JPH07109509B2 - レチクル作成方法 - Google Patents

レチクル作成方法

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JPH07109509B2
JPH07109509B2 JP29394188A JP29394188A JPH07109509B2 JP H07109509 B2 JPH07109509 B2 JP H07109509B2 JP 29394188 A JP29394188 A JP 29394188A JP 29394188 A JP29394188 A JP 29394188A JP H07109509 B2 JPH07109509 B2 JP H07109509B2
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孝男 中村
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【発明の詳細な説明】 〔目次〕 概要 産業上の利用分野 従来の技術(第3〜6図) 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段 作用 実施例 本発明の第1実施例(第1図) 本発明の第2実施例(第2図) 発明の効果 〔概要〕 レチクル作成方法に関し、 露光用データ作成の手番および露光用データの容量を減
少させることができ、近年のチップの大型化に対応する
ことができるレチクル作成方法を提供することを目的と
し、 一つのレチクル内に、複数の同一領域を有するレチクル
の作成方法であって、前記領域の設計データを露光用デ
ータに変換する工程と、該露光用データを繰り返し用い
て前記同一領域の露光を行う工程と、を含むことを特徴
とし、または、複数のレチクルのそれぞれに、同一領域
を有するレチクルの作成方法であって、前記領域の設計
データを露光用データに変換する工程と、該露光用デー
タを繰り返し用いて前記同一領域の露光を行う工程と、
を含むことを特徴とする。
〔産業上の利用分野〕
本発明は、レチクル作成方法に係り、詳しくは半導体製
造プロセスで使用するレチクルの作成方法の改良に関す
る。
縮小投影露光では、目的とするパターンより大きい寸法
(各層のパターンが原寸の5倍〜10倍程度)の1チップ
分のマスクを使用し、縮小光学系を用いてウェーハ上に
チップ数だけ繰り返しパターンを縮小転写する。この拡
大寸法マスクをレチクルマスクあるいは単にレチクルと
いう。露光工程のスループットを上げるため、最近はレ
チクルでも数チップ分のパターンを載せることが多い。
このレチクルは磁気テープ(MT)に蓄えられたマスクパ
ターンの座標情報に基づいて各層のレチクルが作成され
る。
近年のレチクル作成方法には大容量の対応と処理の簡略
化が要求されており、1枚のレチクルの作成に複数の露
光用データを組み合わせてレチクルを作成する必要があ
る。
〔従来の技術〕
従来のこの種のレチクルの作成方法としては、例えば第
3〜6図に示すものがある。第3図は1チップ内に同一
領域のある場合のチップパターンを示す図であり、第4
図は第3図に示すチップパターンの設計データからレチ
クルを作成するまでの手順を説明するための図である。
第5図は複数レチクルに同一領域がある場合のチップパ
ターンを示す図であり、第6図は第5図に示すチップパ
ターンの設計データからレチクルを作成するまでの手順
を説明するための図である。
1チップ内に同一領域のある場合 第3図において、1はチップのパターンであり、パター
ン1は図中Aで示されるセル部Aと、例えばセル部Aを
鏡面対象にしてレイアウトしたセル部Bと、セル部A、
Bの周辺部Cと、からなる。
第3図に示すチップパターン1からレチクルを作成する
工程は第4図で示され、大別してマスクパターン設計工
程、露光用データ作成工程、露光工程に分けられる。ま
ず、CADツール(ディジタイザ)を用いて人手により描
かれたレイアウト原図の各層パターンの座標情報をディ
ジタル・データに変換し、ディジタル・データに変換さ
れた各層パターンの座標情報をマスクデータとして磁気
テープまたはディスクに格納する。次いで、露光用デー
タ作成工程に入り、MTに記憶されたマスクデータに基づ
いて計算機により露光用データを一括変換処理により作
成し、この露光用データをMTに出力する。次いで、露光
工程ではMTに記憶された露光用データに基づいて電子ビ
ーム描画装置等のパターン発生装置により配置処理し、
レジスト塗付したマスクブランクを露光してレチクルを
作成する。
複数レチクルに同一領域のある場合 第5図のにおいて、2〜4はチップのパターンで
あり、各チップパターン2〜4には同一領域があるもの
とする。すなわち、パターン2はセル部A、B、Cから
なり、パターン3は該セル部A、B、Cに対応する形で
セル部A′、B、Cを、また、パターン4は該セル部
A′、B、Cに対応する形でセル部A′、B′、Cを持
ち、例えばに示すパターン3のセル部A′はに示す
パターン2のセル部Aの修正部を表し、に示すパター
ン4のセル部B′は更にに示すパターン3のセル部B
の修正部を表している。
第5図に示すチップパターン2、3、4からそれ
ぞれのレチクル、、を作成する工程は第6図で示
される。
第6図に示すように、複数レチクルに同一領域がある場
合であっても同一領域の有無とは無関係に前述した第4
図に示す工程と全く同様の工程で各チップパターン2〜
4毎に処理が進められて各レチクル、、が作成さ
れる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、このような従来のレチクルの作成方法に
あっては、露光用データ作成工程で1チップ内に同一領
域を有する場合又は複数レチクルに同一領域がある場合
に同一のセル部を重複して処理する構成となっていたた
め、近年のように1チップのデータが大容量となった
り、1チップ内に数々の機能が付与されるようになって
くると露光用データ作成工程の手番が大きくなり、かつ
露光用データの容量も膨大なものとなってしまうという
問題点があった。特に、チップの大型化に伴って露光装
置側の容量等の制限により、場合によってはレチクル露
光自体を行うことができないこともある。
そこで本発明は、露光用データ作成の手番および露光用
データの容量を減少させることができ、近年のチップの
大型化に対応することができるレチクル作成方法を提供
することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明による半導体装置の製造方法は上記目的達成のた
め、一つのレチクル内に、複数の同一領域を有するレク
チルの作成方法であって、前記領域の設計データを露光
用データに変換する工程と、該露光用データを繰り返し
用いて前記同一領域の露光を行う工程と、を含むことを
特徴とし、または、複数のレチクルのそれぞれに、同一
領域を有するレチクルの作成方法であって、前記領域の
設計データを露光用データに変換する工程と、該露光用
データを繰り返し用いて前記同一領域の露光を行う工程
と、を含むことを特徴とする。
〔作用〕
本発明では、チップの設計データがチップ内部の領域に
応じて分割され、分割された設計データが露光用データ
に変換される。そして、各領域に応じて分割され作成さ
れた露光用データに基づいて露光が行われる。
したがって、露光用データ作成工程での重複処理を回避
することができ、工程の手番短縮および露光データの容
量の減少が図られる。
〔実施例〕
第1図は本発明に係るレチクル作成方法の第1実施例を
示す図であり、1チップ内に同一領域のある場合のチッ
プパターンに本発明を適用した例である。第1図は第3
図に示すチップパターンの設計データからレチクルを作
成するまでの手順を説明するための図であり、第4図に
示す従来例と同一構成部分には同一符号を付して再度の
説明を省略する。本実施例では、第1図に示すように第
3図に示すパターン1の座標情報をセル部A、セル部B
およびセル部Cの各部分に分割して計算機に入力し、計
算機では各セル部の露光用データを一括変換処理して各
セル部の露光用データを作成する。次いで、露光工程で
は各露光用データに基づいて配置処理するとともに露光
して全体のレチクルを完成する。
したがって、本実施例ではマスク設計パターンをセル部
の区分別に分割して処理を行うようにしているので、露
光用データ作成工程中に重複して処理していた部分を少
なくすることができ、この工程の手番を短縮し、かつ、
露光データの容量の減少を図ることができる。また、従
来例はチップ全体をいわば順次処理により変換処理した
ものということができるのに対し、本実施例はセル部毎
に分割して処理した場合に相当し、該変換処理時に計算
機で並列処理を行うようにすれば工程の手番を格段に短
縮することが可能になる。
以下、本実施例と従来例との手番およびデータ量の比較
を表1に示す。但し、第3図に示すパターン1のセル部
A、B、Cのパターン数比はA:B:C=2:2:1とする。
以上のように、手番の短縮および取扱いデータ量の減少
が見込まれる。
第2図は本発明に係るレチクル作成方法の第2実施例を
示す図であり、複数レチクルに同一領域のある場合のチ
ップパターンに本発明を適用した例である。第2図は第
5図に示すチップパターンの設計データからレチクルを
作成するまでの手順を説明するための図であり、第6図
に示す従来例と同一構成部分には同一符号を付して再度
の説明を省略する。本実施例は、第5図に示されるチ
ップパターン領域を変えることなく、その一部のみを修
正・改良する場合であり、このようなケースは実際上比
較的多い。従来例ではこのような場合でも第6図に示す
ようにチップパターン2〜4毎に処理が進められてお
り、重複処理による手番、データ量の増大を招いていた
が、本実施例によれば設計データから必要とされるセル
部のみのデータを抽出し、該当箇所のみ変換処理を行う
ことで重複部分の処理を回避することができ、過去の資
産を有効に活用することが可能になる。
以下、レチクルが完成するまでの本実施例と従来
例との手番およびデータ量の比較を表2に示す。但し、
第5図に示すパターン2〜4のセル部A、B、Cのパタ
ーン数比はA:B:C=1:1:1とする。
以上のように、手番の短縮および取扱いデータ量の減少
が見込まれる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、露光用データ作成の手番および露光用
データの容量を減少させることができ、近年のチップの
大型化に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るレチクル作成方法の第1実施例を
示すそのチップパターンの設計データからレチクルを作
成するまでの手順を説明するための図、 第2図は本発明に係るレチクル作成方法の第2実施例を
示すそのチップパターンの設計データからレチクルを作
成するまでの手順を説明するための図、 第3〜6図は従来のレチクル作成方法を示す図であり、 第3図は1チップ内に同一領域のある場合のチップパタ
ーンを示す図、 第4図は第3図に示すチップパターンの設計データから
レチクルを作成するまでの手順を説明するための図、 第5図は複数レチクルに同一領域がある場合のチップパ
ターンを示す図、 第6図は第5図に示すチップパターンの設計データから
レチクルを作成するまでの手順を説明するための図であ
る。 1〜4……チップパターン、A、A′、B、B′、C、
……セル部(領域)。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一つのレチクル内に、複数の同一領域を有
    するレチクルの作成方法であって、前記領域の設計デー
    タを露光用データに変換する工程と、該露光用データを
    繰り返し用いて前記同一領域の露光を行う工程と、を含
    むことを特徴とするレチクル作成方法。
  2. 【請求項2】複数のレチクルのそれぞれに、同一領域を
    有するレチクルの作成方法であって、前記領域の設計デ
    ータを露光用データに変換する工程と、該露光用データ
    を繰り返し用いて前記同一領域の露光を行う工程と、を
    含むことを特徴とするレチクル作成方法。
JP29394188A 1988-11-21 1988-11-21 レチクル作成方法 Expired - Lifetime JPH07109509B2 (ja)

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JPH10104814A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Fujitsu Ltd マスクの製造方法
JPH10335202A (ja) 1997-05-28 1998-12-18 Mitsubishi Electric Corp 電子ビームデータ生成装置
AU4167199A (en) 1998-06-17 2000-01-05 Nikon Corporation Method for producing mask

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JPS59133546A (ja) * 1983-01-21 1984-07-31 Hitachi Ltd 半導体装置製造用マスク
JPS61284920A (ja) * 1985-06-10 1986-12-15 Toshiba Corp 半導体装置製造用基板に対する参考情報パタ−ンの形成方法および形成装置
JPS62202519A (ja) * 1986-02-28 1987-09-07 Nec Corp 縮小投影露光装置
JPS63159853A (ja) * 1986-12-24 1988-07-02 Hitachi Ltd レテイクル

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