JP4631573B2 - 濃度分布マスクの製造方法 - Google Patents
濃度分布マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4631573B2 JP4631573B2 JP2005206630A JP2005206630A JP4631573B2 JP 4631573 B2 JP4631573 B2 JP 4631573B2 JP 2005206630 A JP2005206630 A JP 2005206630A JP 2005206630 A JP2005206630 A JP 2005206630A JP 4631573 B2 JP4631573 B2 JP 4631573B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- data
- tone
- density distribution
- outline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
例えば、露光パターン内の全ての単位セルに同一の大きさの遮光膜ドットを設けることにより、露光パターンを均一な透過濃度をもつ露光パターンとする。或いは、露光パターン内の単位セルに段階的に大きさを変えた遮光膜ドットを設けることにより、露光パターンを段階的な透過濃度を有する露光パターンとする。
結果として露光、現像により得られる感光性樹脂パターンは、連続的な変化をした三次元形状となる。
段階的に透過濃度が変化した、すなわち、階調を有するマスクの機能をもつものとなっている。
描画できない。
さらに、感光性樹脂層に形成される三次元形状は、ときとして複雑な三次元形状のものになる。三次元形状が複雑になるほどデータ量は多くなるが、複雑な三次元形状のものでもデータ量を少なく、描画に要する時間を短くして、簡便に生産することが求められている。
これにより、データ量が更に多い、複雑な三次元形状に対応した濃度分布マスクであっても簡便に生産できるものとなる。
1)求める三次元形状の等高線を表す外郭パターン(P1)用の外郭パターンデータ(D1)を等高線別に複数個作成する工程、
2)構成する複数のドットのピッチが均一で露光装置の解像度より小さく、ドットの大小によりパターンの濃度を表し、パターン内でドット大きさが均一なトーンパターン(P2)用のトーンパターンデータ(D2)を等高線別に対応した濃度をもたせて複数個作成する工程、
3)上記複数個の外郭パターンデータ(D1)の各々と、対応したトーンパターンデータ(D2)とを組み合わせ、AND演算によりトーン・外郭パターンデータ(D3)を等高線別に複数個作成する工程、
4)上記トーン・外郭パターンデータ(D3)の全てをOR演算し、三次元形状に対応した濃度分布データ(D4)を作成する工程、
5)該濃度分布データ(D4)を用い、電子ビーム描画装置もしくはレーザー描画装置にて濃度分布マスクを描画する工程、
を具備することを特徴とする濃度分布マスクの製造方法である。
1)求める三次元形状の等高線を表す外郭パターン(P11)用の外郭パターンデータ(D11)を等高線別に複数個作成する工程、
2)構成する複数のドットのピッチが均一で露光装置の解像度より小さく、ドットの大小によりパターンの濃度を表し、パターン内でドット大きさが均一なトーンパターン(P12)用のトーンパターンデータ(D12)を等高線別に対応した濃度をもたせて複数個作成する工程、
3)上記複数個の外郭パターンデータ(D11)の各々と、対応したトーンパターンデータ(D12)とを組み合わせ、OR演算によりトーン・外郭パターンデータ(D13)を等高線別に複数個作成する工程、
4)上記トーン・外郭パターンデータ(D13)の全てをAND演算し、三次元形状に対応した濃度分布データ(D14)を作成する工程、
5)該濃度分布データ(D14)を用い、電子ビーム描画装置もしくはレーザー描画装置にて濃度分布マスクを描画する工程、
を具備することを特徴とする濃度分布マスクの製造方法である。
更に、単位セルの大きさによるパターン形状の制約がなくなりパターン形状を自由に作成できる。
図2は、本発明による濃度分布マスクの製造方法の一実施例における各工程でのデータを図解した説明図である。図2に示すように、この一実施例は、三次元形状の等高線を表す外郭パターン(P1)として円形を用いた例である。等高線の高低は、外郭1、外郭2、外郭3の3段階である。
次に、外郭1、外郭2、外郭3の各々に対応した濃度をもたせたトーンパターン(P2)用のトーンパターンデータ(D2)を3個作成する(階調1、階調2、階調3)。外郭1
に対応した濃度は階調1、外郭2に対応した濃度は階調2、外郭3は階調3である。
尚、本発明の濃度分布マスクは、基板に対する露光が1/4〜1/10に縮小投影露光するレチクルマスクであることが多いが、1/1露光のフォトマスクにおいても適用できる。
また、必要に応じNOT(白黒反転)処理を行うことによって、用いるレジストの種類(ネガ・ポジ)に応じた使い分けができる。
また、本発明における濃度分布データ(D4)は、OR演算によるデータであるので、各トーンパターン(階調1、階調2、階調3)間のつなぎ目は良好なものが得られる。
次に、外郭11、外郭12、外郭13の各々に対応した濃度をもたせたトーンパターン(P12)用のトーンパターンデータ(D12)を3個作成する(階調11、階調12、階
調13)。外郭11に対応した濃度は階調11、外郭12に対応した濃度は階調12、外郭13は階調13であるが、濃淡の順序は図2に示すトーンパターン(P2)の濃淡の順序とは逆の順序になっている。
D・・・遮光膜ドット
P1、P11・・・外郭パターン
P2、P12・・・トーンパターン
P3、P13・・・トーン・外郭パターン
PM1、PM11・・・本発明における濃度分布マスク
Claims (2)
- 基板上に、三次元形状の感光性樹脂パターンを形成するための濃度分布マスクの製造方法において、
1)求める三次元形状の等高線を表す外郭パターン(P1)用の外郭パターンデータ(D1)を等高線別に複数個作成する工程、
2)構成する複数のドットのピッチが均一で露光装置の解像度より小さく、ドットの大小によりパターンの濃度を表し、パターン内でドット大きさが均一なトーンパターン(P2)用のトーンパターンデータ(D2)を等高線別に対応した濃度をもたせて複数個作成する工程、
3)上記複数個の外郭パターンデータ(D1)の各々と、対応したトーンパターンデータ(D2)とを組み合わせ、AND演算によりトーン・外郭パターンデータ(D3)を等高線別に複数個作成する工程、
4)上記トーン・外郭パターンデータ(D3)の全てをOR演算し、三次元形状に対応した濃度分布データ(D4)を作成する工程、
5)該濃度分布データ(D4)を用い、電子ビーム描画装置もしくはレーザー描画装置にて濃度分布マスクを描画する工程、
を具備することを特徴とする濃度分布マスクの製造方法。 - 基板上に、三次元形状の感光性樹脂パターンを形成するための濃度分布マスクの製造方法において、
1)求める三次元形状の等高線を表す外郭パターン(P11)用の外郭パターンデータ(D11)を等高線別に複数個作成する工程、
2)構成する複数のドットのピッチが均一で露光装置の解像度より小さく、ドットの大小によりパターンの濃度を表し、パターン内でドット大きさが均一なトーンパターン(P12)用のトーンパターンデータ(D12)を等高線別に対応した濃度をもたせて複数個作成する工程、
3)上記複数個の外郭パターンデータ(D11)の各々と、対応したトーンパターンデータ(D12)とを組み合わせ、OR演算によりトーン・外郭パターンデータ(D13)を等高線別に複数個作成する工程、
4)上記トーン・外郭パターンデータ(D13)の全てをAND演算し、三次元形状に対応した濃度分布データ(D14)を作成する工程、
5)該濃度分布データ(D14)を用い、電子ビーム描画装置もしくはレーザー描画装置にて濃度分布マスクを描画する工程、
を具備することを特徴とする濃度分布マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005206630A JP4631573B2 (ja) | 2004-07-20 | 2005-07-15 | 濃度分布マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004211201 | 2004-07-20 | ||
JP2005206630A JP4631573B2 (ja) | 2004-07-20 | 2005-07-15 | 濃度分布マスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006058865A JP2006058865A (ja) | 2006-03-02 |
JP4631573B2 true JP4631573B2 (ja) | 2011-02-16 |
Family
ID=36106333
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005206630A Expired - Fee Related JP4631573B2 (ja) | 2004-07-20 | 2005-07-15 | 濃度分布マスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4631573B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4918809B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2012-04-18 | 凸版印刷株式会社 | 濃度分布マスクの製造方法 |
JP4816924B2 (ja) * | 2006-04-28 | 2011-11-16 | 凸版印刷株式会社 | 濃度分布マスクの製造方法 |
JP4935452B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2012-05-23 | 凸版印刷株式会社 | グレーマスク及びグレーマスク用パターン製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07230159A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 露光用マスクおよびその製造方法・露光用マスクを用いる表面形状形成方法および露光用マスク製造装置 |
JPH10189409A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | 露光パターンの補正方法、露光パターンの補正装置、露光用マスク、露光方法および半導体装置 |
JP2004012940A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Canon Inc | マスク |
-
2005
- 2005-07-15 JP JP2005206630A patent/JP4631573B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07230159A (ja) * | 1994-02-18 | 1995-08-29 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 露光用マスクおよびその製造方法・露光用マスクを用いる表面形状形成方法および露光用マスク製造装置 |
JPH10189409A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | 露光パターンの補正方法、露光パターンの補正装置、露光用マスク、露光方法および半導体装置 |
JP2004012940A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Canon Inc | マスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006058865A (ja) | 2006-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1284044C (zh) | 灰调掩模的制造方法 | |
JP2009229669A (ja) | フォトマスク、そのフォトマスクを有する半導体装置の製造装置、およびそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP4631573B2 (ja) | 濃度分布マスクの製造方法 | |
JP4743413B2 (ja) | 回折光学素子の作製方法 | |
JP4760198B2 (ja) | 露光用マスク、露光用マスクの設計方法および露光用マスクの設計プログラム | |
KR102556509B1 (ko) | 마스크 레이아웃의 래스터화 방법 및 이를 이용한 포토 마스크의 제조방법 | |
JP4918809B2 (ja) | 濃度分布マスクの製造方法 | |
JP5257571B2 (ja) | 図形パターン分割方法 | |
JPH11202470A (ja) | マスク製造のための近接効果補正方法 | |
JP2004279950A (ja) | フォトマスクとその製造方法および半導体集積回路とその製造方法 | |
JP4816924B2 (ja) | 濃度分布マスクの製造方法 | |
JP2007033764A (ja) | パターン製造システム、露光装置、及び露光方法 | |
CN1238764C (zh) | 光掩模的制造方法、光掩模、图形转印方法 | |
JP5169796B2 (ja) | パターン形成方法及びインプリント用モールドの製造方法 | |
JPH1115130A (ja) | 半導体製造用ハーフトーンマスクおよびその製造方法 | |
JP5083518B2 (ja) | 濃度分布マスク | |
JP2006030510A (ja) | 濃度分布マスク | |
CN108319115B (zh) | 一种基于虚拟层动态调制的二元数字掩模光刻方法 | |
CN111612862A (zh) | 一种sraf图像的生成方法、系统及其电子装置 | |
JP2009058860A (ja) | 図形パターン分割方法及びその方法を用いた描画装置、フォトマスク | |
JP2000047365A (ja) | 光近接効果補正マスクの製造方法 | |
JP4178263B2 (ja) | データ保存方法及びデータ保存装置 | |
EP4369096A1 (en) | Method and device for generating pattern density data | |
CN118169976A (zh) | 一种基于圆弧重构算法的直写式光刻机产能提升方法 | |
JP2012252237A (ja) | マスクデータ生成方法及びそれを用いたマスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080625 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101008 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101101 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131126 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |