで変換ができない
大容量、高集積の１チップデータに対して、ある領域で
区切り、その区切られたデータそれぞれを別々にＥＢ露
光データ変換処理を行い、その処理によって作成された
それぞれのＥＢ露光データを使用して描画を行うことに
よって通常と同じように１つのフォトマスク上にパター
ンを形成する場合にも適用することができる。
【００４０】また、大容量、高集積の２つ以上のデータ
を接続して、１チップデータにした際、上記と同様の問
題でＥＢ露光データに変換できない場合にも、それぞれ
の大容量、高集積のそれぞれのデータに対してＥＢ露光
データ変換処理を行い、その処理によって作成されたそ
れぞれのＥＢ露光データを使用して１つのフォトマスク
上にパターンを形成する場合にも適用することができ
る。
を接続して、１チップデータにした際、上記と同様の問
題でＥＢ露光データに変換できない場合にも、それぞれ
の大容量、高集積のそれぞれのデータに対してＥＢ露光
データ変換処理を行い、その処理によって作成されたそ
れぞれのＥＢ露光データを使用して１つのフォトマスク
上にパターンを形成する場合にも適用することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するためのマ
スクパターンを示す図である。
スクパターンを示す図である。
【図２】マスクパターンＡおよびマスクパターンＢを示
す図である。
す図である。
【図３】マスクパターンＡの配線およびマスクパターン
Ｂの配線が重なった箇所を示す図である。
Ｂの配線が重なった箇所を示す図である。
【図４】マスクパターンＡとマスクパターンＢとを２回
に分けて１枚のフォトマスク上に露光したときの状態を
示す図である。
に分けて１枚のフォトマスク上に露光したときの状態を
示す図である。
１０１〜１０４，１１１〜１１４，２２１，２２２ 配
線 ２０１〜２０４ 太らせ配線 ２１１〜２１４ 細らせ配線 ３００ａ，３００ｂ 境界
線 ２０１〜２０４ 太らせ配線 ２１１〜２１４ 細らせ配線 ３００ａ，３００ｂ 境界
Claims (6)
- 【請求項１】２つのパターンの重なる領域の配線部分に
対して、２重露光を行う前記配線部分に一定値の太らせ
処理または細らせ処理を行ったものを検査用データに反
映させて検査を行うことを特徴とするパターン検査方
法。 - 【請求項２】２つのマスクパターンの重なる領域の配線
部分に対して、２重露光を行う前記配線部分に一定値の
太らせ処理または細らせ処理を行ったものを検査用デー
タに反映させて検査を行うことを特徴とする露光原版の
検査方法。 - 【請求項３】露光時に２つ以上のマスクパターンが形成
された露光原版の検査方法において、２つのマスクパタ
ーンの重なる領域の配線部分に対して、２重露光を考慮
して、フォトマスクにネガレジストを使用した場合は、
２つのマスクパターンの論理積をとった配線部分に一定
の太り量となる太らせ処理を行い、フォトマスクにポジ
レジストを使用した場合は、２つのマスクパターンの重
なった配線部分に一定の細り量となる細させ処理を行っ
たものを検査データに反映させて検査を行うことを特徴
とする露光原版の検査方法。 - 【請求項４】露光時に２つ以上のマスクパターンが形成
された露光原版の検査方法において、２つのマスクパタ
ーンの重なる領域の配線部分のいずれかの配線に対し
て、あらかじめ２重露光の際に、フォトマスクにネガレ
ジストを使用した場合は一定の太り量になることを考慮
し、フォトマスクにポジレジストを使用した場合は一定
の細り量になることを考慮して前記マスクパターンの元
となるデータに修正を行って検査を行うことを特徴とす
る露光原版の検査方法。 - 【請求項５】前記一定の太り量は、２重露光による配線
の太り量の状態と欠陥規格を考慮して算出し、前記一定
の細り量は、２重露光による配線の細り量の状態と欠陥
規格を考慮して算出することを特徴とする請求項３また
は４に記載の露光原版の検査方法。 - 【請求項６】前記一定の太り量および一定の細り量は、
縮小率１／５のフォトマスク上において０．２μｍ〜
０．６μｍの範囲内の値であることを特徴とする請求項
３〜５のいずれかに記載の露光原版の検査方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36106999A JP2001174977A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 露光パターン及び露光原版の検査方法 |
| DE10063099A DE10063099A1 (de) | 1999-12-20 | 2000-12-18 | Verfahren zum überprüfen von über einer Photomaske ausgebildeten Belichtungsmustern |
| KR10-2000-0079353A KR100393716B1 (ko) | 1999-12-20 | 2000-12-20 | 포토마스크 위에 형성된 노광패턴들의 점검방법 |
| US09/739,788 US6519758B2 (en) | 1999-12-20 | 2000-12-20 | Method of checking exposure patterns formed over photo-mask |
| CN00136105A CN1306225A (zh) | 1999-12-20 | 2000-12-20 | 用于检查光掩模上形成的曝光图形的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36106999A JP2001174977A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 露光パターン及び露光原版の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001174977A true JP2001174977A (ja) | 2001-06-29 |
Family
ID=18472072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36106999A Pending JP2001174977A (ja) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | 露光パターン及び露光原版の検査方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6519758B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001174977A (ja) |
| KR (1) | KR100393716B1 (ja) |
| CN (1) | CN1306225A (ja) |
| DE (1) | DE10063099A1 (ja) |
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| WO2010098017A1 (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | 株式会社 日立ハイテクノロジーズ | パターン測定装置 |
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| US6905811B2 (en) | 2003-04-22 | 2005-06-14 | Headway Technologies, Inc. | Method to form reduced dimension pattern with good edge roughness |
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| ITVI20040204A1 (it) * | 2004-08-11 | 2004-11-11 | M D A Francesco Riondato | Sella per bicicletta |
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| JPH11204397A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | パターン決定方法および露光装置に用いられるアパーチャ |
-
1999
- 1999-12-20 JP JP36106999A patent/JP2001174977A/ja active Pending
-
2000
- 2000-12-18 DE DE10063099A patent/DE10063099A1/de not_active Ceased
- 2000-12-20 CN CN00136105A patent/CN1306225A/zh active Pending
- 2000-12-20 KR KR10-2000-0079353A patent/KR100393716B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-12-20 US US09/739,788 patent/US6519758B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP5057248B2 (ja) * | 2006-04-27 | 2012-10-24 | 株式会社ニコン | 測定検査方法、測定検査装置、露光方法、デバイス製造方法及びデバイス製造装置 |
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| JP2010199462A (ja) * | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Hitachi High-Technologies Corp | パターン測定装置 |
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