KR20010062565A - 포토마스크 위에 형성된 노광패턴들의 점검방법 - Google Patents

포토마스크 위에 형성된 노광패턴들의 점검방법 Download PDF

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KR20010062565A
KR20010062565A KR1020000079353A KR20000079353A KR20010062565A KR 20010062565 A KR20010062565 A KR 20010062565A KR 1020000079353 A KR1020000079353 A KR 1020000079353A KR 20000079353 A KR20000079353 A KR 20000079353A KR 20010062565 A KR20010062565 A KR 20010062565A
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Abstract

본 발명은 점검용데이터를 참조하여, 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지는 노광패턴들을 점검하는 방법으로, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 방법을 제공한다.

Description

포토마스크 위에 형성된 노광패턴들의 점검방법{Method of checking exposure patterns formed over photo-mask}
본 발명은 포토마스크 위에 형성된 노광패턴들의 점검방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이아웃설계된 마스크패턴의 데이터가 단일 포토마스크 위에 마스크패턴들을 형성하기 위하여 단일 포토마스크에 복수의 전자빔노광들을 수행하는데 사용되는 포토마스크 위에 형성된 노광패턴들의 점검방법에 관한 것이다.
포토리소그래피기법이 반도체집적회로를 제조하기 위해 사용된다. 포토리소그래피기법은 포토마스크를 사용한다. 이 포토마스크는 크롬과 같은 금속으로 된 차광마스크패턴을 가진 유리기판과 같은 투명기판을 포함한다. 이 마스크패턴은 전자빔노광시스템을 이용하는 전자빔리소그래피기법에 의해 형성된다. 레이아웃설계된 데이터는 반도체집적회로들의 설계데이터로부터 얻어진다. 이 레이아웃설계데이터는 전자빔노광시스템이 전자빔노광을 수행할 수 있게 하는 패턴데이터로서 사용된다. 이 패턴데이터는 반도체집적회로들의 구성요소들, 예를 들면, 게이터전극영역들과, 소스 및 드레인 영역들을 나타내는 복수개의 장방형패턴들의 조합들을 포함한다. 마스크패턴들을 형성하기 위한 포토리소그래피공정에서, 패턴은 포토마스크 위로 축소되게 투영되고, 축소비는 통상 1/5이다.
레이아웃설계에 따르면, 트랜지스터들과 같은 기본적인 소자들을 나타내는 레이아웃데이터가 미리 준비되고, 그것들의 조합들이 레이아웃된다. 복수개 레이아웃데이터가 레이아웃되고, 그러한 레이아웃데이터를 상호 연결시키는 데이터는 전자빔노광시스템을 위한 노광데이터로 변환된다.
준비된 레이아웃데이터는 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터 및 진보된 공정을 위한 제2유형레이아웃데이터로 분류된다. 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터를 효과적으로 사용하기 위하여, 노광데이터도 전통적인 공정을 위한 제1유형전자빔노광데이터 및 진보된 공정을 위한 제2유형전자빔노광데이터로 분할되어, 복수 번의 노광공정들이 단일 포토마스크에 대해 수행된다.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터가 전자빔노광데이터로 변환되는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 저장매체의 제한된 용량 및 제한된 처리랑(throughput)으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어렵게 될 것이다. 이 경우, 각각의 모듈이 전자빔노광데이터로 변환되기 전에 그러한 대용량 및 고집적 데이터이 복수의 모듈들로 분할되는 것이 효과적이다. 전자빔노광데이터의 복수개 세트들은 단일 포토마스크에 대해 복수 번의 노광공정들을 수행하기 위해 사용된다.
다른 마스크패턴들의 접합부분들은 이중노광된다. 복수 번의 노광들의 오정렬(miss-alignment)로 인한 슬릿의 형성을 방지하기 위한 대책이 만들어졌다.
즉, 단일 포토마스크가 마스크패턴을 형성하도록 전자빔노광데이터의 복수개 세트들에 근거하여 복수 번 노광된다면, 다른 마스크패턴들의 접합부분들 또는 겹침영역들은 이중노광된다. 인접한 마스크패턴들은 인접한 마스크패턴들이 서로 겹치는 영역들을 가지도록 정렬된다. 이러한 겹침영역들은 전자빔노광들을 두 번 받게된다. 음화레지스트가 사용된다면, 차광마스크패턴이 접합영역들 또는 겹침영역들에서 넓어지게 된다. 양화레지스터가 사용된다면, 차광마스크패턴이 접합영역들 또는 겹침영역들에서 좁아지게 된다.
도 1a는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 음화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도이다. 제1 및 제2마스크패턴들 "A" 및 "B" 사이의 접합영역들 또는 겹침영역들은 파선 및 이점쇄선 사이로 정해진다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(401, 402, 403 및 404)은 파선 및 이점쇄선 사이로 정해진 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로질러 연장된다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(401, 402, 403 및 404)의 교차부들이 이중노광들을 받게되고, 이런 이유로 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(401, 402, 403 및 404)의 교차부들은 음화형 레지스트의 포토마스크로 인해 폭이 증가한다.
도 1b는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"의 별개의 노광들을 받은양화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도이다. 제1 및 제2마스크패턴들 "A" 및 "B" 사이의 접합영역들 또는 겹침영역들은 파선 및 이점쇄선 사이로 정해진다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(411, 412, 413 및 414)은 파선 및 이점쇄선 사이로 정해진 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로질러 연장된다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(411, 412, 413 및 414)의 교차부들이 이중노광들을 받게되고, 이런 이유로 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(411, 412, 413 및 414)의 교차부들은 양화형 레지스트의 포토마스크로 인해 폭이 감소한다.
단일 포토마스크에 대해 복수개 패턴들의 복수 번의 노광들이 행해진다면, 복수개 패턴들이 오정렬없이 형성되었는 지를 점검하는 것이 필요하다. 예를 들면, 포토마스크상에 형성된 패턴들이 레이아웃데이터로부터 준비된 점검용데이터와 일치하는 지가 확인된다. 배선들 중 이중노광된 부분들은 점검용데이터에 의해 정해지는 의도된 폭 보다 더 넓거나 더 좁게 만들어진다. 이런 이유로, 포토마스크 위의 마스크패턴들을 점검용데이터와 정확히 일치시키는 것이 어렵다.
포토마스크 위의 차광마스크패턴들의 형상들이 점검용데이터와는 다른 경우에도, 이 차이가 공정들에서의 결함규정(defective regulation)에 따라 계산되는 용인될 만한 범위 내에 있다면, 점검자(checker)는 마스크패턴들이 결함없는 것이라고 확인할 수 있다. 즉, 에러수의 상한은 점검자가 마스크패턴들이 결함없음을 확인할 수 있게 하는 결함규정에 따라 설정된다. 전술한 바와 같이, 배선들 중의 이중노광된 부분들은 더 넓게 되거나 더 좁게되고, 이런 이유로 이중노광된 부분들은 상한을 초과하기가 쉽고, 따라서 점검자는 마스크패턴들이 결함있는 것이라고확인하게 된다. 일단 점검자가 마스크패턴들이 결함있는 것이라고 확인하게 되면, 점검자는 현재의 점검작업을 중단한다.
전술한 상황에서, 전술의 문제가 없는 포토마스크 위의 마스크패턴들을 점검하는 신규한 방법을 개발하는 것이 요구되어 왔다.
따라서, 본 발명의 목적은 전술의 문제들이 없는 마스크패턴들을 점검하는 신규한 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 다른 목적은, 마스크패턴들을 점검하는 신규한 방법으로서, 마스크패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들을 넓어지게 하거나 좁아지게 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가지며, 마스크패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않을 수 있게 하는 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 전술의 문제들 없이 마스크패턴들을 점검하는데 사용되는 점검용데이터를 준비하는 신규한 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 마스크패턴들을 점검하는데 사용되는 점검용데이터를 준비하는 신규한 방법으로서, 마스크패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들을 넓어지게 하거나 좁아지게 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가지며, 마스크패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을중단하지 않을 수 있게 하는 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 복수 번의 전자빔노광들을 수행하여 전술의 문제들이 없는 복수개 마스크패턴들을 형성하기 위해 사용되는 전자빔노광데이터의 복수개 세트들을 준비하는 신규한 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 복수 번의 전자빔노광들을 수행하여 복수개의 마스크패턴들을 형성하는데 사용되는 전자빔노광데이터의 복수개 세트들을 준비하는 신규한 방법으로서, 마스크패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들을 넓어지게 하거나 좁아지게 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가지며, 마스크패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않을 수 있게 하는 방법을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 전술의 문제들 없이 마스크패턴들을 점검하기 위한 신규한 컴퓨터프로그램을 제공함에 있다.
본 발명의 또 다른 목적은, 마스크패턴들을 점검하기 위한 신규한 컴퓨터프로그램으로서,
마스크패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들을 넓어지게 하거나 좁아지게 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가지며, 마스크패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않을 수 있게 하는 컴퓨터프로그램을 제공함에 있다.
도 1a는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 음화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도,
도 1b는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 양화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도,
도 2a는 본 발명에 따른 제1실시예의 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 음화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도,
도 2b는 본 발명에 따른 제1실시예의 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"의 별개의 노광들을 받은 양화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도,
도 3a는 도 2a 및 도 2b에 보인 포토마스크 위에 마스크패턴들을 형성하는데 사용되는 제1마스크패턴 "A"를 도시하는 평면도,
도 3b는 도 2a 및 도 2b에 보인 포토마스크 위에 마스크패턴들을 형성하는데 사용되는 제2마스크패턴 "B"를 도시하는 평면도,
도 4a는 본 발명에 따른 제2실시예의 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도,
도 4b는 본 발명에 따른 제2실시예의 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도,
도 4c는 본 발명에 따른 제2실시예의 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도,
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
101, 102, 103, 104, 111, 112, 113, 114 : 배선
201, 202, 203, 204 : 겹침부분
300a, 300b : 경계 A, B: 마스크패턴
본 발명은 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하며, 이 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받는 겹침영역을 가지며, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 방법을 제공한다.
본 발명의 전술한 및 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 다음의 설명으로부터 명료하게될 것이다.
바람직한 실시예들을 첨부 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.
제1 본 발명은, 점검용데이터를 참조하여, 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지는 노광패턴들을 점검하는 방법으로, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 방법을 제공한다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 변경되는 것이 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 변경되는 것도 바람직하다.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.
복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되고, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.
제2 본 발명은, 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하는 방법으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지고, 복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되어있는 방법에 있어서, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 방법을 제공한다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것이 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.
점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.
제3 본 발명은 노광패턴들을 점검하기 위해 사용되는 점검용데이터를 준비하는 방법으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광을 받은 겹침영역을 가지는 방법에 있어서, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 방법을 제공한다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 변경되는 것이 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 변경되는 것도 바람직하다.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.
제4 본 발명은, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들을 준비하며, 이것들에 근거하여 복수개 전자빔노광들이 복수개 노광패턴들을 개별적으로 형성하도록 개별적으로 수행되며, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지는 방법에 있어서, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 방법을 제공한다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것이 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.
제5 본 발명은, 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하는 컴퓨터프로그램으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지는 컴퓨터프로그램에 있어서, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 컴퓨터프로그램을 제공한다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 변경되는 것이 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 변경되는 것도 바람직하다.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.
복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되고, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.
제6 본 발명은, 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하는 컴퓨터프로그램으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지고, 복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되어 있는 컴퓨터프로그램에 있어서, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 컴퓨터프로그램을 제공한다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것이 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.
점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.
노광패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들을 넓게되거나 좁게되도록 만드는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹칩영역들을 가진다. 그러나, 본 발명은, 노광패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않도록 하기 위하여, 다른 노광패턴들의 겹침영역들에서의 이중노광된 배선부분들의 폭을 변화시키도록 점검용데이터 및/또는 전자빔노광데이터를 변경한다. 이것은 점검시간을 단축시킨다. 이것은 또한 점검자가 현재의 점검작업을 중단한 이유를 추가로 조사하는 것이 불필요하게 한다.
준비된 레이아웃데이터가 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형레이아웃데이터 둘 다를 포함한다면, 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터를 효과적으로 사용하기 위하여, 노광데이터도 전통적인 공정을 위한 제1유형전자빔노광데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형전자빔노광데이터로 분할되고, 그래서 복수 번의 노광공정들이 단일 포토마스크에 대해 수행된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용될 수 있다.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 저장매체의 제한된 용량 및 제한된 처리량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 그러한 대용량 및 고집적 데이터를 각각의 모듈이 전자빔노광데이터로 변환되기 이전에 복수개의 모듈들로 분할하는 것이 효과적이다. 전자빔노광데이터의 복수개 세트들은 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 수행하는데 사용된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용될 수 있다.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 저장매체의 제한된 용량과 제한된 처리량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 단일 칩의 전체 영역을 복수개의 서브영역들로 분할하고 서브영역들 각각의 데이터를 개별적으로 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 효과적이다. 전자빔노광데이터의 복수개 세트들은 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 위해 사용된다.전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용할 수 있다.
전술의 본 발명들은, 복수개 노광패턴들이 포토마스크 사용없이 웨이퍼 위에 직접 형성되는 경우에 대헤서도 효과적으로 적용할 수 있다.
전술한 본 발명들은 복수개 노광패턴들이 포토마스크 사용 없이 웨이퍼 위에 직접 형성될 때 효과적으로 적용될 수도 있다.
제1실시예
본 발명에 따른 제1실시예를 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 도 2a는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 음화레지스터형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도이다. 제1 및 제2마스크패턴들인 "A" 및 "B" 사이의 접합영역들 또는 겹침영역들은 제1마스크패턴 "A"의 제1경계(300a)를 나타내는 파선과 제2마스크패턴 "B"의 제2경계(300b)를 나타내는 이점쇄선의 사이로 규정된다. 접합영역들 또는 겹침영역들은 제1 및 제2경계들(300a 및 300b) 사이의 거리로 규정되는 5㎛의 폭을 가진다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)은 파선 및 이점쇄선 사이로 규정되는 접합영역들 또는 겹칩영역들을 가로질러 연장된다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 이중노광들을 받게 되고, 이런 이유로 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 음화형레지스트의 포토마스크로 인해 폭이 증가된다.
도 2b는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 양화레지스터형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도이다. 제1 및 제2마스크패턴들인 "A" 및 "B" 사이의 접합영역들 또는 겹침영역들은 제1마스크패턴 "A"의 제1경계(300a)를 나타내는 파선과 제2마스크패턴 "B"의 제2경계(300b)를 나타내는 이점쇄선의 사이로 규정된다. 접합영역들 또는 겹칩영역들은 제1 및 제2경계들(300a 및 300b) 사이의 거리로 규정되는 5㎛의 폭을 가진다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)은 파선(300a) 및 이점쇄선(300b) 사이로 규정되는 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로질러 연장된다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 이중노광들을 받게 되고, 이런 이유로 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 양화형레지스트의 포토마스크로 인해 폭이 감소된다.
도 3a는 도 2a 및 도 2b에 보인 포토마스크 위에 마스크패턴들을 형성하는데 사용되는 제1마스크패턴 "A"를 도시하는 평면도이고, 도 3b는 도 2a 및 도 2b에 보인 포토마스크 위에 마스크패턴들을 형성하는데 사용되는 제2마스크패턴 "B"를 도시하는 평면도이다.
도 2a를 참조하면, 포토마스크는 음화형레지스트로 되어 있다. 이 경우, 제1마스크패턴 "A"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)과 제2마스크패턴 "B"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 제1마스크패턴 "A"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)과 제2마스크패턴 "B"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 AND연산들에 의해 정해진다. 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 제1 및제2마스크패턴들인 "A" 및 "B"를 별개로 형성하기 위해 이중노광되거나 두 번의 전자빔노광들을 받게 된다. 단일 포토마스크 위의 제1 및 제2마스크패턴들인 "A" 및 "B"는, 이중노광된 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)의 폭들을 나타내는 데이터를 포함하는 점검용데이터를 참조하여 점검된다. 이중노광된 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)의 폭들을 나타내는 데이터는 이 폭들을 증가시키도록, 예를 들면, 한쪽의 증분이 0.3㎛이고 총증분은 0.6㎛가 되도록 변경된다. 증분값, 예를 들면, 0.6㎛는 결함규정과 이중노광들로 인한 이중노광된 겹침부분들의 폭의 증가된 값으로부터 계산된다. 이중노광들로 인한 이중노광된 겹침부분들의 폭의 평균증가값은 0.4㎛이다. 결함규정들은 각 공정에 따라 미리 결정되어 있다. 마스크패턴들을 점검하기 위한 용인된 범위 또는 마진은 결함규정들에 근거하여 결정된다. 이 실시예에서는, 결함규정은 0.6㎛로 설정된다. 이중노광된 겹침부분들의 폭에서의 증분의 평균값으로부터 용인되는 마진은 0.6㎛ 결함규정의 1/3, 예를 들면, ＋0.2㎛와 -0.2㎛이 되게 결정된다. 이중노광된 겹침부분들의 폭에서의 증분의 평균값이 0.4㎛이면, 이중노광된 겹침부분들의 폭에서 증분을 위해 용인되는 범위는 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위 내에 있다. 이중노광된 겹침부분들의 폭 증분의 평균값이 0.2㎛라면, 이중노광된 겹침부분들의 폭 증분을 위해 용인되는 범위는 0 내지 0.4㎛의 범위 내에 있다. 이 경우, 점검용데이터를 변경할 필요는 없다. 이중노광된 겹침부분들의 폭에서의 실제증분의 평균값은 개개의 전자빔노광시스템의 제조조건들에 의존한다. 이 실시예에서는, 폭넓게 사용되며 ETEC코오퍼레이션으로부터 상업적으로 입수할 수 있는 EMBES-4500이 사용되었다. 제1마스크패턴 "A"를 위한 제1세트의 전자빔노광데이터와 제2마스크패턴 "B"를 위한 제2세트의 전자빔노광데이터는 변경되지 않는다. 이중노광된 겹침부분들의 폭이 증가하는 경우에도, 점검자는 현재의 점검작업을 끝까지 계속할 수 있게 된다.
도 2b를 참조하면, 포토마스크는 양화형레지스트로 되어 있다. 이 경우, 제1마스크패턴 "A"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)과 제2마스크패턴 "B"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 제1마스크패턴 "A"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)과 제2마스크패턴 "B"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 AND연산들에 의해 정해진다. 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 제1 및 제2마스크패턴들인 "A" 및 "B"를 별개로 형성하기 위해 이중노광되거나 두 번의 전자빔노광들을 받게 된다. 단일 포토마스크 위의 제1 및 제2마스크패턴들인 "A" 및 "B"는, 이중노광된 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)의 폭들을 나타내는 데이터를 포함하는 점검용데이터를 참조하여 점검된다. 이중노광된 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)의 폭들을 나타내는 데이터는 이 폭들을 감소시키도록, 예를 들면, 한쪽의 감소분(decrement)이 0.3㎛이고 총감소분은 0.6㎛이 되도록 변경된다. 감소분의 값, 예를 들면, 0.6㎛는 결함규정과 이중노광들로 인한 이중노광된 겹침부분들의 폭의 감소된 값으로부터 계산된다. 이중노광들로 인한 이중노광된 겹침부분들의 폭의 평균감소값은 0.4㎛이다. 결함규정들은 각 공정에 따라 미리 결정되어 있다. 마스크패턴들을 점검하기 위한 용인된 범위 또는 마진은 결함규정들에 근거하여 결정된다. 이 실시예에서는, 결함규정은 0.6㎛로 설정된다. 이중노광된 겹침부분들의폭에서의 감소분의 평균값으로부터 용인되는 마진은 0.6㎛인 결함규정의 1/3, 예를 들면, ＋0.2㎛와 -0.2㎛이 되게 결정된다. 이중노광된 겹침부분들의 폭의 감소분의 평균값이 0.4㎛이면, 이중노광된 겹침부분들의 폭의 감소분을 위해 용인되는 범위는 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위 내에 있다. 이중노광된 겹침부분들의 폭의 감소분의 평균값이 0.2㎛라면, 이중노광된 겹침부분들의 폭의 감소분을 위해 용인되는 범위는 0 내지 0.4㎛의 범위 내에 있다. 이 경우, 점검용데이터를 변경할 필요는 없다. 이중노광된 겹침부분들의 폭에서의 실제감소분의 평균값은 개개의 전자빔노광시스템의 제조조건들에 의존한다. 이 실시예에서는, 폭넓게 사용되며 ETEC코오퍼레이션으로부터 상업적으로 입수할 수 있는 EMBES-4500이 사용되었다. 제1마스크패턴 "A"를 위한 제1세트의 전자빔노광데이터와 제2마스크패턴 "B"를 위한 제2세트의 전자빔노광데이터는 변경되지 않는다. 이중노광된 겹침부분들의 폭이 감소하는 경우에도, 점검자는 현재의 점검작업을 끝까지 계속할 수 있게 된다.
이 실시예에서, 축소율(shrinkage rate)은 제1 및 제2마스크패턴들을 형성하기 위한 제1 및 제2전자빔노광들에서 고정된다. 축소율이 제1 및 제2마스크패턴들을 형성하기 위한 제1 및 제2전자빔노광들 간에 다르게 되는 것도 바람직하다.
노광패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들이 넓어지거나 좁아지도록 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹칩영역들을 가진다. 그러나, 본 발명은, 노광패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않도록 하기 위하여, 다른 노광패턴들의 겹침영역들에서의 이중노광된 배선부분들의 폭을변화시키도록 점검용데이터 및/또는 전자빔노광데이터를 변경시킨다. 이것은 점검시간을 단축시킨다. 이것은 또한 점검자가 현재의 점검작업을 중단한 이유를 추가로 조사하는 것을 불필요하게 한다.
준비된 레이아웃데이터가 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형레이아웃데이터 둘 다를 포함한다면, 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터를 효과적으로 사용하기 위하여, 노광데이터도 전통적인 공정을 위한 제1유형전자빔노광데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형전자빔노광데이터로 분할되고, 그래서 복수 번의 노광공정들이 단일 포토마스크에 대해 수행된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용할 수 있다.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 저장매체의 제한된 용량 및 제한된 처리량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 그러한 대용량 및 고집적 데이터를 각각의 모듈이 전자빔노광데이터로 변환되기 전에 복수개의 모듈들로 분할하는 것이 효과적이다. 복수개 세트들의 전자빔노광데이터은 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 수행하는데 사용된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용할 수 있다.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 제한된 처리량 및 저장매체의 제한된 용량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 단일 칩의 전체 영역을 복수개의 서브영역들로 분할하고 서브영역들 각각의 데이터를 개별적으로 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 효과적이다. 복수개 세트들의 전자빔노광데이터는 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 위해 사용된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용할 수 있다.
전술의 본 발명들은, 복수개 노광패턴들이 포토마스크 사용없이 웨이퍼 위에 직접 형성되는 경우에 대해서도 효과적으로 적용될 수 있다.
제2실시예
본 발명에 따른 제2실시예를 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 이 실시예에서, 점검용데이터 뿐 아니라 전자빔노광데이터도 제1 및 제2마스크패턴들 "A" 및 "B"의 배선들의 이중노광된 겹침부분들의 폭을 변화시키도록 변경된다. 예를 들면, 전자빔노광데이터의 제1세트는 제1마스크패턴 "A"를 나타내나, 전자빔노광데이터의 제2세트는 제2마스크패턴 "B"를 나타낸다. 전자빔노광데이터의 제1세트는 제1기본데이터로부터 준비되나, 전자빔노광데이터의 제2세트는 제2기본데이터로부터 준비된다. 이 실시예에서, 제1 및 제2기본데이터는 변경된다. 제1마스크패턴 "A"를 나타내는 제1세트의 전자빔노광데이터는 변경된 제1기본데이터로부터 준비된다. 제2마스크패턴 "B"를 나타내는 제2세트의 전자빔노광데이터는 변경된 제2기본데이터로부터 준비된다. 점검용데이터도 변경된 제1 및 제2기본데이터로부터 준비된다.
도 4a는 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도로, 이 도면에서, 제1마스크패턴 "A"의 제1배선은 폭이 감소되나, 제2마스크패턴 "B"의 제2배선은 폭의 변화없이 그대로 유지되고, 제1 및 제2배선들은 5㎛만큼 겹쳐져 있다. 제1배선(221)은, 포토마스크가 음화형레지스트로 되어 있는 경우 및 포토마스크가 양화형레지스트로 되어 있는 경우 둘 다에서 0.6㎛만큼 폭이 감소된다. 즉, 한 쪽으로는, 폭이 0.3㎛ 감소된다. 제1배선의 폭에서의 이 감소분은 제1실시예에서 기술한 것과 동일한 방식을 사용하여 이중노광으로 인한 배선의 폭에서의 감소분의 평균값과 결함규정으로부터 계산된다. 이 실시예에서도, 제1배선의 전체 부분은 폭이 감소되나, 제1배선의 겹침부분만 폭이 감소되는 것도 가능하다. 제1배선 대신 제2배선의 전체 부분이 폭이 감소되는 것도 가능하다. 제2배선의 겹침부분만 폭이 감소되는 것도 가능하다. 제1 및 제2배선들 둘 다의 전체 부분들이 폭이 감소되는 것도 가능하다. 제1 및 제2배선들 둘 다의 겹침부분들이 폭이 감소되는 것도 가능하다.
도 4b는 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도로, 이 도면에서, 제1마스크패턴 "A"의 제1배선은 폭이 증가되나, 제2마스크패턴 "B"의 제2배선은 폭의 변화없이 그대로 유지되고, 제1 및 제2배선들은 5㎛만큼 겹쳐져 있다. 제1배선(222)은, 포토마스크가 음화형레지스트로 되어 있는 경우 및 포토마스크가 양화형레지스트로 되어 있는 경우 둘 다에서 0.6㎛만큼 폭이 증가된다. 즉, 한 쪽으로는, 폭이 0.3㎛ 증가된다. 제1배선의 폭에서의 이 증분은 제1실시예에서 기술한 것과 동일한 방식을 사용하여 이중노광으로 인한 배선의 폭에서의 증분의 평균값과 결함규정으로부터 계산된다. 이 실시예에서도, 제1배선의 전체 부분은 폭이 증가되나, 제1배선의 겹침부분만 폭이 증가되는 것도 가능하다. 제1배선 대신 제2배선의 전체 부분이 폭이 증가되는 것도 가능하다. 제2배선의 겹침부분만 폭이 증가되는 것도 가능하다. 제1 및 제2배선들둘 다의 전체 부분들이 폭이 증가되는 것도 가능하다. 제1 및 제2배선들 둘 다의 겹침부분들이 폭이 증가되는 것도 가능하다.
도 4c는 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도로, 이 도면에서, 제1마스크패턴 "A"의 제1배선은 제1측의 폭이 전체적으로 증가되고 제2측의 폭은 부분적으로 증가되나, 제2마스크패턴 "B"의 제2배선은 폭의 변화없이 그대로 유지되고 제1 및 제2배선들은 5㎛만큼 겹쳐져 있다. 제1배선은 포토마스크가 음화형레지스트로 되어 있는 경우와 포토마스크가 양화형레지스트로 되어 있는 경우 둘 다에서 0.6㎛만큼 폭이 증가된다. 즉, 인접한 배선패턴으로부터 폭방향으로 용인되는 범위의 제1최소거리 "D1"과 인접하는 배선패턴으로부터 폭방향에 수직한 길이방향으로 용인되는 범위의 제2최소거리 D2"를 유지하거나 확보하기 위하여, 제1측에서는, 0.3㎛의 폭의 증가가 제1배선의 전체 영역에 대해 이루어지나, 제2측에서는, 0.3㎛의 폭의 증가는 제1배선의 겹침영역 및 이것에 인접한 영역에 대해 이루어진다. 제1배선의 폭에서의 증분은 제1실시예에서 기술한 것과 동일한 방식을 사용하여 이중노광으로 인한 배선의 폭에서의 증분의 평균값과 결함규정으로부터 계산된다.
이 실시예에서, 축소율은 제1 및 제2마스크패턴들을 형성하기 위한 제1 및 제2전자빔노광들에서 고정된다. 이 축소율이 제1 및 제2마스크패턴들을 형성하기 위한 제1 및 제2전자빔노광들 간에 다르게 되는 것도 가능하다.
노광패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들이 넓어지거나 좁아지게 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹칩영역들을 가진다. 그러나, 본 발명은, 노광패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않도록 하기 위하여, 다른 노광패턴들의 겹침영역들에서의 이중노광된 배선부분들의 폭을 변화시키도록 점검용데이터 및/또는 전자빔노광데이터를 변경시킨다. 이것은 점검시간을 단축시킨다. 이것은 또한 점검자가 현재의 점검작업을 중단한 이유를 추가로 조사하는 것을 불필요하게 한다.
준비된 레이아웃데이터가 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형레이아웃데이터 둘 다를 포함한다면, 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터를 효과적으로 사용하기 위하여, 노광데이터도 전통적인 공정을 위한 제1유형전자빔노광데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형전자빔노광데이터로 분할되어, 복수 번의 노광공정들이 단일 포토마스크에 대해 수행된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용할 수 있다.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 제한된 처리량과 저장매체의 제한된 용량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 그러한 대용량 및 고집적 데이터를 각각의 모듈이 전자빔노광데이터로 변환되기 전에 복수개의 모듈들로 분할하는 것이 효과적이다. 복수개 세트들의 전자빔노광데이터는 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 수행하는데 사용된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용될 수 있다.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 저장매체의 제한된 용량과 제한된 처리량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 단일 칩의 전체 영역을 복수개의 서브영역들로 분할하고 서브영역들 각각의 데이터를 개별적으로 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 효과적이다. 복수개 세트들의 전자빔노광데이터는 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 위해 사용된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용될 수 있다.
전술의 본 발명들은, 복수개 노광패턴들이 포토마스크 사용없이 웨이퍼 위에 직접 형성되는 경우에 대해서도 효과적으로 적용될 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 다른 노광패턴들의 겹침영역들에서의 이중노광된 배선부분들의 폭을 변화시키도록 점검용데이터 및/또는 전자빔노광데이터를 변경시킨다. 따라서, 본 발명은, 노광패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않을 수 있게 함으로써, 점검시간을 단축시키며, 또 점검자가 현재의 점검작업을 중단한 이유를 추가로 조사하는 것을 불필요하게 한다.

Claims (50)

  1. 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하는 방법으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지는 방법에 있어서,
    점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 변경되는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 변경되는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 방법.
  5. 제1항에 있어서, 점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되고, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 방법.
  7. 제6항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 방법.
  8. 제6항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 방법.
  9. 제6항에 있어서, 배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 방법.
  10. 제6항에 있어서, 점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 방법.
  11. 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하는 방법으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지고, 복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되어 있는 방법에 있어서,
    전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 방법.
  13. 제11항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 방법.
  14. 제11항에 있어서, 배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 방법.
  15. 제11항에 있어서, 점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 방법.
  16. 제11항에 있어서, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 방법.
  17. 제16항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 방법.
  18. 제16항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 방법.
  19. 제16항에 있어서, 배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 방법.
  20. 제16항에 있어서, 점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 방법.
  21. 노광패턴들을 점검하기 위해 사용되는 점검용데이터를 준비하는 방법으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광을 받은 겹침영역을 가지는 방법에 있어서,
    점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 변경되는 방법.
  23. 제21항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 변경되는 방법.
  24. 제21항에 있어서, 배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 방법.
  25. 제21항에 있어서, 점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 방법.
  26. 전자빔노광데이터의 복수개 세트들을 준비하며, 이것들에 근거하여 복수개 전자빔노광들이 복수개 노광패턴들을 개별적으로 형성하도록 개별적으로 수행되며, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지는 방법에 있어서,
    전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 방법.
  27. 제26항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 방법.
  28. 제26항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 방법.
  29. 제26항에 있어서, 배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 방법.
  30. 제26항에 있어서, 점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 방법.
  31. 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하는 컴퓨터프로그램으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지는 컴퓨터프로그램에 있어서,
    점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 컴퓨터프로그램.
  32. 제31항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 변경되는 컴퓨터프로그램.
  33. 제31항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 변경되는 컴퓨터프로그램.
  34. 제31항에 있어서, 배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 컴퓨터프로그램.
  35. 제31항에 있어서, 점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 컴퓨터프로그램.
  36. 제31항에 있어서, 복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되고, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 컴퓨터프로그램.
  37. 제36항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 컴퓨터프로그램.
  38. 제36항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 컴퓨터프로그램.
  39. 제36항에 있어서, 배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 컴퓨터프로그램.
  40. 제36항에 있어서, 점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 컴퓨터프로그램.
  41. 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하는 컴퓨터프로그램으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지고, 복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되어 있는 컴퓨터프로그램에 있어서,
    전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 컴퓨터프로그램.
  42. 제41항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 컴퓨터프로그램.
  43. 제41항에 있어서, 노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 컴퓨터프로그램.
  44. 제41항에 있어서, 배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 컴퓨터프로그램.
  45. 제41항에 있어서, 점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 컴퓨터프로그램.
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