CN106154768B - 一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法 - Google Patents

一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106154768B
CN106154768B CN201610516429.5A CN201610516429A CN106154768B CN 106154768 B CN106154768 B CN 106154768B CN 201610516429 A CN201610516429 A CN 201610516429A CN 106154768 B CN106154768 B CN 106154768B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask plate
alignment mark
substrate
points
expose
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610516429.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106154768A (zh
Inventor
沙云峰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd
Original Assignee
WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd filed Critical WUXI ZHONGWEI MASK ELECTRONICS Co Ltd
Priority to CN201610516429.5A priority Critical patent/CN106154768B/zh
Publication of CN106154768A publication Critical patent/CN106154768A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106154768B publication Critical patent/CN106154768B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7046—Strategy, e.g. mark, sensor or wavelength selection

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法，包括：S1选取掩模板；S2在所述掩模板上选定两个或三个点作为测量对位标记点并进行标记；S3对集成电路基板进行一次曝光；S4基于选定的两个或三个测量对位标记点对所述掩模板进行对准操作；S5对集成电路基板进行二次曝光。这样，在对集成电路基板进行了一次曝光之后，根据基于获取的坐标数据对位进行对准操作，之后再进行二次曝光，有效节约了二次曝光过程中对准操作的时间，加快曝光效率，提升产能。

Description

一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法
技术领域
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种集成电路基板二次曝光方法。
背景技术
在半导体、集成电路、光伏产品等电子产品制造过程中，需要对以半导体晶片和光掩模板为代表的各种基板进行曝光处理，这些基板还包括液晶显示器、等离子体显示器用玻璃基板、磁盘、光磁盘母板等，以下统称为掩模板。对于高阶掩模板(如，先进相移掩模灯)或者进行必要的缺陷修补时通常需进行二次曝光工艺。
掩模板在进行二次曝光工艺前，由于基板上已经存在第一次曝光、显形、蚀刻等工艺流程所呈现的图像，故在进行二次曝光时需要对掩模板的位置进行校准，以防在二次曝光时起始位置出现偏差。
目前，具备该二次曝光功能的激光曝光机中都配备一套专门用于二次曝光的系统，其中包括具有校准功能的Alignment Laser(激光准直)。但是，使用该种激光曝光机进行二次曝光工艺时，都是通过掩模板四个对角处的对位标记，采用四点定位来保证掩模板二次对位的精度。但是每个对位标记处在进行Alignment时会耗时10～15分钟左右的时间，四个点做完Alignment会耗时1个多小时，而基本板本身的曝光时间大约为2个小时左右，会耗费大量的时间。如果需二次曝光的产品较多，将会降低激光曝光机的曝光效率，从而影响整体产量。
发明内容
针对上述问题，本发明旨在提供一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法，有效解决了集成电路基板二次曝光的时间，加快了二次曝光的效率。
本发明提供的技术方案如下：
一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法，包括：
S1选取掩模板；
S2在所述掩模板上选定两个或三个点作为测量对位标记点并进行标记；
S3对集成电路基板进行一次曝光；
S4基于选定的两个或三个测量对位标记点对所述掩模板进行对准操作；
S5对集成电路基板进行二次曝光。
进一步优选地，在步骤S2，在所述掩模板上选定两个或三个点作为测量对位标记点并进行标记中，具体包括：
S21任意选定所述掩模板的两个角；
S22在选定的两个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记；
S23对所述两个测量对位标记点的坐标进行量测，获取其坐标数据；
S24基于所述两个测量对位标记点的坐标数据生成准直文件。
进一步优选地，在步骤S4，基于选定的两个测量对位标记点对所述掩模板进行对准操作中，具体包括：
执行步骤S24中生成的准直文件，利用所述准直文件中包含的两个测量对位标记点的坐标数据对所述掩模板进行对准操作。
进一步优选地，在步骤S21，任意选定所述掩模板的两个角中，具体包括：
选定位于所述掩模板一对角线两端的两个角；
在步骤S22，在选定的两个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记中，具体包括：
在选定的位于所述对角线两端的两个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记，且所述两个测量对位标记点位于该对角线上。
进一步优选地，在步骤S2，在所述掩模板上选定两个或三个点作为测量对位标记点并进行标记中，具体包括：
S25任意选定所述掩模板的三个角；
S26在选定的三个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记；
S27对所述三个测量对位标记点的坐标进行量测，获取其坐标数据；
S28基于所述三个测量对位标记点的坐标数据生成准直文件。
进一步优选地，在步骤S4，基于选定的两个或三个测量对位标记点对所述掩模板进行对准操作中，具体包括：
执行步骤S28中生成的准直文件，利用所述准直文件中包含的三个测量对位标记点的坐标数据对所述掩模板进行对准操作。
本发明提供的基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法，其有益效果在于：
在本发明中，在掩模板上选取两个或三个点作为测量对位标记点，并获取其坐标数据，这样，在对集成电路基板进行了一次曝光之后，根据基于获取的坐标数据生成的准直文件对位进行对准操作，之后再进行二次曝光。有效节约了二次曝光过程中对准操作的时间，加快曝光效率，提升产能。
再有，在本发明提供的集成电路基板二次曝光方法中，使用到的是现有的设备现有的工艺，不需要其他支撑性设备，不会带来额外的成本；且不同技术方案之间变更流程单一，操作简单，非专业技术人员也能够完成。
附图说明
图1为本发明中集成电路基板二次曝光方法一种实施方式的流程示意图；
图2为本发明中集成电路基板二次曝光方法另一种实施方式的流程示意图；
图3为本发明中一种具体实施例中掩模板的结构示意图；
图4为本发明中集成电路基板二次曝光方法另一种实施方式的流程示意图；
1-掩模板，2-掩模主图形，3-测量对位标记，4-掩模名称，5-掩模日期，6-条形码。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式，对本发明作进一步详细说明。需要说明的是，下面描述的本发明的特定细节仅为说明本发明用，并不构成对本发明的限制。根据所描述的本发明的教导作出的任何修改和变型也在本发明的范围内。
如图1所示，为本发明提供的基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法一种实施方式的流程示意图，从图中可以看出，在该集成电路基板二次曝光方法中包括：S1选取掩模板；S2在掩模板上选定两个或三个点作为测量对位标记点并进行标记；S3对集成电路基板进行一次曝光；S4基于选定的两个或三个测量对位标记点对掩模板进行对准操作；S5对集成电路基板进行二次曝光。我们知道，要调整某一平面(这里特指掩模板)的位置，使用其中某一点的坐标不能实现目标。要实现一个平面的对准操作，至少需要两个点，因而在步骤S2中，我们只需要在掩模板中任意选定两个点，之后基于选定的两个点进行对准操作，就能将其调整到准确的位置。原则上来说，这里选定的两个点可以在掩模板的同一侧边上，也可以分别位于各个角上，甚至可以位于同一角上，只要选定的两个点能够足以对准掩模板的位置，都包括在本发明的内容中。
在另一种实施方式中，如图2所示，该集成电路基板二次曝光方法中包括：S1选取掩模板；S21任意选定掩模板的两个角；S22在选定的两个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记；S23对两个测量对位标记点的坐标进行量测，获取其坐标数据；S24基于两个测量对位标记点的坐标数据生成准直文件；S3对集成电路基板进行一次曝光；S4执行步骤S24中生成的准直文件，利用准直文件中包含的两个测量对位标记点的坐标数据对掩模板进行对准操作；S5对集成电路基板进行二次曝光。在具体实施例中，使用激光曝光机Omega6600E实现对集成电路板的曝光操作，在该激光曝光机中，基于两个测量对位标记点的坐标数据生成的可执行准直文件为专用ms文件，在步骤S4中，调用该专用ms文件，利用其中包括的两个测量对位标记点进行对准操作。
对上述实施方式进行改进，在步骤S21中具体包括：选定位于掩模板一对角线两端的两个角；在步骤S22中具体包括：在选定的位于对角线两端的两个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记，且两个测量对位标记点位于该对角线上。更进一步来说，选定的两个测量对位标记点关于选定的对角线对称，如图3所示，其中，1为掩模板，2为掩模主图形，3为测量对位标记，4为掩模名称，5为掩模日期，6为条形码。
可以看出，在以上实施方式中，在对集成电路基板进行二次曝光的过程中，基于选定的两个测量对位标记点即可完成掩模板的对准操作，相比于现有技术，减少了二次曝光过程中一半的定位时间，大大提高了曝光的效率。
在另一种实施方式中，如图4所示，该集成电路基板二次曝光方法中包括：S1选取掩模板；S25任意选定掩模板的三个角；S26在选定的三个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记；S27对三个测量对位标记点的坐标进行量测，获取其坐标数据；S28基于三个测量对位标记点的坐标数据生成准直文件；S3对集成电路基板进行一次曝光；S4执行步骤S28中生成的准直文件，利用准直文件中包含的三个测量对位标记点的坐标数据对掩模板进行对准操作；S5对集成电路基板进行二次曝光。同样的，在该实施方式中，使用激光曝光机Omega6600E实现对集成电路板的曝光操作，在该激光曝光机中，基于三个测量对位标记点的坐标数据生成的可执行准直文件为专用ms文件，在步骤S4中，调用该专用ms文件，利用其中包括的三个测量对位标记点进行对准操作。
可以看出，在以上实施方式中，在对集成电路基板进行二次曝光的过程中，基于选定的三个测量对位标记点即可完成掩模板的对准操作，相比于现有技术，减少了二次曝光过程中四分之一的定位时间，大大提高了曝光的效率的同时保证了定位的精确度。
以上通过分别描述每个过程的实施场景案例，详细描述了本发明，本领域的技术人员应能理解。在不脱离本发明实质的范围内，可以作修改和变形，比如部分模块的剥离使用和将系统嵌入于其他应用系统中。

Claims (2)

1.一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法，其特征在于，所述集成电路基板二次曝光方法中包括：
S1选取掩模板；
S2在所述掩模板上选定两个或三个点作为测量对位标记点并进行标记；
S3对集成电路基板进行一次曝光；
S4基于选定的两个或三个测量对位标记点对所述掩模板进行对准操作；
S5对集成电路基板进行二次曝光；
在步骤S2，在所述掩模板上选定两个点作为测量对位标记点并进行标记中，具体包括：
S21任意选定所述掩模板的两个角；
S22在选定的两个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记；
S23对所述两个测量对位标记点的坐标进行量测，获取其坐标数据；
S24基于所述两个测量对位标记点的坐标数据生成准直文件；
在步骤S2，在所述掩模板上选定三个点作为测量对位标记点并进行标记中，具体包括：
S25任意选定所述掩模板的三个角；
S26在选定的三个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记；
S27对所述三个测量对位标记点的坐标进行量测，获取其坐标数据；
S28基于所述三个测量对位标记点的坐标数据生成准直文件；
在步骤S4，基于选定的两个测量对位标记点对所述掩模板进行对准操作中，具体包括：
执行步骤S24中生成的准直文件，利用所述准直文件中包含的两个测量对位标记点的坐标数据对所述掩模板进行对准操作；
在步骤S4，基于选定的两个或三个测量对位标记点对所述掩模板进行对准操作中，具体包括：
执行步骤S28中生成的准直文件，利用所述准直文件中包含的三个测量对位标记点的坐标数据对所述掩模板进行对准操作。
2.如权利要求1所述的集成电路基板二次曝光方法，其特征在于，
在步骤S21，任意选定所述掩模板的两个角中，具体包括：
选定位于所述掩模板一对角线两端的两个角；
在步骤S22，在选定的两个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记中，具体包括：
在选定的位于所述对角线两端的两个角上分别选定一个点作为测量对位标记点并进行标记，且所述两个测量对位标记点位于该对角线上。
CN201610516429.5A 2016-07-01 2016-07-01 一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法 Active CN106154768B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610516429.5A CN106154768B (zh) 2016-07-01 2016-07-01 一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610516429.5A CN106154768B (zh) 2016-07-01 2016-07-01 一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106154768A CN106154768A (zh) 2016-11-23
CN106154768B true CN106154768B (zh) 2019-04-05

Family

ID=58061025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610516429.5A Active CN106154768B (zh) 2016-07-01 2016-07-01 一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106154768B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI640843B (zh) * 2014-04-02 2018-11-11 美商克萊譚克公司 用於產生遮罩之高密度對位映圖的方法、系統及電腦程式產品
TWI677769B (zh) * 2018-10-02 2019-11-21 友達光電股份有限公司 曝光裝置及其對位曝光方法
CN112614803B (zh) * 2020-12-30 2023-01-31 合肥晶合集成电路股份有限公司 一种集成电路的制备方法
CN113589656B (zh) * 2021-07-06 2023-10-13 杭州新诺微电子有限公司 一种卷对卷双面数字化激光直写曝光机及曝光对位方法
CN114200786B (zh) * 2021-12-31 2023-07-04 中山新诺科技股份有限公司 一种数字化激光直写曝光机分区对位方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102650819A (zh) * 2011-08-03 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 掩模板和掩膜板的定位方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6381355A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Hitachi Ltd ホトマスク
WO1998001903A1 (fr) * 1996-07-09 1998-01-15 Hitachi, Ltd. Procede de fabrication d'un composant de circuit integre a semi-conducteur
CN101989047B (zh) * 2009-07-30 2012-08-01 上海华虹Nec电子有限公司 一种利用双重曝光方法来检测掩模板图形形貌的方法
CN105527800B (zh) * 2016-02-18 2017-07-18 京东方科技集团股份有限公司 一种曝光方法、曝光装置及彩膜基板

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102650819A (zh) * 2011-08-03 2012-08-29 京东方科技集团股份有限公司 掩模板和掩膜板的定位方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106154768A (zh) 2016-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106154768B (zh) 一种基于掩模板的集成电路基板二次曝光方法
CN103885002B (zh) 磁传感器阵列测量中的平行度误差补偿方法和系统
CN103309149B (zh) 光学临近效应修正方法
CN106647180B (zh) 直写曝光机中基于标定板的误差校正和补偿方法
CN105719993B (zh) 一种校正电子显微镜电子束与晶圆位置偏差的方法
CN102445858B (zh) 一种光刻机之间的工艺匹配方法
CN103246155B (zh) 光刻版以及该光刻版的曝光方法
SG11201808608UA (en) Projection exposure apparatus and method
CN108333881A (zh) 一种应用于直写式曝光机的拼接调试方法
CN101546116A (zh) 多色调光掩模及其制造方法、以及图案转印方法
CN102692820A (zh) 一种测量投影物镜畸变的装置及方法
CN105740540B (zh) 掩膜版设计中版图的特征图形的查找方法
US10211080B2 (en) Robot arms and method for aligning substrate with the same
CN102566322B (zh) 一种多台光刻设备校正方法
CN106227002B (zh) 一种提高调整拼接和倍率大小的效率的方法
CN101859695A (zh) 由半导体晶片制造集成电路的装置和方法
CN102749815B (zh) 套刻精度的检测方法
WO2018076591A1 (zh) 用于设备的方法、制造掩膜版或显示基板的方法及系统
CN105511232B (zh) 中间掩模透射率测量方法、投影曝光装置及投影曝光方法
CN103499902B (zh) 一种基板的全距调控方法和装置
CN102313513A (zh) 一种新型的视觉相机对位的检测方法
CN105223785B (zh) 提高晶片产品套准精度的方法
CN104035275A (zh) 一种掩模板
CN105446090B (zh) 对准测量方法
CN109659248B (zh) 提高光片上缺陷到图形层定位精确度的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant