CN109359363A - 一种图形密度的分析方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种图形密度的分析方法,用以分析版图的局部图形密度,包括:获取位于待分析版图区域上每一个版图图形的图形属性;对每一个版图图形,基于对应的图形属性设定该版图图形的相关窗口;计算每一个相关窗口的图形密度;以及选取相关窗口的图形密度中的最大值为上述版图的最大局部图形密度,选取相关窗口的图形密度中的最小值为上述版图的最小局部图形密度。根据本发明所提供的分析方法,能够基于版图图形的属性构建检查窗口,使得更准确、有效地获取版图图形上具有最大密度和最小密度的窗口区域,避免了误差与疏漏。
Description
技术领域
本发明涉及可制造性图形设计领域(DFM,Design For Manufacture),尤其涉及集成电路版图设计领域。
背景技术
集成电路版图设计是可制造性图形设计的一个重要组成部分,随着集成电路技术的发展,集成电路版图图形的复杂度不断提高,图形密度分析已成为很多关键层次掩模版数据分析的重要步骤。
在半导体制造过程中,图形密度分布均匀与否对蚀刻工艺及化学机械研磨工艺的影响很大,在图形密度分布不均的情况下,不仅容易加重蚀刻中的负载效应,导致部分图形的最终尺寸与目标尺寸偏离,更容易使图形在化学机械研磨工艺中发生过磨。因此,准确地计算版图的局部密度,找到高风险工艺区域,有利于各模块工程师及时了解产品高风险工艺热点具体位置及图形特性,及早的制定出相应的应对措施,顺利达成产品的流片及量产。
传统的图形密度分析是以固定的步进移动来设置检查窗口,在版图中进行计算,这样会漏掉部分图形的特征,造成密度分析的缺失和偏差。请参考图1、图2A、图2B、图3、图4A、图4B来理解传统的图形密度分析方法,以及其所存在的问题。
图1、图3示出了待分析的数据版图,图中的阴影部分即为版图图形,版图的局部图形密度指的是在待分析的数据版图中根据设计规格确定的预设大小为W*W的区域图形密度,因此,需要在待分析的数据版图中构建该大小为W*W的检查窗口,计算检查窗口中阴影图形面积与检查窗口面积的比例为局部图形密度。
对于图1所示的待分析的数据版图,根据现有的传统图形密度分析方法,W*W的检查窗口是以固定步进遍历数据版图的方式构建的。以下举例说明传统方法的实现步骤:请结合图2A和图2B,以版图的左下顶点为起始点为例,向右、向上构建W*W的检查窗口(如图2A中的粗线条框)并计算该检查窗口中的图形密度。随后以1/2W的步进向右移动,构建W*W的检查窗口并计算该检查窗口中的图形密度,如图2B中的粗线条框,其中,虚线表示了1/2W的步进。以此类推,依次将上述检查窗口以固定步进移动直至版图的两侧边缘并计算每次检查窗口内的图形密度,以获取版图的局部图形密度。虽然在如图1所示出的数据版图的中间部分存在局部图形密度为0%的区域,但从图2A、图2B所示出的虚线可以知道,依据上述传统的图形密度分析方法无法构建该0%区域的检查窗口,因此,现有的传统图形密度分析方法在分析图形密度极小值时存在误差和疏漏。
对于图3所示的待分析的数据版图,根据现有的传统图形密度分析方法,W*W的检查窗口是以固定步进遍历数据版图的方式构建的。以下举例说明传统方法的实现步骤:请结合图4A和图4B,以版图的左上顶点为起始点为例,向右、向下构建W*W的检查窗口(如图4A中的粗线条框)并计算该检查窗口中的图形密度。随后以1/2W的步进向右移动,构建W*W的检查窗口并计算该检查窗口中的图形密度,如图4B中的粗线条框,其中,虚线表示了1/2W的步进。以此类推,依次将上述检查窗口以固定步进移动直至版图的两侧边缘并计算每次检查窗口内的图形密度,以获取版图的局部图形密度。虽然在如图3所示出的数据版图的中间阴影部分存在局部图形密度为100%的区域,但从图4A、图4B所示出的虚线可以知道,依据上述传统的图形密度分析方法无法构建该100%区域的检查窗口,因此,现有的传统图形密度分析方法在分析图形密度极大值时存在误差和疏漏。
由此可知,现有技术中的传统图形密度分析方法存在漏掉部分图形的特征的缺陷,造成密度分析的缺失和偏差。因此,亟需要一种新的图形密度的分析方法,能够有效克服上述问题,精准地计算版图的局部图形密度,获取极值密度,有利于版图设计的监控。
发明内容
以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览,并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。
如上所述,为了能够精确地计算版图的局部图形密度,本发明提供了一种基于版图图形属性的图形密度的分析方法,用以分析版图的局部图形密度,包括:获取位于待分析版图区域上每一个版图图形的图形属性;对每一个版图图形,基于对应的图形属性设定该版图图形的相关窗口;计算每一个相关窗口的图形密度;以及选取相关窗口的图形密度中的最大值为上述版图的最大局部图形密度,选取相关窗口的图形密度中的最小值为上述版图的最小局部图形密度。
如上述的分析方法,可选地,设定上述相关窗口进一步包括,对每一个版图图形,基于对应的图形属性设定该版图图形的第一相关窗口和第二相关窗口,每一个版图图形位于对应的第一相关窗口的内部,每一个版图图形与对应的第二相关窗口邻接且位于该第二相关窗口的外部;选取最大局部图形密度进一步包括在每一个第一相关窗口的图形密度中选取最大值为上述最大局部图形密度;以及选取最小局部图形密度进一步包括在每一个第二相关窗口的图形密度中选取最小值为上述最小局部图形密度。
如上述的分析方法,可选地,上述获取每一个版图图形的图形属性进一步包括:获取该版图图形的最小外接矩形的顶点坐标;以及设定相关窗口进一步包括:针对最小外接矩形的每个顶点为原点的坐标系,在该版图图形所在的象限内设定以该原点为顶点的第一相关窗口,在至少一个其余象限内设定以该原点为顶点的第二相关窗口,其中第一相关窗口和第二相关窗口为矩形。
如上述的分析方法,可选地,上述最小外接矩形的顶点坐标为A(Xl,Yd)、B(Xl,Yu)、C(Xr,Yu)和D(Xr,Yd);其中Xl、Xr为该版图图形在上述待分析版图X方向上的两侧端点坐标,Yd、Yu为该版图图形在上述待分析版图Y方向上的两侧端点坐标。
如上述的分析方法,可选地,上述分析方法还包括:将每一个相关窗口的图形密度与预设最高规格作比较,以标记图形密度超出上述预设最高规格的相关窗口;和/或将每一个相关窗口的图形密度与预设最低规格作比较,以标记图形密度低于上述预设最低规格的相关窗口。
如上述的分析方法,可选地,上述相关窗口为W1*W1的矩形;以及在获取上述图形属性的步骤前,上述方法还包括:对上述版图进行初步筛选,以获取上述待分析版图区域,上述待分析版图区域为W2*W2的矩形,其中,W2大于W1。
如上述的分析方法,可选地,上述初步筛选的步骤进一步包括:设定W2*W2的检查窗口;以S=1/2*W2的步长沿上述版图的X、Y方向移动上述检查窗口以遍历上述版图,并计算每一次步进的检查窗口的图形密度;将上述每一次步进的检查窗口的图形密度与预设的筛选规格作比较,选出图形密度超出预设的筛选规格的检查窗口内的版图区域为上述待分析版图区域。
如上述的分析方法,可选地,上述图形密度为相应窗口内具有版图图形的面积占相应窗口面积的比例。
本发明所提供的图形密度的分析方法,能够基于版图图形的属性构建检查窗口,能够更精确地找出版图中具有最大密度区域和具有最小密度区域,从而更精确地计算出局部图形的极值密度,避免了误差与疏漏。
附图说明
图1示出了待分析的数据版图一示例。
图2A、2B示出了现有技术分析如图1所示的版图的局部图形密度的示意图。
图3示出了待分析的数据版图另一示例。
图4A、4B示出了现有技术分析如图3所示的版图的局部图形密度的示意图。
图5示出了本发明提供的图形密度分析方法的流程简图。
图6示出了待分析的一数据版图另一示例。
图7示出了示出了本发明分析图6中检查窗口700的局部图形密度的示意图。
图8示出了示出了本发明分析图6中检查窗口800的局部图形密度的示意图。
附图标记
700、800 检查窗口
710、810 版图图形
711、811 第一相关窗口
712(1)、712(2)、712(3) 第二相关窗口
812(1)、812(2)、812(3) 第二相关窗口
具体实施方式
给出以下描述以使得本领域技术人员能够实施和使用本发明并将其结合到具体应用背景中。各种变型、以及在不同应用中的各种使用对于本领域技术人员将是容易显见的,并且本文定义的一般性原理可适用于较宽范围的实施例。由此,本发明并不限于本文中给出的实施例,而是应被授予与本文中公开的原理和新颖性特征相一致的最广义的范围。
在以下详细描述中,阐述了许多特定细节以提供对本发明的更透彻理解。然而,对于本领域技术人员显而易见的是,本发明的实践可不必局限于这些具体细节。换言之,公知的结构和器件以框图形式示出而没有详细显示,以避免模糊本发明。
请读者注意与本说明书同时提交的且对公众查阅本说明书开放的所有文件及文献,且所有这样的文件及文献的内容以参考方式并入本文。除非另有直接说明,否则本说明书(包含任何所附权利要求、摘要和附图)中所揭示的所有特征皆可由用于达到相同、等效或类似目的的可替代特征来替换。因此,除非另有明确说明,否则所公开的每一个特征仅是一组等效或类似特征的一个示例。
如上所述,为了解决现有技术在分析图形密度时出现误差与疏漏的情况,本发明提供了图形密度的分析方法,能够基于版图图形的属性构建检查窗口,以准确、有效地获取版图图形上的极值密度区域,避免误差与疏漏。图5示出了本发明提供的图形密度分析方法的流程简图。如图5所示,本发明所提供的分析方法具体包括步骤S101,获取待分析版图区域上每一个版图图形的图形属性;步骤S102,对每一个版图图形,基于对应的图形属性设定该版图图形的相关窗口;步骤S103,计算每一个相关窗口的图形密度;步骤S104,选取相关窗口的图形密度的最大值为最大局部图形密度,选取相关窗口的图形密度的最小值为最小局部图形密度。
具体的,在一实施例中,步骤S101中所获取的上述图形属性可以关联于每一个版图图形的位置信息。可以理解的是,上述待分析版图区域可以是原始数据版图的全部区域,也可以原始数据版图的部分区域。在步骤S102中,所设定的相关窗口均为根据设计规格(design rule)确定的预设大小为W*W的矩形检查窗口,其中W的大小通常在在10um~200um之间。
在上述步骤中,对于每一个版图图形,基于其图形属性,可以分别设立两种类型的相关窗口。一种为使得版图图形位于窗口的内部的第一相关窗口,另一种为使版图图形位于相关窗口外部的第二相关窗口,且第一相关窗口与第二相关窗口均与版图图形邻接。通过尽可能将版图图形设置于第一相关窗口内部的方式,能够使得第一相关窗口更准确地定位到图形密度极大值的位置。同理,通过尽可能将版图图形设置于第二相关窗口外部的方式,能够使得第二相关窗口更准确地定位到图形密度极小值的位置。
在步骤S103中,对于每一个相关窗口(检查窗口)而言,其图形密度即为窗口中具有版图图形的阴影面积占据窗口面积的比例。由于本发明所提供的分析方法在步骤S102中是基于版图图形的图形属性设定检查窗口,能够更有针对性地检查版图图形密度,从而避免现有技术中的分析方法存在的疏漏。
从而,在步骤S104中,可以更精准地从相关窗口的图形密度中选取最大值作为整个待分析版图的最大局部图形密度,选取最小值作为整个待分析版图的最小局部图形密度。在对每一个版图图形分别设定第一相关窗口和第二相关窗口的实施例中,由于第一相关窗口对应于图形密度最大值、第二相关窗口对应与图形密度最小值,因此,在步骤S104中,可以从第一相关窗口的图形密度中选取最大值作为整个待分析版图的最大局部图形密度,从第二相关窗口的图形密度中选取最小值作为整个待分析版图的最小局部图形密度,能够提高筛选效率。
较优地,在另一实施例中,本发明所提供的分析方法还可以包括在步骤S103获取了每一个相关窗口图形密度的基础上,将每一个相关窗口的图形密度与预设规格作比较,以标记出超出规格(OOS,out of spec)的区域。具体的,可以将每一个相关窗口的图形密度与预设规格的上限作比较,标记出图形密度超出预设规格上限值的相关窗口,使得本领域技术人员能够有针对性检查图形密度较高的区域,并在后续的工艺中关注该图形密度较高的区域。基于相同的构思,本发明提供的分析方法还可以将每一个相关窗口的图形密度与预设规格的下限作比较,标记出图形密度低于预设规格下限值的相关窗口,使得本领域技术人员能够有针对性地关注该图形密度较低的区域。
在上述的实施例中,若已经在步骤S102中对每一个版图图形分别设定了第一相关窗口和第二相关窗口,本领域技术人员可以直接将第一相关窗口的图形密度与预设最高规格作比较,将第二相关窗口的图形密度与预设最低规格作比较,以提高筛选效率。
更具体地,在一实施例中,步骤S101中所获取的上述图形属性包括版图图形最小外接矩形的顶点坐标。在步骤S102中,对于每一个版图图形的每一个最小外接矩形的顶点,都可以以该顶点作为原点构建一个坐标系。在该坐标系中,该版图图形的最小外接矩形位于某一特定的象限。在步骤S102中所构建的第一相关窗口以该原点为顶点,并且同样位于该最小外接矩形所在的该特定的象限;所构建的第二相关窗口同样以该原点为顶点,但位于不同于该特定象限的其余象限。
本领域技术人员应当知道,本发明所提供的分析方法可以利用软件来获取版图图形(和/或其最小外接矩形)的顶点坐标,也可通过设计数据来进行逻辑运算得出,或者可以通过现有或将有的技术获取,在此不再赘述。
可以理解的是,对于最小外接矩形的一个顶点,可以构建一个第一相关窗口和至多三个第二相关窗口,本领域技术人员可以根据精度需要调整所构建的第二相关窗口数量。对于一个版图,可以基于其最小外接矩形的四个顶点构建四个第一相关窗口以及至多十二个第二相关窗口,本领域技术人员可以根据精度需要,预设构建相关窗口的规则,例如仅以最小外接矩形的某一或几个特定顶点构建一定数量的第一相关窗口和第二相关窗口。
基于上述构建第一相关窗口和第二相关窗口的构思,可以知道本发明所提供的分析方法能够最大可能地检查出局部图形密度极大或极小的区域,避免遗漏的情况。同时,在上述的实施例中,本发明所提供的分析方法以版图图形的最小外接矩形为基础,即使所分析的版图图形为圆形、三角形、菱形等非矩形图形,同样能够适用本发明所提供的分析方法。本发明所提供的分析方法具有普适性。
在另一实施例中,本发明所提供的分析方法还包括步骤S100,在原始数据版图中筛选出步骤S101-104中的待分析版图区域。上述步骤S100的筛选方法可以采用现有技术中以固定步进移动检查窗口的方式,能够起到降低分析计算量的效果。具体地,对于原始数据版图,若根据设计规格需要检查W*W大小的区域图形密度,在步骤S100中,首先根据不同工艺特性来设定大于W的W’,采用现有技术中的传统密度分析方法,以1/2W’为固定步进,W’*W’为检查窗口大小进行分析。筛选出密度超出筛选规格的W’*W’检查窗口后,将该窗口内的版图区域作为步骤S101-104中的待分析版图区域。
通过初步筛选的步骤,本发明所提供的分析方法能够兼具筛选效率和筛选精度。
以下请结合图6-8进一步理解本发明提供的分析方法的具体实现过程。图6示出了一原始数据版图,由于图6示出的原始数据版图的面积较大,可以先根据现有的传统的分析方法,以步进的方式,筛选出需要进一步分析的超出规格的检查窗口700和检查窗口800。图7进一步示出了检查窗口700中的待分析版图区域,图8进一步示出了检查窗口800中的待分析版图区域。可以看出图7、图8示出了与图1、图3一致的数据版图。如前所述,若根据现有的分析方法,无法分析出图1、图3中局部图形密度为0%或100%的区域。根据本发明所提供的分析方法,则可以分析出该局部图形密度为0%或100%的区域。
请参考图7,图7中的阴影部分示出了在该数据版图上具有5个版图图形。对于每一个版图图形,执行步骤S101,分别获取上述5个版图图形的图形属性。其中,上述图形属性可以关联于每一个版图图形的位置信息。进一步地,上述图形属性可包括每一个版图图形的顶点坐标信息。可以理解的是,上述的顶点坐标信息是相对于以待分析版图左下顶点为原点,待分析版图位于第一象限的坐标系Xo-Yo而言(如图7所示)。以版图图形710为例,版图图形710具有A(Xl,Yd)、B(Xl,Yu)、C(Xr,Yu)和D(Xr,Yd)四个顶点,且Xl、Xr为该版图图形在待分析版图Xo方向上的两侧端点坐标,Yd、Yu为该版图图形在待分析版图Yo方向上的两侧端点坐标。
由于在图7所示的实施例中,版图图形均为矩形,因此,版图图形的最小外接矩形为其自身,而对于版图图形为圆形、三角形、菱形等非矩形图形,通过设定版图图形的最小外接矩形,获取最小外接矩形的顶点的方式,同样能够适用本发明所提供的分析方法。
基于上述图形属性,执行步骤S102,对于5个版图图形分别设定对应的相关窗口。在一实施例中,对于每一个版图图形,可以分别设立两种类型的相关窗口,一种为使得版图图形位于窗口的内部的第一相关窗口,另一种为使版图图形位于相关窗口外部的第二相关窗口,且第一相关窗口与第二相关窗口均与版图图形邻接。通过尽可能将版图图形设置于第一相关窗口内部的方式,能够使得第一相关窗口更准确地定位到图形密度极大值的位置。同理,通过尽可能将版图图形设置于第二相关窗口外部的方式,能够使得第二相关窗口更准确地定位到图形密度极小值的位置。
仍然以版图图形710为例,在已经获取版图图形710顶点坐标信息的情况下,对于其中任意一个顶点,均可以设定相对应的第一相关窗口和第二相关窗口。图7以版图图形710的顶点A为例,构建以顶点A为原点的坐标系xa-ya,在该坐标系中,版图图形710位于第一象限。在步骤S102中构建的第一相关窗口711以顶点A为顶点,且同样位于坐标系xa-ya的第一象限。在步骤S102中可以构建至多三个第二相关窗口712(1)、712(2)、712(3),第二相关窗口712(1)、712(2)、712(3)均以顶点A为顶点,但分别位于坐标系xa-ya的第二象限、第三象限和第四象限。
可以理解的是,对于版图图形710,可以针对顶点A、B、C、D分别构建对应的第一或第二相关窗口,亦可以根据精度需要选择特定的一个或几个顶点并调整所构建的第一或第二相关窗口的数量。对于检查窗口700中的其余版图图形,分别按上述方法进行检查窗口的构建,且,可以根据分析精度需要选择版图图形特定的一个或几个顶点并调整所构建的第一或第二相关窗口的数量。
可以从图7中看出,图7所示出的数据版图具有局部图形密度为0%的区域,根据本发明所提供的分析方法,所构建的第二相关窗口712(1),其窗口内的图形密度为0%,已经可以筛选出如图7所示的数据版图中的局部图形密度极小值,避免了现有技术中无法将如图7所示的局部图形密度为0%的区域筛选出来的疏漏。
请参考图8,图8中的阴影部分示出了在该数据版图上具有1个版图图形。对于该版图图形,执行步骤S101,分别获取上述版图图形的图形属性。其中,上述图形属性可以关联于版图图形的位置信息。进一步地,上述图形属性可包括版图图形的顶点坐标信息。可以理解的是,上述的顶点坐标信息是相对于以待分析版图左下顶点为原点,待分析版图位于第一象限的坐标系Xo-Yo而言(如图8所示)。以版图图形810为例,版图图形810具有A(Xl,Yd)、B(Xl,Yu)、C(Xr,Yu)和D(Xr,Yd)四个顶点,且Xl、Xr为该版图图形在待分析版图Xo方向上的两侧端点坐标,Yd、Yu为该版图图形在待分析版图Yo方向上的两侧端点坐标。
由于在图8所示的实施例中,版图图形为矩形,因此,版图图形的最小外接矩形为其自身,而对于版图图形为圆形、三角形、菱形等非矩形图形,通过设定版图图形的最小外接矩形,获取最小外接矩形的顶点的方式,同样能够适用本发明所提供的分析方法。
基于上述图形属性,执行步骤S102,对于版图图形设定对应的相关窗口。在一实施例中,对于每一个版图图形,可以分别设立两种类型的相关窗口,一种为使得版图图形位于窗口的内部的第一相关窗口,另一种为使版图图形位于相关窗口外部的第二相关窗口,且第一相关窗口与第二相关窗口均与版图图形邻接。通过尽可能将版图图形设置于第一相关窗口内部的方式,能够使得第一相关窗口更准确地定位到图形密度极大值的位置。同理,通过尽可能将版图图形设置于第二相关窗口外部的方式,能够使得第二相关窗口更准确地定位到图形密度极小值的位置。
仍然以版图图形810为例,在已经获取版图图形810顶点坐标信息的情况下,对于其中任意一个顶点,均可以设定相对应的第一相关窗口和第二相关窗口。图8以版图图形810的顶点A为例,构建以顶点A为原点的坐标系xa-ya,在该坐标系中,版图图形810位于第一象限。在步骤S102中构建的第一相关窗口811以顶点A为顶点,且同样位于坐标系xa-ya的第一象限。在步骤S102中可以构建至多三个第二相关窗口812(1)、812(2)、812(3),第二相关窗口812(1)、812(2)、812(3)均以顶点A为顶点,但分别位于坐标系xa-ya的第二象限、第三象限和第四象限。
可以理解的是,对于版图图形810,可以针对顶点A、B、C、D分别构建对应的第一或第二相关窗口,亦可以根据精度需要选择特定的一个或几个顶点并调整所构建的第一或第二相关窗口的数量。对于检查窗口800中的其余版图图形(若存在),分别按上述方法进行检查窗口的构建,且,可以根据分析精度需要选择版图图形特定的一个或几个顶点并调整所构建的第一或第二相关窗口的数量。
可以从图8中看出,图8所示出的数据版图具有局部图形密度为100%的区域,根据本发明所提供的分析方法,所构建的第一相关窗口811,其窗口内的图形密度为100%,已经可以筛选出如图8所示的数据版图中的局部图形密度极大值,避免了现有技术中无法将如图8所示的局部图形密度为100%的区域筛选出来的疏漏。
据此,可以知道,传统的版图图形的局部密度分析会对不同工艺产品的密度分析造成一些漏失。本发明提出的版图图形局部密度分析方法,能够精准地计算出版图图形的局部密度。
列举在实际的操作中,两种方法的对比如下:
表格说明:传统方法按指固定步进移动检查窗口来计算局部密度的方法;本发明方法指按照版图中图形属性来设置检查窗口来计算局部密度的方法。从两种方法最小值/最大值的比较结果来看,本发明提出的方法能够更精准地计算出局部图形的极值密度。
因此,已经描述了本发明所提供的分析方法分析版图的局部图形密度的实施例。尽管已经关于特定的示例性实施例描述了本公开,但将明显的是,可以对这些实施例做出各种修改和改变而不偏离本公开的更广泛的精神和范围。因此,本说明书和附图应被视为是说明性的含义而不是限制性的含义。
应当理解的是,本说明书将不用于解释或限制权利要求的范围或意义。此外,在前面的详细描述中,可以看到的是,各种特征被在单个实施例中组合在一起以用于精简本公开的目的。本公开的此方法不应被解释为反映所要求保护的实施例要求比在每个权利要求中明确列举的特征更多的特征的目的。相反,如所附权利要求所反映的,创造性主题在于少于单个所公开的实施例的所有特征。因此,所附权利要求据此并入详细描述中,其中每个权利要求独立地作为单独的实施例。
在该描述中提及的一个实施例或实施例意在结合该实施例描述的特定的特征、结构或特性被包括在分析方法的至少一个实施例中。在说明书中各处出现的短语一个实施例不一定全部指的是同一实施例。
Claims (8)
1.一种图形密度的分析方法,用以分析版图的局部图形密度,包括:
获取位于所述版图中待分析版图区域上每一个版图图形的图形属性;
对每一个版图图形,基于对应的图形属性设定该版图图形的相关窗口;
计算每一个相关窗口的图形密度;以及
选取相关窗口的图形密度中的最大值为所述版图的最大局部图形密度,选取相关窗口的图形密度中的最小值为所述版图的最小局部图形密度。
2.如权利要求1所述的分析方法,其特征在于,设定所述相关窗口进一步包括,对每一个版图图形,基于对应的图形属性设定该版图图形的第一相关窗口和第二相关窗口,每一个版图图形位于对应的第一相关窗口的内部,每一个版图图形与对应的第二相关窗口邻接且位于该第二相关窗口的外部;
选取最大局部图形密度进一步包括在每一个第一相关窗口的图形密度中选取最大值为所述最大局部图形密度;以及
选取最小局部图形密度进一步包括在每一个第二相关窗口的图形密度中选取最小值为所述最小局部图形密度。
3.如权利要求2所述的分析方法,其特征在于,所述获取每一个版图图形的图形属性进一步包括:获取该版图图形的最小外接矩形的顶点坐标;以及
设定相关窗口进一步包括:针对最小外接矩形的每个顶点为原点的坐标系,在该版图图形所在的象限内设定以该原点为顶点的第一相关窗口,在至少一个其余象限内设定以该原点为顶点的第二相关窗口,其中第一相关窗口和第二相关窗口为矩形。
4.如权利要求3所述的分析方法,其特征在于,所述最小外接矩形的顶点坐标为A(Xl,Yd)、B(Xl,Yu)、C(Xr,Yu)和D(Xr,Yd);其中
Xl、Xr为该版图图形在所述待分析版图区域X方向上的两侧端点坐标,Yd、Yu为该版图图形在所述待分析版图区域Y方向上的两侧端点坐标。
5.如权利要求1所述的分析方法,其特征在于,所述分析方法还包括:
将每一个相关窗口的图形密度与预设最高规格作比较,以标记图形密度超出所述预设最高规格的相关窗口;和/或
将每一个相关窗口的图形密度与预设最低规格作比较,以标记图形密度低于所述预设最低规格的相关窗口。
6.如权利要求1所述的分析方法,其特征在于,所述相关窗口为W1*W1的矩形;以及
在获取所述图形属性的步骤前,所述方法还包括:
对所述版图进行初步筛选,以获取所述待分析版图区域,所述待分析版图区域为W2*W2的矩形,其中,W2大于W1。
7.如权利要求6所述的分析方法,其特征在于,所述初步筛选的步骤进一步包括:设定W2*W2的检查窗口;
以S=1/2*W2的步长沿所述版图的X、Y方向移动所述检查窗口以遍历所述版图,并计算每一次步进的检查窗口的图形密度;
将所述每一次步进的检查窗口的图形密度与预设的筛选规格作比较,选出图形密度超出预设的筛选规格的检查窗口内的版图区域为所述待分析版图区域。
8.如权利要求1-7中任一项所述的分析方法,其特征在于,所述图形密度为相应窗口内具有版图图形的面积占相应窗口面积的比例。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811154697.2A CN109359363B (zh) | 2018-09-30 | 2018-09-30 | 一种图形密度的分析方法 |
US16/203,624 US10762272B2 (en) | 2018-09-30 | 2018-11-29 | Pattern density analysis method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811154697.2A CN109359363B (zh) | 2018-09-30 | 2018-09-30 | 一种图形密度的分析方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109359363A true CN109359363A (zh) | 2019-02-19 |
CN109359363B CN109359363B (zh) | 2023-07-18 |
Family
ID=65348498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811154697.2A Active CN109359363B (zh) | 2018-09-30 | 2018-09-30 | 一种图形密度的分析方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10762272B2 (zh) |
CN (1) | CN109359363B (zh) |
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-
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- 2018-09-30 CN CN201811154697.2A patent/CN109359363B/zh active Active
- 2018-11-29 US US16/203,624 patent/US10762272B2/en active Active
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CN112818632B (zh) * | 2021-01-28 | 2024-02-02 | 上海华力微电子有限公司 | 芯片的图形密度的分析方法、装置及电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10762272B2 (en) | 2020-09-01 |
CN109359363B (zh) | 2023-07-18 |
US20200104455A1 (en) | 2020-04-02 |
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PB01 | Publication | ||
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