WO2004111728A1 - データ保存方法及びデータ保存装置 - Google Patents

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WO2004111728A1
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rectangles
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Kazuhiko Takahashi
Taketoshi Omata
Kazuhito Honma
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Fujitsu Limited
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    • G06T7/11Region-based segmentation
    • GPHYSICS
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    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Definitions

  • the present invention relates to a data storage method and a data storage device for storing pattern data of a photomask such as a mask reticle created in a semiconductor device manufacturing process.
  • a photomask is a component in which an electronic circuit pattern is formed of a material that does not transmit light on a transparent substrate such as glass.
  • a photomask is used when a circuit pattern is transferred onto a wafer by a photolithography method used in a semiconductor device manufacturing process.
  • photomasks created in a semiconductor device manufacturing process. Roughly speaking, photomasks are used to form a circuit pattern on a photomask that is the same size as that of a semiconductor device, and are used for batch transfer onto a mask, and a reticle used in a reduction projection exposure apparatus (stepper). There is. Generally, these are generally called a photomask.
  • reticles have become the mainstream of masks used in photolithography.
  • the black and white image of the pattern is determined according to the resist. Further, as the pattern shape becomes complicated, the data amount of a pattern such as a photomask tends to increase.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-151286 discloses a method of performing exposure without using multiple exposure for correction exposure when the GHOST method is used for proximity effect correction in electron beam exposure.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-029199 discloses a beam exposure. A method for producing inverted mask pattern data for exposing a resist to produce a photomask is shown.
  • the data amount of a pattern such as a photomask tends to increase with the miniaturization of the semiconductor device.
  • the black and white image of the pattern is fixedly determined according to the resist.
  • the turn data is divided into a plurality of areas (here, a certain area set by the exposure Z inspection data is called a field)
  • a field when storing individual patterns for each field, Each pattern is saved with the determined white or black image.
  • each pattern in each field is stored as a white image.
  • pattern data is saved as a black image in accordance with the registry, the individual patterns for each buoy node will be saved as a black image.
  • the conventional data storage method described above has a problem of storing an unnecessarily large amount of data and further increasing the amount of data.
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a data storage method and a data storage device for storing pattern data for LSI manufacturing, in which data is stored with a minimum necessary data amount.
  • a data storage method includes a region dividing procedure of inputting black-and-white pattern data of a photomask for manufacturing a semiconductor device and dividing the region into a plurality of regions. Or divided into multiple rectangles and the divided
  • a data storage device of the present invention includes: a region dividing means for inputting data of a black and white pattern of a photomask for manufacturing a semiconductor device and dividing the data into a plurality of regions; A first calculating unit that divides the pattern into one or a plurality of rectangles and calculates the number of the divided rectangles, and inverts the black and white pattern for each area, and converts the black pattern corresponding to the original white pattern. A second calculating unit that divides the image into one or a plurality of rectangles and calculates the number of the divided rectangles; and, for each region, a rectangle that constitutes the original black pattern calculated by the first calculating unit.
  • a comparison unit that compares the number of the rectangles constituting the original white pattern calculated by the second calculation unit with each other, and selects a smaller number of patterns; and for each region, the comparison unit Puta selected in Characterized in that it comprises a recording unit that records on a recording medium as a pattern data for the area down data.
  • the pattern with the smaller number of patterns for each fixed area (field) set by exposure / inspection data is the original white pattern, or Judge whether it is the original black pattern and select and save the data of the pattern with the smaller number of patterns. Therefore, it is possible to save data with a minimum necessary data amount as monochrome pattern data for manufacturing a semiconductor device. As a result, data handling and transfer time can be reduced. In addition, device resources such as an external storage device can be effectively used.
  • FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a data storage device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a functional block diagram of the data storage device according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a flowchart for explaining a data storage method according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a diagram showing an example when the graphic data is divided into a plurality of fields.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining an example of processing performed on field A in the data of FIG.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining an example of processing performed on the field KB in the data of FIG.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining an example of processing performed on the field C in the data of FIG.
  • FIG. 8 is a diagram for explaining an example of processing performed on field D in the data of FIG.
  • FIG. 9 is a diagram showing an example in which the data storage method of the present invention is applied to an actual pattern.
  • FIG. 10 is a diagram showing an example in which the data storage method of the present invention is applied to an actual pattern.
  • FIG. 1 shows a configuration of a data storage device according to an embodiment of the present invention.
  • the data storage device of FIG. 1 includes an input device 2, a display device 4, a memory 6, an external storage device 8, a CPU 10, and a communication adapter 12.
  • the input device 2, the display device 4, the memory 6, the external storage device 8, the CPU 10 and the communication adapter 12 are connected to each other by a bus 11.
  • the CPU 10 is a control unit that controls the entire data storage device of FIG.
  • the CPU 10 executes a data storage program stored in the memory 6 in advance, thereby storing a black-and-white pattern data of a photomask for manufacturing a semiconductor device such as an LSI with a minimum necessary data amount. (To be described later).
  • the input device 2 inputs the data of the black and white pattern of the photomask for manufacturing a semiconductor device and takes in the storage medium in the external storage device 8.
  • image data of a black-and-white pattern to be input may be recorded in a recording medium in advance, and the recording medium may be read using the external storage device 8.
  • the display device 4 displays, on a screen, black-and-white pattern image data of a photomask for manufacturing a semiconductor device, which is processed according to the data storage program.
  • FIG. 2 is a functional block diagram of the data storage device according to the embodiment of the present invention.
  • the data storage device of FIG. 2 stores the data of the black and white pattern of the photomask for manufacturing a semiconductor device with a minimum necessary data amount by the data storage program executed by the CPU 10 of FIG.
  • this data storage device has a data input block 21, a region division block 22, a final field judgment block 23, and a rectangular division block.
  • a pattern number calculation block 25 a black-and-white inversion block 26, and a rectangular division block 27. It includes a turn number calculation block 28, a turn number comparison block 29, and a data storage block 30.
  • the data input port 21 uses the input device 2 to input the data of the black and white pattern of the photomask for manufacturing a semiconductor device.
  • the area division block 22 divides the entire input black-and-white pattern data into a plurality of fields (a fixed area set by exposure inspection data). For each of the divided pattern data of the plurality of fields,
  • the final field determination block 23 determines whether or not one field (target field) extracted from the plurality of fields divided by the area division block 22 is the final field. If not the last field, Each processing procedure by the above blocks 24 to 30 is executed on the field. In the case of the last field, when the data storage of the last field (target field) is completed, the processing for the entire data of the inputted monochrome pattern is completed.
  • the rectangular division block 24 divides the black pattern (normal image) of the target field into one or more rectangles.
  • the pattern number calculation block 25 calculates the number A of rectangles of the target field black pattern divided by the rectangular division block 24.
  • the black and white inversion block 26 generates a pattern in which the black and white pattern of the target field is inverted.
  • the rectangular division block 27 divides the black pattern (inverted image corresponding to the original white pattern) of the inverted pattern generated in the black-and-white inversion block 26 into one or a plurality of rectangles.
  • the pattern number calculation block 28 calculates the number B of rectangles of the black pattern (corresponding to the original white pattern) of the target field divided by the rectangle division block 27.
  • the number-of-patterns comparison block 29 is composed of the number A of rectangles forming the original black pattern calculated in the number-of-patterns calculation block 25 and the rectangle forming the original white pattern calculated by the number-of-patterns calculation block 28. Compare the number B with the number of patterns, and select the pattern with the smaller number.
  • the pattern number comparison block 29 selects the original black pattern data. If the number of rectangles A> the number of rectangles B, the number of patterns comparison block 29 selects the original white pattern data. In the latter case (when the original white pattern data is selected), the pattern number comparison block 29 adds inversion flag information indicating that the pattern has been inverted to black and white to the original white pattern data. .
  • the data storage block 30 records the data of the pattern selected in the pattern number comparison block 29 on the recording medium of the external storage device 8 as pattern data for the target field. At this time, if the data of the original white pattern is selected, the above-mentioned inversion flag information is recorded on the recording medium of the external storage device 8 together with the pattern data of the target field. If the target field is not the last field, each processing procedure in block 24-4-30 is repeatedly executed. When the target field is the last field, when the data storage of the last field (target field) is completed, the processing for the entire input black-and-white pattern data ends.
  • the inverted flag information is recorded on the recording medium together with the pattern data of the target field. Therefore, when reading the pattern data of each field from the recording medium, if there is inversion flag information for that field, the read pattern is inverted to use it as a monochrome pattern for semiconductor device manufacturing.
  • FIG. 3 is a flowchart for explaining a data storage method according to an embodiment of the present invention.
  • the data storage method of FIG. 3 uses the data storage program executed by the CPU 10 of FIG. 1 to store the black-and-white pattern data of the photomask for semiconductor device manufacture with a minimum necessary data amount. .
  • step S31 the CPU 10 uses the input device 2 to input the data of the black and white pattern of the photomask for manufacturing a semiconductor device.
  • the entire data is divided into a plurality of fields (a fixed area set by the exposure data).
  • step S32 the CPU 10 divides the black pattern (normal image) of one field (target field) extracted from the plurality of divided fields into one or more rectangles, and The number A of the rectangles of the black pattern of the target field thus calculated is calculated.
  • step S33 the CPU 10 reverses the black and white pattern of the target field. Generate the inverted pattern, divide the generated black pattern of the inverted pattern (inverted image corresponding to the original white pattern) into one or more rectangles, and divide the black pattern ( Calculate the number B of rectangles (corresponding to the original white pattern).
  • step S34 the CPU 10 determines that the number A of the rectangles forming the original black pattern calculated in step S32 is the number B of the rectangles forming the original white pattern calculated in step S33. The following force is determined.
  • step S35 the CPU 10 selects the data of the original black pattern and uses the data of the selected pattern as pattern data for the target field. Record on the recording medium of the external storage device 8. When this step S35 is completed, the CPU 10 moves to the next step S38.
  • step S36 the CPU 10 selects the original white pattern data, and the pattern is added to the selected white pattern data. Inverts flag information indicating that black and white has been inverted.
  • step S37 the CPU 10 records the data of the selected white pattern as pattern data for the target field on the recording medium of the external storage device 8, and adds the data in step S36. Record the inverted flag information that was added.
  • step S37 the CPU 10 moves to the next step S38.
  • step S38 the CPU 10 determines whether or not the target field is the last field among the plurality of fields divided in step S31. If the decision result in the step S38 is NO (the target field is not the last field), the CPU 10 returns to the step S32, and repeats the steps S32—S37 for the pattern data of the next field. Is repeated. If the decision result in the step S38 is YES (the target field is the last field), the processing for the entire data of the inputted black and white pattern ends. Therefore, according to the data storage method of FIG. Since the data can be stored in a minimum number, the amount of data to be stored can be reduced as compared with the conventional case.
  • FIG. 4 shows an example in which graphic pattern data of a photomask for manufacturing a semiconductor device such as an LSI is divided into a plurality of fields.
  • FIG. 5, FIG. 6, FIG. 7, and FIG. 8 are diagrams for explaining examples of processing performed on the buoy nodes 8, B, C, and D in the graphic pattern data of FIG. 4, respectively.
  • FIGS. 5, 6, 7, and 8 (a) shows a state where the original black pattern is rectangularly divided, (b) shows a state where the original white pattern is rectangularly divided, and (c) shows a state where the original white pattern is rectangularly divided.
  • (d) shows the pattern data to be stored.
  • the original black pattern is divided into rectangles for each field, the number A of the divided rectangular patterns is calculated, and the black pattern (inverted black and white) of the inverted image is calculated. (Corresponding to the original white pattern), and calculate the number B of the divided rectangular patterns.
  • the calculated number A of the rectangular patterns is compared with the number B of the rectangular patterns, and the pattern having the smaller number is selected, and the data of the selected pattern is recorded as the pattern data for the field. Save to medium.
  • the number of figure patterns divided into rectangles for each field can be saved with the minimum number required, so that the amount of data to be saved can be reduced as compared with the conventional case.
  • field A in Fig. 5 one rectangular pattern of the original black pattern and two rectangular patterns of the original white pattern are selected. Save as data.
  • the data to be recorded does not include the inversion flag information.
  • field B in Fig. 6 there is one original black pattern rectangular pattern and one original white pattern rectangular pattern, and a black pattern with a small number of patterns is selected and used as field B pattern data. save.
  • the number of patterns of the black pattern is the same as the number of patterns of the white pattern, and a black pattern that does not require black-and-white inversion processing is selected.
  • the data to be recorded does not include the inversion flag information.
  • Figure 7 fields In this example, the original black pattern has three rectangular patterns and the original white pattern has one rectangular pattern. A white pattern with a small number of patterns is selected and stored as field C pattern data. Inversion flag information is added to the data to be recorded and stored.
  • field D in Fig. 8 there are two original black patterns and one original white pattern, and a white pattern with a small number of patterns is selected and stored as field D pattern data. Inversion flag information is added to the data to be recorded and stored.
  • FIG. 9 shows an example in which the data storage method of the present invention is applied to an actual graphic pattern for manufacturing a semiconductor device.
  • FIG. 9 shows the processing procedure of rectangular division and pattern number calculation for one field data after the data of the graphic pattern is input and divided into a plurality of fields.
  • the number of rectangular patterns A of the original black pattern (normal image) is 267
  • the number of rectangular patterns B of the original white pattern (reversed image) is 216.
  • a white pattern (reverse image) with a small number of patterns is selected.
  • the number of figure patterns can be saved with a minimum number.
  • the number of graphic patterns to be stored is reduced by 51 in comparison with 3 ⁇ 4 ⁇ in which the data of the black pattern is stored.
  • FIG. 10 shows an example in which the data storage method of the present invention is applied to an actual figure pattern for manufacturing a semiconductor device.
  • FIG. 10 shows a processing procedure of rectangular division and pattern number calculation for data of one field after data of a graphic pattern is input and divided into a plurality of fields.
  • the original black pattern (normal image) rectangular pattern number A is 71 and the original white pattern (reversed image) rectangular pattern number B is 98. is there.
  • a black pattern (normal image) having a small number of patterns is selected.
  • the total number of figure patterns to be saved is 338 in the case of black pattern selection, and the total number of figure patterns to be saved is in the case of white pattern selection.
  • the total number of graphic patterns to be stored is 287 in the data storage method of the present invention. That is, there are 51 less than in the case of selecting the black pattern, and 27 less than in the case of selecting the white pattern. Therefore, according to the data storage method of the present invention, a small amount of data can be stored as the entire pattern data.
  • the data storage method and the data storage device of the present invention it is possible to reduce the number of rectangularly divided graphic patterns to the minimum necessary for storage, and to reduce the amount of data to be stored by the conventional method. It can be reduced more than the case. This makes it possible to effectively use resources when storing data, and also contributes to a reduction in handling / data transfer time.

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Abstract

半導体装置製造用の白黒パターンのデータを入力して複数の領域に分割する。各領域ごとに、黒パターンを1又は複数個の矩形に分割し、その分割された矩形の個数を算出する。各領域ごとに、白黒パターンを反転し、元の白パターンに対応する黒パターンを1又は複数個の矩形に分割し、その分割された矩形の個数を算出する。各領域ごとに、元の黒パターンを構成する矩形の個数と、元の白パターンを構成する矩形の個数とを大小比較し、個数の少ない方のパターンを選択する。各領域ごとに、選択されたパターンのデータをその領域についてのパターンデータとして記録する。

Description

明細書
データ保存方法及びデータ保存装置 技術分野
本発明は、 半導体装置製造工程で作成される、 マスクゃレチクル等のフォトマ スクのパターンデータを保存するためのデータ保存方法及びデータ保存装置に関 する。 背景技術
近年の LS I等の半導体装置製造工程において、半導体装置の微細化に伴い、 フォトマスク等のパターンのデータ量は増加傾向にある。 また、 図形パターンの 細密化により、 光近接効果補正法 (OPC ; o p t i c a l— p r o x im i t y— c o r r e c t i o n) 等の図形パターン補正処理が必須となっており、 こ のこともパターンのデータ量をさらに増加さ ている。
フォトマスクは、 ガラス等の透明基板上に光を通さない材料で電子回路パター ンを形成した部品である。 フォトマスクは、 半導体装置製造工程に用いられるフ ォトリソグラフィ法で、 ウェハ上に回路パターンを転写する際に用いられる。 半導体装置製造工程で作成されるフォトマスクには、 様々な種類がある。 大別 すると、 フォトマスクには、 半導体装置と等倍の回路パターンをフォトマスク上 に形成し、 ゥヱハ上に一括転写する際に用いられるマスクや、 縮小投影露光装置 (ステツパ) に用いられるレチクルなどがある。 これらを総称してフォトマスク と呼ぶのが一般的である。 近年では、 半導体装置の微細化に伴い、 レチクルがフ ォトリソグラフィ法で使用されるマスクの主流となっている。
従来の LS I製造用パターンデータは、 レジストに合わせてパターンの白黒ィ メージが決まる。 また、 パターン形状の複雑ィ匕に伴い、 フォトマスク等のパター ンのデータ量が増加する傾向にある。
なお、 特開平 6— 151286号公報には、 電子ビーム露光における近接効果 補正に GHO S T法を用いた際の補正用露光に対し多重露光を使用せずに露光す る方法が示されている。 また、 特開平 6— 029199号公報には、 ビーム露光 によってレジストを露光してフォトマスクを製作するための反転マスクパターン データの作成方法が示されている。
上述のように、 L S I等の半導体装置製造用パターンデータにおいて、 半導体 装置の微細化に伴い、 フォトマスク等のパターンのデータ量が増加傾向にある。 従来のデータ保存方法では、 レジストに合わせてパターンの白黒イメージが固 定的に決定される。 すなわち、 ノ《ターンデータを複数の領域 (ここでは、 露光 Z 検査用データで設定される一定の領域をフィールドとよぶ) に分割して、 各フィ ールド毎に個々のパターンを保存する際、 その決定された白又は黒ィメージで 個々のパターンが保存される。
例えば、レジストに合わせて白イメージでパターンデータを保存する場合には、 各フィールドの個々のパターンを白イメージで保存することになる。 逆に、 レジ ス卜に合わせて黒イメージでパターンデータを保存する場合には、 各ブイ一ノレド の個々のパターンを黒ィメージで保存することになる。
し力 し、 パターン形状の複雑ィ匕に伴い、 白イメージで保存するべき各フィール ドのパターン数が、 黒イメージで保存する場合よりも多くなる場合がある。 この 場合、 上記従来のデータ保存方法では、 必要以上に多くのデータ量を保存するこ とになり、 更にデータ量を増加させてしまうという課題がある。
今後、 大規模データのハンドリング、 データ転送やデータ保管に对して、 装置 環境の整備等で対応すること^考えられるが、 装置環境の s のために、 設備投 資などコストの増加が予想される。従って、装置環境の整備の際に必要となるコス トをできる限り低減することが要望されている。 発明の開示
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、 L S I製造用のパターンデー タを保存するデータ保存方法及びデータ保存装置において、 必要最小限のデータ 量で保存することを目的とする。
上記課題を解決するため、 本発明のデータ保存方法は、 半導体装置製造用フォ トマスクの白黒パターンのデータを入力して複数の領域に分割する領域分割手順 と、 各領域ごとに、 黒パターンを 1又は複数個の矩形に分割し、 その分割された 矩形の個数を算出する第 1の算出手順と、各領域ごとに、白黒パターンを反転し、 元の白パターンに対応する黒パターンを 1又は複数個の矩形に分割し、 その分割 された矩形の個数を算出する第 2の算出手順と、 各領域ごとに、 前記第 1の算出 手順で算出した元の黒パターンを構成する矩形の個数と、 前記第 2の算出手順で 算出した元の白パターンを構成する矩形の個数を大小比較し、 個数の少ない方の パターンを選択する比較手順と、 各領域ごとに、 前記比較手順で選択されたバタ ーンのデータをその領域についてのパターンデータとして記録媒体に記録する記 録手順とを有することを特徴とする。
また、 上記課題を解決するため、 本発明のデータ保存装置は、 半導体装置製造 用フォトマスクの白黒パターンのデータを入力して複数の領域に分割する領域分 割手段と、 各領域ごとに、 黒パターンを 1又は複数個の矩形に分割し、 その分割 された矩形の個数を算出する第 1の算出手段と、 各領域ごとに、 白黒パターンを 反転し、 元の白パターンに対応する黒パターンを 1又は複数個の矩形に分割し、 その分割された矩形の個数を算出する第 2の算出手段と、 各領域ごとに、 前記第 1の算出手段で算出した元の黒パターンを構成する矩形の個数と、 前記第 2の算 出手段で算出した元の白パターンを構成する矩形の個数を大小比較し、 個数の少 ない方のパターンを選択する比較手段と、 各領域ごとに、 前記比較手段で選択さ れたパターンのデータをその領域についてのパターンデータとして記録媒体に記 録する記録手段とを備えることを特徴とする。
本発明のデ一タ保存方法及びデータ保存装置によれば、 露光/検査用データで 設定される一定の領域 (フィールド) 毎にパターン数の少ない方のパターンが元 の白パターンであるか、 あるいは、 元の黒パターンであるかを判定し、 パターン 数の少ない方のパターンのデータを選択して保存する。 したがって、 半導体装置 製造用の白黒パターンのデータとして必要最小限のデータ量でデータ保存するこ とができる。 これにより、 データのハンドリングや転送時間を軽減することがで きる。 また、 外部記憶装置等の装置資源を有効に活用することができる。 図面の簡単な説明
本発明の他の目的、 特徴及び利点については、 添付の図面に基づき下記の発明 の詳細な説明を参照することにより明確となる。
図 1は、本発明の実施の一形態に係るデータ保存装置の構成を示すプロック図 である。
図 2は、本発明の実施の一形態に係るデータ保存装置の機能プロック図である。 図 3は、 本発明の実施の一形態に係るデータ保存方法を説明するためのフロー 図である。
図 4は、 図形データを複数のフィールドに領域分割したときの一例を示す図で ある。
図 5は、 図 4のデータ中のフィールド Aに対し行われる処理の例を説明するた めの図である。
図 6は、 図 4のデータ中のフィール KBに対し行われる処理の例を説明するた めの図である。
図 7は、 図 4のデータ中のブイールド Cに对し行われる処理の例を説明するた めの図である。
図 8は、 図 4のデータ中のフィールド Dに対し行われる処理の例を説明するた めの図である。
図 9は、 実際のパターンに本発明のデータ保存方法を適用した例を示す図であ る。
図 1 0は、 実際のパターンに本発明のデータ保存方法を適用した例を示す図で ある。 発明を実施するための最良の形態
本発明の実施の形態を添付の図面を用いて説明する。
図 1は、 本発明の実施の一形態に係るデータ保存装置の構成を示す。
図 1のデータ保存装置は、 入力デバイス 2と、 表示装置 4と、 メモリ 6と、 外 部記憶装置 8と、 C P U 1 0と、 通信アダプタ 1 2とを含む。 入力デバィス 2、 表示装置 4、 メモリ 6、外部記憶装置 8、 C P U 1 0、及び通信アダプタ 1 2は、 バス 1 1により互いに接続されている。
C P U 1 0は、 図 1のデータ保存装置全体を制御する制御部である。 とくに、 C P U 1 0は、 メモリ 6に予め記憶されたデータ保存プログラムを実行すること により、 L S I等の半導体装置製造用フォトマスクの白黒パターンのデータを必 要最小限のデータ量で保存するデータ保存装置 (後述する) を実現する。
入力デバイス 2は、 半導体装置製造用フォトマスクの白黒パターンのデータを 入力して外部記憶装置 8内の記憶媒体に取り込む。 あるいは、 入力すべき白黒パ ターンの画像データを予め記録媒体に記録しておき、 その記録媒体を外部記憶装 置 8を用いて読み込むことも可能である。 あるいは、 外部端末からネットワーク 経由で通信アダプタ 1 2との通信を行うことにより、 受信したデータを外部記憶 装置 8の記録媒体に記録することも可能である。
表示装置 4は、 前記データ保存プログラムに従って処理された、 半導体装置製 造用フォトマスクの白黒バターンの画像データを画面へ表示する。
図 2は、本発明の実施の一形態に係るデータ保存装置の機能プロック図である。 上述のように、 図 2のデータ保存装置は、 図 1の C P U 1 0により実行される データ保存プログラムにより、 半導体装置製造用フォトマスクの白黒パターンの データを必要最小限のデータ量で保存する。
図 2に示したように、 このデータ保存装置は、 データ入カブ口ック 2 1と、 領 域分割プロック 2 2と、 最終フィールド判定プロック 2 3と、 矩形分割プロック
2 4と、 パターン数計算プロック 2 5と、 白黒反転プロック 2 6と、 矩形分割ブ ロック 2 7とノ、。ターン数計算ブロック 2 8とノ、 °ターン数比較プロック 2 9と、 データ保存ブロック 3 0とを含む。
図 2のデータ保存装置において、 データ入カブ口ック 2 1は、 入力デバイス 2 を用いて、 半導体装置製造用フォトマスクの白黒パターンのデータを入力する。 領域分割プロック 2 2は、 入力された白黒パターンのデータ全体を複数のフィ —ルド (露光 検査用データで設定される一定の領域) に領域分割する。 この分 割された複数のフィールドのパターンデータのそれぞれに対し、 上記ブロック 2
3— 3 0による各処理手順が実行される。
最終フィールド判定プロック 2 3は、 領域分割プロック 2 2で分割された複数 のフィールドの中から取り出した一つのフィールド (対象フィールド) が最終の フィールドである力否かを判定する。 最終のフィールドでない場合には、 対象フ ィールドに対し、 上記ブロック 2 4— 3 0による各処理手順が実行される。 最終 のフィールドである場合、 その最終のフィールド (対象フィールド) のデータ保 存が完了すると、入力された白黒パターンのデータ全体に対する処理が終了する。 矩形分割プロック 2 4は、 対象フィールドの黒パターン (通常ィメージ) を 1 又は複数個の矩形に分割する。
パターン数計算プロック 2 5は、 矩形分割プロック 2 4で分割された、 对象フ ィールドの黒パターンの矩形の個数 Aを算出する。
白黒反転ブロック 2 6は、 対象フィールドの白黒パターンを反転させたパター ンを生成する。
矩形分割ブロック 2 7は、 白黒反転ブロック 2 6で生成された反転パターンの 黒パターン (元の白パターンに対応する反転イメージ) を 1又は複数個の矩形に 分割する。
パターン数計算プロック 2 8は、 矩形分割プロック 2 7で分割された、 対象フ ィールドの黒パターン (元の白パターンに対応する)の矩形の個数 Bを算出する。 パターン数比較プロック 2 9は、 パターン数計算ブロック 2 5で算出された、 元の黒パターンを構成する矩形の個数 Aと、 パターン数計算プロック 2 8で算出 された元の白パターンを構成する矩形の個数 Bとを大小比較して、 個数の少ない 方のパターンを選択する。
すなわち、 矩形の個数 A≤矩形の個数 Bの場合には、 パターン数比較ブロック 2 9は元の黒パターンのデータを選択する。 矩形の個数 A >矩形の個数 Bの場合 にはノ ターン数比較ブロック 2 9は元の白パターンのデータを選択する。また、 後者の場合(元の白パターンのデータを選択した場合)、パターン数比較ブロック 2 9は、 元の白パターンのデータに、 パターンが白黒反転されていることを示す 反転フラグ情報を追加する。
データ保存ブロック 3 0は、 パタ一ン数比較ブロック 2 9で選択されたパタ一 ンのデータを対象フィールドについてのパターンデータとして外部記憶装置 8の 記録媒体に記録する。 その際、 元の白パターンのデータを選択した場合には、 前 記反転フラグ情報を、 対象フィールドについてのパターンデータとともに、 外部 記憶装置 8の記録媒体に記録しておく。 対象フィールドが最終のフィールドでない場合には、 上記ブロック 2 4— 3 0 による各処理手順が繰り返し実行される。 対象ブイールドが最終のフィールドで ある場合には、 その最終のフィールド (対象フィールド) のデータ保存が完了す ると、 入力された白黒パターンのデータ全体に対する処理が終了する。
図 2のデータ保存装置においては、 元の白パターンのデータ (反転イメージ) を選択した場合には、 反転フラグ情報が、 対象フィールドのパターンデータとと もに、 記録媒体に記録される。 したがって、 記録媒体から各フィールドのパター ンデータを読み出す際に、 そのフィールドについての反転フラグ情報がある場合 には、 読み出したパターンを反転することにより、 半導体装置製造用の白黒バタ ーンとして使用する。
以上説明したように、 図 2のデータ保存装置によれば、 矩形分割された図形パ ターンの個数を必要最小限にして保存することができるので、 保存すべきデータ 量を従来の場合よりも低減することができる。
図 3は、 本発明の実施の一形態に係るデータ保存方法を説明するためのフロー 図である。
図 2と同様に、 図 3のデータ保存方法は、 図 1の C P U 1 0により実行される データ保存プログラムにより、 半導体装置製造用フォトマスクの白黒パターンの データを必要最小限のデータ量で保存する。
図 3のデータ保存方法が開始すると、ステップ S 3 1において、 C P U 1 0は、 入力デバイス 2を用いて、 半導体装置製造用フォトマスクの白黒パターンのデー タを入力し、 入力された白黒パターンのデータ全体を複数のフィールド (露光ノ 検査用データで設定される一定の領域) に領域分割する。
この分割された複数のフィールドのパターンデータのそれぞれに対し、 下記の 各ステップが実行される。
ステップ S 3 2において、 C P U 1 0は、 分割された複数のフィールドの中か ら取り出した一つのフィールド(对象フィールド) の黒パターン(通常イメージ) を 1又は複数個の矩形に分割し、 その分割された対象フィ一ルドの黒パターンの 矩形の個数 Aを算出する。
ステップ S 3 3において、 C P U 1 0は、 対象フィールドの白黒パターンを反 転させたパターンを生成し、 生成された反転パターンの黒パターン (元の白パタ ーンに対応する反転イメージ) を 1又は複数個の矩形に分割し、 その分割された 対象フィールドの黒パターン (元の白パターンに対応する) の矩形の個数 Bを算 出する。
ステップ S 34において、 CPU 10は、 ステップ S 32で算出された、 元の 黒パターンを構成する矩形の個数 Aが、 ステップ S 33で算出された、 元の白パ ターンを構成する矩形の個数 B以下である力否かを判定する。
ステップ S 34の判定結果が YES (A≤B) の場合、 ステップ S 35におい て、 CPU10は、 元の黒パターンのデータを選択し、 その選択されたパターン のデータを対象フィールドについてのパターンデータとして外部記憶装置 8の記 録媒体に記録する。 このステップ S 35が完了すると、 CPU 10は次のステツ プ S 38に移行する。
一方、 ステップ S 34の判定結果が NO (A>B) の場合、 ステップ S 36に おいて、 CPU10は、 元の白パターンのデータを選択し、 選択された白パター ンのデータに、 パターンが白黒反転されていることを示す反転フラグ情報を 口 する。
ステップ S 36が完了すると、 ステップ S 37において、 CPU 10は、 選択 された白パターンのデータを対象フィールドについてのパターンデータとして外 部記憶装置 8の記録媒体に記録すると共に、 ステップ S 36で追カ卩された反転フ ラグ情報を記録する。 このステップ S 37が完了すると、 CPU10は次のステ ップ S 38に移行する。
ステップ S 38において、 CPU 10は、 対象フィールドがステップ S 31で 分割された複数のフィールドの中の最終のフィールドであるか否かを判定する。 ステップ S 38の判定結果が NO (対象フィールドが最終のフィールドでなレ、) の場合には、 CPU 10は上記ステップ S 32へ戻り、 次のフィールドのパター ンデータについて、 上記ステップ S 32— S 37の各処理手順を繰り返す。 ステップ S 38の判定結果が YES (対象フィールドが最終のフィールドであ る)の場合には、入力された白黒パターンのデータ全体に対する処理が終了する。 したがって、 図 3のデータ保存方法によれば、 矩形分割された図形パターンの 個数を必要最小限にして保存することができるので、 保存すべきデータ量を従来 の場合よりも低減することができる。
図 4は、 L S I等の半導体装置製造用フォトマスクの図形パターンデータを複 数のフィールドに領域分割したときの一例を示す。
図 4の図形データを全体イメージとして、複数のフィールド A、 B、 C、 D (図 4の格子状の点線で示す) に領域分割を行った場合を考える。
図 5、 図 6、 図 7及び図 8はそれぞれ、 図 4の図形パターンデータ中のブイ一 ノレド八、 B、 C及び Dに対して行われる処理の例を説明するための図である。 図 5、図 6、 図 7及び図 8において、 (a ) は元の黒パターンの矩形分割を行った状 態、 (b ) は元の白パターンの矩形分割を行った状態、 (c ) はパターン数の比較 判定を行った結果、 (d ) は保存すべきパターンデータをそれぞれ示している。 図 5乃至図 8に示したように、 各フィールド毎に、 元の黒パターンの矩形分割 を行い、 その分割された矩形パターンの個数 Aを算出すると共に、 白黒反転させ た反転イメージの黒パターン (元の白パターンに対応する) の矩形分割を行い、 その分割された矩形パターンの個数 Bを算出する。
さらに、 算出された矩形パターンの個数 Aと矩形パターンの個数 Bとを比較判 定し、 個数が少ない方のパターンを選択して、 その選択されたパターンのデータ をそのフィールドについてのパターンデータとして記録媒体に保存する。
図 5及び図 6に示したように、 フィールド A及びフィールド Bについては、 元 の黒パターンの矩形パターンの個数が少ないため、 元の図形パターンの白黒ィメ 一ジ通りに各フィールドのパタ一ンデータを記録する (黒パタ一ンを登録)。 図 7及び図 8に示したように、 フィールド C及ぴフィールド Dについては、 元 の白パターンの矩形パターンの個数が少ないため、 元の図形パターンの白黒ィメ ージを反転させた反転イメージで各フィールドのパターンデータを記録する (白 パターンを登録)。また、パターンが白黒反転されていることを示す反転フラグ情 報を追加して記録する。
上記の処理により、 各フィールド毎に矩形分割された図形パターンの個数を必 要最小限にして保存することができるので、 保存すべきデータ量を従来の場合よ りも低減することができる。 具体的には、図 5のフィールド Aでは、元の黒パターンの矩形パターンが 1個、 元の白パターンの矩形パターンが 2個であり、 パターン数の少ない黒パターンを 選択してフィールド Aのパターンデータとして保存する。 記録すべきデータ中に 反転フラグ情報は含まれない。
図 6のフィールド Bでは、 元の黒パターンの矩形パターンが 1個、 元の白パタ ーンの矩形パターンが 1個であり、 パターン数の少ない黒パターンを選択してフ ィールド Bのパターンデータとして保存する。 この場合には、 黒パターンのパタ 一ン数は白パターンのパターン数と同じであり、 白黒反転処理が不要な黒パター ンが選択される。 記録すべきデータ中に反転フラグ情報は含まれない。
図 7のフィールド。では、 元の黒パターンの矩形パターンが 3個、 元の白パタ ーンの矩形パターンが 1個であり、 パターン数の少ない白パターンを選択してフ ィールド Cのパターンデータとして保存する。 記録すべきデータ中に反転フラグ 情報が追加されて保存される。
図 8のフィールド Dの場合、 元の黒パターンの矩形パターンが 2個、 元の白パ ターンが 1個であり、 パターン数の少ない白パターンを選択してフィールド Dの パターンデータとして保存する。 記録すべきデータ中に反転フラグ情報が追加さ れて保存される。
図 9は、 実際の半導体装置製造用の図形パターンに本発明のデータ保存方法を 適用した例を示す。
図 9の例では、 図形パターンのデータを入力して複数のフィールドに分割した 後の 1つのフィールドのデータに対する矩形分割とパターン数計算の処理手順が 示されている。
図 9に示したように、 元の黒パターン (通常イメージ) の矩形パターンの個数 Aが 2 6 7個であり、 元の白パターン (反転イメージ) の矩形パターンの個数 B が 2 1 6個である。 パターン数の少ない白パターン (反転イメージ) が選択され る。 反転フラグ情報を追カ卩し、 白パターンのデータを外部記録装置 8の記録媒体 に保存することにより、 図形パターンの個数を必要最小限にして保存することが できる。 黒パターンのデータを保存する ¾ ^と比較すると、 本発明のデータ保存 方法によれば、 保存すべき図形パターンの個数は 5 1個少なくなる。 図 1 0は、 実際の半導体装置製造用の図形パターンに本発明のデータ保存方法 を適用した例を示す。
図 1 0の例では、 図形パターンのデータを入力して複数のフィールドに分割し た後の 1つのフィールドのデータに対する矩形分割とパターン数計算の処理手順 が示されている。
図 1 0に示したように、 元の黒パターン (通常イメージ) の矩形パターンの個 数 Aが 7 1個であり、 元の白パターン (反転イメージ) の矩形パターンの個数 B が 9 8個である。パターン数の少ない黒パターン(通常イメージ)が選択される。 黒パターンのデータを外部記録装置 8の記録媒体に保存することにより、 図形パ ターンの個数を必要最小限にして保存することができる。 白パターンのデータを 保存する場合と比較すると、 本発明のデータ保存方法によれば、 保存すべき図形 パターンの個数は 2 7個少なくなる。
ここで、 説明の便宜上、 半導体装置製造用の図形パターンのデータを領域分割 した結果が、 図 9と図 1 0の 2つのフィールドのみであると仮定する。
パターンのイメージが固定されてしまう従来のデータ保存方法では、 黒パター ン選択の場合、 保存すべき図形パターンの総数は 3 3 8個に、 白パターン選択の 場合、 保存すべき図形パターンの総数は 3 1 4個になる。
この従来のデータ保存方法の場合と比較すると、本発明のデータ保存方法では、 保存すべき図形パターンの総数は 2 8 7個となる。 すなわち、 黒パターン選択の 場合よりも 5 1個少なくなり、 白パターン選択の場合より 2 7個少なくなる。 し たがって、 本発明のデータ保存方法によれば、 パターンデータ全体としてデータ 量を少なく保存することができる。
以上説明したように、 本発明のデータ保存方法及びデータ保存装置によれば、 矩形分割された図形パターンの個数を必要最小限に削減して保存することができ、 保存するべきデータ量を従来の場合よりも低減することができる。 このことによ り、 データ保管時の資源を有効利用することができ、 また、 ハンドリングゃデー タ転送時間の軽減にも寄与する。
本発明を上記実施例に基づいて説明したが、 本発明は上記実施例に限定される ものではなく、 下記請求項に記載した範囲内で様々な変形が可能である。

Claims

請求の範囲
1 . 半導体装置製造用の白黒パターンのデータを入力して複数の領域に分割す る領域分割手順と、
各領域ごとに、 白パターン及び黒パターンの一方のパターンを 1又は複数個の 矩形に分割し、 その分割された矩形の個数を算出する第 1の算出手順と、 各領域ごとに、 白黒パターンを反転し、 元の前記白パターン及び黒パターンの 他方のパターンに対応する前記一方のパターンを 1又は複数個の矩形に分割し、 その分割された矩形の個数を算出する第 2の算出手順と、
各領域ごとに、 前記第 1の算出手順で算出した元の前記一方のパターンを構成 する矩形の個数と、 前記第 2の算出手順で算出した元の前記他方のパターンを構 成する矩形の個数を大小比較し、 個数の少ない方のパターンを選択する比較手順 と、
各領域ごとに、 前記比較手順で選択されたパターンのデータをその領域につい てのパターンデータとして記録媒体に記録する記録手順と
を有することを特徴とするデータ保存方法。
2 . 前記比較手順で元の前記他方のパターンのデータが選択された場合、 前記 記録手順において反転フラグ情報をその領域についてのパターンデータと共に前 記記録媒体に記録することを特徴とするクレーム 1記載のデータ保存方法。
3 . 前記記録媒体に記録された各領域のパターンデータは、 前記反転フラグ情 報の有無に応じて、 前記半導体装置製造用の白黒パターンを反転したパターンの データである力否かが判定されることを特徴とするクレーム 2記載のデータ保存 方法。
4 . 前記記録媒体から各領域のパターンデータを読み出す際に、 その領域につ いての前記反転フラグ情報がある場合には、 読み出したパターンを反転したパタ ーンを前記半導体装置製造用の白黒パターンとして使用することを特徴とするク レーム 2記載のデータ保存方法。
5 . 前記領域分割手順で得られた前記複数の領域中の最後の領域についてのパ ターンデータの記録が完了したか否かを判定する手順を有することを特徴とする
> クレーム 1記載のデータ保存方法。
6 . 半導体装置製造用の白黒パターンのデータを入力して複数の領域に分割す る領域分割手段と、
各領域ごとに、 白パターン及び黒パターンの一方のパターンを 1又は複数個の 矩形に分割し、 その分割された矩形の個数を算出する第 1の算出手段と、 各領域ごとに、 白黒パターンを反転し、 元の前記白パターン及び黒パターンの 他方のパターンに対応する前記一方のパターンを 1又は複数個の矩形に分割し、 その分割された矩形の個数を算出する第 2の算出手段と、
各領域ごとに、 前記第 1の算出手段で算出した元の前記一方のパターンを構成 する矩形の個数と、 前記第 2の算出手段で算出した元の前記他方のパターンを構 成する矩形の個数を大小比較し、 個数の少ない方のパターンを選択する比較手段 と、
各領域ごとに、 前記比較手段で選択されたパターンのデータをその領域につい てのパターンデータとして記録媒体に記録する記録手段と
を備えることを特徴とするデータ保存装置。
7 .前記比較手段において元の前記他方のパターンのデータが選択された場合、 前記記録手段は、 反転フラグ情報をその領域についてのパターンデータと共に前 記記録媒体に記録することを特徴とするクレーム 6記載のデータ保存装置。
8 . 前記領域分割手段で得られた前記複数の領域中の最後の領域についてのパ ターンデータの記録が完了した力否かを判定する手段を備えることを特徴とする クレーム 6記載のデータ保存装置。
9 . 半導体装置製造用の白黒パターンのデータを保存するためにコンピュータ を、
前記白黒パターンのデータを入力して複数の領域に分割する領域分割手段、 各領域ごとに、 白パターン及ぴ黒パターンの一方のパターンを 1又は複数個の 矩形に分割し、 その分割された矩形の個数を算出する第 1の算出手段、
各領域ごとに、 白黒パターンを反転し、 元の前記白パターン及び黒パターンの 他方のパターンに対応する前記一方のパターンを 1又は複数個の矩形に分割し、 その分割された矩形の個数を算出する第 2の算出手段、
各領域ごとに、 前記第 1の算出手段で算出した元の前記一方のパターンを構成 する矩形の個数と、 前記第 2の算出手段で算出した元の前記他方のパターンを構 成する矩形の個数を大小比較し、個数の少ない方のバターンを選択する比較手段、 各領域ごとに、 前記比較手段で選択されたパターンのデータをその領域につい てのパターンデータとして記録媒体に記録する記録手段
として機能させるためのデータ保存プログラムを記録したコンピュータ読み取 り可能な記録媒体。
1 0 . 半導体装置製造用の白黒パターンのデータを保存するためにコンビユー タを、
前記白黒パターンのデータを入力して複数の領域に分割する領域分割手段、 各領域ごとに、 白パターン及び黒パターンの一方のパターンを 1又は複数個の 矩形に分割し、 その分割された矩形の個数を算出する第 1の算出手段、
各領域ごとに、 白黒パターンを反転し、 元の前記白パターン及び黒パターンの 他方のパターンに対応する前記一方のパターンを 1又は複数個の矩形に分割し、 その分割された矩形の個数を算出する第 2の算出手段、
各領域ごとに、 前記第 1の算出手段で算出した元の前記一方のパターンを構成 する矩形の個数と、 前記第 2の算出手段で算出した元の前記他方のパターンを構 成する矩形の個数を大小比較し、個数の少ない方のパターンを選択する比較手段、 各領域ごとに、 前記比較手段で選択されたパターンのデータをその領域につい てのパターンデータとして記録媒体に記録する記録手段 として機能させるためのデータ保存プログラム。
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