KR20010062565A - Method of checking exposure patterns formed over photo-mask - Google Patents
Method of checking exposure patterns formed over photo-mask Download PDFInfo
- Publication number
- KR20010062565A KR20010062565A KR1020000079353A KR20000079353A KR20010062565A KR 20010062565 A KR20010062565 A KR 20010062565A KR 1020000079353 A KR1020000079353 A KR 1020000079353A KR 20000079353 A KR20000079353 A KR 20000079353A KR 20010062565 A KR20010062565 A KR 20010062565A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- width
- wiring portion
- data
- exposure
- patterns
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/76—Patterning of masks by imaging
- G03F1/78—Patterning of masks by imaging by charged particle beam [CPB], e.g. electron beam patterning of masks
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 포토마스크 위에 형성된 노광패턴들의 점검방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 레이아웃설계된 마스크패턴의 데이터가 단일 포토마스크 위에 마스크패턴들을 형성하기 위하여 단일 포토마스크에 복수의 전자빔노광들을 수행하는데 사용되는 포토마스크 위에 형성된 노광패턴들의 점검방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of checking exposure patterns formed on a photomask, and more particularly, data of a designed mask pattern is used to perform a plurality of electron beam exposures on a single photomask to form mask patterns on a single photomask. The present invention relates to a method of checking exposure patterns formed on a photomask.
포토리소그래피기법이 반도체집적회로를 제조하기 위해 사용된다. 포토리소그래피기법은 포토마스크를 사용한다. 이 포토마스크는 크롬과 같은 금속으로 된 차광마스크패턴을 가진 유리기판과 같은 투명기판을 포함한다. 이 마스크패턴은 전자빔노광시스템을 이용하는 전자빔리소그래피기법에 의해 형성된다. 레이아웃설계된 데이터는 반도체집적회로들의 설계데이터로부터 얻어진다. 이 레이아웃설계데이터는 전자빔노광시스템이 전자빔노광을 수행할 수 있게 하는 패턴데이터로서 사용된다. 이 패턴데이터는 반도체집적회로들의 구성요소들, 예를 들면, 게이터전극영역들과, 소스 및 드레인 영역들을 나타내는 복수개의 장방형패턴들의 조합들을 포함한다. 마스크패턴들을 형성하기 위한 포토리소그래피공정에서, 패턴은 포토마스크 위로 축소되게 투영되고, 축소비는 통상 1/5이다.Photolithography techniques are used to fabricate semiconductor integrated circuits. The photolithography technique uses a photomask. The photomask includes a transparent substrate such as a glass substrate having a light shielding mask pattern made of a metal such as chromium. This mask pattern is formed by an electron beam lithography technique using an electron beam exposure system. The layout designed data is obtained from the design data of the semiconductor integrated circuits. This layout design data is used as pattern data that enables the electron beam exposure system to perform electron beam exposure. This pattern data includes components of semiconductor integrated circuits, for example, gator electrode regions, and a combination of a plurality of rectangular patterns representing source and drain regions. In the photolithography process for forming the mask patterns, the pattern is projected to be reduced on the photomask, and the reduction ratio is usually 1/5.
레이아웃설계에 따르면, 트랜지스터들과 같은 기본적인 소자들을 나타내는 레이아웃데이터가 미리 준비되고, 그것들의 조합들이 레이아웃된다. 복수개 레이아웃데이터가 레이아웃되고, 그러한 레이아웃데이터를 상호 연결시키는 데이터는 전자빔노광시스템을 위한 노광데이터로 변환된다.According to the layout design, layout data representing basic elements such as transistors is prepared in advance, and combinations thereof are laid out. A plurality of layout data is laid out, and the data interconnecting such layout data is converted into exposure data for the electron beam exposure system.
준비된 레이아웃데이터는 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터 및 진보된 공정을 위한 제2유형레이아웃데이터로 분류된다. 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터를 효과적으로 사용하기 위하여, 노광데이터도 전통적인 공정을 위한 제1유형전자빔노광데이터 및 진보된 공정을 위한 제2유형전자빔노광데이터로 분할되어, 복수 번의 노광공정들이 단일 포토마스크에 대해 수행된다.The prepared layout data is classified into first type layout data for a traditional process and second type layout data for an advanced process. In order to effectively use the first type layout data for the traditional process, the exposure data is also divided into the first type electron beam exposure data for the traditional process and the second type electron beam exposure data for the advanced process, so that a plurality of exposure processes Performed on the photomask.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터가 전자빔노광데이터로 변환되는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 저장매체의 제한된 용량 및 제한된 처리랑(throughput)으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어렵게 될 것이다. 이 경우, 각각의 모듈이 전자빔노광데이터로 변환되기 전에 그러한 대용량 및 고집적 데이터이 복수의 모듈들로 분할되는 것이 효과적이다. 전자빔노광데이터의 복수개 세트들은 단일 포토마스크에 대해 복수 번의 노광공정들을 수행하기 위해 사용된다.If a large amount and high density of data for a single chip is required to be converted into electron beam exposure data, or if such data is required to be synthesized, it may be difficult to process the data due to the limited capacity and limited throughput of the storage medium. will be. In this case, it is effective that such a large capacity and high density data is divided into a plurality of modules before each module is converted into electron beam exposure data. Multiple sets of electron beam exposure data are used to perform a plurality of exposure processes on a single photomask.
다른 마스크패턴들의 접합부분들은 이중노광된다. 복수 번의 노광들의 오정렬(miss-alignment)로 인한 슬릿의 형성을 방지하기 위한 대책이 만들어졌다.The junction portions of the other mask patterns are double exposed. Measures have been made to prevent the formation of slits due to miss-alignment of multiple exposures.
즉, 단일 포토마스크가 마스크패턴을 형성하도록 전자빔노광데이터의 복수개 세트들에 근거하여 복수 번 노광된다면, 다른 마스크패턴들의 접합부분들 또는 겹침영역들은 이중노광된다. 인접한 마스크패턴들은 인접한 마스크패턴들이 서로 겹치는 영역들을 가지도록 정렬된다. 이러한 겹침영역들은 전자빔노광들을 두 번 받게된다. 음화레지스트가 사용된다면, 차광마스크패턴이 접합영역들 또는 겹침영역들에서 넓어지게 된다. 양화레지스터가 사용된다면, 차광마스크패턴이 접합영역들 또는 겹침영역들에서 좁아지게 된다.That is, if a single photomask is exposed a plurality of times based on a plurality of sets of electron beam exposure data to form a mask pattern, the junction portions or overlapping regions of the other mask patterns are double exposed. Adjacent mask patterns are aligned such that adjacent mask patterns have regions overlapping each other. These overlapping areas are subjected to electron beam exposures twice. If a negative resist is used, the light shielding mask pattern is widened in the junction regions or overlap regions. If a positive register is used, the light shielding mask pattern is narrowed in the junction regions or overlap regions.
도 1a는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 음화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도이다. 제1 및 제2마스크패턴들 "A" 및 "B" 사이의 접합영역들 또는 겹침영역들은 파선 및 이점쇄선 사이로 정해진다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(401, 402, 403 및 404)은 파선 및 이점쇄선 사이로 정해진 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로질러 연장된다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(401, 402, 403 및 404)의 교차부들이 이중노광들을 받게되고, 이런 이유로 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(401, 402, 403 및 404)의 교차부들은 음화형 레지스트의 포토마스크로 인해 폭이 증가한다.FIG. 1A is a fragmentary plan view showing a negative resist type photomask in which the first mask pattern “A” and the second mask pattern “B” are subjected to separate exposures. The junction regions or overlap regions between the first and second mask patterns "A" and "B" are defined between the dashed line and the dashed line. The first, second, third and fourth wires 401, 402, 403 and 404 extend across the junctions or overlapping areas defined between the dashed and dashed dashed lines. Intersections of the first, second, third and fourth wirings 401, 402, 403 and 404 are subjected to double exposures, and for this reason the first, second, third and fourth wirings 401, The intersections of 402, 403 and 404 increase in width due to the photomask of the negative resist.
도 1b는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"의 별개의 노광들을 받은양화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도이다. 제1 및 제2마스크패턴들 "A" 및 "B" 사이의 접합영역들 또는 겹침영역들은 파선 및 이점쇄선 사이로 정해진다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(411, 412, 413 및 414)은 파선 및 이점쇄선 사이로 정해진 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로질러 연장된다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(411, 412, 413 및 414)의 교차부들이 이중노광들을 받게되고, 이런 이유로 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(411, 412, 413 및 414)의 교차부들은 양화형 레지스트의 포토마스크로 인해 폭이 감소한다.FIG. 1B is a fragmentary plan view showing a positive resistive photomask that has been subjected to separate exposures of the first mask pattern "A" and the second mask pattern "B". The junction regions or overlap regions between the first and second mask patterns "A" and "B" are defined between the dashed line and the dashed line. The first, second, third, and fourth wires 411, 412, 413, and 414 extend across junctions or overlapping regions defined between dashed lines and double-dotted lines. Intersections of the first, second, third and fourth wirings 411, 412, 413 and 414 receive double exposures, and for this reason the first, second, third and fourth wirings 411, Intersections 412, 413 and 414 are reduced in width due to the photomask of positive resist.
단일 포토마스크에 대해 복수개 패턴들의 복수 번의 노광들이 행해진다면, 복수개 패턴들이 오정렬없이 형성되었는 지를 점검하는 것이 필요하다. 예를 들면, 포토마스크상에 형성된 패턴들이 레이아웃데이터로부터 준비된 점검용데이터와 일치하는 지가 확인된다. 배선들 중 이중노광된 부분들은 점검용데이터에 의해 정해지는 의도된 폭 보다 더 넓거나 더 좁게 만들어진다. 이런 이유로, 포토마스크 위의 마스크패턴들을 점검용데이터와 정확히 일치시키는 것이 어렵다.If a plurality of exposures of a plurality of patterns are made for a single photomask, it is necessary to check whether the plurality of patterns have been formed without misalignment. For example, it is confirmed whether the patterns formed on the photomask match the inspection data prepared from the layout data. The double exposed portions of the wirings are made wider or narrower than the intended width defined by the inspection data. For this reason, it is difficult to exactly match the mask patterns on the photomask with the inspection data.
포토마스크 위의 차광마스크패턴들의 형상들이 점검용데이터와는 다른 경우에도, 이 차이가 공정들에서의 결함규정(defective regulation)에 따라 계산되는 용인될 만한 범위 내에 있다면, 점검자(checker)는 마스크패턴들이 결함없는 것이라고 확인할 수 있다. 즉, 에러수의 상한은 점검자가 마스크패턴들이 결함없음을 확인할 수 있게 하는 결함규정에 따라 설정된다. 전술한 바와 같이, 배선들 중의 이중노광된 부분들은 더 넓게 되거나 더 좁게되고, 이런 이유로 이중노광된 부분들은 상한을 초과하기가 쉽고, 따라서 점검자는 마스크패턴들이 결함있는 것이라고확인하게 된다. 일단 점검자가 마스크패턴들이 결함있는 것이라고 확인하게 되면, 점검자는 현재의 점검작업을 중단한다.Even if the shapes of the shading mask patterns on the photomask are different from the inspection data, if the difference is within an acceptable range that is calculated according to the defective regulation in the processes, the checker can determine the mask pattern. You can confirm that they are not defective. That is, the upper limit of the number of errors is set in accordance with a defect rule that allows the inspector to confirm that the mask patterns are free of defects. As described above, the double-exposed portions of the wirings become wider or narrower, and for this reason, the double-exposed portions are likely to exceed the upper limit, so that the inspector confirms that the mask patterns are defective. Once the inspector identifies that the mask patterns are defective, the inspector stops the current inspection.
전술한 상황에서, 전술의 문제가 없는 포토마스크 위의 마스크패턴들을 점검하는 신규한 방법을 개발하는 것이 요구되어 왔다.In the above situation, there has been a need to develop a novel method for checking mask patterns on a photomask which is free from the above problem.
따라서, 본 발명의 목적은 전술의 문제들이 없는 마스크패턴들을 점검하는 신규한 방법을 제공함에 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a novel method for checking mask patterns without the above-mentioned problems.
본 발명의 다른 목적은, 마스크패턴들을 점검하는 신규한 방법으로서, 마스크패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들을 넓어지게 하거나 좁아지게 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가지며, 마스크패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않을 수 있게 하는 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is a novel method for checking mask patterns, wherein the mask patterns are subjected to double exposures of electron beams to widen or narrow wiring portions across the junction areas or overlapping areas or overlapping areas. The present invention provides a method for allowing the inspector to not interrupt the current inspection even when the double-exposed wiring portions of the mask patterns exceed an acceptable range or upper limit.
본 발명의 또 다른 목적은, 전술의 문제들 없이 마스크패턴들을 점검하는데 사용되는 점검용데이터를 준비하는 신규한 방법을 제공함에 있다.It is a further object of the present invention to provide a novel method of preparing the inspection data used to inspect the mask patterns without the above-mentioned problems.
본 발명의 또 다른 목적은, 마스크패턴들을 점검하는데 사용되는 점검용데이터를 준비하는 신규한 방법으로서, 마스크패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들을 넓어지게 하거나 좁아지게 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가지며, 마스크패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을중단하지 않을 수 있게 하는 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is a novel method of preparing inspection data used for inspecting mask patterns, wherein the mask patterns are doubled of electron beams to widen or narrow wiring portions crossing junction areas or overlapping areas. The present invention provides a method of having an exposed or overlapping regions exposed to exposure and preventing the inspector from interrupting the current inspection even when the double-exposed wiring portions of the mask patterns exceed an acceptable range or upper limit.
본 발명의 또 다른 목적은, 복수 번의 전자빔노광들을 수행하여 전술의 문제들이 없는 복수개 마스크패턴들을 형성하기 위해 사용되는 전자빔노광데이터의 복수개 세트들을 준비하는 신규한 방법을 제공함에 있다.It is another object of the present invention to provide a novel method of preparing a plurality of sets of electron beam exposure data used to perform a plurality of electron beam exposures to form a plurality of mask patterns without the above-mentioned problems.
본 발명의 또 다른 목적은, 복수 번의 전자빔노광들을 수행하여 복수개의 마스크패턴들을 형성하는데 사용되는 전자빔노광데이터의 복수개 세트들을 준비하는 신규한 방법으로서, 마스크패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들을 넓어지게 하거나 좁아지게 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가지며, 마스크패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않을 수 있게 하는 방법을 제공함에 있다.Another object of the present invention is a novel method of preparing a plurality of sets of electron beam exposure data used to perform a plurality of electron beam exposures to form a plurality of mask patterns, wherein the mask patterns cross the junction areas or overlapping areas. It has a junction area or overlapping areas that receive double exposures of electron beams to widen or narrow the wiring parts, and the inspector performs the current inspection even when the double exposed wiring parts of the mask patterns exceed an acceptable range or upper limit. To provide a way to not stop.
본 발명의 또 다른 목적은, 전술의 문제들 없이 마스크패턴들을 점검하기 위한 신규한 컴퓨터프로그램을 제공함에 있다.Another object of the present invention is to provide a novel computer program for checking mask patterns without the above-mentioned problems.
본 발명의 또 다른 목적은, 마스크패턴들을 점검하기 위한 신규한 컴퓨터프로그램으로서,Another object of the invention is a novel computer program for checking mask patterns,
마스크패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들을 넓어지게 하거나 좁아지게 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가지며, 마스크패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않을 수 있게 하는 컴퓨터프로그램을 제공함에 있다.The mask patterns have junction regions or overlap regions which receive double exposures of electron beams to widen or narrow wiring portions crossing the junction regions or overlap regions, and the range or upper limit in which the double exposed wiring portions of the mask patterns are tolerated. The present invention provides a computer program that enables the inspector not to interrupt the current inspection even in the case of exceeding the limit.
도 1a는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 음화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도,1A is a fragmentary plan view showing a negative resist type photomask in which the first mask pattern "A" and the second mask pattern "B" have been subjected to separate exposures;
도 1b는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 양화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도,FIG. 1B is a fragmentary plan view showing a positive photoresist type photomask in which the first mask pattern "A" and the second mask pattern "B" have received separate exposures;
도 2a는 본 발명에 따른 제1실시예의 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 음화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도,FIG. 2A is a fragmentary plan view showing a negative resist type photomask in which the first mask pattern "A" and the second mask pattern "B" of the first embodiment according to the present invention are subjected to separate exposures; FIG.
도 2b는 본 발명에 따른 제1실시예의 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"의 별개의 노광들을 받은 양화레지스트형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도,FIG. 2B is a fragmentary plan view showing a positive resist type photomask subjected to separate exposures of the first mask pattern "A" and the second mask pattern "B" of the first embodiment according to the present invention; FIG.
도 3a는 도 2a 및 도 2b에 보인 포토마스크 위에 마스크패턴들을 형성하는데 사용되는 제1마스크패턴 "A"를 도시하는 평면도,3A is a plan view showing a first mask pattern " A " used to form mask patterns on the photomask shown in FIGS. 2A and 2B;
도 3b는 도 2a 및 도 2b에 보인 포토마스크 위에 마스크패턴들을 형성하는데 사용되는 제2마스크패턴 "B"를 도시하는 평면도,3B is a plan view showing a second mask pattern " B " used to form mask patterns on the photomask shown in FIGS. 2A and 2B;
도 4a는 본 발명에 따른 제2실시예의 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도,4A is a fragmentary plan view showing overlapping portions of the first wiring of the first mask pattern "A" and the second wiring of the second mask pattern "B" of the second embodiment according to the present invention;
도 4b는 본 발명에 따른 제2실시예의 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도,4B is a fragmentary plan view showing overlapping portions of the first wiring of the first mask pattern "A" and the second wiring of the second mask pattern "B" of the second embodiment according to the present invention;
도 4c는 본 발명에 따른 제2실시예의 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도,4C is a fragmentary plan view showing overlapping portions of the first wiring of the first mask pattern "A" and the second wiring of the second mask pattern "B" of the second embodiment according to the present invention;
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
101, 102, 103, 104, 111, 112, 113, 114 : 배선101, 102, 103, 104, 111, 112, 113, 114: wiring
201, 202, 203, 204 : 겹침부분201, 202, 203, 204: overlap
300a, 300b : 경계 A, B: 마스크패턴300a, 300b: boundary A, B: mask pattern
본 발명은 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하며, 이 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받는 겹침영역을 가지며, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 방법을 제공한다.The present invention inspects exposure patterns with reference to the inspection data, which have overlap regions that receive double exposures of electron beams that vary the width of the wiring portion across the overlap region, and cross the overlap region of the inspection data. Data for the width of the wiring portion to be provided provides a way to be changed to change the width of the wiring portion.
본 발명의 전술한 및 다른 목적들, 특징들 및 이점들은 다음의 설명으로부터 명료하게될 것이다.The foregoing and other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following description.
바람직한 실시예들을 첨부 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.Preferred embodiments are described in detail with reference to the accompanying drawings.
제1 본 발명은, 점검용데이터를 참조하여, 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지는 노광패턴들을 점검하는 방법으로, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 방법을 제공한다.A first aspect of the present invention is a method for checking exposure patterns having overlapping regions that receive double exposures of electron beams that vary the width of a wiring portion crossing the overlapping region with reference to the inspection data, wherein the overlapping region of the inspection data is checked. Data for the width of the wiring portion across it provides a way to change to change the width of the wiring portion.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 변경되는 것이 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative resist type photomask, the data for the width of the wiring portion crossing the overlapping area of the inspection data is preferably changed to increase the width of the wiring portion.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the positive resist type photomask, the data for the width of the wiring portion crossing the overlapping area of the inspection data is preferably changed to reduce the width of the wiring portion.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.The wiring portion is preferably determined by the AND operation of the wirings of the plurality of exposure patterns.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the amount of change in the width of the wiring portion of the inspection data is calculated from a preset defect criterion.
복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되고, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.The plurality of exposure patterns are individually formed by a plurality of electron beam exposures performed based on each of the plurality of sets of electron beam exposure data, each of the plurality of sets of electron beam exposure data varying the width of the wiring portion across the overlapping area. It is also desirable to change further.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative or positive resist type photomask, each of the plurality of sets of electron beam exposure data may be further changed to increase the width of the wiring portion crossing the overlap region.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the positive resist type photomask, each of the plurality of sets of electron beam exposure data may be further changed to reduce the width of the wiring portion crossing the overlap region.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.The wiring portion is preferably determined by the AND operation of the wirings of the plurality of exposure patterns.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the amount of change in the width of the wiring portion of the inspection data is calculated from a preset defect criterion.
제2 본 발명은, 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하는 방법으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지고, 복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되어있는 방법에 있어서, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 방법을 제공한다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a method of checking exposure patterns with reference to inspection data, wherein the exposure patterns have overlap regions that receive double exposures of electron beams that change the width of a wiring portion crossing the overlap region. In a method formed separately by a plurality of electron beam exposures performed on the basis of a plurality of sets of electron beam exposure data, each of the plurality of sets of electron beam exposure data is adapted to vary the width of a wiring portion across the overlapping area. It provides a way to change more.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것이 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative or positive resist type photomask, each of the plurality of sets of electron beam exposure data is preferably further changed to increase the width of the wiring portion crossing the overlap region.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative or positive resist type photomask, each of the plurality of sets of electron beam exposure data may be further changed to reduce the width of the wiring portion crossing the overlap region.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.The wiring portion is preferably determined by the AND operation of the wirings of the plurality of exposure patterns.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the amount of change in the width of the wiring portion of the inspection data is calculated from a preset defect criterion.
점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the data for the width of the wiring portion across the overlapping area of the inspection data is further changed to change the width of the wiring portion.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative or positive photoresist type photomask, the data for the width of the wiring portion crossing the overlapping area of the inspection data may be further changed to increase the width of the wiring portion.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative or positive photoresist type photomask, the data for the width of the wiring portion crossing the overlapping area of the inspection data may be further changed to reduce the width of the wiring portion.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.The wiring portion is preferably determined by the AND operation of the wirings of the plurality of exposure patterns.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the amount of change in the width of the wiring portion of the inspection data is calculated from a preset defect criterion.
제3 본 발명은 노광패턴들을 점검하기 위해 사용되는 점검용데이터를 준비하는 방법으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광을 받은 겹침영역을 가지는 방법에 있어서, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 방법을 제공한다.The third aspect of the present invention provides a method of preparing inspection data used for inspecting exposure patterns, wherein the exposure patterns have a double exposure region of electron beams for changing the width of a wiring portion crossing the overlap region. In addition, the data for the width of the wiring portion crossing the overlapping area of the inspection data is provided to change the width of the wiring portion.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 변경되는 것이 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative resist type photomask, the data for the width of the wiring portion crossing the overlapping area of the inspection data is preferably changed to increase the width of the wiring portion.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the positive resist type photomask, the data for the width of the wiring portion crossing the overlapping area of the inspection data is preferably changed to reduce the width of the wiring portion.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.The wiring portion is preferably determined by the AND operation of the wirings of the plurality of exposure patterns.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the amount of change in the width of the wiring portion of the inspection data is calculated from a preset defect criterion.
제4 본 발명은, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들을 준비하며, 이것들에 근거하여 복수개 전자빔노광들이 복수개 노광패턴들을 개별적으로 형성하도록 개별적으로 수행되며, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지는 방법에 있어서, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 방법을 제공한다.In a fourth aspect of the present invention, a plurality of sets of electron beam exposure data are prepared, and a plurality of electron beam exposures are individually performed to individually form a plurality of exposure patterns based on these, and the exposure patterns are formed by varying the width of a wiring portion across the overlapping area. In a method having an overlapping area that receives double exposures of varying electron beams, each of the plurality of sets of electron beam exposure data provides a method that is further modified to vary the width of the wiring portion across the overlapping area.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것이 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative resist type photomask, each of the plurality of sets of electron beam exposure data is preferably further changed to increase the width of the wiring portion crossing the overlap region.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the positive resist type photomask, each of the plurality of sets of electron beam exposure data may be further changed to reduce the width of the wiring portion crossing the overlap region.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.The wiring portion is preferably determined by the AND operation of the wirings of the plurality of exposure patterns.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the amount of change in the width of the wiring portion of the inspection data is calculated from a preset defect criterion.
제5 본 발명은, 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하는 컴퓨터프로그램으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지는 컴퓨터프로그램에 있어서, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 변경되는 컴퓨터프로그램을 제공한다.The fifth aspect of the present invention provides a computer program for inspecting exposure patterns by referring to inspection data, wherein the exposure patterns have an overlap region that receives double exposures of electron beams for changing the width of a wiring portion crossing the overlap region. The data for the width of the wiring portion across the overlapping area of the inspection data provides a computer program which is changed to change the width of the wiring portion.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 변경되는 것이 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative or positive photoresist type photomask, the data for the width of the wiring portion crossing the overlapping area of the inspection data is preferably changed to increase the width of the wiring portion.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the positive resist type photomask, the data for the width of the wiring portion crossing the overlapping area of the inspection data is preferably changed to reduce the width of the wiring portion.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.The wiring portion is preferably determined by the AND operation of the wirings of the plurality of exposure patterns.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the amount of change in the width of the wiring portion of the inspection data is calculated from a preset defect criterion.
복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되고, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.The plurality of exposure patterns are individually formed by a plurality of electron beam exposures performed based on the plurality of sets of electron beam exposure data, and each of the plurality of sets of electron beam exposure data changes the width of the wiring portion crossing the overlapping region. It is also desirable to change further.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative or positive resist type photomask, each of the plurality of sets of electron beam exposure data may be further changed to increase the width of the wiring portion crossing the overlap region.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the positive resist type photomask, each of the plurality of sets of electron beam exposure data may be further changed to reduce the width of the wiring portion crossing the overlap region.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.The wiring portion is preferably determined by the AND operation of the wirings of the plurality of exposure patterns.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the amount of change in the width of the wiring portion of the inspection data is calculated from a preset defect criterion.
제6 본 발명은, 점검용데이터를 참조하여 노광패턴들을 점검하는 컴퓨터프로그램으로, 노광패턴들은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키는 전자빔들의 이중노광들을 받은 겹침영역을 가지고, 복수개 노광패턴들은 전자빔노광데이터의 복수개 세트들에 근거하여 수행된 복수 번의 전자빔노광들에 의해 개별적으로 형성되어 있는 컴퓨터프로그램에 있어서, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 컴퓨터프로그램을 제공한다.A sixth invention is a computer program for inspecting exposure patterns with reference to inspection data, wherein the exposure patterns have overlap regions that receive double exposures of electron beams to vary the width of the wiring portion across the overlap region, and a plurality of exposure patterns. In a computer program individually formed by a plurality of electron beam exposures performed based on the plurality of sets of electron beam exposure data, each of the plurality of sets of electron beam exposure data varying the width of a wiring portion across the overlapping area. Provide a computer program that is further modified to allow
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것이 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative or positive resist type photomask, each of the plurality of sets of electron beam exposure data is preferably further changed to increase the width of the wiring portion crossing the overlap region.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화 또는 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 전자빔노광데이터의 복수개 세트들의 각각은 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative or positive resist type photomask, each of the plurality of sets of electron beam exposure data may be further changed to reduce the width of the wiring portion crossing the overlap region.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.The wiring portion is preferably determined by the AND operation of the wirings of the plurality of exposure patterns.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the amount of change in the width of the wiring portion of the inspection data is calculated from a preset defect criterion.
점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 변화시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the data for the width of the wiring portion across the overlapping area of the inspection data is further changed to change the width of the wiring portion.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 음화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 증가시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the negative resist type photomask, the data for the width of the wiring portion crossing the overlapping area of the inspection data may be further changed to increase the width of the wiring portion.
노광패턴들로서의 마스크패턴들이 양화레지스트형 포토마스크 위에 형성된다면, 점검용데이터 중 겹침영역을 가로지르는 배선부분의 폭을 위한 데이터는 배선부분의 폭을 감소시키도록 더 변경되는 것도 바람직하다.If the mask patterns as the exposure patterns are formed on the positive resist type photomask, the data for the width of the wiring portion crossing the overlapping area of the inspection data may be further changed to reduce the width of the wiring portion.
배선부분은 복수개 노광패턴들의 배선들의 AND연산에 의해 정해지는 것도 바람직하다.The wiring portion is preferably determined by the AND operation of the wirings of the plurality of exposure patterns.
점검용데이터의 배선부분의 폭의 변화량은 기설정된 결함기준으로부터 계산되는 것도 바람직하다.It is also preferable that the amount of change in the width of the wiring portion of the inspection data is calculated from a preset defect criterion.
노광패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들을 넓게되거나 좁게되도록 만드는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹칩영역들을 가진다. 그러나, 본 발명은, 노광패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않도록 하기 위하여, 다른 노광패턴들의 겹침영역들에서의 이중노광된 배선부분들의 폭을 변화시키도록 점검용데이터 및/또는 전자빔노광데이터를 변경한다. 이것은 점검시간을 단축시킨다. 이것은 또한 점검자가 현재의 점검작업을 중단한 이유를 추가로 조사하는 것이 불필요하게 한다.The exposure patterns have junction regions or overlap chip regions subjected to double exposures of electron beams that make the wiring portions across the junction regions or overlap regions wider or narrower. However, in the present invention, in order to prevent the inspector from interrupting the current inspection even when the double-exposed wiring portions of the exposure patterns exceed the acceptable range or upper limit, the double exposure in the overlapping areas of the other exposure patterns is performed. The inspection data and / or the electron beam exposure data are changed to change the width of the wiring portions. This shortens the inspection time. This also makes it unnecessary to investigate further why the inspector has stopped the current inspection.
준비된 레이아웃데이터가 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형레이아웃데이터 둘 다를 포함한다면, 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터를 효과적으로 사용하기 위하여, 노광데이터도 전통적인 공정을 위한 제1유형전자빔노광데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형전자빔노광데이터로 분할되고, 그래서 복수 번의 노광공정들이 단일 포토마스크에 대해 수행된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용될 수 있다.If the prepared layout data includes both the first type layout data for the traditional process and the second type layout data for the advanced process, in order to effectively use the first type layout data for the traditional process, the exposure data also uses the traditional process. The first type electron beam exposure data for the first type and the second type electron beam exposure data for the advanced process are divided, so that a plurality of exposure processes are performed on a single photomask. The present invention described above can be effectively applied in this case as well.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 저장매체의 제한된 용량 및 제한된 처리량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 그러한 대용량 및 고집적 데이터를 각각의 모듈이 전자빔노광데이터로 변환되기 이전에 복수개의 모듈들로 분할하는 것이 효과적이다. 전자빔노광데이터의 복수개 세트들은 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 수행하는데 사용된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용될 수 있다.If it is required to convert large-capacity and high-density data for a single chip into electron beam exposure data, or to synthesize such data, it will be difficult to process the data due to the limited capacity and limited throughput of the storage medium. In this case, it is effective to divide such large capacity and high density data into a plurality of modules before each module is converted into electron beam exposure data. Multiple sets of electron beam exposure data are used to perform multiple exposure processes for a single photomask. The present invention described above can be effectively applied in this case as well.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 저장매체의 제한된 용량과 제한된 처리량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 단일 칩의 전체 영역을 복수개의 서브영역들로 분할하고 서브영역들 각각의 데이터를 개별적으로 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 효과적이다. 전자빔노광데이터의 복수개 세트들은 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 위해 사용된다.전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용할 수 있다.If it is required to convert large-capacity and high-density data for a single chip into electron beam exposure data, or to synthesize such data, it will be difficult to process the data due to the limited capacity and limited throughput of the storage medium. In this case, it is effective to divide the entire area of a single chip into a plurality of sub-regions and to convert the data of each of the sub-regions individually into electron beam exposure data. Multiple sets of electron beam exposure data are used for a plurality of exposure processes for a single photomask. The present invention described above can be effectively applied in this case as well.
전술의 본 발명들은, 복수개 노광패턴들이 포토마스크 사용없이 웨이퍼 위에 직접 형성되는 경우에 대헤서도 효과적으로 적용할 수 있다.The above-described inventions can be effectively applied even when a plurality of exposure patterns are formed directly on a wafer without using a photomask.
전술한 본 발명들은 복수개 노광패턴들이 포토마스크 사용 없이 웨이퍼 위에 직접 형성될 때 효과적으로 적용될 수도 있다.The above-described inventions may be effectively applied when a plurality of exposure patterns are formed directly on a wafer without using a photomask.
제1실시예First embodiment
본 발명에 따른 제1실시예를 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 도 2a는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 음화레지스터형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도이다. 제1 및 제2마스크패턴들인 "A" 및 "B" 사이의 접합영역들 또는 겹침영역들은 제1마스크패턴 "A"의 제1경계(300a)를 나타내는 파선과 제2마스크패턴 "B"의 제2경계(300b)를 나타내는 이점쇄선의 사이로 규정된다. 접합영역들 또는 겹침영역들은 제1 및 제2경계들(300a 및 300b) 사이의 거리로 규정되는 5㎛의 폭을 가진다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)은 파선 및 이점쇄선 사이로 규정되는 접합영역들 또는 겹칩영역들을 가로질러 연장된다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 이중노광들을 받게 되고, 이런 이유로 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 음화형레지스트의 포토마스크로 인해 폭이 증가된다.A first embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 2A is a fragmentary plan view showing a negative register type photomask in which the first mask pattern "A" and the second mask pattern "B" have received separate exposures. Bonding regions or overlapping regions between the first and second mask patterns “A” and “B” may be broken lines representing the first boundary 300a of the first mask pattern “A” and the second mask pattern “B”. It is defined between the double-dotted lines showing the second boundary 300b. The junction regions or overlap regions have a width of 5 μm which is defined as the distance between the first and second boundaries 300a and 300b. The first, second, third and fourth wirings 101, 102, 103 and 104 extend across the junction regions or overlapping chip regions defined between the dashed and dashed dashed lines. The overlapping portions 201, 202, 203 and 204 of the first, second, third and fourth wirings 101, 102, 103 and 104 are subjected to double exposures, and therefore the first, second, The overlapping portions 201, 202, 203, and 204 of the third and fourth interconnections 101, 102, 103, and 104 are increased in width due to the photomask of the negative type resist.
도 2b는 제1마스크패턴 "A" 및 제2마스크패턴 "B"가 별개의 노광들을 받은 양화레지스터형 포토마스크를 도시하는 단편적인 평면도이다. 제1 및 제2마스크패턴들인 "A" 및 "B" 사이의 접합영역들 또는 겹침영역들은 제1마스크패턴 "A"의 제1경계(300a)를 나타내는 파선과 제2마스크패턴 "B"의 제2경계(300b)를 나타내는 이점쇄선의 사이로 규정된다. 접합영역들 또는 겹칩영역들은 제1 및 제2경계들(300a 및 300b) 사이의 거리로 규정되는 5㎛의 폭을 가진다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)은 파선(300a) 및 이점쇄선(300b) 사이로 규정되는 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로질러 연장된다. 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 이중노광들을 받게 되고, 이런 이유로 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 양화형레지스트의 포토마스크로 인해 폭이 감소된다.FIG. 2B is a fragmentary plan view showing a positive resist type photomask in which the first mask pattern "A" and the second mask pattern "B" have received separate exposures. Bonding regions or overlapping regions between the first and second mask patterns “A” and “B” may be broken lines representing the first boundary 300a of the first mask pattern “A” and the second mask pattern “B”. It is defined between the double-dotted lines showing the second boundary 300b. The junction regions or overlapping chip regions have a width of 5 占 퐉 defined by the distance between the first and second boundaries 300a and 300b. The first, second, third, and fourth wires 111, 112, 113, and 114 extend across junction areas or overlapping areas defined between the broken line 300a and the double-dotted line 300b. The overlapping portions 201, 202, 203, and 204 of the first, second, third, and fourth wirings 111, 112, 113, and 114 are subjected to double exposures, and therefore, the first, second, The overlapping portions 201, 202, 203, and 204 of the third and fourth interconnections 111, 112, 113, and 114 are reduced in width due to the photomask of the positive type resist.
도 3a는 도 2a 및 도 2b에 보인 포토마스크 위에 마스크패턴들을 형성하는데 사용되는 제1마스크패턴 "A"를 도시하는 평면도이고, 도 3b는 도 2a 및 도 2b에 보인 포토마스크 위에 마스크패턴들을 형성하는데 사용되는 제2마스크패턴 "B"를 도시하는 평면도이다.3A is a plan view showing a first mask pattern “A” used to form mask patterns on the photomask shown in FIGS. 2A and 2B, and FIG. 3B shows mask patterns on the photomask shown in FIGS. 2A and 2B. Is a plan view showing a second mask pattern " B "
도 2a를 참조하면, 포토마스크는 음화형레지스트로 되어 있다. 이 경우, 제1마스크패턴 "A"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)과 제2마스크패턴 "B"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 제1마스크패턴 "A"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)과 제2마스크패턴 "B"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 AND연산들에 의해 정해진다. 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 제1 및제2마스크패턴들인 "A" 및 "B"를 별개로 형성하기 위해 이중노광되거나 두 번의 전자빔노광들을 받게 된다. 단일 포토마스크 위의 제1 및 제2마스크패턴들인 "A" 및 "B"는, 이중노광된 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)의 폭들을 나타내는 데이터를 포함하는 점검용데이터를 참조하여 점검된다. 이중노광된 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)의 폭들을 나타내는 데이터는 이 폭들을 증가시키도록, 예를 들면, 한쪽의 증분이 0.3㎛이고 총증분은 0.6㎛가 되도록 변경된다. 증분값, 예를 들면, 0.6㎛는 결함규정과 이중노광들로 인한 이중노광된 겹침부분들의 폭의 증가된 값으로부터 계산된다. 이중노광들로 인한 이중노광된 겹침부분들의 폭의 평균증가값은 0.4㎛이다. 결함규정들은 각 공정에 따라 미리 결정되어 있다. 마스크패턴들을 점검하기 위한 용인된 범위 또는 마진은 결함규정들에 근거하여 결정된다. 이 실시예에서는, 결함규정은 0.6㎛로 설정된다. 이중노광된 겹침부분들의 폭에서의 증분의 평균값으로부터 용인되는 마진은 0.6㎛ 결함규정의 1/3, 예를 들면, ＋0.2㎛와 -0.2㎛이 되게 결정된다. 이중노광된 겹침부분들의 폭에서의 증분의 평균값이 0.4㎛이면, 이중노광된 겹침부분들의 폭에서 증분을 위해 용인되는 범위는 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위 내에 있다. 이중노광된 겹침부분들의 폭 증분의 평균값이 0.2㎛라면, 이중노광된 겹침부분들의 폭 증분을 위해 용인되는 범위는 0 내지 0.4㎛의 범위 내에 있다. 이 경우, 점검용데이터를 변경할 필요는 없다. 이중노광된 겹침부분들의 폭에서의 실제증분의 평균값은 개개의 전자빔노광시스템의 제조조건들에 의존한다. 이 실시예에서는, 폭넓게 사용되며 ETEC코오퍼레이션으로부터 상업적으로 입수할 수 있는 EMBES-4500이 사용되었다. 제1마스크패턴 "A"를 위한 제1세트의 전자빔노광데이터와 제2마스크패턴 "B"를 위한 제2세트의 전자빔노광데이터는 변경되지 않는다. 이중노광된 겹침부분들의 폭이 증가하는 경우에도, 점검자는 현재의 점검작업을 끝까지 계속할 수 있게 된다.Referring to Fig. 2A, the photomask is made of a negative type resist. In this case, the first, second, third and fourth wirings 101, 102, 103, and 104 of the first mask pattern "A" and the first, second, and third of the second mask pattern "B". The overlapping portions 201, 202, 203, and 204 of the fourth wirings 111, 112, 113, and 114 may include the first, second, third, and fourth wirings of the first mask pattern “A”. 101, 102, 103 and 104 and the AND operations of the first, second, third and fourth wirings 111, 112, 113 and 114 of the second mask pattern " B ". The overlapping portions 201, 202, 203 and 204 are subjected to double exposure or two electron beam exposures to separately form the first and second mask patterns “A” and “B”. The first and second mask patterns "A" and "B" on a single photomask refer to inspection data including data representing the widths of the double exposed overlapping portions 201, 202, 203 and 204. Is checked. The data indicative of the widths of the double-exposed overlaps 201, 202, 203 and 204 are changed to increase these widths, e.g., the increment on one side is 0.3 mu m and the total increment is 0.6 mu m. Incremental values, for example 0.6 [mu] m, are calculated from the increased value of the width of the double exposed overlaps due to defect definition and double exposures. The average increase in the width of the double exposed overlapping portions due to the double exposures is 0.4 μm. Defect rules are predetermined for each process. The accepted range or margin for checking the mask patterns is determined based on defect regulations. In this embodiment, the defect definition is set to 0.6 mu m. The margin tolerated from the average value of the increments in the width of the double-exposed overlaps is determined to be 1/3 of the 0.6 μm defect specification, for example +0.2 μm and −0.2 μm. If the average value of the increments in the width of the double-exposed overlaps is 0.4 μm, the acceptable range for the increment in the width of the double-exposed overlaps is in the range of 0.2 μm to 0.6 μm. If the average value of the width increments of the double-exposed overlaps is 0.2 m, the acceptable range for the width increments of the double-exposed overlaps is in the range of 0 to 0.4 m. In this case, it is not necessary to change the inspection data. The average value of the actual increments in the width of the double-exposed overlaps depends on the manufacturing conditions of the individual electron beam exposure system. In this example, EMBES-4500 was used, which is widely used and commercially available from ETEC Corporation. The first set of electron beam exposure data for the first mask pattern "A" and the second set of electron beam exposure data for the second mask pattern "B" are not changed. Even if the width of the double-exposed overlap increases, the inspector can continue the current inspection work to the end.
도 2b를 참조하면, 포토마스크는 양화형레지스트로 되어 있다. 이 경우, 제1마스크패턴 "A"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)과 제2마스크패턴 "B"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 제1마스크패턴 "A"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(101, 102, 103 및 104)과 제2마스크패턴 "B"의 제1, 제2, 제3 및 제4배선들(111, 112, 113 및 114)의 AND연산들에 의해 정해진다. 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)은 제1 및 제2마스크패턴들인 "A" 및 "B"를 별개로 형성하기 위해 이중노광되거나 두 번의 전자빔노광들을 받게 된다. 단일 포토마스크 위의 제1 및 제2마스크패턴들인 "A" 및 "B"는, 이중노광된 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)의 폭들을 나타내는 데이터를 포함하는 점검용데이터를 참조하여 점검된다. 이중노광된 겹침부분들(201, 202, 203 및 204)의 폭들을 나타내는 데이터는 이 폭들을 감소시키도록, 예를 들면, 한쪽의 감소분(decrement)이 0.3㎛이고 총감소분은 0.6㎛이 되도록 변경된다. 감소분의 값, 예를 들면, 0.6㎛는 결함규정과 이중노광들로 인한 이중노광된 겹침부분들의 폭의 감소된 값으로부터 계산된다. 이중노광들로 인한 이중노광된 겹침부분들의 폭의 평균감소값은 0.4㎛이다. 결함규정들은 각 공정에 따라 미리 결정되어 있다. 마스크패턴들을 점검하기 위한 용인된 범위 또는 마진은 결함규정들에 근거하여 결정된다. 이 실시예에서는, 결함규정은 0.6㎛로 설정된다. 이중노광된 겹침부분들의폭에서의 감소분의 평균값으로부터 용인되는 마진은 0.6㎛인 결함규정의 1/3, 예를 들면, ＋0.2㎛와 -0.2㎛이 되게 결정된다. 이중노광된 겹침부분들의 폭의 감소분의 평균값이 0.4㎛이면, 이중노광된 겹침부분들의 폭의 감소분을 위해 용인되는 범위는 0.2㎛ 내지 0.6㎛의 범위 내에 있다. 이중노광된 겹침부분들의 폭의 감소분의 평균값이 0.2㎛라면, 이중노광된 겹침부분들의 폭의 감소분을 위해 용인되는 범위는 0 내지 0.4㎛의 범위 내에 있다. 이 경우, 점검용데이터를 변경할 필요는 없다. 이중노광된 겹침부분들의 폭에서의 실제감소분의 평균값은 개개의 전자빔노광시스템의 제조조건들에 의존한다. 이 실시예에서는, 폭넓게 사용되며 ETEC코오퍼레이션으로부터 상업적으로 입수할 수 있는 EMBES-4500이 사용되었다. 제1마스크패턴 "A"를 위한 제1세트의 전자빔노광데이터와 제2마스크패턴 "B"를 위한 제2세트의 전자빔노광데이터는 변경되지 않는다. 이중노광된 겹침부분들의 폭이 감소하는 경우에도, 점검자는 현재의 점검작업을 끝까지 계속할 수 있게 된다.Referring to Fig. 2B, the photomask is made of a positive type resist. In this case, the first, second, third and fourth wirings 101, 102, 103, and 104 of the first mask pattern "A" and the first, second, and third of the second mask pattern "B". The overlapping portions 201, 202, 203, and 204 of the fourth wirings 111, 112, 113, and 114 may include the first, second, third, and fourth wirings of the first mask pattern “A”. 101, 102, 103 and 104 and the AND operations of the first, second, third and fourth wirings 111, 112, 113 and 114 of the second mask pattern " B ". The overlapping portions 201, 202, 203 and 204 are subjected to double exposure or two electron beam exposures to separately form the first and second mask patterns “A” and “B”. The first and second mask patterns "A" and "B" on a single photomask refer to inspection data including data representing the widths of the double exposed overlapping portions 201, 202, 203 and 204. Is checked. The data representing the widths of the double-exposed overlaps 201, 202, 203 and 204 are modified to reduce these widths, for example, so that the decrement on one side is 0.3 μm and the total decrease is 0.6 μm. do. The value of the reduction, for example 0.6 [mu] m, is calculated from the reduced value of the width of the double exposed overlaps due to defect definition and double exposures. The average reduction value of the width of the double exposed overlapping parts due to the double exposures is 0.4 mu m. Defect rules are predetermined for each process. The accepted range or margin for checking the mask patterns is determined based on defect regulations. In this embodiment, the defect definition is set to 0.6 mu m. The margin tolerated from the average value of the decrease in the width of the double-exposed overlaps is determined to be 1/3 of the defect specification, for example +0.2 μm and −0.2 μm. If the average value of the reductions in the width of the double-exposed overlaps is 0.4 μm, the acceptable range for the decrease in the width of the double-exposed overlaps is in the range of 0.2 μm to 0.6 μm. If the average value of the reductions in the width of the double-exposed overlaps is 0.2 μm, the acceptable range for the decrease in the width of the double-exposed overlaps is in the range of 0 to 0.4 μm. In this case, it is not necessary to change the inspection data. The average value of the actual reduction in the width of the double-exposed overlaps depends on the manufacturing conditions of the individual electron beam exposure system. In this example, EMBES-4500 was used, which is widely used and commercially available from ETEC Corporation. The first set of electron beam exposure data for the first mask pattern "A" and the second set of electron beam exposure data for the second mask pattern "B" are not changed. Even if the width of the double exposure overlaps decreases, the inspector can continue the current inspection operation to the end.
이 실시예에서, 축소율(shrinkage rate)은 제1 및 제2마스크패턴들을 형성하기 위한 제1 및 제2전자빔노광들에서 고정된다. 축소율이 제1 및 제2마스크패턴들을 형성하기 위한 제1 및 제2전자빔노광들 간에 다르게 되는 것도 바람직하다.In this embodiment, the shrinkage rate is fixed at the first and second electron beam exposures for forming the first and second mask patterns. It is also desirable that the reduction ratio be different between the first and second electron beam exposures for forming the first and second mask patterns.
노광패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들이 넓어지거나 좁아지도록 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹칩영역들을 가진다. 그러나, 본 발명은, 노광패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않도록 하기 위하여, 다른 노광패턴들의 겹침영역들에서의 이중노광된 배선부분들의 폭을변화시키도록 점검용데이터 및/또는 전자빔노광데이터를 변경시킨다. 이것은 점검시간을 단축시킨다. 이것은 또한 점검자가 현재의 점검작업을 중단한 이유를 추가로 조사하는 것을 불필요하게 한다.The exposure patterns have bonding regions or overlapping chip regions that are subjected to double exposures of electron beams so that the wiring portions crossing the junction regions or overlap regions are widened or narrowed. However, in the present invention, in order to prevent the inspector from interrupting the current inspection even when the double-exposed wiring portions of the exposure patterns exceed the acceptable range or upper limit, the double exposure in the overlapping areas of the other exposure patterns is performed. The inspection data and / or the electron beam exposure data are changed to change the width of the wiring portions. This shortens the inspection time. This also makes it unnecessary for the inspector to investigate further why the inspection has been aborted.
준비된 레이아웃데이터가 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형레이아웃데이터 둘 다를 포함한다면, 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터를 효과적으로 사용하기 위하여, 노광데이터도 전통적인 공정을 위한 제1유형전자빔노광데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형전자빔노광데이터로 분할되고, 그래서 복수 번의 노광공정들이 단일 포토마스크에 대해 수행된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용할 수 있다.If the prepared layout data includes both the first type layout data for the traditional process and the second type layout data for the advanced process, in order to effectively use the first type layout data for the traditional process, the exposure data also uses the traditional process. The first type electron beam exposure data for the first type and the second type electron beam exposure data for the advanced process are divided, so that a plurality of exposure processes are performed on a single photomask. The present invention described above can be effectively applied in this case as well.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 저장매체의 제한된 용량 및 제한된 처리량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 그러한 대용량 및 고집적 데이터를 각각의 모듈이 전자빔노광데이터로 변환되기 전에 복수개의 모듈들로 분할하는 것이 효과적이다. 복수개 세트들의 전자빔노광데이터은 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 수행하는데 사용된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용할 수 있다.If it is required to convert large-capacity and high-density data for a single chip into electron beam exposure data, or to synthesize such data, it will be difficult to process the data due to the limited capacity and limited throughput of the storage medium. In this case, it is effective to divide such large capacity and high density data into a plurality of modules before each module is converted into electron beam exposure data. A plurality of sets of electron beam exposure data are used to perform a plurality of exposure processes for a single photomask. The present invention described above can be effectively applied in this case as well.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 제한된 처리량 및 저장매체의 제한된 용량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 단일 칩의 전체 영역을 복수개의 서브영역들로 분할하고 서브영역들 각각의 데이터를 개별적으로 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 효과적이다. 복수개 세트들의 전자빔노광데이터는 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 위해 사용된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용할 수 있다.If it is required to convert large-capacity and high-density data for a single chip into electron beam exposure data, or to synthesize such data, it will be difficult to process the data due to limited throughput and limited capacity of the storage medium. In this case, it is effective to divide the entire area of a single chip into a plurality of sub-regions and to convert the data of each of the sub-regions individually into electron beam exposure data. Multiple sets of electron beam exposure data are used for multiple exposure processes for a single photomask. The present invention described above can be effectively applied in this case as well.
전술의 본 발명들은, 복수개 노광패턴들이 포토마스크 사용없이 웨이퍼 위에 직접 형성되는 경우에 대해서도 효과적으로 적용될 수 있다.The above-described inventions can be effectively applied even when a plurality of exposure patterns are directly formed on a wafer without using a photomask.
제2실시예Second embodiment
본 발명에 따른 제2실시예를 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 이 실시예에서, 점검용데이터 뿐 아니라 전자빔노광데이터도 제1 및 제2마스크패턴들 "A" 및 "B"의 배선들의 이중노광된 겹침부분들의 폭을 변화시키도록 변경된다. 예를 들면, 전자빔노광데이터의 제1세트는 제1마스크패턴 "A"를 나타내나, 전자빔노광데이터의 제2세트는 제2마스크패턴 "B"를 나타낸다. 전자빔노광데이터의 제1세트는 제1기본데이터로부터 준비되나, 전자빔노광데이터의 제2세트는 제2기본데이터로부터 준비된다. 이 실시예에서, 제1 및 제2기본데이터는 변경된다. 제1마스크패턴 "A"를 나타내는 제1세트의 전자빔노광데이터는 변경된 제1기본데이터로부터 준비된다. 제2마스크패턴 "B"를 나타내는 제2세트의 전자빔노광데이터는 변경된 제2기본데이터로부터 준비된다. 점검용데이터도 변경된 제1 및 제2기본데이터로부터 준비된다.A second embodiment according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In this embodiment, not only the inspection data but also the electron beam exposure data are changed to change the width of the double-exposed overlapping portions of the wirings of the first and second mask patterns "A" and "B". For example, a first set of electron beam exposure data represents a first mask pattern "A" while a second set of electron beam exposure data represents a second mask pattern "B". The first set of electron beam exposure data is prepared from the first basic data, while the second set of electron beam exposure data is prepared from the second basic data. In this embodiment, the first and second basic data are changed. The first set of electron beam exposure data representing the first mask pattern " A " is prepared from the changed first basic data. The second set of electron beam exposure data representing the second mask pattern " B " is prepared from the changed second basic data. Inspection data is also prepared from the changed first and second basic data.
도 4a는 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도로, 이 도면에서, 제1마스크패턴 "A"의 제1배선은 폭이 감소되나, 제2마스크패턴 "B"의 제2배선은 폭의 변화없이 그대로 유지되고, 제1 및 제2배선들은 5㎛만큼 겹쳐져 있다. 제1배선(221)은, 포토마스크가 음화형레지스트로 되어 있는 경우 및 포토마스크가 양화형레지스트로 되어 있는 경우 둘 다에서 0.6㎛만큼 폭이 감소된다. 즉, 한 쪽으로는, 폭이 0.3㎛ 감소된다. 제1배선의 폭에서의 이 감소분은 제1실시예에서 기술한 것과 동일한 방식을 사용하여 이중노광으로 인한 배선의 폭에서의 감소분의 평균값과 결함규정으로부터 계산된다. 이 실시예에서도, 제1배선의 전체 부분은 폭이 감소되나, 제1배선의 겹침부분만 폭이 감소되는 것도 가능하다. 제1배선 대신 제2배선의 전체 부분이 폭이 감소되는 것도 가능하다. 제2배선의 겹침부분만 폭이 감소되는 것도 가능하다. 제1 및 제2배선들 둘 다의 전체 부분들이 폭이 감소되는 것도 가능하다. 제1 및 제2배선들 둘 다의 겹침부분들이 폭이 감소되는 것도 가능하다.FIG. 4A is a fragmentary plan view showing overlapping portions of the first wiring of the first mask pattern "A" and the second wiring of the second mask pattern "B", in which the first mask pattern "A" is formed; The first wiring is reduced in width, but the second wiring of the second mask pattern " B " remains unchanged in width, and the first and second wirings are overlapped by 5 mu m. The first wiring 221 is reduced in width by 0.6 mu m both in the case where the photomask is made of negative type resist and when the photomask is made of positive type resist. That is, on one side, the width is reduced by 0.3 mu m. This reduction in the width of the first wiring is calculated from the defect value and the average value of the reduction in the width of the wiring due to the double exposure using the same method as described in the first embodiment. Also in this embodiment, the entire portion of the first wiring is reduced in width, but only the overlapping portion of the first wiring can be reduced in width. It is also possible for the entire portion of the second wiring to be reduced in width instead of the first wiring. It is also possible that the width of only the overlapping portion of the second wiring is reduced. It is also possible that the entire portions of both the first and second wirings are reduced in width. It is also possible for the overlapping portions of both the first and second wirings to be reduced in width.
도 4b는 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도로, 이 도면에서, 제1마스크패턴 "A"의 제1배선은 폭이 증가되나, 제2마스크패턴 "B"의 제2배선은 폭의 변화없이 그대로 유지되고, 제1 및 제2배선들은 5㎛만큼 겹쳐져 있다. 제1배선(222)은, 포토마스크가 음화형레지스트로 되어 있는 경우 및 포토마스크가 양화형레지스트로 되어 있는 경우 둘 다에서 0.6㎛만큼 폭이 증가된다. 즉, 한 쪽으로는, 폭이 0.3㎛ 증가된다. 제1배선의 폭에서의 이 증분은 제1실시예에서 기술한 것과 동일한 방식을 사용하여 이중노광으로 인한 배선의 폭에서의 증분의 평균값과 결함규정으로부터 계산된다. 이 실시예에서도, 제1배선의 전체 부분은 폭이 증가되나, 제1배선의 겹침부분만 폭이 증가되는 것도 가능하다. 제1배선 대신 제2배선의 전체 부분이 폭이 증가되는 것도 가능하다. 제2배선의 겹침부분만 폭이 증가되는 것도 가능하다. 제1 및 제2배선들둘 다의 전체 부분들이 폭이 증가되는 것도 가능하다. 제1 및 제2배선들 둘 다의 겹침부분들이 폭이 증가되는 것도 가능하다.FIG. 4B is a fragmentary plan view showing overlapping portions of the first wiring of the first mask pattern "A" and the second wiring of the second mask pattern "B", in which the first mask pattern "A" is formed; The width of one wiring is increased, but the second wiring of the second mask pattern " B " remains unchanged, and the first and second wirings are overlapped by 5 mu m. The first wiring 222 is increased in width by 0.6 mu m both in the case where the photomask is made of negative type resist and when the photomask is made of positive type resist. That is, on one side, the width is increased by 0.3 mu m. This increment in the width of the first wiring is calculated from the defect value and the average value of the increment in the width of the wiring due to the double exposure using the same method as described in the first embodiment. Also in this embodiment, the entire portion of the first wiring is increased in width, but only the overlapping portion of the first wiring can be increased in width. It is also possible to increase the width of the entire portion of the second wiring instead of the first wiring. It is also possible to increase the width of only the overlapping portion of the second wiring. It is also possible for the entire portions of both the first and second wirings to be increased in width. It is also possible for the overlapping portions of both the first and second wirings to be increased in width.
도 4c는 제1마스크패턴 "A"의 제1배선과 제2마스크패턴 "B"의 제2배선의 겹침부분들을 도시하는 단편적인 평면도로, 이 도면에서, 제1마스크패턴 "A"의 제1배선은 제1측의 폭이 전체적으로 증가되고 제2측의 폭은 부분적으로 증가되나, 제2마스크패턴 "B"의 제2배선은 폭의 변화없이 그대로 유지되고 제1 및 제2배선들은 5㎛만큼 겹쳐져 있다. 제1배선은 포토마스크가 음화형레지스트로 되어 있는 경우와 포토마스크가 양화형레지스트로 되어 있는 경우 둘 다에서 0.6㎛만큼 폭이 증가된다. 즉, 인접한 배선패턴으로부터 폭방향으로 용인되는 범위의 제1최소거리 "D1"과 인접하는 배선패턴으로부터 폭방향에 수직한 길이방향으로 용인되는 범위의 제2최소거리 D2"를 유지하거나 확보하기 위하여, 제1측에서는, 0.3㎛의 폭의 증가가 제1배선의 전체 영역에 대해 이루어지나, 제2측에서는, 0.3㎛의 폭의 증가는 제1배선의 겹침영역 및 이것에 인접한 영역에 대해 이루어진다. 제1배선의 폭에서의 증분은 제1실시예에서 기술한 것과 동일한 방식을 사용하여 이중노광으로 인한 배선의 폭에서의 증분의 평균값과 결함규정으로부터 계산된다.FIG. 4C is a fragmentary plan view showing overlapping portions of the first wiring of the first mask pattern "A" and the second wiring of the second mask pattern "B", in which the first mask pattern "A" is formed; In the first wiring, the width of the first side is increased overall and the width of the second side is partially increased, but the second wiring of the second mask pattern “B” remains unchanged and the first and second wirings are 5 Overlap by 占 퐉. The first wiring is increased in width by 0.6 mu m both in the case where the photomask is made of a negative type resist and when the photomask is made of a positive type resist. That is, to maintain or secure the first minimum distance "D1" of the range tolerated in the width direction from the adjacent wiring pattern and the second minimum distance D2 of the range tolerated in the longitudinal direction perpendicular to the width direction from the adjacent wiring pattern. On the first side, an increase of 0.3 占 퐉 is made for the entire area of the first wiring, whereas on the second side, an increase of 0.3 占 퐉 is made for the overlapping region of the first wiring and the region adjacent thereto. The increment in the width of one wiring is calculated from the defect value and the average value of the increment in the width of the wiring due to double exposure using the same method as described in the first embodiment.
이 실시예에서, 축소율은 제1 및 제2마스크패턴들을 형성하기 위한 제1 및 제2전자빔노광들에서 고정된다. 이 축소율이 제1 및 제2마스크패턴들을 형성하기 위한 제1 및 제2전자빔노광들 간에 다르게 되는 것도 가능하다.In this embodiment, the reduction ratio is fixed at the first and second electron beam exposures for forming the first and second mask patterns. It is also possible that this reduction factor is different between the first and second electron beam exposures for forming the first and second mask patterns.
노광패턴들은 접합영역들 또는 겹침영역들을 가로지르는 배선부분들이 넓어지거나 좁아지게 하는 전자빔들의 이중노광들을 받은 접합영역들 또는 겹칩영역들을 가진다. 그러나, 본 발명은, 노광패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않도록 하기 위하여, 다른 노광패턴들의 겹침영역들에서의 이중노광된 배선부분들의 폭을 변화시키도록 점검용데이터 및/또는 전자빔노광데이터를 변경시킨다. 이것은 점검시간을 단축시킨다. 이것은 또한 점검자가 현재의 점검작업을 중단한 이유를 추가로 조사하는 것을 불필요하게 한다.The exposure patterns have junction regions or overlap chip regions subjected to double exposures of electron beams to widen or narrow the wiring portions crossing the junction regions or overlap regions. However, in the present invention, in order to prevent the inspector from interrupting the current inspection even when the double-exposed wiring portions of the exposure patterns exceed the acceptable range or upper limit, the double exposure in the overlapping areas of the other exposure patterns is performed. The inspection data and / or the electron beam exposure data are changed to change the width of the wiring portions. This shortens the inspection time. This also makes it unnecessary for the inspector to investigate further why the inspection has been aborted.
준비된 레이아웃데이터가 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형레이아웃데이터 둘 다를 포함한다면, 전통적인 공정을 위한 제1유형레이아웃데이터를 효과적으로 사용하기 위하여, 노광데이터도 전통적인 공정을 위한 제1유형전자빔노광데이터와 진보된 공정을 위한 제2유형전자빔노광데이터로 분할되어, 복수 번의 노광공정들이 단일 포토마스크에 대해 수행된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용할 수 있다.If the prepared layout data includes both the first type layout data for the traditional process and the second type layout data for the advanced process, in order to effectively use the first type layout data for the traditional process, the exposure data also uses the traditional process. A plurality of exposure processes are performed on a single photomask, divided into first type electron beam exposure data for and second type electron beam exposure data for advanced processes. The present invention described above can be effectively applied in this case as well.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 제한된 처리량과 저장매체의 제한된 용량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 그러한 대용량 및 고집적 데이터를 각각의 모듈이 전자빔노광데이터로 변환되기 전에 복수개의 모듈들로 분할하는 것이 효과적이다. 복수개 세트들의 전자빔노광데이터는 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 수행하는데 사용된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용될 수 있다.If it is required to convert large-capacity and high-density data for a single chip into electron beam exposure data, or to synthesize such data, it will be difficult to process the data due to limited throughput and limited capacity of the storage medium. In this case, it is effective to divide such large capacity and high density data into a plurality of modules before each module is converted into electron beam exposure data. A plurality of sets of electron beam exposure data are used to perform a plurality of exposure processes for a single photomask. The present invention described above can be effectively applied in this case as well.
단일 칩을 위한 대용량 및 고집적의 데이터를 전자빔노광데이터로 변환하는것이 요구되거나, 그러한 데이터를 합성하는 것이 요구된다면, 저장매체의 제한된 용량과 제한된 처리량으로 인해 데이터를 처리하는 것이 어려울 것이다. 이 경우, 단일 칩의 전체 영역을 복수개의 서브영역들로 분할하고 서브영역들 각각의 데이터를 개별적으로 전자빔노광데이터로 변환하는 것이 효과적이다. 복수개 세트들의 전자빔노광데이터는 단일 포토마스크를 위한 복수 번의 노광공정들을 위해 사용된다. 전술의 본 발명들은 이 경우에도 효과적으로 적용될 수 있다.If it is required to convert large-capacity and high-density data for a single chip into electron beam exposure data, or to synthesize such data, it will be difficult to process the data due to the limited capacity and limited throughput of the storage medium. In this case, it is effective to divide the entire area of a single chip into a plurality of sub-regions and to convert the data of each of the sub-regions individually into electron beam exposure data. Multiple sets of electron beam exposure data are used for multiple exposure processes for a single photomask. The present invention described above can be effectively applied in this case as well.
전술의 본 발명들은, 복수개 노광패턴들이 포토마스크 사용없이 웨이퍼 위에 직접 형성되는 경우에 대해서도 효과적으로 적용될 수 있다.The above-described inventions can be effectively applied even when a plurality of exposure patterns are directly formed on a wafer without using a photomask.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 다른 노광패턴들의 겹침영역들에서의 이중노광된 배선부분들의 폭을 변화시키도록 점검용데이터 및/또는 전자빔노광데이터를 변경시킨다. 따라서, 본 발명은, 노광패턴들의 이중노광된 배선부분들이 용인되는 범위 또는 상한을 초과하는 경우에도 점검자가 현재의 점검작업을 중단하지 않을 수 있게 함으로써, 점검시간을 단축시키며, 또 점검자가 현재의 점검작업을 중단한 이유를 추가로 조사하는 것을 불필요하게 한다.As described above, the present invention changes the inspection data and / or the electron beam exposure data to change the widths of the double-exposed wiring portions in the overlapping regions of the other exposure patterns. Therefore, the present invention shortens the inspection time by allowing the inspector not to interrupt the current inspection work even when the double-exposed wiring portions of the exposure patterns exceed the acceptable range or upper limit, and the inspector is now present. It is unnecessary to investigate further why the inspection was interrupted.
Claims (50)
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36106999A JP2001174977A (en) | 1999-12-20 | 1999-12-20 | Exposure pattern and method for inspecting exposure original plate |
| JP11-361069 | 1999-12-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20010062565A true KR20010062565A (en) | 2001-07-07 |
| KR100393716B1 KR100393716B1 (en) | 2003-08-02 |
Family
ID=18472072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2000-0079353A KR100393716B1 (en) | 1999-12-20 | 2000-12-20 | Method of checking exposure patterns formed over photo-mask |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6519758B2 (en) |
| JP (1) | JP2001174977A (en) |
| KR (1) | KR100393716B1 (en) |
| CN (1) | CN1306225A (en) |
| DE (1) | DE10063099A1 (en) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004227879A (en) * | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Hitachi Ltd | Pattern inspection method and pattern inspection device |
| US6905811B2 (en) | 2003-04-22 | 2005-06-14 | Headway Technologies, Inc. | Method to form reduced dimension pattern with good edge roughness |
| KR100968566B1 (en) * | 2003-07-24 | 2010-07-08 | 삼성전자주식회사 | liquid crystal display and method for manufacturing a panel of the same |
| ITVI20040204A1 (en) * | 2004-08-11 | 2004-11-11 | M D A Francesco Riondato | BICYCLE SADDLE |
| TW200746259A (en) * | 2006-04-27 | 2007-12-16 | Nikon Corp | Measuring and/or inspecting method, measuring and/or inspecting apparatus, exposure method, device manufacturing method, and device manufacturing apparatus |
| JP5205983B2 (en) * | 2008-01-18 | 2013-06-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | Semiconductor device data creation method and electron beam exposure system |
| JP5235719B2 (en) | 2009-02-27 | 2013-07-10 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Pattern measuring device |
| KR102545141B1 (en) | 2017-12-01 | 2023-06-20 | 삼성전자주식회사 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
| CN114815517B (en) * | 2022-04-18 | 2024-08-20 | 广州新锐光掩模科技有限公司 | Photomask exposure method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05251319A (en) * | 1992-03-09 | 1993-09-28 | Sharp Corp | Electron beam exposure |
| US5849437A (en) * | 1994-03-25 | 1998-12-15 | Fujitsu Limited | Electron beam exposure mask and method of manufacturing the same and electron beam exposure method |
| JPH11204397A (en) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Mitsubishi Electric Corp | Pattern determining method and aperture used in aligner |
-
1999
- 1999-12-20 JP JP36106999A patent/JP2001174977A/en active Pending
-
2000
- 2000-12-18 DE DE10063099A patent/DE10063099A1/en not_active Ceased
- 2000-12-20 CN CN00136105A patent/CN1306225A/en active Pending
- 2000-12-20 US US09/739,788 patent/US6519758B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-12-20 KR KR10-2000-0079353A patent/KR100393716B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10063099A1 (en) | 2003-07-24 |
| US6519758B2 (en) | 2003-02-11 |
| CN1306225A (en) | 2001-08-01 |
| JP2001174977A (en) | 2001-06-29 |
| US20010004765A1 (en) | 2001-06-21 |
| KR100393716B1 (en) | 2003-08-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5978501A (en) | Adaptive inspection method and system | |
| TWI603143B (en) | Performing method of optical proximity correction | |
| EP1597631B1 (en) | Multiple exposure method for circuit performance improvement and maskset | |
| US5847421A (en) | Logic cell having efficient optical proximity effect correction | |
| US5242770A (en) | Mask for photolithography | |
| USRE37996E1 (en) | Manufacturing method or an exposing method for a semiconductor device or a semiconductor integrated circuit device and a mask used therefor | |
| KR100300652B1 (en) | Pattern distortion detection device and detection method and program recording medium | |
| KR0156422B1 (en) | Reticle for manufacturing semiconductor device | |
| US7074547B2 (en) | Photomask and method of fabricating semiconductor device by use of same | |
| US6340542B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device, method of manufacturing a photomask, and a master mask | |
| US20050144583A1 (en) | Method and data-processing system for rule-based optical proximity correction with simulataneous scatter bar insertion | |
| EP1199601B1 (en) | Method of fabricating a photomask and exposing method utilizing the photomask | |
| CN101192007B (en) | Mask plate, mask plate layout design method and defect repairing method | |
| US6838216B2 (en) | Photolithographic mask and methods for producing a structure and of exposing a wafer in a projection apparatus | |
| CN106338883B (en) | Optical proximity correction method | |
| KR100393716B1 (en) | Method of checking exposure patterns formed over photo-mask | |
| US8143724B2 (en) | Standard cell and semiconductor device including the same | |
| KR20020026848A (en) | Photomask | |
| US20020182545A1 (en) | Semiconductor device manufacture method with exposure process using small exposure amount, and reticle set for semiconductor device manufacture | |
| KR100416613B1 (en) | Mask for measuring flare, method for fabricating the same, method for measuring flare-affected range on a wafer, and method for correcting patterns in flare-affected range using the same | |
| JP2001305717A (en) | Reticle for semiconductor integrated circuit | |
| WO2021164608A1 (en) | Mask applied to semiconductor photolithography technique, and photolithography technique method | |
| KR100295869B1 (en) | Mask manufacturing method | |
| CN1361450A (en) | Optical proximity effect correcting method | |
| JP2862798B2 (en) | Photomask for semiconductor device manufacturing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120629 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |