JPH1167630A - パターン露光方法 - Google Patents

パターン露光方法

Info

Publication number
JPH1167630A
JPH1167630A JP22129197A JP22129197A JPH1167630A JP H1167630 A JPH1167630 A JP H1167630A JP 22129197 A JP22129197 A JP 22129197A JP 22129197 A JP22129197 A JP 22129197A JP H1167630 A JPH1167630 A JP H1167630A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
exposure
data
belonging
entire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP22129197A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Miyauchi
徹 宮内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu VLSI Ltd, Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu VLSI Ltd
Priority to JP22129197A priority Critical patent/JPH1167630A/ja
Publication of JPH1167630A publication Critical patent/JPH1167630A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は、連続パターンが複数配置された全体
のパターンを露光対象に転写するパターン露光方法に関
し、近接効果の影響を抑止するために、従来のように露
光パターンの補正という長時間かかる方法を用いて行う
こと無く、短時間でかつ確実に所定のパターンを得る。 【解決手段】全体のパターンを複数のパターン部分に分
割して得た複数のパターン部分データを、異なる連続パ
ターンに属するパターン部分同士が相互に近接しないよ
うなパターン部分データの集合に分け、各集合に対応す
る複数の露光データを作成する工程(P14)と、一つ
の集合に属する露光データに基づいて露光対象を露光す
る工程(P15)と、露光後に露光対象表面に帯電した
電荷を除去する工程(P16)と、他の集合に属する露
光データに基づいて露光対象を露光する工程(P17)
とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン露光方法
に関し、更に詳しくいえば連続パターンが複数配置され
た全体のパターンを露光対象に転写するパターン露光方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】以下で、従来のパターン露光方法につい
て図面を参照しながら説明する。近年の半導体デバイス
においては微細化が進んでいる。この結果、パターニン
グ工程において必要なレジストマスクをパターニングす
るための露光をする際に、隣接する露光パターンが近接
することにより、干渉が生じ、実際に露光されるパター
ンが所望のパターンより細くなったり、太くなったりす
るというようにパターン形状が変形し、目的とするパタ
ーンを生成できない場合がある(近接効果)。
【0003】このため、予めこのような近接効果を見越
してパターン形状に補正を行う必要があった。従来は、
例えば線が太くなるような箇所では予めその箇所におけ
るパターンの線幅を細くするというように、所定の設計
パターンを補正しておいて、実際に露光するためのパタ
ーンを決定し、露光を行っていた。この具体的な方法に
ついて図7のフローチャートを参照しながら以下で説明
する。
【0004】まず、図7のステップP1で、設計パター
ンを生成する。この設計パターンは、実際に転写される
パターンに対応したパターンであって、配線の引き回し
などの関係で、複雑な形状のパターンである。その後
は、(1)CAD(Computer Aided Design )システム
を用いて処理する方法(ステップP2→ステップP
3),(2)手作業で処理する方法(ステップP5→ス
テップP6)の2種類の方法がある。
【0005】最初に、上記2種類のうち(1)CADシ
ステムを用いて処理する方法について説明する。この場
合には、ステップP2に移行し、上記の複雑な形状を有
する設計パターンを、複数の単純な基本図形(矩形、三
角形等)に分割して、実際の露光装置の露光範囲に対応
した複数の図形群に分割する。このように設計パターン
を基本図形に分割するのは、パターンを単純化して、露
光装置において必要な露光用パターンデータのデータ量
を低減するためである。
【0006】次いで、ステップP3で、ステップP2で
複数の図形群に分割された設計パターンに、近接効果の
影響を加味した補正を、CADシステムを用いて自動的
に行う。具体的には、矩形の露光基本パターンに、近接
効果の影響が出て線が太くなるような場所では、その矩
形の幅を細くするというような補正を行う。その後はス
テップP4で、ステップP3で得られた補正されたパタ
ーンに従って実際の露光処理を行う。
【0007】一方、上記2種類のうち(2)手作業で処
理する方法では、まず、ステップP5で設計パターンに
直接近接効果の影響を加味した補正を手作業によって行
う。例えば線状のパターンの一部に近接効果の影響が出
て線が太くなることがわかった場合には、その一部の線
幅を細くする。次に、ステップP6において、ステップ
P5で補正された設計パターンを複数の基本図形(矩
形、三角形)に分割し、実際の露光装置の対象となるパ
ターンに変換する。この段階で、この変換されたパター
ンは、近接効果の影響を見越した補正がなされているこ
とになる。
【0008】その後、ステップP4によって、基本図形
に分割された露光パターンに従って露光処理がなされる
ことになる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】従来、近接効果の影響
を回避して正しいパターンの露光を行うためには、上記
のような方法がとられていたが、このようなパターンの
補正は、CADシステムで行うにせよ、手作業で行うに
せよ、相互のパターンの相関関係を検討しながら行うた
め、極めて多くの処理時間を要していた。手作業でやる
のは無論であるが、CADシステムを用いた場合でも、
高速な大型コンピュータを用いて計算したとしても、数
日を要するほどの長時間を要していた。
【0010】また、この方法によると、例えば近接効果
によって線が太ることを防止するため線の一部を細らせ
るような補正を行うと、細らされた部分の角部に細かな
突起が発生してしまうという問題も生じており、さら
に、処理後のパターン数が処理前に比べ、1.5〜5倍
にもなってしまいデータ量が激増するという問題も生じ
ていた。
【0011】本発明はかかる問題点に鑑みて創作された
ものであり、近接効果の影響を抑止するために、従来の
ように露光パターンの補正という長時間かかる方法を用
いて行うこと無く、短時間でかつ確実に所定のパターン
を得ることが可能になるパターン露光方法の提供を目的
とするものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記した課題は、第1の
発明である、連続パターンが複数配置された全体のパタ
ーンを露光対象に転写するパターン露光方法において、
(a)前記全体のパターンに対応する設計パターンデー
タを作成する工程と、(b)前記全体のパターンを複数
のパターン部分に分割し、該複数のパターン部分に対応
する複数のパターン部分データを作成する工程と、
(c)前記複数のパターン部分データを、異なる前記連
続パターンに属するパターン部分同士、或いは一つの前
記連続パターンに属し、かつ近接しているパターン部分
同士が相互に近接しないような前記パターン部分データ
の集合に分ける工程と、(d)前記各集合に対応する複
数の露光データを作成する工程と、(e)一つの集合に
属する前記露光データに基づいて前記露光対象を露光す
る工程と、(f)前記露光後に前記露光対象表面に帯電
した電荷を除去する工程と、(g)前記(e)の工程と
前記(f)の工程を繰り返すことにより前記全体のパタ
ーンを前記露光対象に転写する工程とを有することを特
徴とするパターン露光方法によって解決され、第2の発
明である、前記全体のパターンを複数のパターン部分に
分割する方法は、前記全体のパターンを複数の帯状領域
で区分し、前記連続パターンと前記帯状領域との重なり
部分を前記パターン部分とする方法であることを特徴と
する請求項1記載のパターン露光方法により解決され
る。
【0013】本発明によれば、複数の連続パターンから
なる全体のパターンに対応する設計パターンデータを複
数のパターン部分データに分割し、その複数のパターン
部分データを、異なる連続パターンに属するパターン部
分同士、或いは一つの前記連続パターンに属し、かつ近
接しているパターン部分同士が相互に近接しないような
パターン部分データの集合に分けた上で、各集合の露光
とその露光により露光対象の表面に帯電した電荷の除去
とを交互に繰り返し行って、全体のパターンを露光対象
に転写している。
【0014】ところで、近接効果の発生原因としては、
露光対象の表面に帯電した電荷による影響が大きいこと
がわかっている。本発明では、一つの集合に属するパタ
ーン部分データを露光する際、異なる連続パターンに属
するパターン部分同士等が相互に近接しないように配置
されているので、電荷の帯電による近接効果を防止する
ことができる。
【0015】さらに、一つの集合に属するパターン部分
の露光後に近接効果の原因となる露光対象表面の電荷を
除去した上で、他の集合に属するパターン部分の露光を
行っている。従って、一つの集合に属するパターン部分
と他の集合に属するパターン部分とが近接していても、
前の露光で露光対象の表面に帯電した電荷による近接効
果は生じない。このため、近接効果によるパターンの細
りなどのようなパターン変形を極力抑止することが可能
になる。
【0016】なお、本発明において、設計パターンデー
タを分割する際には、複数の帯状領域によって複数の連
続パターンからなる全体のパターンを分割し、連続パタ
ーンと帯状領域の重なり部分を複数のパターン部分デー
タとしている。その後、複数のパターン部分データを、
異なる連続パターンに属するパターン部分同士が相互に
近接しないようなパターン部分データの集合に分けて、
パターン部分データの出現順に機械的に繰り返し露光単
位を分類していくことにより、条件に適合したパターン
部分データの集合を容易に取得することができる。この
ため、上述の本発明に係るパターン露光方法を容易に実
施することが可能になる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下で、本発明の実施形態に係る
パターン露光方法について図面を参照しながら説明す
る。このパターン露光方法は、不図示の半導体基板上に
形成されたレジスト膜をパターニングするための露光工
程において用いるものである。図1は、本実施形態に係
るパターン露光方法を説明するフローチャートであり、
図2は露光用パターン部分データの生成について説明す
る図である。また、図3は、露光状態について説明する
図であり、図4は露光用データの取得状態を説明する図
である。
【0018】まず、図1のステップP11に示すよう
に、露光すべき全体のパターンに対応する設計パターン
データを生成する。この全体のパターンは、配線の引き
回しなどの関係で、複雑な形状の複数の連続パターンの
集まりとなっている。図2に、その一部である複数の連
続パターン13〜15を示す。次に、ステップP12
で、上述の複雑な形状の全体のパターンを、複数の単純
な基本図形(矩形、三角形、平行四辺形、台形等)に分
割して、実際の露光装置の露光範囲に対応した複数の図
形群に分割する。そして、これを基に対応する露光ブロ
ック単位の設計パターンデータを作成する。例えば、図
2の複数の連続パターン13〜15の集まりを一つの露
光ブロック単位とする。
【0019】次いで、ステップP13で、複数のスリッ
ト(帯状領域)を用いてパターンを区画し、連続パター
ン13〜15をさらに細かく分割する。スリットと連続
パターン13〜15との重なり部分をパターン部分と
し、そのパターン部分に対応したパターン部分データを
作成する。次に、ステップP14で、パターン部分の出
現順に交互にパターン部分を第一露光部11と第二露光
部12とに機械的に分け、各露光部11,12に属する
パターン部分データの集合(第1の露光データ,第2の
露光データ)を作成する。このとき、第一露光部11に
属するパターン部分同士、及び第二露光部12に属する
パターン部分同士は相互に近接しないこととなる。即
ち、異なる連続パターン13〜15に属するパターン部
分同士、或いは一つの連続パターン14に属し、かつ近
接しているパターン部分同士が相互に近接しないことと
なる。
【0020】このようにして、図4に示すような内容の
露光データファイル1と露光データファイル2を作製す
る。このデータの作製について図4で簡単に説明する。
まず図4のステップP41で、設計パターンに対応した
データである設計データを取り込んだのち、ステップP
42で、第一露光部11と第二露光部12とが交互に配
列されるような条件を満たす露光データファイル1と露
光データファイル2を作製する。露光データファイル1
は複数の第一露光部11のみを設計パターンに合せて配
置したパターンデータであり、露光データファイル2は
複数の第二露光部12のみを設計パターンに合せて配置
したパターンデータである。
【0021】次いで、図1のステップP15で、図2の
第一露光部11のみ、露光対象である不図示のレジスト
膜の露光を行う。この露光は、図4で説明した露光デー
タファイル1を不図示の露光装置に取り込み、これに基
づいて露光を行う(図4のステップP43参照)。これ
により、一回目の露光で図3(a)に示すように第一露
光部11のみが露光されることになる。
【0022】次に、図1のステップP16で、前の露光
により露光対象の基板上に帯電した電荷を除去する。こ
の電荷除去は、ニュートライザと一般にいわれる薬剤を
基板上に散布することで行っている(図4のステップP
44参照)。次いで、図1のステップP17で図2の第
二露光部12のレジスト膜の露光を行う。
【0023】この露光は、図4で説明した露光データフ
ァイル2を不図示の露光装置に出力してこれに基づいて
行われる(図4のステップP45参照)。これにより、
二回目の露光で図3(b)に示すように第二露光部12
のみが露光されることになる。以上の工程を経て、一つ
の露光ブロック単位における全ての設計パターンが露光
されることになる(ステップP18)。
【0024】その後、図1のステップP19で、次の露
光ブロック単位についてP14以降の工程を繰り返し、
全ての露光領域が露光されたところで作業を終了する。
尚,本方法は、露光装置のステージ精度に問題がなけれ
ば、図1のステップP13により別々の露光データファ
イルに分割し、第一露光部を全ての露光ブロックに対し
て露光を行ってから、電荷除去を行い、次に第二露光部
を全ての露光ブロックに対して露光を行う方法でもよ
い。
【0025】図5,図6は代表的な露光ブロック単位に
よる露光方法について説明する図である。このうち図5
はステージを止めて必要部分のみを選択的に露光するス
テップ方式による露光、図6はある一定幅をスキャニン
グしながらステージを露光する方法について説明する図
である。図5では、ステップ方式による露光を説明して
いる。このように、露光の際に露光領域をマトリクス状
の露光ブロック単位に分割し、その露光ブロック単位ご
とに、上述の本実施形態に係る露光方法を適用する。
【0026】すなわち、選択された露光ブロック単位3
について、設計パターンを第一露光部11と第二露光部
12とに分割し、第一露光部11の露光を行い、ニュー
トライザによる表面電荷除去を行い、第二露光部12の
露光を行っている。図6では、一定幅をスキャニングし
ながらステージを露光する方法に付いて説明している。
この方法では、露光領域を複数の短冊状の領域に分割
し、その露光ブロック単位ごとに、上述の本実施形態に
係る露光方法を適用している。
【0027】すなわち、図6に示すように、選択された
露光ブロック単位4について、設計パターンを第一露光
部11と第二露光部12とに分割し、第一露光部11の
露光を行い、ニュートライザによる表面電荷除去を行
い、第二露光部12の露光を行っている。以上説明した
ように、本実施形態に係るパターン露光方法によれば、
まず露光ブロック単位ごとに与えられた設計パターン
を、スリットによって複数の矩形等の基本図形に分割
し、これらを第一露光部11と第二露光部12とに分類
し、第一露光部11のみの露光を行った後に露光対象表
面に帯電した電荷を除去し、第二露光部12の露光を行
っている。
【0028】第一露光部11のパターン部分同士、ある
いは第二露光部12のパターン部分同士は、図2に示す
ように、近接せず、それぞれ一つおきに配置されてお
り、第一、第二露光部11,12各々の露光工程に付い
ては近接効果の影響を考えなくてよい程度に1回の露光
パターンが離隔している。また、近接効果の原因として
は、表面にチャージされた電荷によるものが大きいが、
このようにして表面に帯電した電荷を除去した後に第二
露光部12の露光をすることにより、この間での近接効
果の影響を抑止することが可能になる。
【0029】従って、従来のようにパターン補正を行わ
なくともよいので、従来のように手作業もしくはソフト
ウエア処理による補正パターン発生の処理にかかる時間
の大幅な短縮ができ、データハンドリングや、ネットワ
ークの負荷を低減することも可能になる。さらに、設計
パターンデータを分割する際には、複数のスリットによ
って複数の連続パターンからなる全体のパターンを分割
し、連続パターンとスリットの重なり部分を複数のパタ
ーン部分データとしている。
【0030】その後、複数のパターン部分データを、異
なる連続パターンに属するパターン部分同士が相互に近
接しないようなパターン部分データの集合に分けて、パ
ターン部分データの出現順に機械的に繰り返し露光単位
を分類していくことにより、条件に適合したパターン部
分データの集合を容易に取得することができる。さら
に、パターン部分データの集合を格納したデータファイ
ルを分割して出力するのは比較的容易であり、補正パタ
ーンを発生する処理時間を大幅に短縮できる。
【0031】
【発明の効果】以上説明したように本発明のパターン露
光方法によれば、複数の連続パターンからなる全体のパ
ターンに対応する設計パターンデータを複数のパターン
部分データに分割し、その複数のパターン部分データ
を、異なる連続パターンに属するパターン部分同士、或
いは一つの前記連続パターンに属し、かつ近接している
パターン部分同士が相互に近接しないようなパターン部
分データの集合に分けた上で、各集合の露光とその露光
により露光対象の表面に帯電した電荷の除去とを交互に
繰り返し行って、全体のパターンを露光対象に転写して
いる。
【0032】従って、一つの集合に属するパターン部分
と他の集合に属するパターン部分とが近接していても、
前の露光で露光対象の表面に帯電した電荷による近接効
果は生じない。このため、近接効果によるパターンの細
りなどのようなパターン変形を極力抑止することが可能
になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係るパターン露光方法につ
いて説明するフローチャートである。
【図2】本発明の実施形態における設計パターンの分割
について説明する図である。
【図3】本発明の実施形態に係る露光状態について説明
する図である。
【図4】本発明の実施形態に係る露光データの作製につ
いて説明する図である。
【図5】本発明の実施形態のステップ露光への適用例を
説明する図である。
【図6】本発明の実施形態のスキャニング露光への適用
例を説明する図である。
【図7】従来のパターン露光方法について説明するフロ
ーチャートである。
【符号の説明】
1,2 露光データファイル、 3,4 露光ブロック単位、 11 第1露光部(第1の露光データであるパターン部
分データの集合)、 12 第2露光部(第2の露光データであるパターン部
分データの集合)、 13,14,15 設計パターン。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 連続パターンが複数配置された全体のパ
    ターンを露光対象に転写するパターン露光方法におい
    て、 (a)前記全体のパターンに対応する設計パターンデー
    タを作成する工程と、 (b)前記全体のパターンを複数のパターン部分に分割
    し、該複数のパターン部分に対応する複数のパターン部
    分データを作成する工程と、 (c)前記複数のパターン部分データを、異なる前記連
    続パターンに属するパターン部分同士、或いは一つの前
    記連続パターンに属し、かつ近接しているパターン部分
    同士が相互に近接しないような前記パターン部分データ
    の集合に分ける工程と、 (d)前記各集合に対応する複数の露光データを作成す
    る工程と、 (e)一つの集合に属する前記露光データに基づいて前
    記露光対象を露光する工程と、 (f)前記露光後に前記露光対象表面に帯電した電荷を
    除去する工程と、 (g)前記(e)の工程と前記(f)の工程を繰り返す
    ことにより前記全体のパターンを前記露光対象に転写す
    る工程とを有することを特徴とするパターン露光方法。
  2. 【請求項2】 前記全体のパターンを複数のパターン部
    分に分割する方法は、前記全体のパターンを複数の帯状
    領域で区分し、前記連続パターンと前記帯状領域との重
    なり部分を前記パターン部分とする方法であることを特
    徴とする請求項1記載のパターン露光方法。
JP22129197A 1997-08-18 1997-08-18 パターン露光方法 Withdrawn JPH1167630A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22129197A JPH1167630A (ja) 1997-08-18 1997-08-18 パターン露光方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22129197A JPH1167630A (ja) 1997-08-18 1997-08-18 パターン露光方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1167630A true JPH1167630A (ja) 1999-03-09

Family

ID=16764493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP22129197A Withdrawn JPH1167630A (ja) 1997-08-18 1997-08-18 パターン露光方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1167630A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006119475A (ja) * 2004-10-22 2006-05-11 Toppan Printing Co Ltd 近接効果補正方法、フォトマスク、デバイス、近接効果補正装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006119475A (ja) * 2004-10-22 2006-05-11 Toppan Printing Co Ltd 近接効果補正方法、フォトマスク、デバイス、近接効果補正装置
JP4677760B2 (ja) * 2004-10-22 2011-04-27 凸版印刷株式会社 近接効果補正方法、フォトマスク、近接効果補正装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3934719B2 (ja) 光近接効果補正方法
EP1218798B1 (en) Method for generating a set of masks for manufacture of an integrated circuit
US7401319B2 (en) Method and system for reticle-wide hierarchy management for representational and computational reuse in integrated circuit layout design
US4488806A (en) Shot arranging method in a divisional printing apparatus
EP0526376A1 (en) Shape decomposition system and method
US5995878A (en) Method and apparatus for generating exposure data of semiconductor integrated circuit
EP0307726B1 (en) Semiconductor manufacturing process which compensates for the distortion between a pattern on a semiconductor body and the mask from which the pattern is derived
US5008830A (en) Method of preparing drawing data for charged beam exposure system
US5249134A (en) Method of layout processing including layout data verification
US20020108098A1 (en) Method for correcting optical proximity effects
JPH1012510A (ja) 電子線露光装置用露光マスクデータの作成方法および電 子線露光装置用マスク
JPH1167630A (ja) パターン露光方法
JPH11202470A (ja) マスク製造のための近接効果補正方法
JP3526385B2 (ja) パターン形成装置
JP3134857B2 (ja) 電子線露光方法
JP2534383B2 (ja) 露光デ―タ処理方法
JP3360923B2 (ja) 荷電ビーム抽画方法
JPH07109509B2 (ja) レチクル作成方法
JPH0787174B2 (ja) パタ−ン形成方法
JPS6381570A (ja) 電子ビ−ム装置に用いるデ−タ処理方法及びデ−タ処理装置
JPH05234860A (ja) 電子線描画データ作成方式
JP2878551B2 (ja) 露光方法
JP4181205B2 (ja) 光近接効果補正方法
JP2874096B2 (ja) 露光データ生成方法
JPH05251319A (ja) 電子ビーム露光方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20041102