JPH05234860A - 電子線描画データ作成方式 - Google Patents

電子線描画データ作成方式

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JPH05234860A
JPH05234860A JP7346892A JP7346892A JPH05234860A JP H05234860 A JPH05234860 A JP H05234860A JP 7346892 A JP7346892 A JP 7346892A JP 7346892 A JP7346892 A JP 7346892A JP H05234860 A JPH05234860 A JP H05234860A
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JP
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pattern
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electron beam
basic
compressed
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Application number
JP7346892A
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Inventor
Toshio Suzuki
俊夫 鈴木
Hajime Hayakawa
肇 早川
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 設計パターンデータ内の複数回配置されてい
る同一パターンに着目して、電子線描画装置のための描
画データ量を削減することである。 【構成】 設計パターンデータにおいて複数回配置され
ている同一パターンの領域を圧縮対象として画定し(S
1)、設計パターンデータDESから特定される全体の
パターンと、データDESA,DESBによって特定さ
れる同一パターンの夫々に図形加工処理を施して(S
2)、全体パターンPRCと圧縮基本パターンPRC
A,PRCBを得る。そして、同一パターンの配置情報
に基づいて前記圧縮基本パターンのデータを展開して得
られるパターンPRCABを、前記全体パターンから取
り除いて、非圧縮パターンPRC−PRCABのデータ
を生成する。圧縮基本パターンと、同一パターンに関す
る配置情報と、前記非圧縮パターンのデータとを所定の
データフォーマットに変換して(S4)電子線描画デー
タを得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路等の回路
設計パターンデータから電子線描画装置のための描画デ
ータを作成する方式、更に詳しくは、データ量を圧縮し
た描画データを得るための方式に関し、例えば、ASI
C(アプリケーション・スペシフィック・インテグレー
テッド・サーキット)若しくはスタンダードセル方式の
ように同一セルを複数回使用する半導体集積回路の電子
線描画データの作成に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路の大規模化並びに素子の
微細化に伴い、電子線描画装置を利用してフォトマスク
またはウェハ上にマスクパターンを描画する技術が採用
されている。論理設計、回路設計、及びレイアウト設計
によって作成されたLSIの設計パターンデータを用い
て所定のパターンを電子線描画装置で描画するには、設
計パターンデータを電子線描画装置のための描画データ
に変換しなければならない。設計パターンデータは、ウ
ェーハ上のでき上りの寸法通りにパターンを規定するデ
ータであり、このデータに対してシミュレーションやデ
ザインルールチェックが行われる。一方、描画データ
は、描画プロセスやウェーハプロセスでの寸法のずれを
吸収するための補正が施されている必要があり、例えば
設計パターンデータから描画データへの変換の過程にお
いては、図形の重なりによる多重露光によって描画精度
が低下しないようにするための重なり除去、入力パター
ンの拡大・縮小を行なう寸法補正、描画時に発生する電
子線の散乱による近接効果の補正が行われ、更に、その
様に補正されたパターンを電子線描画装置にとって描画
可能な基本図形に分解する処理などが行われる。
【0003】ところで、LSIの大規模化並びに微細化
に伴って電子線描画装置が処理するデータ量は増大の一
途を辿っている。従来の電子線描画技術では、設計パタ
ーンデータを描画データに変換するとき、設計パターン
データによって規定される全ての図形に対して逐一描画
データへの変換が行われていた。これにより、描画デー
タへの変換に必要な計算機処理時間や描画データ量が増
大し、高集積化されたLSIでは描画データへの変換効
率が低下し、且つ、描画データ量も膨大になってしま
う。
【0004】そこで、描画データ量を減らすために描画
データのデータ圧縮を行なう技術が提案されている。例
として、特開昭和57−122529号公報がある。こ
の技術は、同一パターンが等間隔に繰返して配置されて
いる場合に、この繰返しを利用して描画データを圧縮し
ようとするものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、論理L
SIのようなLSIでは、同一パターンは複数回配置さ
れているが、その配置は不規則であり、従来の同一パタ
ーンの完全な繰返しを利用した圧縮技術を利用すること
はできない。そのため、全パターンに対し逐次描画デー
タへの変換を行なわなければならず、描画データ量を圧
縮することができない。
【0006】そこで本発明者は、同一パターンの完全な
繰返しでなくても、同一パターンを要所において複数回
配置して利用した設計パターンデータに対する描画デー
タの圧縮を検討した。この結果、本発明者は、同一パタ
ーンとして基本セルに着目したが、基本セルはそれ単独
で完全な若しくは所要の機能を構成せず、他のパターン
と個別的な重なり(接続)を持つことが多く、データ圧
縮するためには、この重なりを考慮して、データ圧縮を
行なう必要性を見出した。
【0007】本発明の目的は、電子線描画データの作成
にあたり、その入力となる設計パターンデータ中で、複
数回配置される同一パターンを他のパターンとの重なり
を考慮しながら描画データの圧縮が可能な電子線描画デ
ータの作成方式を提供することにある。本発明の別の目
的は、圧縮した描画データを作成するにあたり、電子線
描画装置での描画時間を短くすることが可能な電子線描
画データの作成方式を提供することにある。
【0008】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
【0009】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0010】すなわち、設計パターンデータで複数回配
置されている基本セルパターンのような同一パターン及
びその配置情報を抽出し、設計パターンデータ全体及び
前記同一パターンそれぞれに対して、重なり除去、寸法
補正等の図形加工処理を施す。これは、基本セルパター
ンの様な同一パターンとその他のパターンとの重なりを
考慮するためである。すなわち、図形加工処理の前に全
体のパターンから同一パターンを切離して双方の図形加
工処理を施すと、双方のパターン間に不所望な重なりや
間隙を生じてしまうからである。図形加工処理後、設計
パターンデータに対応する全体のパターンから基本セル
パターンのような同一パターンに対応されるパターンを
取り除くことにより、圧縮対象とされないパターンも得
られる。そして、このようにして得られた圧縮対象パタ
ーン(圧縮基本パターン)と、非圧縮パターンと、圧縮
基本パターンに関する配置情報とを、所定のデータフォ
ーマットに変換して、描画データを得る。描画データへ
のフォーマット変換に際しては、同一パターンに対応す
るパターンについてはその1個分のパターンを変換し、
あとは配置情報のみを変換する。これによって、描画デ
ータ量が削減される。
【0011】また、前記圧縮基本パターンのデータと配
置情報とに対するフォーマット変換では、圧縮基本パタ
ーンに関する配置情報を電子線描画装置による描画行程
に応じて並び変えるようにする。すなわち、同一パター
ンはランダムな位置に複数個配置されていることを想定
すると、描画領域で分割された描画データを、基本セル
パターン毎の順序ではなく、位置的に近い順に出力でき
るように、配置情報を並べ変えて、電子線描画装置の描
画ヘッドが描画のために移動すべき距離を短くし、これ
によってデータ圧縮された描画データを用いた描画時間
を短縮する。
【0012】
【作用】上記した手段によれば、複数個配置されている
同一パターンに対してその出現回数分だけ全てを描画デ
ータに展開しなくても済むように作用し、結果として、
一種類の同一パターンにつき一個の圧縮基本パターンと
その配置情報から、それに対応する描画データを構成す
ることができ、描画データ量の削減を達成する。また、
描画データの出力順序の最適化により、描画時間を短縮
する。
【0013】
【実施例】図3には電子線描画データの全体的な作成手
順の一例が示される。先ず設計パターンデータDESを
計算機1が入力し、これに対して描画データ作成処理が
行なわれ、その結果として描画データDRWが出力され
る。描画データDRWは電子線描画装置2へ転送され、
その描画データDRWにしたがってフォトマスク3やウ
ェーハ4にパターンが描画される。
【0014】図4には一つの半導体チップに関する一つ
のマスクのための設計パターンデータDESの一例構造
が示される。図4に従えば、設計パターンデータDES
は、基本セルに関するデータ(基本セルデータ)DES
1、基本セルに対して付加すべき個別パターンに関する
データ(付加パターンデータ)DES2、及び基本セル
以外の領域の個別パターンに関するデータ(個別パター
ンデータ)DES3によって構成される。基本セルデー
タDES1において、AおよびBは基本セルを意味し、
個別パターンデータDES3においてCは個別パターン
を意味する。ここで、基本セルは、特に制限されない
が、トランジスタなどの回路素子を構成するための所定
のパターンと、選択される機能にかかわらず変更を要し
ない配線パターンなどを規定したものであり、例えばス
タンダードセルの所定パターンを想定することができ
る。付加パターンデータDES2は、基本セルで実現す
べき機能に応じて基本セルの内部パターンの要所を個別
的に接続したり、基本セル間を接続するための個別パタ
ーンである。
【0015】前記基本セルデータDES1は、特に制限
されないが、階層的な構造になっており、図4に従え
ば、基本セルAの配置情報Xai,Yai(i=1〜
5)及び基本セルBの配置情報Xbj,Ybj(j=1
〜10)を持つ上位データと、夫々の基本セルA,Bの
パターンを特定するための基本セルパターンデータDE
SA,DESBを持つ下位データから成る。尚、図4に
おいて一つの基本セルの配置情報Xai,Yai及びX
bj,Ybjは1点を示す座標のように表されている
が、実際にはこれに限定されず、複数点の指定であって
もよく、また基本セルの形状によってはその様にしなけ
ればならない場合もある。
【0016】図1には電子線描画データ作成処理の一例
手順が示される。以下の説明では、図4で説明した設計
パターンデータDESを用いた処理を一例とする。
【0017】(1)複数回配置されている圧縮対象同一
パターン領域の画定 設計パターンデータDESから複数回配置されている同
一パターン領域を索定し、その同一パターンの領域を圧
縮対象として画定させるための配置情報を取得する(ス
テップ1)。この説明では、前記複数回配置されている
同一パターン領域は、前記基本セルA,Bに一致するも
のとし、また、その同一パターン領域を画定させる配置
情報は前記基本セルA,Bの配置情報Xai,Yai及
びXbj,Ybjに一致するものとする。但し、前記同
一パターン領域は必ずしも基本セルに一致させなくても
よい。同一パターンの種類を減らしてその数を増やした
り、或は同一パターン領域を極力大きくするようにした
りして、後述する描画データ量低減の効果を上げること
を想定すると、同一パターン領域の画定範囲を基本セル
とは相違させることができる。また、隣接領域との接続
関係を考慮することによって同一パターン領域を画定す
ることができる。例えば、図5(A)に示されるよう
に、特定のパターン10,11を左右の領域で共有させ
るようにして、数種類の同一パターン領域12、13を
画定したり、図5(B)に示されるように、隣接領域と
の接続状態が相違される特定パターン20,21を除外
して相互に共通の同一パターン領域22を画定したり、
図5(C)に示されるように、接続されるべきパターン
30,31が左右の領域で接触するように、数種類の同
一パターン領域32,33を画定したりすることができ
る。
【0018】(2)図形加工処理 次に、重なり除去や寸法補正などの図形加工処理が行わ
れる(ステップS2)。図形加工処理の対象は、図1の
40で示されるとおり、図4で説明した設計パターンデ
ータDESによって特定される全体的なパターンと、圧
縮対象同一パターンとして抽出された夫々一つの基本セ
ルA,Bとの夫々に対して行われる。図形加工によって
得られるパターンは、図1の41に示される。すなわ
ち、圧縮対象同一パターンとして抽出された基本セルA
については、データPRCAによって特定される圧縮基
本パターンA(以下データPRCAによって特定される
圧縮基本パターンAを単に圧縮基本パターンPRCAと
も記す)が得られる。圧縮対象同一パターンとして抽出
された基本セルBについては、データPRCBによって
特定される圧縮基本パターンB(以下データPRCBに
よって特定される圧縮基本パターンBを単に圧縮基本パ
ターンPRCBとも記す)が得られる。前記設計パター
ンデータDESから把握される全体的なパターンに対し
てはデータPRCによって特定される全体パターンが生
成される(データPRCによって特定される全体パター
ンを以下単に全体パターンPRCとも記す)。
【0019】図形加工処理に関しては、例えば文献「1
981 IEEE 18th Design Auto
mation Conference P.563〜
P.570」に図形オペレーションアルゴリズムとして
示されている。また、文献「1983 IEDM P.
558〜P.561」には近接効果が示されている。
【0020】(3)データ圧縮処理 データ圧縮処理は、図形加工処理によって得られた圧縮
基本パターンPRCA,PRCB、全体パターンPR
C、配置情報xai,yai及びxbj,ybjに基づ
いて行われる。すなわち、前記配置情報xai,yai
及びxbj,ybjに基づいて前記圧縮基本パターンP
RCA,PRCBを展開して得られるパターン(以下単
に展開パターンとも記す)PRCABを、前記全体パタ
ーンPRCから取り除いて、非圧縮パターンPRC−P
RCABを生成する。ここで配置情報xai,yai及
びxbj,ybjは、図形加工後における同一パターン
領域のサイズ変更に伴って更新された配置情報であり、
設計パターンデータDESの配置情報Xai,Yai及
びXbj,Ybjに基づいて取得される。すなわち、図
形加工後における同一パターン領域のサイズが変化して
も、基本セルそれ自体についても別個に図形加工処理が
施されているため、当該図形加工処理前後における領域
の倍率に基づけば、展開パターンPRCABを得るため
の配置情報は容易に更新して取得される。このデータ圧
縮によって取得されるデータは、図1の42に示され
る。
【0021】(4)電子線描画データフォーマットへの
変換 前記圧縮処理後のパターンデータは、電子線描画装置に
よって描画可能なデータフォーマットに変換され、更に
必要に応じてデータの並べ変えが行われて、描画データ
DRWが取得される。描画データフォーマットへの変換
では、圧縮後のパターンに対する基本図形分解(後述す
る)などが行われるが、その描画データDRWは、基本
的には、図1の43で示されるように、非圧縮パターン
PRC−PRCABと、圧縮基本パターンPRCA,P
RCBと、描画に際して圧縮基本パターンPRCA,P
RCBを展開していく順番に配列された配置情報の集合
として把握される。したがって、複数個配置されている
同一パターンに対してその出現回数分だけ全てを描画デ
ータに展開しなくても済み、結果として、一種類の同一
パターンにつき一個の圧縮基本パターンとその配置情報
から、それに関する描画データを構成することができる
から、描画データ量を削減することができる。このよう
にして生成された描画データは電子線描画装置内のメモ
リに格納され、パターンの描画に際してその描画データ
をメモリから読出して描画処理に供せられる。
【0022】図2には前記項目(2)の図形加工処理と
項目(3)のデータ圧縮処理を順次施したときのパター
ンの具体例が示される。同図では図4に示される設計パ
ターンデータのうち基本セルが左からB,A,A,Bの
順に並列する部分を取り上げて図示してある。
【0023】(5)図形加工処理の具体的なパターン例 図2において50は、設計パターンデータDESによっ
て特定される全体的なパターンであり、基本セルデータ
DES1によって特定される一部の基本セルB,A,
A,Bのパターンと、個別パターンデータDES3によ
って特定される個別パターンCの一部と、付加パターン
データDES2によって特定される一部の付加パターン
APの一部(ハッチングを施したパターン)が示されて
いる。圧縮対象同一パターンとしては基本セルパターン
データDESA,DESBによって特定される基本セル
A,Bが抽出されている。図形加工処理は、全体的なパ
ターン50と、基本セルAと、基本セルBとの夫々に対
して行われる。圧縮対象同一パターンとして抽出された
夫々一つの基本セルA,Bについては、夫々圧縮基本パ
ターンPRCA,PRCBが生成される。前記設計パタ
ーンデータから把握される全体的なパターンに対しては
全体パターンPRCが生成される。
【0024】(6)データ圧縮処理のパターン例 データ圧縮処理では、前記配置情報xai,yai及び
xbj,ybjに基づいて前記圧縮基本パターンPRC
B,PRCAを展開して得られるパターンを、前記全体
パターンPRCから取り除いて、非圧縮パターンPRC
−PRCABを生成する。非圧縮パターンPRC−PR
CABに含まれるパターンPRCAPは、付加パターン
APに対応されるパターンである。
【0025】(7)重なり考慮のデータ圧縮 図2の全体パターン50から明らかなように、基本セル
A,Bに対して付加パターンAPはその基本セルの領域
内で重なっている。このとき、図形加工処理は、基本セ
ルA,Bのパターンとその他のパターンとを一緒にした
全体パターン50に対しても行われる。したがって、圧
縮対象セルとしての基本セルA,Bのパターンとその他
のパターンとを最初から別々に切離して図形加工処理を
行った場合に基本セルA,Bと付加パターンAPとの間
で、パターンの重なりや間隙が発生する事態が防止され
る。このようにして図形加工されて得られた全体パター
ンPRCから圧縮基本パターンPRCA,PRCBを引
算する如くデータ圧縮を施すことにより、パターンの重
なりや間隙のないデータ圧縮を施した描画データが作成
される。
【0026】図6には前記図形加工処理の詳細な処理手
順の一例が示され、図7にはその図形加工処理手順にし
たパターン変化の一例が示される。
【0027】(8)図形加工処理の実際 図形加工処理に際して、先ず図形加工処理の動作を制御
するための制御カードすなわち制御情報が入力される。
次いで、パターンデータ(図形データ)が入力され、こ
のパターンデータに対して、倍率、鏡面反転、回転、白
黒反転などが施される。図7の(A)には入力パターン
データとして基本セルA及びそれに重ねられた付加パタ
ーンAPが代表的に示されており、(B)はそれに対し
て倍率変換されたパターンを示す。そして、重なり除
去、微小間隙埋込み、及び寸法補正など、所定の入力図
形加工が施される。図7の(C)は重なり除去されたパ
ターンを示し、図7の(D)は寸法補正されたパターン
(実線パターン)を示す。更に、近接効果補正並びに基
本図形分解が行われる。基本図形分解は電子線描画装置
が描画可能な基本図形に分解する処理であり、例えば、
基本図形は平行な2辺を有する4辺形とされる。図7の
(E)は基本図形に分解した状態のパターンを示す。
【0028】図形加工処理におけるパターンの基本的な
大きさ及び形状は前記近接効果補正を終了すれば画定さ
れる。したがって、前記データ圧縮処理は近接効果補正
後に行うことが望ましい。尚、基本図形に分解した後に
データ圧縮処理を行ってもよい。
【0029】図7の(F)には描画データフォーマット
への変換処理の一つとして把握される描画領域分割が概
念的に示される。描画領域の分割はチップ全体の領域
を、順次描画していく小領域に分割するためのものであ
り、同図において破線で示される一個の小さな矩形が夫
々一つの描画領域とされ、外縁の破線で囲まれた領域が
チップ全体の領域を意味する。
【0030】(9)描画時間の短縮化 図8には描画時間短縮化のための描画データ出力順序が
例示される。同図では理解を容易にするため描画領域分
割によって分割された単位分割領域が基本セルA,Bの
領域に一致しているものとする。このとき、電子線描画
装置の描画ヘッドは単位分割領域単位すなわち基本セル
単位で順次描画を行いながら移動していく。したがっ
て、基本セル単位で出力される描画データの出力順序が
ランダムであると、描画順序も同図(A)に示されるよ
うにランダムになり、電子線描画装置における描画ヘッ
ドの移動距離が長くなって描画時間も長くなる。そこ
で、夫々の同一パターンを代表する圧縮基本パターンの
描画データの出力順序を、描画ヘッドの全体的な移動距
離が最少になるようにする。すなわち、同図(B)に示
されるX方向順、(C)に示されるY方向順、(D)に
示されるスネーク状に蛇行する順に描画データを出力す
る。斯るデータの出力順序は、描画データ中における圧
縮基本パターンの配置情報を、X方向順、Y方向順、ス
ネーク状蛇行順に並び変えることにより実現され、その
順番に従って描画ヘッドを移動しながら対応圧縮基本パ
ターンのデータを描画データとして出力すればよい。こ
れにより、圧縮した描画データを使用するときの描画時
間を極力短縮することが可能になる。
【0031】上記実施例によれば以下の作用効果があ
る。
【0032】(1)複数回配置されている基本セルパタ
ーンのような同一パターンを一つの圧縮基本パターンと
して代表させ、その同一パターンの配置情報に基づいて
その圧縮基本パターンの配置を規定するように、描画デ
ータの圧縮を行うから、描画データ量を削減することが
できる。
【0033】(2)図形加工処理は、基本セルA,Bの
パターンとその他のパターンとを一緒にした全体パター
ン50に対しても行うから、圧縮対象セルとしての基本
セルA,Bのパターンとその他のパターンとを最初から
別々に切離して図形加工処理を行った場合に基本セル
A,Bと付加パターンAPとの間で、パターンの重なり
や間隙が発生する事態を防止することができる。このよ
うにして図形加工されて得られた全体パターンPRCか
ら圧縮基本パターンPRCA,PRCBを引算する如く
データ圧縮を施すことにより、パターンの重なりや間隙
のないデータ圧縮を施した描画データを得ることができ
る。
【0034】(3)前記圧縮基本パターンのデータと配
置情報とに対するフォーマット変換では、同一パターン
はランダムな位置に複数個配置されていることを想定
し、描画領域で分割された描画データを、基本セルパタ
ーン毎の順序ではなく、位置的に近い順に出力できるよ
うに、配置情報を並び変えることにより、電子線描画装
置の描画ヘッドが描画のために移動すべき距離が短くな
り、これによって、データ圧縮された描画データを用い
る描画時間を短縮することができる。
【0035】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定
されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲におい
て種々変更可能であることは言うまでもない。
【0036】例えば、設計パターンデータのデータフォ
ーマットは上記実施例で説明した、基本セルデータ、付
加パターンデータ、及び個別パターンデータに分類され
る構造に限定されず、適宜変更することができる。ま
た、電子線描画装置に描画データを転送するときは、配
置座標に従って順次描画ヘッドを移動しながら同一パタ
ーンを描画していくが、描画対象パターンが同一のパタ
ーンであることは、特定のコード情報によって電子線描
画装置に指示することができる。更にこの場合に、前記
付加パターンのように同一パターンに対して部分的に異
なるパターンに対しては、そのコード情報と共に当該異
なる部分のパターンを転送することができる。
【0037】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるASI
Cやスタンダードセル方式が採用される論理LSIに適
用した場合について説明したが、本発明はそれに限定さ
れず、同一パターンを複数回利用する条件の各種半導体
集積回路や、配線基板などための電子線描画データの作
成に広く適用することができる。
【0038】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0039】すなわち、設計パターンデータの全てのパ
ターンを描画データに変換せず、複数回配置される同一
パターンについては、1か所のみ描画データに変換し、
他の配置場所については、配置情報のみ出力すればよく
描画データ量を削減することができる。また、描画時の
移動距離が最短となるように描画データの出力順序を考
慮することにより描画時間の削減も図れる。
【0040】複数回配置されている基本セルパターンの
ような同一パターンを一つの圧縮基本パターンとして代
表させ、その同一パターンの配置情報に基づいてその圧
縮基本パターンの配置を規定するように、描画データの
圧縮を行うから、描画データ量を削減することができ
る。
【0041】図形加工処理は、同一パターンとその他の
パターンとを一緒にした全体パターンに対しても行うか
ら、圧縮対象パターンとしての同一パターンとその他の
パターンとを最初から別々に切離して図形加工処理を行
った場合にその同一パターンとこれに重なる別のパター
ンとの間でパターンの重なりや間隙が発生する事態を防
止することができる。したがって、このようにして図形
加工されて得られた全体パターンから圧縮基本パターン
を引算する如くデータ圧縮を施すことにより、パターン
の重なりや間隙のないデータ圧縮を施した描画データを
得ることができる。
【0042】前記圧縮基本パターンのデータと配置情報
とに対するフォーマット変換では、描画領域で分割され
た描画データを、基本セルパターン毎の順序ではなく、
位置的に近い順に出力できるように、配置情報を並び変
えるから、電子線描画装置の描画ヘッドが描画のために
移動すべき距離を短くすることができ、これによって、
設計パターンデータによって特定される同一パターンが
ランダムに配置されていても、データ圧縮された描画デ
ータを用いる描画時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明に係る電子線描画データ作成方式
の一実施例説明図である。
【図2】図2は重なり考慮のデータ圧縮処理の具体例を
示す説明図である。
【図3】図3は電子線描画データの全体的な作成手順の
一例説明図である。
【図4】図4は一つの半導体チップに関する一つのフォ
トマスクのための設計パターンデータの一例構造説明図
である。
【図5】図5は圧縮対象とすべき同一パターンの領域を
画定する手法の一例説明図である。
【図6】図6は図形加工処理などの詳細な一例処理手順
を示す説明図である。
【図7】図7は図6の図形加工処理手順にしたパターン
変化の一例説明図である。
【図8】図8は描画時間短縮化のための描画データ出力
順序の一例説明図である。
【符号の説明】
DES 設計パターンデータ DES1 基本セルデータ Xai,Yai 配置情報 Xbi,Ybi 配置情報 A,B 基本セル DESA 基本セルパターンデータ DESB 基本セルパターンデータ DES2 付加パターンデータ AP 付加パターン DES3 個別パターンデータ PRC 全体パターン PRCA 圧縮基本パターン PRCB 圧縮基本パターン PRCAB 展開パターン PRC−PRCAB 非圧縮パターン DRW 描画データ 1 計算機 2 電子線描画装置

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路の設計パターンデータから電子線描
    画装置のための描画データを作成する方式であって、 前記設計パターンデータにおいて、複数回配置されてい
    る同一パターンの領域を圧縮対象として画定させるため
    の配置情報を取得するステップと、 前記配置情報で特定される同一パターンの1個の画定領
    域に図形加工処理を施して、圧縮基本パターンのデータ
    を生成するステップと、 前記設計パターンデータから把握される全体的なパター
    ンに対して図形加工処理を施して全体パターンのデータ
    を生成するステップと前記配置情報に基づいて前記圧縮
    基本パターンのデータを展開して得られるパターンを、
    前記全体パターンから取り除いて、非圧縮パターンのデ
    ータを生成するステップと、 前記圧縮基本パターンのデータと、これによって代表さ
    れる対応同一パターンに関する配置情報と、前記非圧縮
    パターンのデータとを所定のデータフォーマットに変換
    して電子線描画データを得るステップと、 を含んで成ることを特徴とする電子線描画データ作成方
    式。
  2. 【請求項2】 前記図形加工処理は、重なり除去、寸法
    補正、及び近接効果補正を含むことを特徴とする請求項
    1記載の電子線描画データ作成方式。
  3. 【請求項3】 前記圧縮基本パターンのデータと配置情
    報とに対するフォーマット変換は、圧縮基本パターンに
    関する配置情報を電子線描画装置による描画行程に応じ
    て並び変える処理を含むことを特徴とする請求項1又は
    2記載の電子線描画データ作成方式。
JP7346892A 1992-02-25 1992-02-25 電子線描画データ作成方式 Withdrawn JPH05234860A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002057086A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Fujitsu Ltd 描画データ作成方法及び装置
JP2007281488A (ja) * 2000-06-13 2007-10-25 Toshiba Corp 回路パターンの設計方法及び回路パターンの設計システム
JP2022549809A (ja) * 2019-09-23 2022-11-29 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド デジタルリソグラフィデバイス用のデジタルパターンファイルの最適化

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