JP6570010B2 - マスクのための高密度位置合わせマップを生成するための方法、システム、およびコンピュータプログラム製品 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 41
- 238000004590 computer program Methods 0.000 title claims description 10
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 80
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 34
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 23
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 8
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 28
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000009643 growth defect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
- G06F30/30—Circuit design
- G06F30/39—Circuit design at the physical level
- G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Evolutionary Computation (AREA)
- Geometry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
本願は、2014年4月2日に出願された米国仮特許出願第61/974,001号の優先権を主張するものであり、同出願の全体を参照によって本願に援用する。
a)データ準備ソフトウェアモジュールの中で、マスクのパターンデザインデータベースから、および位置合わせツールのノイズモデルから、複数のアンカポイントと位置合わせツールのためのレシピを生成するステップと、
b)データ準備ソフトウェアモジュールの中で、マスクのパターンデザインデータベースから、および検査ツールのノイズモデルから、複数のサンプルポイントと検査ツールのためのレシピを生成するステップと、
c)データ準備モジュールの中で、各アンカポイントに関する重みを生成するステップと、
d)位置合わせツールにより、生成されたレシピにしたがって、マスク座標系内でアンカポイントの位置を測定するステップと、
e)検査システムでマスクの面積全体(または一部)をスキャンし、各パッチについての位置測定値を抽出するステップと、
f)検査ツールにより、生成されたレシピにしたがって、マスク座標系内でアンカポイントの、同じまたは隣接する走査幅上のサンプルポイントに関する位置を測定するステップと、
g)アンカポイントの測定位置とサンプルポイントの測定位置をデータ融合モジュールに渡して、各アンカポイントの生成された重みで隣接するサンプルポイントに影響を与えた状態で、補正された位置合わせ測定ポイントの集合を決定するステップ。
・複数のアンカポイントと、複数のサンプルポイントと、複数の重みと、少なくとも1つの第一のレシピおよび少なくとも1つの第二のレシピを生成するデータ準備ソフトウェアモジュールと、
・データ準備モジュールに接続され、少なくとも1つの第一のレシピに関して、マスク上のアンカポイントの位置に関するデータを判定する位置合わせツールと、
・データ準備モジュールに接続され、少なくとも1つの第二のレシピに関して、マスク上のサンプルポイントの位置に関するデータを判定する検査ツールと、
・位置合わせツール、検査ツール、およびデータ準備ソフトウェアモジュールに接続され、重みを用いて、補正された位置合わせ測定ポイントの集合を含む少なくとも1つの位置合わせマップを生成するためのデータ融合ソフトウェアモジュールと、
を含む。
3 パッチ
5 アンカポイント
6 走査幅
7 関心対象領域
8 マスクの座標系
10 データ準備モジュール
11 第一の入力
12 第二の入力
14 第三のデータ出力
15 エラーバー
16 カラー領域
17 重み
18 位置合わせポイント
19 ディスプレイ
20 位置合わせツール
22 第二のレシピ生成モジュール
24 第二の出力
26 位置合わせツールのデータ出力
27 グラフィック描写
30 検査ツール
32 第一のレシピ生成モジュール
34 第一の出力
36 検査ツールのデータ出力
37 画像
40 データ融合文字
50 位置合わせマップ
100 システム
X X座標
Y Y座標
Claims (21)
- マスクのための高密度位置合わせマップを生成する方法において、
a)データ準備ソフトウェアモジュールの中で、マスクのパターンデザインデータベースから、および位置合わせツールのノイズモデルから、ランダム又はマスク上のX方向とY方向に均一に離間されたグリッド上に配置された複数のアンカポイントと位置合わせツールのための第一のレシピを生成するステップと、
b)前記データ準備ソフトウェアモジュールの中で、前記マスクのパターンデザインデータベースから、および検査ツールのノイズモデルから、複数の走査幅上の複数のサンプルポイントと前記検査ツールのための第二のレシピを生成するステップと、
c)前記データ準備ソフトウェアモジュールの中で、前記アンカポイントが隣接する前記サンプルポイントに与える影響の度合いを示す重みを生成するステップと、
d)前記位置合わせツールにより、前記第一のレシピにしたがって、マスク座標系内で前記アンカポイントの位置を測定するステップと、
e)前記検査ツールにより、前記第二のレシピにしたがって、前記マスク座標系内で前記サンプルポイントの、同じまたは隣接する走査幅上のサンプルポイントに関する位置を測定するステップと、
f)前記アンカポイントの位置と前記サンプルポイントの位置をデータ融合ソフトウェアモジュールに渡して、各前記アンカポイントの前記重みで隣接する前記サンプルポイントに影響を与えた状態で、補正された位置合わせ測定ポイントの集合を決定するステップと、
を含む方法。 - 請求項1に記載の方法において、
マスクの位置合わせマップのグラフィック描写がディスプレイ上に表示され、補正された前記位置合わせ測定ポイントの集合が示され、各前記位置合わせ測定ポイントにはエラーベクトルが設けられる方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記サンプルポイント、前記アンカポイント、および前記重みは、マスクエラー改善機能により決定される方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記アンカポイントの数が前記サンプルポイントの数より少ない方法。 - 請求項4に記載の方法において、
約103個の前記アンカポイントが生成される方法。 - 請求項4に記載の方法において、
約106個の前記アンカポイントが生成される方法。 - 請求項1に記載の方法において、
前記検査ツールにより測定される前記サンプルポイントが、前記データ融合ソフトウェアモジュールにより、マスク全体にわたり、前記重みにしたがって、前記位置合わせツールにより確立されたマスク座標枠内にはめ込まれ、マスクの位置合わせマップが得られる方法。 - 請求項7に記載の方法において、
前記重みを使って、特定の前記アンカポイントが前記マスク座標枠内の隣接する前記サンプルポイントに与える影響が判断される方法。 - 請求項7に記載の方法において、所定の補間方式にしたがって、前記サンプルポイント間で発生しうるエラーバウンドが設定される方法。
- 請求項9に記載の方法において、
前記所定の補間は、影響関数を使って実現される方法。 - 請求項2に記載の方法において、
使用者は、前記ディスプレイに表示された前記位置合わせマップを異なるポイント集合の上の前記サンプルポイントにグリッド化しなおすことができる方法。 - 請求項11に記載の方法において、
前記異なるポイント集合は規則的に離間されたグリッド上にある方法。 - マスクのための高密度位置合わせマップを生成するシステムにおいて、
ランダム又はマスク上のX方向とY方向に均一に離間されたグリッド上に配置された複数のアンカポイントと、複数の走査幅上の複数のサンプルポイントと、前記アンカポイントが隣接する前記サンプルポイントに与える影響の度合いを示す複数の重みと、少なくとも1つの第一のレシピおよび少なくとも1つの第二のレシピを生成するデータ準備ソフトウェアモジュールと、
前記データ準備ソフトウェアモジュールに接続され、前記少なくとも1つの第一のレシピに関して、マスク上の前記アンカポイントの位置に関するデータを判定する位置合わせツールと、
前記データ準備ソフトウェアモジュールに接続され、前記少なくとも1つの第二のレシピに関して、マスク上の前記サンプルポイントの位置に関するデータを判定する検査ツールと、
前記位置合わせツール、前記検査ツール、および前記データ準備ソフトウェアモジュールに接続され、前記重みを用いて、補正された位置合わせ測定ポイントの集合を含む少なくとも1つの位置合わせマップを生成するためのデータ融合ソフトウェアモジュールと、
を含むシステム。 - 請求項13に記載のシステムにおいて、
前記データ準備ソフトウェアモジュールは、前記位置合わせツールと前記検査ツールのためのマスクの画像をレンダリングするために、マスクデザインデータを提供するための少なくとも1つの第一の入力と、前記位置合わせツールと前記検査ツールのためのノイズモデルを提供するための第二の入力と、を有するシステム。 - 請求項13に記載のシステムにおいて、
第一のレシピ生成モジュールが前記データ準備ソフトウェアモジュールのアンカポイント出力に接続され、前記位置合わせツールの入力に接続され、第二のレシピ生成モジュールが前記データ準備ソフトウェアモジュールのサンプルポイント出力に接続され、前記検査ツールの入力に接続されるシステム。 - 請求項13に記載のシステムにおいて、
前記データ融合ソフトウェアモジュールは、前記位置合わせツールの出力を介して、前記アンカポイントの位置のデータを取得し、かつ、前記検査ツールの出力を介して、前記サンプルポイントの位置のデータを取得し、補正された位置合わせポイント集合を重みと共に生成するように構成されるシステム。 - 請求項16に記載のシステムにおいて、
ディスプレイが前記データ融合ソフトウェアモジュールに接続されて、マスク全体にわたる前記アンカポイント間の制限付き補間誤差を表示するシステム。 - 請求項13に記載のシステムにおいて、
前記アンカポイントの数は前記サンプルポイントの数より少ないシステム。 - 非一時的なコンピュータ読取可能媒体上に記憶されたコンピュータプログラムにおいて、
コンピュータを制御して、位置合わせツールによって、前記位置合わせツールのための第一のレシピにしたがって測定されたマスク座標系内のランダム又はマスク上のX方向とY方向に均一に離間されたグリッド上に配置された複数のアンカポイントの位置を取得し、
検査ツールによって、前記検査ツールのための第二のレシピにしたがって測定されたマスク座標系内の複数の走査幅上の複数のサンプルポイントの位置を取得し、
前記アンカポイントの位置と前記サンプルポイントの位置から、前記アンカポイントが隣接する前記サンプルポイントに与える影響の度合いを示す前記アンカポイントの重みで隣接する前記サンプルポイントに影響を与えた状態で、位置合わせマップを計算するようにさせる、コンピュータ実行可能プロセスステップを含むコンピュータプログラム。 - 請求項19に記載のコンピュータプログラムにおいて、
前記重み、前記位置合わせツールのための第一のレシピ、および前記検査ツールのための第二のレシピは、データ準備ソフトウェアモジュールから得られるコンピュータプログラム。 - 請求項19に記載のコンピュータプログラムにおいて、
前記アンカポイントの位置と前記サンプルポイントの位置のデータは、前記重みと共に、マスク全体にわたる前記アンカポイント間の補正された位置合わせポイントの制限付き補間誤差を生成するために使用されるコンピュータプログラム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201461974001P | 2014-04-02 | 2014-04-02 | |
US61/974,001 | 2014-04-02 | ||
PCT/US2015/024060 WO2015153872A1 (en) | 2014-04-02 | 2015-04-02 | A method, system and computer program product for generating high density registration maps for masks |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017516130A JP2017516130A (ja) | 2017-06-15 |
JP2017516130A5 JP2017516130A5 (ja) | 2018-05-10 |
JP6570010B2 true JP6570010B2 (ja) | 2019-09-04 |
Family
ID=54241286
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016560399A Active JP6570010B2 (ja) | 2014-04-02 | 2015-04-02 | マスクのための高密度位置合わせマップを生成するための方法、システム、およびコンピュータプログラム製品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150310160A1 (ja) |
JP (1) | JP6570010B2 (ja) |
KR (1) | KR102330732B1 (ja) |
CN (1) | CN106165065B (ja) |
TW (1) | TWI640843B (ja) |
WO (1) | WO2015153872A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10162928B2 (en) * | 2015-12-02 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of designing a semiconductor device, system for implementing the method and standard cell |
US10296702B2 (en) | 2017-03-15 | 2019-05-21 | Applied Materials Israel Ltd. | Method of performing metrology operations and system thereof |
US10120973B2 (en) | 2017-03-15 | 2018-11-06 | Applied Materials Israel Ltd. | Method of performing metrology operations and system thereof |
DE102017219217B4 (de) | 2017-10-26 | 2021-03-25 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Masken für die Mikrolithographie, Verfahren zur Bestimmung von Kantenpositionen der Bilder der Strukturen einer derartigen Maske und System zur Durchführung eines derartigen Verfahrens |
WO2022009392A1 (ja) * | 2020-07-09 | 2022-01-13 | 株式会社日立ハイテク | 欠陥検査装置、欠陥検査方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3730263B2 (ja) * | 1992-05-27 | 2005-12-21 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法 |
US6539106B1 (en) * | 1999-01-08 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Feature-based defect detection |
JP3808817B2 (ja) | 2002-09-05 | 2006-08-16 | 株式会社東芝 | マスク欠陥検査方法、半導体装置の製造方法、マスク欠陥検査装置、欠陥影響度マップ作成方法およびプログラム |
US9002497B2 (en) * | 2003-07-03 | 2015-04-07 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for inspection of wafers and reticles using designer intent data |
WO2006046236A1 (en) * | 2004-10-26 | 2006-05-04 | May High-Tech Solutions, Ltd. | Method and apparatus for residue detection on a polished wafer |
US7349066B2 (en) * | 2005-05-05 | 2008-03-25 | Asml Masktools B.V. | Apparatus, method and computer program product for performing a model based optical proximity correction factoring neighbor influence |
JP4203498B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2009-01-07 | アドバンスド・マスク・インスペクション・テクノロジー株式会社 | 画像補正装置、パターン検査装置、画像補正方法、及び、パターン欠陥検査方法 |
US7676077B2 (en) * | 2005-11-18 | 2010-03-09 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for utilizing design data in combination with inspection data |
KR100819803B1 (ko) * | 2006-04-06 | 2008-04-07 | 삼성테크윈 주식회사 | 솔더 페이스트 검사 방법 |
US8624971B2 (en) | 2009-01-23 | 2014-01-07 | Kla-Tencor Corporation | TDI sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection |
US8825051B2 (en) * | 2009-05-01 | 2014-09-02 | Qualcomm Incorporated | Idle handoff to hybrid femto cell based on system selection database |
KR101195263B1 (ko) * | 2010-04-13 | 2012-11-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 포토마스크의 이미지 배치 에러 보정 방법 |
JP2013045372A (ja) * | 2011-08-25 | 2013-03-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 画像評価方法、描画条件選択方法、画像評価プログラム、描画条件選択プログラム |
JP5860646B2 (ja) | 2011-09-16 | 2016-02-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 位置ずれマップ作成装置、パターン検査システム、及び位置ずれマップ作成方法 |
US9599575B2 (en) * | 2012-02-07 | 2017-03-21 | Applied Materials Israel, Ltd. | System, a method and a computer program product for CAD-based registration |
US8855399B2 (en) * | 2012-02-07 | 2014-10-07 | Applied Materials Israel, Ltd. | System, a method and a computer program product for CAD-based registration |
TWI618050B (zh) * | 2013-02-14 | 2018-03-11 | 杜比實驗室特許公司 | 用於音訊處理系統中之訊號去相關的方法及設備 |
CN103366375B (zh) * | 2013-07-15 | 2016-08-10 | 中国科学院自动化研究所 | 基于动态有向图的图像集配准方法 |
CN106154768B (zh) * | 2016-07-01 | 2019-04-05 | 无锡中微掩模电子有限公司 | 一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法 |
-
2015
- 2015-04-02 JP JP2016560399A patent/JP6570010B2/ja active Active
- 2015-04-02 KR KR1020167030599A patent/KR102330732B1/ko active IP Right Grant
- 2015-04-02 WO PCT/US2015/024060 patent/WO2015153872A1/en active Application Filing
- 2015-04-02 TW TW104111017A patent/TWI640843B/zh active
- 2015-04-02 CN CN201580018393.1A patent/CN106165065B/zh active Active
- 2015-07-09 US US14/795,576 patent/US20150310160A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI640843B (zh) | 2018-11-11 |
CN106165065B (zh) | 2019-08-30 |
JP2017516130A (ja) | 2017-06-15 |
US20150310160A1 (en) | 2015-10-29 |
WO2015153872A1 (en) | 2015-10-08 |
KR102330732B1 (ko) | 2021-11-23 |
KR20160142354A (ko) | 2016-12-12 |
CN106165065A (zh) | 2016-11-23 |
TW201543184A (zh) | 2015-11-16 |
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