JP3993188B2 - 自己参照の動的ステップおよび走査フィールド内走査歪みのための方法および装置 - Google Patents
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Description
dxf(xf,yf) = Tx + s*xf - q*yf + t1*xf2 + t2*xf*yf - E*(xf3 + xf*yf2) (式1)
dyf(xf,yf) = Ty + s*yf + q*xf + t2*yf2 + t1*xf*yf - E*(yf3 + yf*xf2) (式2)
式中
(xf,yf) = フィールド内座標
(dxf, dyf)(xf,yf) = (xf, yf) の位置におけるフィールド内歪み
(Tx, Ty) = (x,y) フィールド内並進
s = フィールド内全体の尺度または倍率
q = フィールド内回転
(t1, t2) = フィールド内台形誤差
E = フィールド内レンズ歪み
(ΔTx,ΔTy)(x,y,ys) = (ΔX(ys)+θs(ys)*(y-ys) , ΔY(ys)-θs(ys)*x) (式3)
(ΔTx,ΔTy)(x,y,ys) = (ΔXsl,ΔYsl)(x,y-ys) (式3a)
x = (-SW/2:SW/2) y = (-SH/2:SH/2) (式3b)
(ΔTx,ΔTy)(x,y,ys) =
(ΔXsl,ΔYsl)(x,y-ys)+(ΔX(ys)+θs(ys)*(y-ys), ΔY(ys)- θs(ys)*x) (式3c)
ここで、x,yは、以下のフィールド内座標のスパン全体にわたって変化する;
x = (-SW/2:SW/2) y = (-L/2:L/2) (式3d)
これに対してysは、以下のレンジにわたって変化する:
ys=(y-SH/2:y+SH/2) (式3e)
これは投影画像が、スロット (正確には照射された部分) がフィールド位置 (x,y) 上にある場合のみ移動で問題が起るからである。
(ΔXF,ΔYF)(x,y) =
INT{dys * w(y-ys)* (ΔTx,ΔTy)・(x,y,ys) } / INT{dys*w(y-ys)} (式3f)
式中、
x,y = フィールド内座標、x = (-SW/2:SW/2), y = (-L/2:L/2)
ys = ダイの公称中心から基準を取った特定の瞬間での走査スリットの中心位置
SW = スロット幅
L = スキャナフィールド長さ
dys = スキャナフィールドの微分量
INT{} = スキャナフィールド上の積分、積分レンジは ys = ( -(L+SH)/2 : (L+SH)/2) ) から延長
w(y) = 重み関数。248nmのレジストでは、一般的にスロット輝度プロファイル走査スリットに比例する。スリット開口部の外の地点では0である。
(ΔXF,ΔYF)(x,y) = フィールド内歪み。走査同期誤差およびレンズ収差の効果も含む。
(ΔXF,ΔYF)(x,y)=(ΔxL,ΔyL)(x)+(ΔXS(y), ΔYS(y)-x *dΔYS(y)/dx) (式3g)
式中、レンズ収差寄与 (ΔxL,ΔyL)(x) は以下の式で求める;
(ΔxL,ΔyL)(x) =
INT{dys * w(y-ys)* (ΔXsl,ΔYsl)(x,y-ys) } / INT{dys*w(y-ys)} (式3h)
また、走査動力学寄与 (ΔXS(y),ΔYS(y) - x *dΔYS(y)/dx) は以下の式で求める;
(ΔXS(y),ΔYS(y) - x *dΔYS(y)/dx) = INT{dys * w(y-ys)*
(ΔX(ys)+θs(ys)*(y-ys) , ΔY(ys)-θs(ys)*x)} / INT{dys*w(y-ys)} (式3i)
ΔXS(y) = x方向の動的スリップ =
INT{dys*w(ys)*ΔX(y-ys)} / INT{dys*w(ys)} (式3j)
ΔYS(y) = y方向の動的スリップ =
INT{dys*w(ys)*ΔY(y-ys)} / INT{dys*w(ys)} (式3k)
同期誤差による動的偏揺または回転誤差は以下の式によって求める;
dΔYS(y)/dx=動的偏揺=INT{dys*w(ys)*θs(ys))} / INT{dys*w(ys)} (式3l)
ΔxL (y) = x方向の動的レンズ歪み =
INT{dys*w(ys)* ΔXsl (y-ys)} / INT{dys*w(ys)} (式3m)
ΔyL (y) = y方向の動的レンズ歪み =
INT{dys*w(ys)*ΔYsl (y-ys)} / INT{dys*w(ys)} (式3n)
δX(x,y) = ΔXS(y) + ΔxL(x) , (式12)
δY(x,y) = ΔYS(y) + ΔyL(x) - x *dΔYS(y)/dx (式13)
スキャナレンズ歪みが存在する場合での並進、回転、スキュー内でのスキャナ同期誤差 (略して「走査誤差」) と関連する歪みを判断する方法を説明する。実施例1の工程経路を図12に示した。
図6のように、オーバーレイグループOGの (Mx x My) アレイがあるレチクルOLを用意し、測定される投影リソグラフィツール (装置) に装填し、レチクルアライメントマークRMに位置を合わせる。図11の断面図に示したように、レチクルOLは、オーバーレイグループOGを定義するクロームコーティングを施したガラスまたは融解シリカである。図104および図105は、実施例1におけるOGの具体化を示したものである。これは両方とも、アライメント属性AA、補間アライメント属性AA'、M*dp距離AAからのオフセットからなる。オーバーレイが重なり合っているとき、図104aおよび105aに示したように、AAおよびAA'は完成アライメント属性CAAを形成する。図8は、図7のアライメント属性AAおよび補間アライメント属性AA'が互いに重なった投影からなるウェーハ上で見た図である。図8の内部角型トーラスはAA'の投影を表し、外部角型トーラスはウェーハへのAA投影を表している。暗色部は露光されたフォトレジストまたはその他の記録媒体を表している。
次に、オーバーレイレチクルOLを投影リソグラフィツール (装置) に装填し、位置合わせを行う。レチクルの位置合わせは、一般的にレチクルアライメントマークRMを用いて実行する。精度の低い装置では、大きめのアライメント属性AAとその補間AA'をレチクルの機械的なバンクまたは配置と組み合わせれば、レチクルアライメントには十分である。このような状況では、レチクルアライメントマークは必要ではない。
次に、フォトレジストコーティングを施したウェーハを用意する。図16を参照すると、このウェーハは、すでに全体的ウェーハアライメントマークGM0およびGM90上に配置されている。GM0は、デフォルトまたは0度の方向でのノッチで装填されたウェーハに適切なウェーハアライメントマークである。図16に示したように、一般的にウェーハアライメントには、2つのマーク (またはそれ以上の可能性もある) が必要になる。半導体ウェーハに求められるアライメント精度、および標準的なボックスインボックスまたはバーインバー完成アライメント属性は、一般的に約2um以下である。これは、完成アライメント属性の測定に使用するオーバーレイツール測定学が、最も正確で繰返し可能な形態において動作するためである。KLA 5105 Overlay Brochure, KLA-Tencorを参照されたい。GM90は、デフォルトまたは0度の方向から90度回転したノッチで装填されたウェーハに適切なアライメントマークである。2つのマークを図16に示した。ウェーハのエッジおよびノッチからアライメントを行うことによってウェーハプリアライメントシステムが必要許容誤差を満たすことができる場合には、パターンなしのウェーハを使用できる。用意ができたら、ウェーハを装填し、測定する投影リソグラフィツール上で位置合わせを行う。
次に図17を参照すると、オーバーレイレチクルOLを露光して、オーバーレイグループOGのNx x NyアレイをレチクルOLからウェーハWに投影し、ウェーハW上に投影されたオーバーレイグループPOGのNx x Nyアレイが出来上がる。投影されたアレイ全体は装置の動的走査歪みを測定するフィールドFからなる。本発明は、フィールドFに存在する走査歪みのこの単一の具体化に起る同期または動的歪みを判断する。
1回目の露光後、ウェーハを90度回転し、全体的ウェーハアライメントマークGM90を用いて位置合わせを行う。回転ステップでは、ウェーハは、レジスト現像サイクルを飛ばしてトラックを通り、レジストコーティングサイクルを飛ばしてトラックを通って戻り、ウェーハチャックに再び挿入される。場合によっては、装置のプリアライメントシステムがウェーハを回転する前に、手動で約90度回転させることが必要なこともある。いずれにしても、ウェーハの回転が行われたら、上述したようにGM90マークのみを用いて位置合わせを行う。全体的ウェーハアライメントマークGM0を90度回転した後で、これらが外見上個別に同一のままのである場合には、マークの新しい位置はマークGM90と同じ機能を果たすことができる。本発明の目的として、ウェーハは時計回りまたは反時計回りに90度回転できる。実施例の説明では、図27に示したように、ウェーハは時計回りに90度回転したと仮定している。
次に、オーバーレイレチクルOLでウェーハを1回以上露光すると、OLAP1、OLAP2とOLAP3の中の1つまたはそれ以上からなる投影重複オーバーレイグループのNx x Nyアレイが出来上がる (図18および図34参照)。図15を参照すると、フィールドFは幅よりも長い破線の長方形で、走査方向は矢印で示されている。走査機構の目的は、ウェーハとレチクルステージの機械的同期を利用して投影結像フィールドを拡大し、それによって結像対象によって投影される領域を最小限にすることであるため、これは走査フィールドの一般的な寸法である。ジェー・ブルーニング(J. Bruning)著"Optical Lithography - Thirty years and Three Orders of Magnitude", SPIE Vol. 3051, 14:27, 1997(先行文献C)を参照されたい。半導体ウェーハスキャナの一般的な最大走査フィールドは22 x 32.5、25 x 33、26 x 33、26 x 34(図1に示すようにmm単位のSW x L)である。従って、半導体ウェーハスキャナでは、すべてのNx x Ny投影オーバーレイグループで完成アライメント属性を作成するためには、2回に分けた走査 (図15ではフィールドR1およびR2) が必要になる。R1とR2は重複領域OLなしでも実行できるが、結果として得られる完成アライメント属性の測定値セットはフィールド全体での動的誤差を部分的にしか判断できないことになる。これは、走査フィールド全体の中の小さな一部のみを分析したり、対象となる投影フィールドが非常に小さくて単一のフィールドR1だけが対象フィールドFとオーバーレイになる場合には有用であるが、ここでは2つのフィールドが重複する場合を実施例として取り上げている。Fに対してさらに少ない数、あるいは多い数のフィールドを重複する場合は、この実施例から容易に適応できる。図20は、図18のどのオーバーレイグループがどの露光(一回目、R1、R2)で出来たかを明確に示したものである。
次にウェーハを現像する。
次に、オーバーレイ測定ツールを用いて、完成アライメント属性の少なくとも2つのコラムの位置オフセット誤差を判断する。従って、最初の実施例では、
2つの外部コラム (図18のa = 1およびa = Nx) を測定する。測定した各コラムの中で、合計Ny'+Ny"のすべての完成アライメント属性Ny' CAALおよびNy" CAAUを測定する。アライメント属性CAALまたはCAAUを測定しない影響として、特定の列の走査歪みに関する情報を失うが、OLAP2グループ内にアライメント属性のある少なくとも2列を測定する必要がある。
次に、測定される装置の動的レンズ歪みのマップを準備する。動的レンズ歪み (式3a) は、フィールド内歪みのレンズ収差の効果を表している。レンズ歪みは短期間 (1日以下) では一定しており、従って、その寄与は予め判断できるものであり、走査歪みを判断する本発明の精度における修正および向上に利用できる。
この時点で、ソフトウェアアルゴリズムを用いてスキャナ歪みを計算する。結果は図14に示した表のように、走査 (y) 位置の関数としての走査歪みからなる。以下にソフトウェアアルゴリズムの詳細を記載する。
δX(x,y) = ΔXS(y) + ΔxL(x) , (式12)
δY(x,y) = ΔYS(y) + ΔyL(x) - ΔYR(x,y) (式13)
式中 (x, y) はフィールド内座標である。これらは図19に示したようにフィールドFの中心にある。また、ΔXS(y)、ΔYS(y) は走査動力学に関する統合された平均並進誤差を表し、ΔxL(x)、ΔyL(x) はレンズ歪みに関する並進誤差を表し、ΔYR(x,y) は統合された走査平均偏揺誤差 (ΔYR(x,y) = x*[dΔYS(y)/dx] = x*[θavg(y)] ) を表す。
dxF( x,y) = Tx - q*y + ΔxL(x) + ΔXS(y) (式14)
dyF( x,y) = Ty + q*x + ΔyL(x) + ΔYS(y) + x*θavg(y) (式15)
式中、Tx、Ty、qは、レチクルおよびステージの誤った位置付けによるフィールド内並進および回転の総計を表す。
dxR1( x,y)=Tx'-q'*y - ΔyL(y+n1*p") + ΔYS'(x) + y*θ'avg(x) (式16)
dyR1( x,y) = Ty' + q'*x + ΔxL(y+n1*p") + ΔXS'(x) (式17)
式中、n1 = は許可される最大の露光フィールド内でフィールドR1が中心にあるときであり、Tx'、Ty'、q'は並進および回転のもう一つのセットである。
dxR2( x,y)=Tx" - q"*y - ΔyL(y-n2*p")+ΔYS'(x) + y*θ"avg(x) (式18)
dyR2( x,y) = Ty" + q"*x + ΔxL(y-n2*p") + ΔXS"(x) (式19)
式中、n2 = は許可される最大の露光フィールド内でフィールドR2が中心にあるときであり、Tx"、Ty"、q"は並進および回転のもう一つのセットである。
BBx(x,y;L) = Tx-Tx' + ΔxL(x) - ΔYS'(x) + (-q + q' -θ'avg(x))
*y + ΔyL(y+n1*p") + ΔXS(y) (式20)
BBy(x,y;L) = Ty-Ty' + ΔyL(x) - ΔXS'(x) + ( q - q' +θavg(y))
*x - ΔxL(y+n1*p") + ΔYS(y) (式21)
これに対して、上部の完成アライメント属性CAAUは以下のオーバーレイ測定値を生ずる:
BBx(x,y;U) = Tx-Tx" + ΔxL(x) - ΔYS" (x) + (-q + q" -θ"avg(x))
*y + ΔyL(y-n2*p") + ΔXS(y) (式22)
BBy(x,y;U) = Ty-Ty" + ΔyL(x) - ΔXS" (x) + ( q - q" +θavg(y))
*x - ΔxL(y-n2*p") + ΔYS(y) (式23)
BBx(x,y;U) - BBx(x,y;L) - ΔyL(y-n2*p") - ΔyL(y+n1*p") =
Tx"+Tx'-ΔYS" (x)+ΔYS'(x)+(q"-q'-θ"avg(x)+θ'avg(x))*y (式24)
BBy(x,y;U) - BBy(x,y;L) - ΔyL(y-n2*p") - ΔyL(y+n1*p") =
-Ty"+Tx' - ΔXS" (x) + ΔXS' (x) + (-q"+q')*y (式25)
式24と式25の解釈は、下部に対する上部の各コラムの並進および回転が何であるかが分かることから、各コラムに沿うyにおける2点以上に式24および式25を適用することにより、完成アライメント属性の上部セットCAAUに対する完成アライメント属性の下部セットCAALの位置を固定することができる。
図6のレチクルに代わって、本発明は図13のレチクルレイアウトで実施することができる。これも一定ピッチM*p"で、オーバーレイグループOGのMx X Myアレイからなる。違いはオーバーレイグループの詳細だけである。さて、オーバーレイグループOGはアライメント属性AA、および単一方向にオフセットになったただ1つの補間アライメント属性からなる。この構造のオーバーレイグループの一例を図21に示した。ここでは、暗色フィールドレチクル設計は、外部バーアライメント属性AA、および内部バーアライメント属性AA'からなる補間アライメント属性からなる。M = 4または5の縮小結像リソグラフィツールに適したレチクル寸法を示している。図22は、図21のオーバーレイグループを利用した場合、図18の投影重複オーバーレイグループOLAP1、OLAP2とOLAP3がどのように見えるかを示したものである。下部CAAL、上部CAAU、完成アライメント属性も示した。暗色領域は露光レジストに対応する部分である。オーバーレイグループの外観以外に、このレチクルは、実施例に記載されたレチクルと同じ方法で使用できる。
この場合、レチクルOL(図6)のオーバーレイグループOGは、1対のウェーハアライメントマークからなる。図23を参照すると、オーバーレイグループOGはアライメント属性AA、およびそこからオフセットになった補間アライメント属性AA'からなる。AAはウェーハアライメントマークWAM0で、ウェーハが公称または0度の位置にあるとき、リソグラフィツールウェーハアライメントシステムおよびステージによる使用に適している。AA'はウェーハアライメントマークWAM90で、ウェーハアライメントマーケティングWAM0を時計方向に90度回転させたものである。図24は、図23のオーバーレイグループを利用した場合、図18の投影重複オーバーレイグループOLAP1、OLAP2とOLAP3がどのように見えるかを示したものである。下部CAAL、上部CAAU、完成アライメント属性も示した。実施例の露光ステップは、ウェーハパターンが図24の投影重複オーバーレイグループOLAP1、OLAP2とOLAP3となるよう、明らかな方法で修正しなければならない。詳細においてこれ以外の異なるステップは、オーバーレイターゲットの測定である。この場合には、光学オーバーレイ測定ツールを使用する代わりに、リソグラフィツールウェーハステージおよびアライメントシステムを使用する。完成アライメント属性は1対のウェーハアライメントマーク (図3、および図24のCAAL、CAAU) であり、リソグラフィシステムは2つのアライメントマークAA'とAAのオフセットを測り、そこから公称オフセット (D,0) を差し引いて所要のオーバーレイ測定値となる。公称オフセット (D,0) は、露光プランの詳細と、ウェーハアライメントシステムの最小分離要件によって決まる。一般的に、Dは約0.5〜1 mmで、精度が最も高い非常に小さな距離でウェーハステージが使用されるようにする。従って、オーバーレイ測定ツールに言及するときは、小さい距離(4 mm未満)で使用する絶対位置合わせ測定ツールも含めている。ウェーハアライメントマークWAMは、測定している装置のウェーハアライメントマークと同じものである必要はない。別の絶対位置合わせ測定ツールでもよい。この実施例は、本発明のすべての手順と技術をリソグラフィツールに組み込んで自己分析することに有用である。
この場合、レチクルOL(図6)のオーバーレイグループOGは、単一のウェーハアライメントマークからなる。図25を参照すると、オーバーレイグループOGは、90度回転したとき補間になるアライメント属性AAからなる。WAMはウェーハアライメントマークで、リソグラフィツールウェーハアライメントシステムによる使用に適している。図26は、図25のオーバーレイグループを利用した場合、図18の投影重複オーバーレイグループOLAP1、OLAP2とOLAP3がどのように見えるかを示したものである。下部CAAL、上部CAAU、完成アライメント属性も示している。実施例の露光ステップは、ウェーハパターンが図26の投影重複オーバーレイグループOLAP1、OLAP2とOLAP3となるよう、明らかな方法で修正しなければならない。完成アライメント属性の詳しい方法と説明は、実施例3に記載されている。この実施例は、この手順と技術を投影結像ツールに組み込んで自己分析することに非常に有用である。
図28は本発明の実施例5を示したものである。オーバーレイの測定回数を出来る限り少なくして動的走査歪みの繰返し部分を測定したい場合には、2つのレチクルを使用する。1つ目のレチクルOLは、すでに上述したものである。2つ目のレチクルOL'は、図6のレチクルのパターン付きクローム面(図28)の反対側の面に部分的な反射コーティングPRを加えて変更したものである。ここで、部分的反射コーティングPRは一般的に、レジスト露光に使用する入射光の50%〜99%を反射する。これに対して、パターン付きクローム面PSはオーバーレイグループOGを含んでいる。従って、オーバーレイレチクルOL'は透過減少レチクル、つまり、その透過が通常のレチクルよりも少ないという意味である。操作するとき、図17のフィールドFを作成する「レチクルの露光」ステップは、レチクルOL'で実施する。さて、部分的反射コーティングPRによって正価のレチクル透過が減少しているため、1回露光の代わりに複数回の露光を行い、レジストが正しい除去線量を受けるようにする。N回露光してフィールドFを作成する効果は、動的走査歪みの繰返し不可能な部分がNに比例する露光回数を平均することにより、正価の動的走査歪みに対する寄与を減少するものである。「レチクルの露光」ステップを実施した後、本発明の残りを先に述べたように実施する。特に「OLレチクルを露光して完成アライメント属性を作成」ステップは、通常のレチクルOLを用いて実施する。
図29は本発明の実施例6を示したものである。これは実施例5の透過減少レチクルOL'のもう一つの具体的変形で、裏面に部分的反射コーティングを施す代わりに、オーバーレイグループOGを含むパターン面を減衰位相シフトマスクとしてパターン付けするものである。ビー・リン(B. Lin)著"The Attenuated Phase Shift Mas"(先行文献E)を参照されたい。オーバーレイグループには、減衰位相シフト素材のみを用いてパターン付けを行う。重要なのはこの層の位相シフト特性ではなく、一般的に約10%以下の透過特性のみが重要なのである。その他の点では、この実施例は実施例5と同一である。
図30は本発明の実施例7を示したものである。ここでは図6の透過性レチクルOLに代わって、反射性レチクルを使用している。これの暗色フィールドバージョン (図30) では、オーバーレイグループはマーク上の反射層の存在で定義される。
ここまで、オーバーレイパターンを作成するレチクルが完全であることを前提とした。実際にはこのようには行かないが、Nikon 5I (Measuring System XY-5i, supra参照) やLeica LMS 3200シリーズツールなどの絶対測定ツールを用いて、すべてのオーバーレイグループにおける個々の構造の位置を最初に測ることによって、レチクル製造における誤差を考慮することができる。次に、式20〜式23を定式化することにおいて、レチクル誤差 (フォトリソグラフィ露光ツールのデマグニフィケーションによって分割) は、方程式の右側に明確に書き出し、次に、生じた左側のオーバーレイ測定値から差し引く (従って右側を無効にする)。その結果は、上記の式20〜式23になるが、左側に現れるオーバーレイ測定値に修正を行っている。次に、上述した通りに分析を行う。
ディー・コーテ(D. Cote)等著"Micrascan TM III Performance of a Third Generation, Catadioptric Step and Scan Lithographic Tool", SPIE Vol. 3051, 806:816, 1997(先行文献K)、ジェー・マルケンス(J. Mulkens)等著"ArF Step and Scan Exposure System for 0.15 Micron and 0.13 Micron Technology Node"; SPIE Conference on Optical Microlithography XII, 506:521, March 1999(先行文献L)とジェー・ブイ・シュート(J.V. Schoot)著"0.7 NA DUV Step and Scan System for 150nm Imaging with Improved Overlay, SPIE Vol. 3679, 448:463, 1999(先行文献M)参照) に応用することに関して主に記載した。この技術と方法は、平面スキャナなど、他の走査投影ツール (米国特許第5285236号明細書(先行文献N)と上記先行文献C参照)、オフィス用複写機、およびXUV (ビー・ニューナム(B. Newnam)等著"Development of XUV Projection Lithography at 60-80 nm", SPIE Vol. 1671, 419:436, 1992(先行文献O)参照)、SCALPEL、EUV (極紫外線) (ジェー・ビヨルクホルム(J. Bjorkholm)等著"Reduction Imaging at 14nm Using Multiplayer-Coated Optics: Printing of Features Smaller than 0.1 Micron", Journal Vacuum Science and Technology, B 8(6), 1509:1513, Nov/Dec 1990(先行文献P)参照)、IPL (イオン投影リソグラフィ)、EPL (電子投影リソグラフィ) (前述の非特許文献10参照) など、次世代リソグラフィシステム (ngl) にも応用できる。
RM レチクルアライメントマーク
Claims (24)
- レチクルを有する投影結像ツールにおいて走査歪みを判断する方法で、その方法には以下が含まれる:
記録媒体を有する基板上に第1位置でレチクルパターンを露光すること、そこで該レチクルパターンはアライメント属性の少なくとも2つのアレイを含み、アライメント属性の該アレイは相互補間する特徴があり、該アレイは同じピッチで互いにオフセットとなる;
該基板を任意の角度に回転し、該基板上に第2位置でレチクルパターンを露光すること、そこで第2位置のレチクルパターンが第1位置のレチクルパターンと重複する;
該基板上で重複して露光したパターンのアライメント属性の位置的オフセットを測定すること;および
該位置的オフセット測定値から走査歪みマップを決定すること、そこで該走査歪みマップは、動的走査歪みの非繰返し可能部分を含む。 - 請求項1に記載の方法で、任意の角度での該基板の回転が、該基板を90度回転することを含むもの。
- 請求項1に記載の方法で、走査歪みマップが既知のレンズ歪みに従って判断されるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該基板が半導体表面であるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該基板がシリコンウェーハであるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該基板がフラットパネルディスプレイであるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該基板がレチクルであるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該基板がフォトリソグラフィマスクであるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該基板が電子的記録媒体であるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該投影結像ツールがフォトリソグラフィステッパシステムで使用されるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該投影結像ツールがフォトリソグラフィ走査システムで使用されるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該投影結像ツールが電子ビーム結像システムで使用されるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該投影結像ツールが極紫外線フォトリソグラフィツールで使用されるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該投影結像ツールがX線結像システムで使用されるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該記録媒体がポジ型レジスト素材であるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該記録媒体がネガ型レジスト素材であるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該記録媒体が電子CCDであるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該記録媒体が液晶素材であるもの。
- 請求項1に記載の方法で、該記録媒体が感光素材であるもの。
- リソグラフィ投影結像の装置で、該装置が以下のものを含むもの:
投影レンズ;および
記録媒体を有する基板を支持するウェーハステージで、該基板上に第1位置でレチクルパターンを露光し、そこで該レチクルパターンはアライメント属性の少なくとも2つのアレイを含み、アライメント属性の該アレイは相互補間する特徴があり、該アレイは同じピッチで互いにオフセットとなり、該基板を任意の角度に回転し、該基板上に第2位置でレチクルパターンを露光し、そこで第2位置のレチクルパターンが第1位置のレチクルパターンと重複し、該基板上で重複して露光したパターンのアライメント属性の位置的オフセットを測定し、該位置的オフセット測定値から走査歪みマップを決定するもの、そこで該走査歪みマップは、動的走査歪みの非繰返し可能部分を含む。 - 請求項20に記載の装置で、走査歪みマップが既知のレンズ歪みによって決定されるもの。
- 請求項20に記載の装置で、該基板が90度回転されるもの。
- 投影結像システムにおいて走査レンズ歪みを判断する方法で、その方法には以下が含まれる:
記録媒体を有する基板上に任意の位置でレチクルパターンを露光すること、そこで該レチクルパターンを第1位置で露光し、該基板を90度回転し、該レチクルパターンが2回目の露光を受ける;
該基板上で露光した該レチクルパターンに含まれるアライメント属性の位置的オフセットを測定すること;および
位置的オフセット測定値から走査レンズ歪みマップを判断すること、そこで該走査レンズ歪みマップは、動的走査歪みの非繰返し可能部分を含む。 - 請求項23に記載の方法で、該走査歪みマップが既知のレンズ歪みに従って判断されるもの。
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