KR960039163A - 주사 노광 방법 및 주사 노광 방법을 이용한 회로 소자 제조 방법 - Google Patents

주사 노광 방법 및 주사 노광 방법을 이용한 회로 소자 제조 방법 Download PDF

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Abstract

마스크 스테이지와 웨이퍼 스테이지를 동기하여 이동하면서, 마스크 패턴을 웨이퍼상에 노광한다. 마스크와 웨이퍼를 글로벌 정렬을 할 때, 전회(제1레이어)의 주사 노광시의 주사 방향과 이번(제2레이어)의 주사 노광시의 주사 방향을 일치시킨다. 미리 쇼트배열 좌표를 계산하여 정렬할 때는 주사 방향별로 쇼트배열 좌표를 계산한다.

Description

주사 노광 방법 및 주사 노광 방법을 이용한 회로 소자 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시예에 적합한 노광 장치의 개략적인 구성을 도시한 도면.

Claims (6)

  1. 마스크 패턴을 투영광학계의 물체측 투영 시야에 대해 제1의 속도로 이동시킴과 동시에, 상기 마스크 패턴이 노광되는 감광 기판사의 복수의 쇼트영역의 각각을 순차적으로 상기 투영광학계의 상측의 투영 시야에 대해 제2의 속도로 이동시킴으로써, 상기 감광 기판상의 각 쇼트영역을 주사하면서 노광하여 상기 마스크 패턴을 각 쇼트영역에 겹쳐 전사하는 주사 노광 방법에 있어서, 상기 감광 기판상의 임의의 쇼트영역을 제n회째(n2) 주사 노광할 경우, 제n-1회째 이전에 제1의 마스크 패턴으로 주사 노광된 때 상기 임의의 쇼트영역과 제1의 마스크 패턴과의 주사 방향을 기억하는 단계와, 상기 감광 기판상의 상기 임의의 쇼트영역을 상기 n회째에 제2의 마스크 패턴으로 중첩시켜 노광할 때, 상기 임의의 쇼트영역과 상기 제2의 마스크 패턴을 상기 기억된 방향으로 주사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 노광 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 투영광학계는 상기 제1, 제2의 마스크 패턴의 각각을 상기 감광 기판상에 1/M배로 투영하는 축소 투영광학계이며, 상기 제1, 제2의 마스크 패턴의 주사 노광시의 이동 속도에 대해 상기 감광 기판상의 주사 노광시의 이동 속도를 1/M으로 설정하는 것을 특징으로 하는 주사 노광 방법.
  3. 마스크의 회로 패턴의 상을 투영광학계를 통해 감광 기판으로 향해 투영하고, 상기 감광 기판상에 형성되어야만 하는 다수의 쇼트영역 각각을 스텝 앤드 스캔 방식으로 순차적으로 노광하여 상기 마스크의 회로 패턴을 상기 다수의 영역으로 전사하는 주사 노광 방법에 있어서, 제n회째(n2) 주사 노광할 경우, 제n-1회째 이전에 제1마스크 회로 패턴을 상기 감광 기판상의 각 쇼트영역에 주사 노광에 의해 전사할 때의 각 쇼트영역에 대한 주사 방향을 기억하는 단계와, 상기 제n회째 제2마스크의 회로 패턴을 상기 감광 기판상의 각 쇼트영역에 주사 노광에 의해 중첩시켜 전사할 때, 각 쇼트영역에 대한 주사 방향을 상기 기억된 방향과 일치되도록 주사노광하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 노광 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1마스크의 회로 패턴을 상기 감광 기판상의 각 쇼트영역에 주사 노광에 의해 전사할 때의 각 쇼트영역마다의 주사 방향은, 서로 다른 제1과 제2의 두 가지 방향으로 분류하여 기억되며, 상기 제1의 방향으로 주사 노광된 쇼트영역의 제1배열 좌표를 산출하는 단계와, 상기 제2의 방향으로 주사 노광된 쇼트영역의 제2배열 좌표를 산출하는 단계와, 상기 제1의 배열 좌표에 따라서, 상기 제1의 방향으로 주사 노광된 쇼트영역에 상기 제2마스크의 회로 패턴을 주사 노광에 의해 중첩시켜 전사하는 단계와, 상기 제2의 배열좌표에 따라서, 상기 제2의 방향으로 주사 노광된 쇼트영역에 상기 제2마스크의 회로 패턴을 주사 노광함으로써 중첩하여 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 주사 노광 방법.
  5. 마스크 패턴이 투영광학계 물체측의 투영 시야에 대해 제1의 속도로 이동할 수 있는 마스크를 준비하는 단계와, 상기 마스크의 패턴이 노광에 의해 전사되는 감광 기판상 중 적어도 하나의 쇼트영역이, 상기 투영광학계 상측의 투영 시야에 대해 제2의 속도로 이동할 수 있는 감광 기판을 준비하는 단계와, 상기 마스크를 상기 제1의 속도로 이동시키는 것과 동기하여, 상기 감광 기판을 상기 제2의 속도로 이동시킴으로써, 상기 감광 기판상의 적어도 하나의 쇼트영역에 주사 노광에 의해 제1의 마스크 패턴을 전사하는 단계와, 상기 주사 노광시의 상기 주사 방향을 기억하는 단계와, 상기 제1의 마스크 패턴을 전사된 쇼트영역 중 적어도 하나의 쇼트영역에 대해 수행하는 상기 주사 노광보다 나중에 수행되는 주사 노광주에, 상기 기억된 주사 방향과 동일한 방향으로 주사 노광하면서, 제2의 마스크 패턴을 상기 제1의 마스크 패턴이 전사된 쇼트영역에 겹쳐 전사하는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 주사 노광 방법.
  6. 마스크의 회로 패턴의 상을 투영광학계를 통해 감광성의 기판을 향해 투영하고, 상기 기판상에 형성되어야만 하는 다수의 쇼트영역 각각을 순차적으로 스텝 앤드 스캔 방식으로 노광해서, 상기 마스크의 회로 패턴을 상기 다수의 쇼트영역에 전사함으로써, 상기 기판상에 회로 소자를 제조하는 방법에 있어서, (a) 상기 기판상에 회로 소자의 제n-1층용의 회로 패턴을 노광하여 전사하기 위한 n-1번째의 마스크를 준비하는 단계와; (b) 상기 기판상에 형성해야만 하는 다수의 쇼트영역 설계 데이터에 근거하여, 상기 기판상의 다수의 쇼트영역 각각에 상기 n-1번째의 마스크 회로 패턴을 주사 노광하여 전사하기 위한 주사 시퀀스를 결정하는 단계와; (c) 상기 결정된 주사 시퀀스에 따라서, 상기 기판 표면에 형성된 감광층상의 상기 다수의 쇼트영역 각각에 대응한 위치에 상기 n-1번째의 마스크 회로 패턴을 스텝 앤드 스캔 방식으로 노광에 의해 전사하는 단계와; (d) 상기 제 n-1층용의 마스크에 노광된 기판을 화학적 또는 물리적으로 처리하여 상기 회로 소장의 제n-1층을 형성한 후, 다음 제n층의 노광 준비를 위해서 상기 기판 표면에 감광층을 형성하는 단계와; (e) 상기 제n층용의 회로 패턴을 노광에 의해 전사하기 위한 n번째의 마스크를 준비하고, 상기 제n-1층이 형성된 기판상의 다수 쇼트영역의 각각을, 상기 n-1번째의 마스크에 의한 주사 노광시의 주사 시퀀스와 동일한 주사 시퀀스에 의해 상기 n번째의 마스크 회로 패턴을 스텝 앤드 스캔 방식으로 노광에 의해 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 회로 소자 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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