CN103499902B - 一种基板的全距调控方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种基板的全距调控方法，包括：根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得基板样本的全距变化值；根据全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标；利用第一层全距调整后基准坐标对待曝光基板进行第一层曝光工艺。上述方法根据基板实际全距值与期望全距值得到的全距变化值，在第一层曝光过程中根据全距变化值对待曝光基板的全距初始基准坐标进行调整，便可实现最终全距相对于热制程等工艺参数变更前无明显变化，或变化量极其微小，采用简单易行的操作实现在液晶盒对盒工艺过程中阵列基板与彩膜基板对盒的精准性。

Description

一种基板的全距调控方法和装置

技术领域

本发明涉及基板制作技术领域，尤其涉及一种基板的全距调控方法和装置。

背景技术

在形成有任意类型器件图形的基板例如薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)阵列基板的制作工艺过程中，全距(TotalPitch，简称TP)用于标记图形在基板上的位置和形状，从而对第一层曝光制程以及最后层退火制程后基板上阵列的偏移进行监测，并为液晶盒的对盒工艺提供依据。

目前，以TFT阵列基板为例，由于薄膜晶体管(TFT)阵列基板涉及薄膜沉积制程，尤其是后续层采用的等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，简称PECVD)等热制程，将会使TFT阵列基板发生一定程度的形变，导致薄膜晶体管(TFT)阵列基板的最终全距变化，进一步导致在液晶盒对盒工艺中无法保证薄膜晶体管(TFT)基板与彩膜基板对盒时的精准性，对盒后效果不佳。第一层全距值的测量值在薄膜晶体管(TFT)阵列基板上的示意图如图1所示，则得到的最后层退火制程后得到的最终全距测量值与第一层全距值的测量值的对比图如图2所示，其中虚线表示图1中第一层全距值的测量值，实线表示最终全距测量值。另外，PECVD等热制程中工艺参数变更也会导致薄膜晶体管(TFT)阵列基板的全距发生变化，一般情况下，为保证薄膜晶体管(TFT)阵列基板与彩膜基板的精准对盒，需要变更彩膜工艺曝光掩膜板设计，变更过程不仅费用高昂，还将浪费大量的人力，生产效率也会受到极大的影响。

发明内容

(一)要解决的技术问题

针对上述缺陷，本发明要解决的技术问题是如何对基板的全距变化进行调整的问题。

(二)技术方案

为解决上述问题，本发明提供了一种基板的全距调控方法，包括：

S1、根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得所述基板样本的全距变化值；

S2、根据所述全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到所述待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标；

S3、利用所述第一层全距调整后基准坐标对所述待曝光基板进行第一层曝光工艺。

进一步地，所述方法还包括：

S4、将完成所述第一层曝光工艺的基板的实际全距值，与该基板的期望全距值进行比较，获得全距误差值；如果所述全距误差值小于等于预设全距误差阈值，则将所述第一层全距调整后基准坐标作为所述待曝光基板的第一层曝光工艺的标准全距基准坐标，如果所述全距误差值大于所述预设全距误差阈值，则进行步骤S5；

S5、将所述全距误差值作为S2中所述的全距变化值，将所述第一层全距调整后基准坐标作为S2中所述的第一层全距初始基准坐标，进行步骤S2，获得新的第一层全距调整后基准坐标。

进一步地，在所述全距误差值大于所述预设全距误差阈值的情况中，在进行步骤S3之前，如果待曝光的基板上有之前曝光工艺所剩余的光刻胶，则所述方法还包括对该剩余的光刻胶进行去除并重新形成一层光刻胶的步骤。

进一步地，所述全距误差值为±3μm。

进一步地，所述全距变化值通过以下方式获得：

获得所述基板样本上的至少一个检测点的实际全距值以及所述检测点的期望全距值，根据全距变化值最大的检测点的全距变化值获得所述基板样本的全距变化值。

进一步地，所述全距变化值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在S2中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距变化值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

进一步地，所述全距误差值通过以下方式获得：

获得所述完成所述第一层曝光工艺的基板上的多个检测点的实际全距值以及这些检测点的期望全距值，将全距误差值最大的检测点的全距误差值作为所述完成所述第一层曝光工艺的基板的全距误差值。

进一步地，所述全距误差值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在S5中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距误差值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

进一步地，所述全距变化值为所述实际全距值与所述期望全距值得到的差值。

进一步地，所述对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整具体包括：在所述第一层全距初始基准坐标上加或减所述差值。

进一步地，所述实际全距值减去所述期望全距值得到的差值除以所述实际全距值得到的比值。

进一步地，所述S2中对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整具体包括：根据所述比值和所述第一层全距初始基准坐标得到调整量，再用所述第一层全距初始基准坐标加或减所述调整量。

进一步地，所述S2中对第一层全距初始基准坐标进行调整通过以下至少一种方式实现：调整曝光机的位置、改变曝光机中光源的布局、改变曝光机中光源的位置、改变曝光机中光源的角度、改变曝光机中光源的正交度、改变曝光机中光源的旋转量。

为解决上述问题，本发明还提供了一种基板的全距调控装置，包括：全距变化值获取模块和调整模块；

所述全距变化值获取模块根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得所述基板样本的全距变化值；

所述调整模块根据所述全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到所述待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标。

进一步地，所述装置还包括：第一层曝光工艺加工模块，利用所述第一层全距调整后基准坐标对所述待曝光基板进行第一层曝光工艺。

进一步地，所述装置还包括：第一判断模块和反馈模块；

所述第一判断模块将完成所述第一层曝光工艺的基板的实际全距值，与该基板的期望全距值进行比较，获得全距误差值；如果所述全距误差值小于等于预设全距误差阈值，则将所述第一层全距调整后基准坐标作为所述待曝光基板的第一层曝光工艺的标准全距基准坐标，如果所述全距误差值大于所述预设全距误差阈值，则进入所述反馈模块；

所述反馈模块将所述全距误差值作为所述调整模块中所述的全距变化值，将所述第一层全距调整后基准坐标作为所述调整模块中所述的第一层全距初始基准坐标，进入所述调整模块，获得新的第一层全距调整后基准坐标。

进一步地，所述全距变化值获取模块通过以下方式获得所述全距变化值：

获得所述基板样本上的至少一个检测点的实际全距值以及所述检测点的期望全距值，根据全距变化值最大的检测点的全距变化值获得所述基板样本的全距变化值；

或如果所述全距变化值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在所述调整模块中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距变化值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

进一步地，所述第一判断模块获取所述全距误差值通过以下方式获得：

获得所述完成所述第一层曝光工艺的基板上的多个检测点的实际全距值以及这些检测点的期望全距值，将全距误差值最大的检测点的全距误差值作为所述完成所述第一层曝光工艺的基板的全距误差值；

或如果所述全距误差值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在所述反馈模块中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距误差值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

(三)有益效果

本发明实施方式提供的方法可实现最终全距相对于初始的期望全距无明显变化(或变化量极其微小)，保证在液晶盒对盒工艺与彩膜基板对盒的精准性。本发明实施方式提供的全距调整方法具有操作简便易行以及零成本等优点，同时可节省通常由于基板的全距值变化而对与该基板进行对盒的基板进行的调整所需的大量人力和物力，具有较高的推广价值。

附图说明

图1为现有技术中第一层全距测量值在TFT阵列基板上的示意图；

图2为现有技术中最终全距的测量值与第一层全距的测量值在TFT阵列基板上的对比图；

图3为本发明实施例中一种基板的全距调控方法的步骤流程图；

图4为本发明实施例中在第一层曝光过程中第一层全距初始基准坐标进行调整后的测量值与第一层全距的测量值在TFT阵列基板上的对比图；

图5为本发明实施例中一种基板的全距调控装置的组成示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

实施例一

本实施例提供了一种基板的全距调控方法，步骤流程如图3所示，具体包括以下步骤：

步骤S1、根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得基板样本的全距变化值。

步骤S2、根据全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标。

步骤S3、利用第一层全距调整后基准坐标对待曝光基板进行第一层曝光工艺。

根据上述方法在第一层曝光之前根据全部曝光工艺得到的基板样本的期望全距值与测量得到的实际全距值进行计算得到全距变化值，之后根据该全距变化值在进行第一层曝光工艺的过程中待曝光基板的第一层全距初始基准坐标进行调整，再利用调整之后的基准坐标对待曝光基板进行第一层曝光工艺，通过在第一层曝光工艺中对基准坐标进行调整可以实现最终全距的变化尽可能小，提高液晶盒对盒工艺过程中的准确性。

本实施例步骤S1根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得基板样本的全距变化值。

其中的基板样本可以是已生产出来的用于使用的基板产品，也可以是生产出来专用于测试的基板，不管是用于使用的基板产品还是用于测试的基板，该基板样本都是经过至少一次的构图工艺(包含至少一次曝光工艺)后得到的基板。基板的期望全距值为研发设计过程中得到的设计值，通过实际测量得到的全距值就是基板的实际全距值。

优选地，本实施例中的全距变化值可以是量值，也可以是比值，如果全距变化值是量值，则是实际全距值与所述期望全距值之间的差值，此时的全距变化值的单位是长度单位。另外，本实施例中的全距变化值还可以是比例值，或者简称为比值，即实际全距值与期望全距值的差值除以期望全距值得到的比值或该差值除以实际全距值得到的比值，此时的全距变化值的单位可以是例如ppm(百万分之一)或类似仅表示大小和数量级的单位。

其中全距变化值通过以下方式获得：

获得基板样本上的至少一个检测点的实际全距值以及检测点的期望全距值，根据全距变化值最大的检测点的全距变化值获得基板样本的全距变化值。

如果基板样本上只有一个检测点，则获取该检测点上的实际全距值和期望全距值，利用这两个数据根据上述两种全距变化值的计算方法得到全距变化值，并直接将该检测点的全距变化值作为该基板样本的全距变化值；如果基板样本上有多个检测点，则分别获取每个检测点上的实际全距值和期望全距值，再按照上述方法对每个检测点对应的实际全距值和期望全距值进行计算，得到的量值或比值就是这些检测点的全距变化值，再对这些全距变化值做求平均计算，将得到的均值作为该基板样本的全距变化值，或对这些全距变化值用本领域技术人员所能想到的其他计算方法进行计算获得本领域技术人员认为能够作为该基板样本的全距变化值的值。

步骤S2、根据全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标。

其中待曝光基板是还没有进行过曝光工艺的基板。基板加工过程中，先在基板表面进行光刻胶的涂覆(或者利用除涂覆工艺之外的其他工艺在基板表面形成一层光刻胶薄膜)，再根据需要选择适合的掩膜板遮挡对其表面进行曝光。对待曝光基板进行第一层曝光工艺，是指在衬底基板上形成的第一层(需要曝光工艺才能形成的)图案时，所作的曝光工艺，所述曝光工艺例如可以是将曝光光线透过掩膜板照射基板上的光刻胶膜。

当全距变化值有多个时，它们分别对应基板样本上的多个检测点；以及，在步骤S2中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距变化值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

调整过程根据全距变化值的不同计算方法而不同：如果全距变化值为量值，则在第一层全距初始基准坐标上加或减量值。当量值是由实际全距值减去期望全距值得到的差值时，得到的结果可能是正数，也可能是负数。如果实际全距值大于期望全距值则得到的量值就是正数，这个正数为实际值超过预期值的大小，在调整过程中就需要减去这个量值，反之实际全距值小于期望全距值则得到的量值就是负数，这个负数的绝对值为实际值小于预期值的大小，在调整过程中就需要加上与这个量值绝对值相等的数值。通过在第一层全距初始基准坐标值的基础上加或减上述量值，能够克服最终全距的变化对对盒精准性的影响。

如果全距变化值为比值，则首先根据比值和第一层全距初始基准坐标得到调整量，再用第一层全距初始基准坐标加或减调整量。调整量同样可能是正数，也可能是负数，在第一层全距初始基准坐标值的基础上加上或减去上述调整量，同样能够克服最终全距的变化对对盒精准性的影响。

其中对第一层全距初始基准坐标进行调整可以通过以下至少一种方式实现：调整曝光机的位置、改变曝光机中光源的布局、改变曝光机中光源的位置、改变曝光机中光源的角度、改变曝光机中光源的正交度、改变曝光机中光源的旋转量等方式，实现改变曝光工艺条件。通过调整曝光机的位置，就能改变曝光机与基板之间的距离，进而光源相对于掩膜板未遮挡部分的角度关系，实现曝光过程中对第一层全距初始基准坐标的调整。通过改变曝光机中光源的布局或者上述列举的方式中的一种，或者通过上述几种方式的组合也可以实现曝光过程中对第一层全距初始基准坐标的调整。

步骤S3、利用第一层全距调整后基准坐标对待曝光基板进行第一层曝光工艺。

经过步骤S2的调整，能够保证进行第一层曝光工艺得到的基板全距值在经过后续加工工艺之后不会对最终全距值产生影响。

优选地，本实施例步骤S3之后还包括以下步骤：

步骤S4、将完成第一层曝光工艺的基板的实际全距值，与该基板的期望全距值进行比较，获得全距误差值；如果全距误差值小于等于预设全距误差阈值，则将第一层全距调整后基准坐标作为待曝光基板的第一层曝光工艺的标准全距基准坐标，如果全距误差值大于预设全距误差阈值，则进行步骤S5。

步骤S5、将全距误差值作为步骤S2中的全距变化值，将第一层全距调整后基准坐标作为步骤S2中的第一层全距初始基准坐标，进行步骤S2，获得新的第一层全距调整后基准坐标。

还需要说明的是，如果在全距误差值大于预设全距误差阈值的情况中，进行步骤S3之前，如果待曝光的基板上有之前曝光工艺所剩余的光刻胶，则还包括对该剩余的光刻胶进行去除并重新形成一层光刻胶的步骤。

例如，如果要进入步骤S5，则该步骤S5之前的步骤S3中的“第一层曝光工艺”所获得的光刻胶图形就被去除，并重新形成用于进行新的“第一层曝光工艺”的光刻胶，然后在后续再次进行的步骤S3中再重新进行“第一层曝光工艺”。

优选地，本实施例中的全距误差值为±3μm。

本实施例中全距误差值可以通过以下方式获得：

获得完成第一层曝光工艺的基板上的多个检测点的实际全距值以及这些检测点的期望全距值，将全距误差值最大的检测点的全距误差值作为完成第一层曝光工艺的基板的全距误差值。

全距误差值有多个，分别对应基板样本上的多个检测点；以及，在步骤S5中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距误差值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

在全距误差值大于所述预设全距误差阈值的情况中，在进行步骤S3之前，如果待曝光的基板上有之前曝光工艺所剩余的光刻胶，则该方法还包括对该剩余的光刻胶进行去除并重新形成一层光刻胶的步骤。

步骤S3后，还可以对基板进行所需要的其他工艺，例如显影、刻蚀等，具体可根据所需要的基板上的器件图形进行选择。

下面给出基于上述全距调控方法的一个实例具体流程为：

首先，按照一定数量的量产基板或者是测试基板，其中本实施例中的基板是以薄膜晶体管(TFT)阵列基板为例进行说明的，根据量产的基板或者测试用的基板作为基板样本，根据一个检测点的实际全距值与期望全距值确定全距变化值。还可以为了数据的可靠性，根据多个检测点的实际全距值与期望全距值确定全距变化值Nppm，再就将其用于后续步骤。

在对玻璃基板的表面进行溅射沉积形成金属膜，之后在金属膜表面进行光刻胶的涂覆，再通过曝光机紫外线透过掩膜板照射基板上的光刻胶进行曝光，第一层曝光工艺的过程需要在考虑上述预设的最终全距变化量的基础上进行。

首先，利用上述全距变化值确定对待曝光基板第一层曝光工艺过程中第一层全距(1stLayerTotalPitch)初始基准坐标(X₀，Y₀)进行调整的调整量，调整后得到第一层全距调整后基准坐标(X’，Y’)，如果以实际全距值减去期望全距值的差值作为全距变化值，则调整量为(ΔX，ΔY)，ΔX＝X₀-X’，ΔY＝Y₀-Y’

然后，根据上述步骤得到调整量(ΔX，ΔY)对第一层曝光工艺条件进行反馈(Feedback)。即采用第一层全距调整后基准坐标(X’，Y’)将调整量(ΔX，ΔY)通过曝光机的全距反馈功能对第一层曝光工艺条件进行反馈，得到新的第一层曝光工艺条件。或者采用调整曝光机的位置、改变曝光机中光源的布局、改变曝光机中光源的位置、改变曝光机中光源的角度、改变曝光机中光源的正角度、改变曝光机中光源的旋转量或改变曝光工艺条件中式至少一种方式实现对第一层全距初始基准坐标的调整。

之后，利用上述新的第一层曝光工艺条件对完成第一层薄膜沉积的基板进行第一层曝光工艺。具体地，利用新的第一层曝光工艺条件对完成第一层薄膜沉积的基板进行第一层曝光工艺，之后再将第一层曝光工艺加工后基板的实际全距值与期望全距值进行比较，得到全距误差值，全距误差值小于等于预设全距误差阈值，一般预设全距误差阈值为±3μm，则将第一层全距调整后基准坐标作为待曝光基板的第一层曝光工艺的标准全距基准坐标，满足生产要求就继续进行后续制程，可以按照此全距变化值进行批量生产。但是如果全距误差值大于预设全距误差阈值，则将该步骤得到的全距误差值作为步骤S2中的全距变化值，将第一层全距调整后基准坐标作为步骤S2中的第一层全距初始基准坐标，进行步骤S2，获得新的第一层全距调整后基准坐标，即在不满足生产要求需要重复步骤S2～S5，直到得到满足生产条件的全距变化值为止。

满足进行第一层曝光工艺条件之后的后续制程：以正性光刻胶为例，用显影液对光刻胶曝光的部分进行溶解，留下图案，呈现出所需的图形。再把基板放入到刻蚀液(或气体)中对去除光刻胶覆盖的部分进行刻蚀，完成刻蚀后再用剥离液去除残余的光刻胶，留下所需图形的金属薄膜，至此完成一次光刻。

薄膜晶体管(TFT)阵列基板的制作工艺中最为核心的就是光刻工艺，一次光刻完成后，还要进行若干次上述薄膜沉积和光刻工艺制程，次数一般为4～5次，还可以根据产品需求减少或增加薄膜沉积和光刻的次数。完成一次光刻工艺之后通过等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，简称PECVD)等热制程形成绝缘体或者半导体薄膜，这是决定薄膜晶体管特性的重要工艺。之后再次进行光刻，将绝缘体或者半导体薄膜加工成所需要的图形。

在基板的最后层退火制程完成后确定最终全距，如果最终全距满足生产要求，则确定按照将上述步骤S3得到的第一层曝光工艺条件进行量产，否则选用新的一批基板重复上述步骤S2～S5，直到最终全距满足生产要求，再按照确定的第一层工艺条件进行量产。采用上述在第一层曝光过程中对第一层全距初始基准坐标进行调整之后，得到的最终全距的测量值与第一层全距的测量值在TFT阵列基板上的对比如图4所示。

综上所述，本发明根据薄膜晶体管(TFT)阵列基板全距测量的实际值与设计值的差值得到第一层曝光的偏差量，如果该偏差量较大(一般情况单点超过±3μm被认为是偏差量较大)就需要对曝光机进行反馈。在第一层曝光过程中添加与预设的最终全距等量相反的补偿值，可实现最终全距相对于热制程(如PECVD)等工艺参数变更前无明显变化(或变化量极其微小)，确保第一层和后续各层面板图形的准确性，以保证薄膜晶体管(TFT)阵列基板与彩膜基板在液晶盒对盒工艺实现精准对盒。本发明提供的方法具有操作简便易行以及零成本等优点，同时可节省通常由于薄膜晶体管(TFT)阵列基板最终全距变化而变更彩膜工艺曝光掩膜板设计所需的大量人力和物力，具有较高的推广价值。同时，该方法适用于调控所有因为第一层后各种工艺参数变化导致的最终全距变化，还适用于所有类型的薄膜晶体管(TFT)阵列基板最终全距的调控。

基于上述全距调控方法，本实施例还提供了一种基板的全距调控装置，组成示意图如图5所示，包括：全距变化值获取模块10和调整模块20。

全距变化值获取模块10根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得基板样本的全距变化值；

调整模块20根据全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标。

对全距初始基准坐标进行调整之后要进行第一层曝光，所以该装置还包括：第一层曝光工艺加工模块30，利用第一层全距调整后基准坐标对待曝光基板进行第一层曝光工艺。

优选地，第一层曝光工艺结束后还要对上述调整模块的调整量是否符合要求进行判断，因此本实施例提供的装置还包括：第一判断模块40和反馈模块50。

第一判断模块40将完成第一层曝光工艺的基板的实际全距值，与该基板的期望全距值进行比较，获得全距误差值；如果全距误差值小于等于预设全距误差阈值，则将第一层全距调整后基准坐标作为待曝光基板的第一层曝光工艺的标准全距基准坐标，如果全距误差值大于预设全距误差阈值，则进入反馈模块50。

反馈模块50将全距误差值作为调整模块20中的全距变化值，将第一层全距调整后基准坐标作为调整模块20中的第一层全距初始基准坐标，进入调整模块，获得新的第一层全距调整后基准坐标。

对于全距变化值获取模块10获得全距变化值可以通过以下方式实现：

获得基板样本上的至少一个检测点的实际全距值以及检测点的期望全距值，根据全距变化值最大的检测点的全距变化值获得基板样本的全距变化值；

或如果全距变化值有多个，分别对应基板样本上的多个检测点；以及，

在调整模块20中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距变化值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

第一判断模块40获取全距误差值通过以下方式获得：

获得完成第一层曝光工艺的基板上的多个检测点的实际全距值以及这些检测点的期望全距值，将全距误差值最大的检测点的全距误差值作为完成第一层曝光工艺的基板的全距误差值；

或如果全距误差值有多个，分别对应基板样本上的多个检测点；以及，

在反馈模块50中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距误差值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

通过上述基板全距调控装置，调整模块根据全距变化值获取模块提供的全距变化量进行调整，再按照调整后的基准坐标进行第一层曝光工艺的加工。之后再对得到的第一层曝光工艺的基板的实际全距值进行判断，如果满足要求就按照此全距变化值进行批量生产，否则就进入反馈模块，以全距误差值作为新的全距变化量重新进行调整，直至符合要求为止。该装置根据薄膜晶体管(TFT)阵列基板实际全距值与期望全距值进行计算得到的全距变化值，在第一层曝光过程中根据此全距变化值对待曝光基板的全距初始基准坐标进行调整，便可实现最终全距相对于热制程(如PECVD)等工艺参数变更前无明显变化(或变化量极其微小)，保证在液晶盒对盒工艺与彩膜基板对盒的精准性。本发明提供的全距调整方法具有操作简便易行以及零成本等优点，同时可节省通常由于薄膜晶体管(TFT)阵列基板的全距值变化而变更彩膜工艺曝光掩膜板设计所需的大量人力和物力，具有较高的推广价值。

以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。

Claims (16)

1.一种基板的全距调控方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得所述基板样本的全距变化值；

S2、根据所述全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到所述待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标；

S3、利用所述第一层全距调整后基准坐标对所述待曝光基板进行第一层曝光工艺；

S4、将完成所述第一层曝光工艺的基板的实际全距值，与该基板的期望全距值进行比较，获得全距误差值；如果所述全距误差值小于等于预设全距误差阈值，则将所述第一层全距调整后基准坐标作为所述待曝光基板的第一层曝光工艺的标准全距基准坐标，如果所述全距误差值大于所述预设全距误差阈值，则进行步骤S5；

S5、将所述全距误差值作为S2中所述的全距变化值，将所述第一层全距调整后基准坐标作为S2中所述的第一层全距初始基准坐标，进行步骤S2，获得新的第一层全距调整后基准坐标。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述全距误差值大于所述预设全距误差阈值的情况中，在进行步骤S3之前，如果待曝光的基板上有之前曝光工艺所剩余的光刻胶，则所述方法还包括对该剩余的光刻胶进行去除并重新形成一层光刻胶的步骤。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距误差值为±3μm。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距变化值通过以下方式获得：

获得所述基板样本上的至少一个检测点的实际全距值以及所述检测点的期望全距值，根据全距变化值最大的检测点的全距变化值获得所述基板样本的全距变化值。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距变化值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在S2中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距变化值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距误差值通过以下方式获得：

获得所述完成所述第一层曝光工艺的基板上的多个检测点的实际全距值以及这些检测点的期望全距值，将全距误差值最大的检测点的全距误差值作为所述完成所述第一层曝光工艺的基板的全距误差值。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距误差值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在S5中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距误差值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距变化值为所述实际全距值与所述期望全距值得到的差值。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整具体包括：在所述第一层全距初始基准坐标上加或减所述差值。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距变化值为所述实际全距值减去所述期望全距值得到的差值除以所述实际全距值得到的比值。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述S2中对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整具体包括：根据所述比值和所述第一层全距初始基准坐标得到调整量，再用所述第一层全距初始基准坐标加或减所述调整量。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述S2中对第一层全距初始基准坐标进行调整通过以下至少一种方式实现：调整曝光机的位置、改变曝光机中光源的布局、改变曝光机中光源的位置、改变曝光机中光源的角度、改变曝光机中光源的正交度、改变曝光机中光源的旋转量。

13.一种基板的全距调控装置，其特征在于，所述装置包括：全距变化值获取模块和调整模块；

所述全距变化值获取模块根据已完成全部曝光工艺的基板样本的实际全距值，与该基板的期望全距值，获得所述基板样本的全距变化值；

所述调整模块根据所述全距变化值，对待曝光基板的第一层曝光工艺中的第一层全距初始基准坐标进行调整，得到所述待曝光基板的第一层全距调整后基准坐标；

所述装置还包括：第一判断模块和反馈模块；

所述第一判断模块将完成所述第一层曝光工艺的基板的实际全距值，与该基板的期望全距值进行比较，获得全距误差值；如果所述全距误差值小于等于预设全距误差阈值，则将所述第一层全距调整后基准坐标作为所述待曝光基板的第一层曝光工艺的标准全距基准坐标，如果所述全距误差值大于所述预设全距误差阈值，则进入所述反馈模块；

所述反馈模块将所述全距误差值作为所述调整模块中所述的全距变化值，将所述第一层全距调整后基准坐标作为所述调整模块中所述的第一层全距初始基准坐标，进入所述调整模块，获得新的第一层全距调整后基准坐标。

14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：第一层曝光工艺加工模块，利用所述第一层全距调整后基准坐标对所述待曝光基板进行第一层曝光工艺。

15.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述全距变化值获取模块通过以下方式获得所述全距变化值：

获得所述基板样本上的至少一个检测点的实际全距值以及所述检测点的期望全距值，根据全距变化值最大的检测点的全距变化值获得所述基板样本的全距变化值；

或如果所述全距变化值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在所述调整模块中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距变化值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。

16.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第一判断模块获取所述全距误差值通过以下方式获得：

获得所述完成所述第一层曝光工艺的基板上的多个检测点的实际全距值以及这些检测点的期望全距值，将全距误差值最大的检测点的全距误差值作为所述完成所述第一层曝光工艺的基板的全距误差值；

或如果所述全距误差值有多个，分别对应所述基板样本上的多个检测点；以及，

在所述反馈模块中，是针对至少一个检测点，根据该检测点的全距误差值对该检测点处对应的第一层全距初始基准坐标进行调整。