CN104749896B - 光学邻近修正方法 - Google Patents

Abstract

一种光学邻近修正方法，所述光学邻近修正方法包括：提供曝光光源，所述光源为非对称光源，所述非对称光源在第一方向上的光强与第二方向上的光强有差异；提供待修正图形，根据所述曝光光源的光强分布，将所述待修正图形中的图形拆分为第一方向图形和第二方向图形，所述第一方向图形的长度延伸方向为第一方向，所述第二方向图形的长度延伸方向为第二方向；采用第一方向模型对所述第一方向图形进行光学邻近修正，采用第二方向模型对所述第二方向图形进行光学邻近修正，获得待曝光的修正图形。所述光学邻近修正方法可以提高曝光图形的准确性。

Description

光学邻近修正方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种光学邻近修正方法。

背景技术

光刻技术是半导体制作技术中至关重要的一项技术，其能够实现将图形从掩模版中转移到硅片表面，形成符合设计要求的半导体产品。在光刻工艺过程中，首先，通过曝光步骤，光线通过掩模版中透光的区域照射至涂覆了光刻胶的硅片上，并与光刻胶发生光化学反应；接着，通过显影步骤，利用感光和未感光的光刻胶对显影剂的溶解程度，形成光刻图案，实现掩模版图案的转移；然后，通过刻蚀步骤，基于光刻胶层所形成的图案对硅片进行刻蚀，将掩模版图案进一步转移至硅片上。

光刻工艺的工艺精确度直接影响到半导体产品的良率，而光刻工艺步骤中的误差主要包括曝光显影误差以及刻蚀误差。随着集成电路设计的高速发展，掩模版图的尺寸日益缩小，光学邻近效应越来越明显，即在曝光显影步骤中，光线穿过掩模版中的透光区域并在硅片表面的光刻胶上形成掩模版图案时，所形成的光刻图案相较于掩模版图会出现变形和偏差，也就是曝光显影误差。此外，根据光刻图案对硅片进行刻蚀的过程，可采用化学刻蚀，也可采用物理刻蚀，其中也存在着一定的误差。

为了保证产品尺寸的精确度，通常采用光学邻近修正（OPC）方法，对光刻过程中的误差进行修正。其中，在基于模型的光学邻近修正过程中，首先采用测试掩模版进行曝光，测量实际曝光所获得的曝光图形的尺寸，并获得测试数据；然后将所述测试数据与测试掩膜版的图形数据进行比较和拟合建立光学邻近修正模型。通过将该光学邻近修正模型应用于待光刻图案的尺寸数据，能够获得与实际光刻相同的结果，从而可对光刻过程以及光刻过程的误差进行模拟和监控。因此建立能够准确地符合实际曝光情况的光学邻近修正模型至关重要。

在一定的工艺节点下，芯片的多晶硅层中，作为半导体器件的多晶硅栅极的图形都是沿掩膜版的第一方向，而第二方向的多晶硅图形仅作为连接结构，所以对第一方向图形的尺寸要求会更严格些，所以对于掩膜版上的第一方向图形，需要有更加准确的光学邻近修正模型。而采用现有的光学邻近模型对掩膜图形进行修正后进行曝光得到的第一方向图形的尺寸误差较大。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种光学邻近修正方法，提高曝光图形的准确性。

为解决上述问题，本发明提供一种光学邻近修正方法，包括：提供曝光光源，所述光源为非对称光源，所述光源在第一方向上的光强与第二方向上的光强有差异；提供待修正图形，根据所述曝光光源的光强分布，将所述待修正图形中的图形拆分为第一方向图形和第二方向图形，所述第一方向图形的长度延伸方向为第一方向，所述第二方向图形的长度延伸方向为第二方向；采用第一方向模型对所述第一方向图形进行光学邻近修正，采用第二方向模型对所述第二方向图形进行光学邻近修正，获得待曝光的修正图形。

可选的，所述第一方向图形和第二方向图形为分立图形或连续图形。

可选的，获得所述修正图形后，采用双方向模型，对所述修正图形进行光学邻近验证。

可选的，所述第一方向模型的建立方法：通过对具有若干第一方向图形的第一测试掩膜版进行曝光获得第一曝光图形，将所述第一测试掩膜版图形与第一曝光图形的参数进行比较和拟合计算，获得第一方向模型。

可选的，所述第二方向模型的建立方法：将所述具有若干第二方向图形的第二测试掩膜版进行曝光获得第二曝光图形，将所述第二测试掩膜版图形与第二曝光图形的参数进行比较和拟合计算，获得第二方向模型。

可选的，所述双向模型的建立方法：将同时具有若干第一方向图形和第二方向图形的第三测试掩膜版进行曝光获得第三曝光图形，将所述第三测试掩膜版图形与第三曝光图形的参数进行比较和拟合计算，获得第三方向模型。

可选的，对所述修正图形进行光学邻近验证后得到模拟曝光图形，如果所述模拟曝光图形与实际的目标图形之间的误差值大于预设值，则对待修正图形进行补偿形成第二待修正图形；然后再对第二待修正图形采用第一方向模型和第二方向模型进行第二次光学邻近修正，获得第三修正图形；再对第三修正图形进行光学邻近校验；循环上述步骤，直至最终获得的修正图形的模拟曝光图形与目标图形的误差小于预设值。

可选的，先采用第一方向模型对第一图形进行光学邻近修正，然后采用第二方向模型对第二图形进行光学邻近修正。

可选的，先采用第二方向模型对第二图形进行光学邻近修正，然后采用第一方向模型对第一图形进行光学邻近修正。

可选的，所述待修正图形为多晶硅层的刻蚀图形。

可选的，所述非对称光源在第一方向上的光强小于第二方向上的光强。

可选的，所述第一方向与第二方向垂直。

可选的，所述非对称光源为环形光源、双极形光源或四极形光源。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的技术方案中，根据曝光光源的光强分布方向，将待修正图形分为第一方向图形和第二方向图形，然后对所述第一方向图形采用第一方向模型进行光学邻近修正，对第二方向图形采用第二方向模型光学邻近修正，可以避免两个方向上的图形由于光强分布不一致而相互影响的问题，从而提高修正后的修正图形作为掩膜图形进行曝光后获得的曝光图形的准确性。

进一步的，所述第一方向模型和第二方向模型在建模过程中，分别采用第一测试掩膜版和第二测试掩膜版进行曝光。所述第一测试掩膜版上具有第一方向图形，而第二测试掩膜版上具有第二方向图形。由于所述曝光光源为非对称光源，所述非对称光源在第一方向和第二方向上的光强分布有差异，所以分别采用第一测试掩膜版和第二测试掩膜版建立第一方向模型和第二方向模型，由于第一方向图形和第二方向图形由于光强分布不均匀，曝光分辨率不同，分别建立第一方向模型和第二方向模型可以避免在建模过程中，两个方向的图形之间互相影响而导致建立的模型不准确的问题，从而可以使得所述第一方向模型和第二方向模型更加准确。

进一步的，本发明的技术方案中还可以对采用第一方向模型和第二方向模型进行修正得到的修正图形，采用双向模型进行验证。由于双向模型对顶角位置处的轮廓修模拟更加准确，所以采用双向模型对所述修正图形进行验证，可以验证所述修正图形的顶角位置处的修正是否准确，进一步提高所述修正图形进行曝光后得到的曝光图形的准确性。

附图说明

图1是本发明的曝光光源的示意图；

图2至图5是本发明的实施例的建立第一方向模型采用的第一测试掩膜版的图形；

图6至图9是本发明的实施例的建立第二方向模型采用的第二测试掩膜版的图形；

图10至图13是本发明的实施例的建立双向模型采用的第三测试掩膜版的图形；

图14至图16是本发明的实施例的光学邻近修正过程的示意图。

具体实施方式

如背景技术中所述，现有的光学邻近模型对掩膜图形进行修正后进行曝光得到的第一方向图形的尺寸误差较大。

研究发现，随着芯片集成度的不断提高，半导体器件节点的不断缩小，对多晶硅的尺寸要求更加精确，从而对光刻过程的光刻精度提出了更高的要求。为了提高光刻的精度，曝光光源从对称光源转变为非对称光源。

请参考图1，图1为非对称的环形光源的示意图，所述非对成光源10为不连续的环形光场。其中所述非对成光源10在第一方向（Y方向）的光强小于在第二方向（X方向）。采用非对称光源可以提高光刻的精度，并且改善图形线端的毛糙现象使形成的曝光图形的尺寸更加均匀。

由于多晶硅的掩膜图形一般包括第一方向和第二方向两种图形，在非对称光源的曝光条件下，第一方向和第二方向的分辨率不同，现有技术在建立OPC模型的过程中，仍然按照对称光源下建立OPC模型的方式建立可以同时对第一方向和第二方向的图形进行OPC修正的模型。但是，由于在非对称光源的曝光条件下，第二方向和第一方向上的光强不对称，导致最终建立的OPC模型在进行模型校准的过程中，对于第一方向上的图形具有较高的拟合误差，即便在进行模型校正的过程中，将垂直图形的权重调高，也无法将所述拟合误差降至可接受范围。

研究发现，主要是由于曝光光源在第一方向和第二方向上的光强分布不均匀，而OPC模型对第一方向和第二方向的图形修正受到光强参数的影响，在进行模型校准的过程中，调整各个参数的同时，第一方向和第二方向的图形之间又会互相影响导致最终形成的OPC模型的拟合误差会较大。

本发明的实施例中，针对第一方向和第二方向的图形分别建立两个OPC模型，针对待修正图形中的第一方向图形和第二方向图形分别进行OPC修正，这样就避免了光强分布不均匀以及第一方向图形和第二方向图形之间的相互影响的问题，使形成的修正图形作为掩膜版图形进行光刻时，可以获得更准确的曝光图形。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

首先，提供曝光光源，所述光源为非对称光源，所述光源在第一方向上的光强与第二方向上的光强有差异。

所述非对称曝光光源可以是环形光源、双极形光源、四极形光源等光强分布不对称的光源。

本实施例中，所述非对称曝光光源为如图1所示的非对称环形光源。所述非对称光源在第一方向（Y方向）上的光强小于在第二方向（X方向）上的光强，所述第一方向和第二方向垂直。

然后，在所述非对称光源条件下，建立第一方向模型、第二方向模型和双方向模型。

所述第一方向模型是针对第一方向图形（沿Y方向延伸的图形）所建立的模型，可以对第一方向图形进行OPC修正。

采用第一测试掩膜版建立所述第一方向模型，所述第一测试掩膜版上的图形均为第一方向图形。采用所述第一测试掩膜版作为掩膜，在本实施例中的非对称光源的条件进行曝光，对实际曝光所得到的第一曝光图形的尺寸进行测量，并获得测试数据；将所述第一测试掩膜版图形的尺寸数据与第一曝光图形的尺寸数据输入OPC建模软件中，进行比较和拟合计算，获得第一方向模型。

具体的，所述第一测试掩膜版上的图形可以包括如图2至图5中所示的不同尺寸和数量的第一方向图形，所述第一方向图形包括若干平行排布（请参考图2至图4）或在同一直线上两端靠近（请参考图4至图5）的若干图形，并且不同图形之间可以具有不同的宽度、长度以及间距等参数。以上述具有若干第一方向图形的第一测试掩膜版为掩膜，在非对称曝光光源下进行曝光，得到若干第一曝光图形。

将所述第一曝光图形的尺寸数据和第一测试模版上相对应的第一方向图形的尺寸数据进行比较，并通过OPC建模软件，对数据进行比较和拟合计算，获得在上述非对称光源下，对第一方向图形的OPC修正模型。然后，对所述第一方向图形的OPC修正模型进行模拟校正，获得较为准确的第一方向模型。

在本发明的其他实施例中，可以根据不同的半导体工艺的节点，设计合适的第一测试掩膜版的图形，以获得较准确的第一方向模型。

由于所述曝光光源为非对称光源，所述非对称光源在第一方向（X方向）和第二方向（Y方向）上的光强分布有差异，在建模过程中只对第一方向图形的曝光数据进行比较和拟合，从而可以使建立的第一方向模型更加准确。

所述第二方向模型是针对第二方向图形（沿X方向延伸的图形）所建立的模型，可以对第二方向图形进行OPC修正。

采用第二测试掩膜版建立所述第二方向模型，所述第二测试掩膜版上的图形均为第二方向图形。采用所述第二测试掩膜版作为掩膜，在本实施例中的非对称光源的条件进行曝光，对实际曝光所得到的第二曝光图形的尺寸进行测量，并获得测试数据；将所述第二测试掩膜版图形的尺寸数据与第二曝光图形的尺寸数据输入OPC建模软件中，进行比较和拟合计算，获得第二方向模型。

具体的，所述第二测试掩膜版上的图形可以包括如图6至图9中所示的不同尺寸和数量的第二方向图形，所述第二方向图形包括若干平行排布（请参考图6至图8）或在同一直线上两端接近（请参考图8至图9）的若干图形，并且不同图形之间可以具有不同的宽度、长度以及间距等参数。以上述具有若干第二方向图形的第二测试掩膜版为掩膜，在非对称曝光光源下进行曝光，得到若干第二曝光图形。

将所述第二曝光图形的尺寸数据和第二测试模版上相对应的第二方向图形的尺寸数据进行比较，并通过OPC建模软件，对数据进行比较和拟合计算，获得在上述非对称光源下，对第二方向图形的OPC修正模型。然后，对所述第二方向图形的OPC修正模型进行模拟校正，获得较为准确的第二方向模型。

本实施例中，通过将第一测试掩膜版的图形旋转90°得到第二测试掩膜版图形。在本发明的其他实施例中，也可以将同一块掩膜版上不同区域分别做为第一测试掩膜版和第二测试掩膜版。

在本发明的其他实施例中，可以根据不同的半导体工艺的节点，设计合适的第二测试掩膜版的图形，以获得较准确的第二方向模型。

由于所述曝光光源为非对称光源，所述非对称光源在第一方向（Y方向）和第二方向（X方向）上的光强分布有差异，在建模过程中只对第二方向图形的曝光数据进行比较和拟合，从而可以使建立的第二方向模型更加准确。

所述双向模型是针对第一方向图形（沿Y方向延伸的图形）和第二方向图形（沿X方向延伸的图形）所建立的模型，可以对第一方向图形和第二方向图形同时进行OPC修正。

采用第三测试掩膜版形成所述双向模型。所述第三测试掩膜版上的图形同时具有第一方向图形和第二方向图形，采用所述第三测试掩膜版作为掩膜，在本实施例中的非对称光源的条件进行曝光，对实际曝光所得到的第三曝光图形的尺寸进行测量，并获得测试数据；将所述第三测试掩膜版图形的尺寸数据与第三曝光图形的尺寸数据输入OPC建模软件中进行比较和拟合计算，获得双向模型。

具体的，所述第三测试掩膜版上的图形可以包括如图10至图13中所示的不同尺寸和数量的第一方向图形和第二方向图形的组合，并且不同图形之间可以具有不同的宽度、长度以及间距等参数。以上述具有若干第一方向图形和第二方向图形的第三测试掩膜版为掩膜，在非对称曝光光源下进行曝光，得到若干第三曝光图形。

将所述第三曝光图形的尺寸数据和第三测试模版上相对应的图形的尺寸数据进行比较，并通过OPC建模软件，对数据进行比较和拟合计算，获得在上述非对称光源下，同时对第一方向图形和第二方向图形进行OPC修正的模型。然后，对所述模型进行模拟校正，获得双向模型。

在本发明的其他实施例中，可以根据不同的半导体工艺的节点，设计合适的第三测试掩膜版的图形，以获得较准确的双向模型。

由于所述曝光光源为非对称光源，所述非对称光源在第一方向和第二方向上的光强分布有差异。所述第三测试掩膜版上同时具有第一方向和第二方向的图形，从而在建立的双向模型中，同时包含了第一方向图形和第二方向图形的修正因子，由于所述曝光光源在第一方向和第二方向上的光强分布不均匀，导致第一方向和第二方向上的曝光性能有差异，使得第一方向图形和第二方向图形的修正因子不相同；而所述双向模型是同时根据第一方向图形和第二方向图形建立的，从而形成的双向模型中第一方向图形和第二方向图形的修正因子之间又会相互影响，从而使得所述双向模型的修正准确度降低。

请参考图14，提供待修正图形，所述待修正图形是需要在光刻胶上曝光形成的目标图形。

根据所述曝光光源的光强分布的差异性，将所述待修正图形中的图形拆分为第一方向图形和第二方向图形，所述第一方向图形的长度延伸方向为第一方向，所述第二方向图形的长度延伸方向为第二延伸方向。

本实施例中，所述第一方向为Y方向，第二方向为X方向，所述第一方向和第二方向垂直。

本实施例中，将所述待修正图形拆分为第一方向图形101和第二方向图形102。本实施例中，所述第一方向图形101和第二方向图形102为一个连续的整体图形，所述第一方向图形101和第二方向图形102之间通过虚线拆分。

在本发明的其他实施例中，所述待修正图形还可以是若干分立的图形，所述待修正图形中具有若干第一方向图形和若干第二方向图形。

所述待修正图形可以是多晶硅层的刻蚀图形，多晶硅层刻蚀图形中较多的是作为栅极图形的第一方向图形，以及作为连接结构的第二方向图形。

请参考图15，采用第一方向模型，对所述待修正图形100中的第一方向图形101进行OPC修正，获得第一修正图形200。

由于所述第一方向修正模型是针对第一方向图形进行OPC修正的模型，所以，所述OPC修正软件采用所述第一方向模型对所述待修正图形100（请参考图14）中的第一方向图形101（请参考图14）进行OPC修正，形成修正后的第一方向图形101a，而所述第一方向模型对所述第二方向图形102并不会产生影响。

所以，采用所述第一方向模型对待修正图形进行修正之后获得的第一修正图形200中包括：修正后的第一方向图形101a和未被修正的第二方向图形102。

请参考图16，采用第二方向模型，对所述第一修正图形200（请参考图15）中的第二方向图形102进行OPC修正，获得第二修正图形300。

由于所述第二方向模型是针对第二方向图形进行OPC修正的模型，所以，所述OPC修正软件采用所述第二方向模型对所述待修正图形200（请参考图15）中的第二方向图形102（请参考图15）进行OPC修正，形成修正后的第二方向图形102a，而对已经经过第一方向模型修正过的第一方向图形101a不产生影响。

所以，采用所述第二方向模型对第一修正图200（请参考图15）形进行修正之后获得的所述第二修正图形300中包括：修正后的第一方向图形101a和修正过的第二方向图形102a。

所述第二修正图形300即为经过OPC修正过的待曝光修正图形。

在本发明的其他实施例中，也可以先采用第二方向模型，对所述待修正图形中的第二方向图形进行OPC修正之后，再采用第一方向模型，对所述第一方向图形进行OPC修正，最终得到待曝光的修正图形。

由于所述第一方向模型和第二方向模型是分别针对不同光强分布下的，第一方向图形和第二方向图形进行OPC修正的模型，从而可以使所述第一方向模型和第二方向模型的准确度更高，不会受到不同光强分布、不同图形之间的修正因子的相互干扰，使得对修正图形进行曝光得到的曝光图形与目标图形之间的误差更小。

本实施例中，还包括对所述修正图形的验证过程。

本实施例中，对采用上述方法形成的修正图形，采用双向模型进行验证。

由于受到机台曝光能力限制和OPC模型修正的精度限制，通过第一方向模型和第二方向模型进行修正得到的修正图形、将修正图形转移到掩膜版上得到的掩膜版图形可能与理想的修正图形之间有略微的差距，通过对修正图形的验证过程可以发现这些有差异的地方，并判断上述差异是否在形成产品的可接受范围内。

本实施例中，OPC软件中，通过双向模型对形成的修正图形进行验证，通过输入曝光过程的机台参数，得到曝光后的模拟图形，将所述模拟图形与目标图形进行比较，以验证上述修正图形是否满足要求。

由于第一方向模型和第二方向模型只是单独考虑了两个方向上的OPC修正，可能对待修正图形的顶角位置处（即第一方向边长和第二方向边长相交处）的修正不够准确，而双向模型对顶角位置处的轮廓修模拟更加准确。所以采用双向模型对所述修正图形进行验证，可以验证所述修正图形中对于待修正图形的顶角位置处的修正是否准确。

如果对所述修正图形进行验证之后获得的模拟图形与目标图形进行比较，误差在设定误差之内，则认为所述修正图形满足要求可以作为掩膜图形。

如果所述修正图形进行验证之后获得的模拟图形与目标图形进行比较，误差超出了设定范围，则对待修正图形进行对应的手动补偿获得第二修正图形，例如：模拟图形某位置处的宽度小于实际目标图形的宽度，则可以适当增大待修正图形中相应位置处的宽度，获得第二待修正图形；然后再对所述第二待修正图形采用第一方向模型和第二方向模型进行OPC修正获得第三修正图形；在对第三修正图形进行光学邻近校验；循环上述步骤，直到最终获得的修正图形的模拟图形与目标图形的误差小于预设值，这样经过OPC修正、OPC验证、补偿这样的多次循环过程之后，就可以获得较为准确的掩膜图形了。

发明人采用本实施例中的方法与现有技术中采用双向模型的方法，对第一方向图形进行OPC修正的效果对比。

在28nm的工艺节点下，以非对称光源作为曝光光源：采用双向模型对第一方向的图形进行OPC修正，将得到的修正图形作为掩膜图形进行曝光，得到的曝光图形与目标图形进行对比，误差范围为1.5nm～3.5nm；而采用本实施例的第一方向模型对所述第一方向图形进行OPC修正，将得到的修正图形作为掩膜图形进行曝光，得到的曝光图形与目标图形进行对比，误差范围为1nm～3nm，误差明显下降，基本达到在40nm节点下，采用对称光源作为曝光光源，采用双向模型进形OPC修正的效果。

综上所述，本实施例中的OPC修正方法可以提高在非对称光源下的OPC修正模型的准确度以及曝光图形的准确度。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (13)

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

提供曝光光源，所述光源为非对称光源，所述非对称光源在第一方向上的光强与第二方向上的光强有差异；

提供待修正图形，根据所述曝光光源的光强分布，将所述待修正图形中的图形拆分为第一方向图形和第二方向图形，所述第一方向图形的长度延伸方向为第一方向，所述第二方向图形的长度延伸方向为第二方向；

采用第一方向模型对所述第一方向图形进行光学邻近修正，采用第二方向模型对所述第二方向图形进行光学邻近修正，获得待曝光的修正图形。

2.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一方向图形和第二方向图形为分立图形或连续图形。

3.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，获得所述修正图形后，采用双向模型，对所述修正图形进行光学邻近验证。

4.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一方向模型的建立方法：通过对具有若干第一方向图形的第一测试掩膜版进行曝光获得第一曝光图形，将所述第一测试掩膜版图形与第一曝光图形的参数进行比较和拟合计算，获得第一方向模型。

5.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第二方向模型的建立方法：将具有若干第二方向图形的第二测试掩膜版进行曝光获得第二曝光图形，将所述第二测试掩膜版图形与第二曝光图形的参数进行比较和拟合计算，获得第二方向模型。

6.根据权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述双向模型的建立方法：将同时具有若干第一方向图形和第二方向图形的第三测试掩膜版进行曝光获得第三曝光图形，将所述第三测试掩膜版图形与第三曝光图形的参数进行比较和拟合计算，获得第三方向模型。

7.根据权利要求3所述的光学邻近修正方法，其特征在于，对所述修正图形进行光学邻近验证后得到模拟曝光图形，如果所述模拟曝光图形与实际的目标图形之间的误差值大于预设值，则对待修正图形进行补偿形成第二待 修正图形；然后再对第二待修正图形采用第一方向模型和第二方向模型进行光学邻近修正，获得第三修正图形；再对第三修正图形进行光学邻近校验；循环上述步骤，直至最终获得的修正图形的模拟曝光图形与目标图形的误差小于预设值。

8.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，先采用第一方向模型对第一图形进行光学邻近修正，然后采用第二方向模型对第二图形进行光学邻近修正。

9.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，先采用第二方向模型对第二图形进行光学邻近修正，然后采用第一方向模型对第一图形进行光学邻近修正。

10.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述待修正图形为多晶硅层的刻蚀图形。

11.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述非对称光源在第一方向上的光强小于第二方向上的光强。

12.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述第一方向与第二方向垂直。

13.根据权利要求1所述的光学邻近修正方法，其特征在于，所述非对称光源为环形光源、双极形光源或四极形光源。