JPH10189409A - 露光パターンの補正方法、露光パターンの補正装置、露光用マスク、露光方法および半導体装置 - Google Patents
露光パターンの補正方法、露光パターンの補正装置、露光用マスク、露光方法および半導体装置Info
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- JPH10189409A JPH10189409A JP34127996A JP34127996A JPH10189409A JP H10189409 A JPH10189409 A JP H10189409A JP 34127996 A JP34127996 A JP 34127996A JP 34127996 A JP34127996 A JP 34127996A JP H10189409 A JPH10189409 A JP H10189409A
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な計算で露光パターンに対する近接効果
補正を施すこと。 【解決手段】 本発明は、設計パターンであるパターン
Ａをｄ１だけプラスシフトしてパターンＢを生成し（Ｓ
１０１）、パターンＢとパターンＡとの論理和を求めて
パターンＣを生成し（Ｓ１０２）、パターンＣをｄ２だ
けマイナスシフトしてパターンＤを生成し（Ｓ１０
３）、パターンＤをｄ３だけプラスシフトしてパターン
Ｅを生成し（Ｓ１０４）、パターンＥとパターンＡとの
論理積を求めてパターンＦを生成し（Ｓ１０５）、パタ
ーンＦとパターンＡとの排他的論理和を求めてパターン
Ｇを生成し（Ｓ１０６）、このパターンＧをパターンＡ
に対する補正分として補正処理を施す（Ｓ１０７）方法
である。
補正を施すこと。 【解決手段】 本発明は、設計パターンであるパターン
Ａをｄ１だけプラスシフトしてパターンＢを生成し（Ｓ
１０１）、パターンＢとパターンＡとの論理和を求めて
パターンＣを生成し（Ｓ１０２）、パターンＣをｄ２だ
けマイナスシフトしてパターンＤを生成し（Ｓ１０
３）、パターンＤをｄ３だけプラスシフトしてパターン
Ｅを生成し（Ｓ１０４）、パターンＥとパターンＡとの
論理積を求めてパターンＦを生成し（Ｓ１０５）、パタ
ーンＦとパターンＡとの排他的論理和を求めてパターン
Ｇを生成し（Ｓ１０６）、このパターンＧをパターンＡ
に対する補正分として補正処理を施す（Ｓ１０７）方法
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置等のリ
ソグラフィー工程やマスクおよびレチクル作製時に用い
られるリソグラフィー工程での露光パターンの補正方
法、露光パターンの補正装置、露光用マスク、露光方法
および半導体装置に関する。
ソグラフィー工程やマスクおよびレチクル作製時に用い
られるリソグラフィー工程での露光パターンの補正方
法、露光パターンの補正装置、露光用マスク、露光方法
および半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトマスクの作製やウエハ上へ
の所定パターンの形成において、電子線によるリソグラ
フィー技術が適用されている。この電子線によるリソグ
ラフィーでは、レジスト中に入射した電子が散乱するこ
とに起因する近接効果という現象が生じる。
の所定パターンの形成において、電子線によるリソグラ
フィー技術が適用されている。この電子線によるリソグ
ラフィーでは、レジスト中に入射した電子が散乱するこ
とに起因する近接効果という現象が生じる。
【０００３】すなわち、レジスト中に入射した電子はレ
ジスト内で進行方向に散乱し、この際にレジストの分子
と衝突した電子がレジストを感光させる（前方散乱）。
入射される電子のほとんどが基板中でそのエネルギーを
熱に変えるが、基板まで達した電子の一部は反射して入
射方向とは逆方向にレジスト中で散乱し、再びレジスト
を感光させる（後方散乱）。
ジスト内で進行方向に散乱し、この際にレジストの分子
と衝突した電子がレジストを感光させる（前方散乱）。
入射される電子のほとんどが基板中でそのエネルギーを
熱に変えるが、基板まで達した電子の一部は反射して入
射方向とは逆方向にレジスト中で散乱し、再びレジスト
を感光させる（後方散乱）。
【０００４】この前方散乱の範囲は比較的小さく、現像
度に影響を与えるものではないが、後方散乱の範囲は大
きいためパターンのない部分のレジストまでも感光させ
てしまうことがある。
度に影響を与えるものではないが、後方散乱の範囲は大
きいためパターンのない部分のレジストまでも感光させ
てしまうことがある。
【０００５】このような近接効果があることで、隣接パ
ターンが接近している場合には、パターンとパターンと
の境界を付着させてしまったり、小さいパターンの場合
には、後方散乱によってパターンの外にエネルギーが分
散してしまい、パターン内のレジストを感光させるだけ
のエネルギーが得られず、パターンが所望の大きさより
小さくなってしまう。この後方散乱の範囲は電子の加速
電圧に依存し、加速電圧が高い程、後方散乱の範囲が大
きくなる。
ターンが接近している場合には、パターンとパターンと
の境界を付着させてしまったり、小さいパターンの場合
には、後方散乱によってパターンの外にエネルギーが分
散してしまい、パターン内のレジストを感光させるだけ
のエネルギーが得られず、パターンが所望の大きさより
小さくなってしまう。この後方散乱の範囲は電子の加速
電圧に依存し、加速電圧が高い程、後方散乱の範囲が大
きくなる。
【０００６】露光パターンにおける近接効果の補正技術
としては、例えば、ウエハに直接描画する分野におい
て、描画する領域を細かく分割し、それぞれの領域内で
のパターン密度を計算し、その疎密に応じて照射するド
ーズ量を可変させる技術が提案されている。
としては、例えば、ウエハに直接描画する分野におい
て、描画する領域を細かく分割し、それぞれの領域内で
のパターン密度を計算し、その疎密に応じて照射するド
ーズ量を可変させる技術が提案されている。
【０００７】この電子線の直接描画においては、高加速
電圧（例えば、５０ｋｅＶ）の描画装置が使用されてお
り、この場合の後方散乱の半径が１０μｍ程度のオーダ
ーとなる。直接描画で製造するデバイスのパターンの大
きさが１μｍ以下であることから、後方散乱が１０μｍ
以上となることによって、パターンの少ない領域では他
のパターンから得るエネルギーの寄与よりも散乱による
エネルギー分散が大きくなってエネルギー不足を招くこ
とになる。
電圧（例えば、５０ｋｅＶ）の描画装置が使用されてお
り、この場合の後方散乱の半径が１０μｍ程度のオーダ
ーとなる。直接描画で製造するデバイスのパターンの大
きさが１μｍ以下であることから、後方散乱が１０μｍ
以上となることによって、パターンの少ない領域では他
のパターンから得るエネルギーの寄与よりも散乱による
エネルギー分散が大きくなってエネルギー不足を招くこ
とになる。
【０００８】そこで、後方散乱の大きさよりも小さな領
域毎にパターンの疎密によるドーズ量を変化させ、どの
領域にあるパターンでも後方散乱によるエネルギーの寄
与を均一化させることができるようになる。
域毎にパターンの疎密によるドーズ量を変化させ、どの
領域にあるパターンでも後方散乱によるエネルギーの寄
与を均一化させることができるようになる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レチク
ルの作製で使用される電子線描画装置は、基板に発生す
る熱の問題から一般的に１０ｋｅＶ〜２０ｋｅＶ程度の
加速電圧が適用されている。このような低加速電圧で
は、後方散乱が０．７μｍ〜２μｍ程度であり、レチク
ル上のパターンサイズがデバイスパターンのサイズの５
倍程度であることから、デザインルールと後方散乱の大
きさとが同程度となる。
ルの作製で使用される電子線描画装置は、基板に発生す
る熱の問題から一般的に１０ｋｅＶ〜２０ｋｅＶ程度の
加速電圧が適用されている。このような低加速電圧で
は、後方散乱が０．７μｍ〜２μｍ程度であり、レチク
ル上のパターンサイズがデバイスパターンのサイズの５
倍程度であることから、デザインルールと後方散乱の大
きさとが同程度となる。
【００１０】このため、上記の直接描画と同じパターン
密度による近接効果補正技術を応用すると、レチクル上
のパターンをさらに細かく分割する必要があり、多大な
データ量を必要とするとともに、計算時間の増大を招く
ことになる。
密度による近接効果補正技術を応用すると、レチクル上
のパターンをさらに細かく分割する必要があり、多大な
データ量を必要とするとともに、計算時間の増大を招く
ことになる。
【００１１】そこで、レチクル作製において近接効果を
補正する方法として、ゴースト露光やパターン一つひと
つの照射量を計算する方法などがある。ゴースト露光は
後方散乱によるエネルギーの寄与をどこでも均一にする
ものである。すなわち、はじめにオリジナルのパターン
を描画し、次にドーズ量を下げてオリジナルのパターン
と反転したパターンの描画を行う。このはじめのドーズ
量と２回目の描画時のドーズ量との比、ならびに現像条
件等をコントロールすることによって、どこの場所でも
均一な後方散乱によるエネルギー寄与が得られるように
なる。
補正する方法として、ゴースト露光やパターン一つひと
つの照射量を計算する方法などがある。ゴースト露光は
後方散乱によるエネルギーの寄与をどこでも均一にする
ものである。すなわち、はじめにオリジナルのパターン
を描画し、次にドーズ量を下げてオリジナルのパターン
と反転したパターンの描画を行う。このはじめのドーズ
量と２回目の描画時のドーズ量との比、ならびに現像条
件等をコントロールすることによって、どこの場所でも
均一な後方散乱によるエネルギー寄与が得られるように
なる。
【００１２】しかし、このゴースト露光では、２回の描
画を行うことからスループットの低下を招く。また、ベ
クタースキャン型の可変整形ビームを有する描画装置で
は、自由にビーム位置を移動でき、ビームの照射量もパ
ターン毎に変えられるため、２回の描画に分けなくても
ゴースト露光を行うことができるが、パターンデータを
ベクトルデータとして扱うため、パターンを反転させる
回路が複雑となり、現実的ではない。
画を行うことからスループットの低下を招く。また、ベ
クタースキャン型の可変整形ビームを有する描画装置で
は、自由にビーム位置を移動でき、ビームの照射量もパ
ターン毎に変えられるため、２回の描画に分けなくても
ゴースト露光を行うことができるが、パターンデータを
ベクトルデータとして扱うため、パターンを反転させる
回路が複雑となり、現実的ではない。
【００１３】このようなベクタースキャン型の可変整形
ビームを有する描画装置では、ビームの照射量の可変装
置によってパターンの一つひとつに最適なドーズ量を与
えることによって近接効果を低減できるが、デバイスパ
ターン全面についてこれらの計算を行う場合に高速な計
算装置を必要とし、コストアップを招いてしまう。
ビームを有する描画装置では、ビームの照射量の可変装
置によってパターンの一つひとつに最適なドーズ量を与
えることによって近接効果を低減できるが、デバイスパ
ターン全面についてこれらの計算を行う場合に高速な計
算装置を必要とし、コストアップを招いてしまう。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成されたものである。すなわち、本発
明の露光パターンの補正方法は、基板上に設計パターン
である第１パターンを形成する際に用いる露光パターン
の補正方法であって、第１パターンの外形ラインをその
外形ラインと垂直な方向で外側へシフトさせて第２パタ
ーンを生成する工程と、第２パターンと第１パターンと
の論理和を求めて第３パターンを生成する工程と、第３
パターンの外形ラインをその外形ラインと垂直な方向で
内側へシフトさせて第４パターンを生成する工程と、第
４パターンの外形ラインをその外形ラインと垂直な方向
で外側へシフトさせて第５パターンを生成する工程と、
第５パターンと第１パターンとの論理積を求めて第６パ
ターンを生成する工程と、第６パターンと第１パターン
との排他的論理和を求めて第７パターンを生成する工程
と、第７パターンを第１パターンに対する補正分として
補正処理を施す工程とを備えているものである。
を解決するために成されたものである。すなわち、本発
明の露光パターンの補正方法は、基板上に設計パターン
である第１パターンを形成する際に用いる露光パターン
の補正方法であって、第１パターンの外形ラインをその
外形ラインと垂直な方向で外側へシフトさせて第２パタ
ーンを生成する工程と、第２パターンと第１パターンと
の論理和を求めて第３パターンを生成する工程と、第３
パターンの外形ラインをその外形ラインと垂直な方向で
内側へシフトさせて第４パターンを生成する工程と、第
４パターンの外形ラインをその外形ラインと垂直な方向
で外側へシフトさせて第５パターンを生成する工程と、
第５パターンと第１パターンとの論理積を求めて第６パ
ターンを生成する工程と、第６パターンと第１パターン
との排他的論理和を求めて第７パターンを生成する工程
と、第７パターンを第１パターンに対する補正分として
補正処理を施す工程とを備えているものである。
【００１５】また、本発明は、上記のような補正方法に
よって露光パターンの補正を行う補正装置であり、さら
に、上記の補正方法を用いて形成されたマスクパターン
を備えている露光用マスクでもあり、この露光用マスク
を用いて露光を行う露光方法でもあり、上記の補正方法
を用いて形成された露光パターンで露光を行う露光方法
でもあり、上記の露光用マスクを用いて所定の露光を行
い製造される半導体装置でもあり、上記の補正方法を用
いて形成された露光パターンによる所定の露光を行って
製造される半導体装置でもある。
よって露光パターンの補正を行う補正装置であり、さら
に、上記の補正方法を用いて形成されたマスクパターン
を備えている露光用マスクでもあり、この露光用マスク
を用いて露光を行う露光方法でもあり、上記の補正方法
を用いて形成された露光パターンで露光を行う露光方法
でもあり、上記の露光用マスクを用いて所定の露光を行
い製造される半導体装置でもあり、上記の補正方法を用
いて形成された露光パターンによる所定の露光を行って
製造される半導体装置でもある。
【００１６】本発明では、設計パターンである第１パタ
ーンに対してシフトや図形的な論理和、論理積および排
他的論理和を求めることで第１パターンから孤立パター
ンや突出パターンを抽出することができる。すなわち、
近接効果の影響を受けやすい孤立パターンや突出パター
ンを簡単に抽出できることから、その部分に対する補正
を容易に行うことができるようになる。
ーンに対してシフトや図形的な論理和、論理積および排
他的論理和を求めることで第１パターンから孤立パター
ンや突出パターンを抽出することができる。すなわち、
近接効果の影響を受けやすい孤立パターンや突出パター
ンを簡単に抽出できることから、その部分に対する補正
を容易に行うことができるようになる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施形態を図に
基づいて説明する。図１は本実施形態を説明するフロー
チャート、図２〜図９は算出パターンの例を示す模式図
である。すなわち、本実施形態における露光パターンの
補正方法は、露光における設計パターンに対して近接効
果の影響を低減するための補正を施すものであり、簡単
な計算によって補正すべき孤立パターンおよび突出パタ
ーンを抽出する方法である。
基づいて説明する。図１は本実施形態を説明するフロー
チャート、図２〜図９は算出パターンの例を示す模式図
である。すなわち、本実施形態における露光パターンの
補正方法は、露光における設計パターンに対して近接効
果の影響を低減するための補正を施すものであり、簡単
な計算によって補正すべき孤立パターンおよび突出パタ
ーンを抽出する方法である。
【００１８】先ず、図１および図２〜図９に沿って本実
施形態の流れを説明する。初めに、図１のステップＳ１
０１に示すように、露光によって形成したい設計パター
ン（パターンＡ）の外形ラインを、この外形ラインと垂
直な方向で外側へｄ１だけシフト（プラスシフト）させ
る。図２は設計パターンであるパターンＡを示してお
り、図３に示すように、パターンＡの外形ラインをｄ１
だけプラスシフトしてパターンＢを生成している。これ
によって、パターンＡにおいて間隔の狭い部分が重なる
ことになる。
施形態の流れを説明する。初めに、図１のステップＳ１
０１に示すように、露光によって形成したい設計パター
ン（パターンＡ）の外形ラインを、この外形ラインと垂
直な方向で外側へｄ１だけシフト（プラスシフト）させ
る。図２は設計パターンであるパターンＡを示してお
り、図３に示すように、パターンＡの外形ラインをｄ１
だけプラスシフトしてパターンＢを生成している。これ
によって、パターンＡにおいて間隔の狭い部分が重なる
ことになる。
【００１９】次に、図１のステップＳ１０２に示すよう
に、パターンＡとパターンＢとの論理和を求める処理を
行う。これにより、図３に示すパターンＡとパターンＢ
との重ね除き処理が成されて図４に示すようなパターン
Ｃが生成される。
に、パターンＡとパターンＢとの論理和を求める処理を
行う。これにより、図３に示すパターンＡとパターンＢ
との重ね除き処理が成されて図４に示すようなパターン
Ｃが生成される。
【００２０】次いで、図１のステップＳ１０３に示すよ
うに、パターンＣの外形ラインを、この外形ラインと垂
直な方向でｄ２だけ内側へシフト（マイナスシフト）さ
せる。図５は図４に示すパターンＣをｄ２だけマイナス
シフトしてパターンＤを生成した状態を示している。
うに、パターンＣの外形ラインを、この外形ラインと垂
直な方向でｄ２だけ内側へシフト（マイナスシフト）さ
せる。図５は図４に示すパターンＣをｄ２だけマイナス
シフトしてパターンＤを生成した状態を示している。
【００２１】このマイナスシフト量ｄ２として、図３に
示すパターンＢを生成した際のプラスシフト量ｄ１より
大きくすることで、２×（ｄ２−ｄ１）以下の幅から成
るパターンを取り除くことができる。図５に示す例で
は、孤立パターン１および突出パターン２が取り除かれ
ている。
示すパターンＢを生成した際のプラスシフト量ｄ１より
大きくすることで、２×（ｄ２−ｄ１）以下の幅から成
るパターンを取り除くことができる。図５に示す例で
は、孤立パターン１および突出パターン２が取り除かれ
ている。
【００２２】次に、図１のステップＳ１０４に示すよう
に、パターンＤをｄ３だけプラスシフトして、図６に示
すようなパターンＥを生成する。その後、図１のステッ
プＳ１０５に示すように、パターンＥとパターンＡとの
論理積を求める処理を行う。これによって、図７に示す
ようなパターンＦが生成される。パターンＦにおいて
は、パターンＥでｄ３だけプラスシフトしたことによっ
て、突出パターン２（図６参照）の付け根部分２’が抽
出される状態となる。
に、パターンＤをｄ３だけプラスシフトして、図６に示
すようなパターンＥを生成する。その後、図１のステッ
プＳ１０５に示すように、パターンＥとパターンＡとの
論理積を求める処理を行う。これによって、図７に示す
ようなパターンＦが生成される。パターンＦにおいて
は、パターンＥでｄ３だけプラスシフトしたことによっ
て、突出パターン２（図６参照）の付け根部分２’が抽
出される状態となる。
【００２３】次いで、図１のステップＳ１０６に示すよ
うに、パターンＦとパターンＡとの排他的論理和を求め
る。これによって、図８に示すような、孤立パターン１
および突出パターンの先端部分２’’のみが取り出され
たパターンＧが生成されることになる。
うに、パターンＦとパターンＡとの排他的論理和を求め
る。これによって、図８に示すような、孤立パターン１
および突出パターンの先端部分２’’のみが取り出され
たパターンＧが生成されることになる。
【００２４】そして、図１のステップＳ１０７に示すよ
うに、このパターンＧを用いた補正処理を行う。例え
ば、図９に示すように、パターンＧを元のパターンＡの
幅より太くしてパターンＡと重ね合わせたパターンＨを
生成し、このパターンＨを露光パターンとした露光を行
う。図８において取り出されたパターンＧは、パターン
Ａにおける孤立パターン１および突出パターンの先端部
分２’’すなわち近接効果の影響が大きい部分であり、
このパターンＧに相当する部分のみ露光パターンを太く
することで、パターンＨを用いた露光での近接効果の影
響を低減できるようになる。
うに、このパターンＧを用いた補正処理を行う。例え
ば、図９に示すように、パターンＧを元のパターンＡの
幅より太くしてパターンＡと重ね合わせたパターンＨを
生成し、このパターンＨを露光パターンとした露光を行
う。図８において取り出されたパターンＧは、パターン
Ａにおける孤立パターン１および突出パターンの先端部
分２’’すなわち近接効果の影響が大きい部分であり、
このパターンＧに相当する部分のみ露光パターンを太く
することで、パターンＨを用いた露光での近接効果の影
響を低減できるようになる。
【００２５】また、図６に示すようなパターンＤに対す
るプラスシフトｄ３を行うことで、突出パターン２の先
端部分２’’のみを取り出すことができ、図９に示すパ
ターンＨでは、この先端部分２’’のみの幅を太くし、
付け根部分２’（図７参照）に相当する部分の幅をその
ままにすることができる。この付け根部分２’において
は、近接効果補正を施してその幅を太くしてしまうこと
で、隅部の丸みを生じてしまい、補正をしない方が良い
部分である。したがって、この付け根部分２’の幅をそ
のままにすることで、露光パターンをより設計パターン
であるパターンＡに近づけることができるようになる。
るプラスシフトｄ３を行うことで、突出パターン２の先
端部分２’’のみを取り出すことができ、図９に示すパ
ターンＨでは、この先端部分２’’のみの幅を太くし、
付け根部分２’（図７参照）に相当する部分の幅をその
ままにすることができる。この付け根部分２’において
は、近接効果補正を施してその幅を太くしてしまうこと
で、隅部の丸みを生じてしまい、補正をしない方が良い
部分である。したがって、この付け根部分２’の幅をそ
のままにすることで、露光パターンをより設計パターン
であるパターンＡに近づけることができるようになる。
【００２６】次に、近接効果を補正する補正処理の具体
例を説明する。以下に説明するいずれの実施形態でも、
図１に示すステップＳ１０１〜Ｓ１０６の処理で行う孤
立パターン１および突出パターンの先端部分２’’の取
り出し、すなわち図８に示すパターンＧの生成処理は同
じであるが、ステップＳ１０７における補正処理の内容
が各々異なる。
例を説明する。以下に説明するいずれの実施形態でも、
図１に示すステップＳ１０１〜Ｓ１０６の処理で行う孤
立パターン１および突出パターンの先端部分２’’の取
り出し、すなわち図８に示すパターンＧの生成処理は同
じであるが、ステップＳ１０７における補正処理の内容
が各々異なる。
【００２７】先ず、第１実施形態では、パターンＧの部
分の幅を太くして設計パターンであるパターンＡ（図１
参照）と重ね合わせたパターンＨ（図９参照）を生成
し、このパターンＨによる露光を行う点に特徴がある。
分の幅を太くして設計パターンであるパターンＡ（図１
参照）と重ね合わせたパターンＨ（図９参照）を生成
し、このパターンＨによる露光を行う点に特徴がある。
【００２８】例えば、５倍のマスク上での最小パターン
サイズが０．９μｍであるパターンＡの場合には、図３
に示すプラスシフト量ｄ１として０．５μｍを適用す
る。その後、図５に示すマイナスシフト量ｄ２として
１．０μｍを適用した後、図６に示すプラスシフト量ｄ
３として１．５μｍを適用する。そして、図７に示すパ
ターンＦと図２に示すパターンＡとの排他的論理和を求
めることで図８に示すパターンＧすなわち孤立パターン
１と突出パターンの先端部分２’’を抽出できるように
なる。
サイズが０．９μｍであるパターンＡの場合には、図３
に示すプラスシフト量ｄ１として０．５μｍを適用す
る。その後、図５に示すマイナスシフト量ｄ２として
１．０μｍを適用した後、図６に示すプラスシフト量ｄ
３として１．５μｍを適用する。そして、図７に示すパ
ターンＦと図２に示すパターンＡとの排他的論理和を求
めることで図８に示すパターンＧすなわち孤立パターン
１と突出パターンの先端部分２’’を抽出できるように
なる。
【００２９】第１実施形態では、この抽出したパターン
Ｇの幅をわずかに太くしてパターンＡと重ね合わせ、パ
ターンＨを生成している。これによって、近接効果の影
響が多い部分のみパターン幅を太くすることができ、設
計パターンに近いパターンを形成できるようになる。
Ｇの幅をわずかに太くしてパターンＡと重ね合わせ、パ
ターンＨを生成している。これによって、近接効果の影
響が多い部分のみパターン幅を太くすることができ、設
計パターンに近いパターンを形成できるようになる。
【００３０】次に、第２実施形態の説明を行う。第２実
施形態では、設計パターンであるパターンＡよりもパタ
ーンＧの部分の電子の照射量（ドーズ量）を増加させて
近接効果補正を行う点に特徴がある。
施形態では、設計パターンであるパターンＡよりもパタ
ーンＧの部分の電子の照射量（ドーズ量）を増加させて
近接効果補正を行う点に特徴がある。
【００３１】パターンＧの取り出しまでは第１実施形態
と同様である。第２実施形態では、図２に示すパターン
Ａによる露光を行った後、図８に示すパターンＧによる
露光を再度行っている。
と同様である。第２実施形態では、図２に示すパターン
Ａによる露光を行った後、図８に示すパターンＧによる
露光を再度行っている。
【００３２】例えば、加速電圧１０ｋｅＶの描画装置を
用いてポジレジストに露光を行う場合、先ず、パターン
Ａの部分に対して３．０μＣ／ｃｍ2 での描画を行い、
その後、パターンＧの部分に対して再度０．７μＣ／ｃ
ｍ2 での描画を行う。これによって、パターンＧの部分
のみ合計３．７μＣ／ｃｍ2 で描画を行うことになり、
近接効果の影響を低減できるようになる。
用いてポジレジストに露光を行う場合、先ず、パターン
Ａの部分に対して３．０μＣ／ｃｍ2 での描画を行い、
その後、パターンＧの部分に対して再度０．７μＣ／ｃ
ｍ2 での描画を行う。これによって、パターンＧの部分
のみ合計３．７μＣ／ｃｍ2 で描画を行うことになり、
近接効果の影響を低減できるようになる。
【００３３】次に、第３実施形態の説明を行う。第３実
施形態では、設計パターンであるパターンＡよりもパタ
ーンＧの部分の電子の照射量（ドーズ量）を増加させる
点で第２実施形態と同様であるが、１度の描画において
パターンに応じてドーズ量を変える点で相違する。
施形態では、設計パターンであるパターンＡよりもパタ
ーンＧの部分の電子の照射量（ドーズ量）を増加させる
点で第２実施形態と同様であるが、１度の描画において
パターンに応じてドーズ量を変える点で相違する。
【００３４】パターンＧの取り出しまでは第１実施形態
と同様である。第３実施形態では、図７に示すパターン
Ｅ（パターンＡからパターンＧを除いたもの）の部分に
対して３．０μＣ／ｃｍ2 での描画を行い、図８に示す
パターンＧの部分に対して３．７μＣ／ｃｍ2 での描画
を行う。
と同様である。第３実施形態では、図７に示すパターン
Ｅ（パターンＡからパターンＧを除いたもの）の部分に
対して３．０μＣ／ｃｍ2 での描画を行い、図８に示す
パターンＧの部分に対して３．７μＣ／ｃｍ2 での描画
を行う。
【００３５】すなわち、予めパターンＥの部分を描画す
る際には３．０μＣ／ｃｍ2 のドーズ量をセットしてお
き、パターンＧの部分を描画する際には３．７μＣ／ｃ
ｍ2のドーズ量をセットしておく。これにより、１度の
描画において、パターンＥの部分を描画する際にはドー
ズ量が３．０μＣ／ｃｍ2 となり、パターンＧの部分の
描画に入った段階でドーズ量が３．７μＣ／ｃｍ2 とな
って描画を行うようになる。
る際には３．０μＣ／ｃｍ2 のドーズ量をセットしてお
き、パターンＧの部分を描画する際には３．７μＣ／ｃ
ｍ2のドーズ量をセットしておく。これにより、１度の
描画において、パターンＥの部分を描画する際にはドー
ズ量が３．０μＣ／ｃｍ2 となり、パターンＧの部分の
描画に入った段階でドーズ量が３．７μＣ／ｃｍ2 とな
って描画を行うようになる。
【００３６】第３実施形態では、主として描画位置によ
りドーズ量を可変できる描画装置で適用可能であり、１
度の描画で近接効果補正を行うことができるようにな
る。
りドーズ量を可変できる描画装置で適用可能であり、１
度の描画で近接効果補正を行うことができるようにな
る。
【００３７】なお、上記実施形態では、孤立パターン１
および突出パターンの先端部分２’’に対して一律な補
正量（幅補正、ドーズ量補正）を与えているが、抽出し
た孤立パターン１および突出パターンの先端部分２’’
のサイズに応じて最適な補正量を与えるため、抽出した
パターンのサイズと補正量とのテーブルデータを作成し
ておき、これに基づいて最適な補正を与えるようにして
もよい。
および突出パターンの先端部分２’’に対して一律な補
正量（幅補正、ドーズ量補正）を与えているが、抽出し
た孤立パターン１および突出パターンの先端部分２’’
のサイズに応じて最適な補正量を与えるため、抽出した
パターンのサイズと補正量とのテーブルデータを作成し
ておき、これに基づいて最適な補正を与えるようにして
もよい。
【００３８】このような露光パターンの補正方法は、ワ
ークステーション等のＣＰＵで実行されるプログラム処
理で実現しており、補正処理の施された露光パターンに
よって製造される露光用マスクにおいては、近接効果が
抑制された設計パターンとの誤差の小さいものが完成す
る。
ークステーション等のＣＰＵで実行されるプログラム処
理で実現しており、補正処理の施された露光パターンに
よって製造される露光用マスクにおいては、近接効果が
抑制された設計パターンとの誤差の小さいものが完成す
る。
【００３９】また、この補正処理の施された露光パター
ンの露光によって製造された露光用マスクを用いること
で、製造される半導体装置のパターンを正確に形成する
ことが可能となる。さらに、露光用マスクを用いない
で、補正処理の施された露光パターンを用いて直接描画
によって半導体装置を製造した場合も、設計パターンと
の誤差の少ないパターン形成によって信頼性の高い半導
体装置を製造することができるようになる。
ンの露光によって製造された露光用マスクを用いること
で、製造される半導体装置のパターンを正確に形成する
ことが可能となる。さらに、露光用マスクを用いない
で、補正処理の施された露光パターンを用いて直接描画
によって半導体装置を製造した場合も、設計パターンと
の誤差の少ないパターン形成によって信頼性の高い半導
体装置を製造することができるようになる。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば次の
ような効果がある。すなわち、本発明によって電子線に
よる近接効果を低減できる露光パターンを簡単な計算の
みで補正することが可能となり、短時間で精度の高いレ
チクル等を作製できるようになる。また、この補正した
露光パターンによって設計通りの半導体装置を製造する
ことが可能となる。
ような効果がある。すなわち、本発明によって電子線に
よる近接効果を低減できる露光パターンを簡単な計算の
みで補正することが可能となり、短時間で精度の高いレ
チクル等を作製できるようになる。また、この補正した
露光パターンによって設計通りの半導体装置を製造する
ことが可能となる。
【図１】本実施形態における露光パターンの補正方法を
説明するフローチャートである。
説明するフローチャートである。
【図２】算出パターンの例を示す模式図（その１）であ
る。
る。
【図３】算出パターンの例を示す模式図（その２）であ
る。
る。
【図４】算出パターンの例を示す模式図（その３）であ
る。
る。
【図５】算出パターンの例を示す模式図（その４）であ
る。
る。
【図６】算出パターンの例を示す模式図（その５）であ
る。
る。
【図７】算出パターンの例を示す模式図（その６）であ
る。
る。
【図８】算出パターンの例を示す模式図（その７）であ
る。
る。
【図９】算出パターンの例を示す模式図（その８）であ
る。
る。
１ 孤立パターン ２ 突出パターン ２’ 付け
根部分 ２’’ 先端部分
根部分 ２’’ 先端部分
Claims (12)
- 【請求項１】 基板上に設計パターンである第１パター
ンを形成する際に用いる露光パターンの補正方法であっ
て、 前記第１パターンの外形ラインを該外形ラインと垂直な
方向で外側へシフトさせて第２パターンを生成する工程
と、 前記第２パターンと前記第１パターンとの論理和を求め
て第３パターンを生成する工程と、 前記第３パターンの外形ラインを該外形ラインと垂直な
方向で内側へシフトさせて第４パターンを生成する工程
と、 前記第４パターンの外形ラインを該外形ラインと垂直な
方向で外側へシフトさせて第５パターンを生成する工程
と、 前記第５パターンと前記第１パターンとの論理積を求め
て第６パターンを生成する工程と、 前記第６パターンと前記第１パターンとの排他的論理和
を求めて第７パターンを生成する工程と、 前記第７パターンを前記第１パターンに対する補正分と
して補正処理を施す工程とを備えていることを特徴とす
る露光パターンの補正方法。 - 【請求項２】 前記補正処理は、前記第７パターンの外
形ラインを該外形ラインと垂直な方向で外側へシフトさ
せた第８パターンと、前記第１パターンとの論理和によ
り生成される第９パターンを生成する処理であることを
特徴とする請求項１記載の露光パターンの補正方法。 - 【請求項３】 前記補正処理は、前記第７パターンに対
応する部分の露光量を前記第１パターンに対応する部分
の露光量より多くする処理であることを特徴とする請求
項１記載の露光パターンの補正方法。 - 【請求項４】 前記補正処理は、前記第１パターンに対
応する部分の露光を行った後、前記第７パターンに対応
する部分の露光を再度を行う処理であることを特徴とす
る請求項１記載の露光パターンの補正方法。 - 【請求項５】 前記第３パターンから前記第４パターン
を生成する際の内側へのシフト量は、前記第１パターン
から前記第２パターンを生成する際の外側へのシフト量
より多いことを特徴とする請求項１記載の露光パターン
の補正方法。 - 【請求項６】 前記第４パターンから前記第５パターン
を生成する際の外側へのシフト量は、前記第４パターン
の外形ラインが該外形ラインと対応する前記第１パター
ンの外形ラインよりも外側となる量であることを特徴と
する請求項１記載の露光パターンの補正方法。 - 【請求項７】 請求項１〜６のうちいずれか１項に記載
の露光パターンの補正方法を用いて露光パターンの補正
を行うことを特徴とする露光パターンの補正装置。 - 【請求項８】 請求項１〜６のうちいずれか１項に記載
の露光パターンの補正方法を用いて形成されたマスクパ
ターンを備えていることを特徴とする露光用マスク。 - 【請求項９】 請求項１〜６のうちいずれか１項に記載
の露光パターンの補正方法を用いて形成されたパターン
を備えている露光用マスクを用いて露光を行うことを特
徴とする露光方法。 - 【請求項１０】 請求項１〜６のうちいずれか１項に記
載の露光パターンの補正方法を用いて形成された露光パ
ターンでの露光を行うことを特徴とする露光方法。 - 【請求項１１】 請求項１〜６のうちいずれか１項に記
載の露光パターンの補正方法を用いて形成されたパター
ンを備えている露光用マスクを用いて所定の露光を行
い、製造されていることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項１２】 請求項１〜６のうちいずれか１項に記
載の露光パターンの補正方法を用いて形成された露光パ
ターンにより所定の露光を行い、製造されていることを
特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34127996A JPH10189409A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 露光パターンの補正方法、露光パターンの補正装置、露光用マスク、露光方法および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34127996A JPH10189409A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 露光パターンの補正方法、露光パターンの補正装置、露光用マスク、露光方法および半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189409A true JPH10189409A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18344831
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34127996A Pending JPH10189409A (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 露光パターンの補正方法、露光パターンの補正装置、露光用マスク、露光方法および半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189409A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002082512A1 (en) * | 2001-04-04 | 2002-10-17 | Sony Corporation | Method for forming exposure pattern and exposure pattern |
| US6570174B1 (en) | 1998-12-14 | 2003-05-27 | Nec Electronics Corporation | Optical proximity effect correcting method in semiconductor manufacturing process, which can sufficiently correct optical proximity effect, even under various situations with regard to size and shape of design pattern, and space width and position relation between design patterns |
| JP2006058865A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-03-02 | Toppan Printing Co Ltd | 濃度分布マスクの製造方法 |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP34127996A patent/JPH10189409A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6570174B1 (en) | 1998-12-14 | 2003-05-27 | Nec Electronics Corporation | Optical proximity effect correcting method in semiconductor manufacturing process, which can sufficiently correct optical proximity effect, even under various situations with regard to size and shape of design pattern, and space width and position relation between design patterns |
| US7058923B2 (en) | 1998-12-14 | 2006-06-06 | Nec Electronics Corporation | Optical proximity effect correcting method and mask data forming method in semiconductor manufacturing process, which can sufficiently correct optical proximity effect, even under various situations with regard to size and shape of design pattern, and space width and position relation between design patterns |
| WO2002082512A1 (en) * | 2001-04-04 | 2002-10-17 | Sony Corporation | Method for forming exposure pattern and exposure pattern |
| US7000216B2 (en) | 2001-04-04 | 2006-02-14 | Sony Corporation | Exposure pattern forming method and exposure pattern |
| US7165235B2 (en) | 2001-04-04 | 2007-01-16 | Sony Corporation | Exposure pattern forming method and exposure pattern |
| US7200834B2 (en) | 2001-04-04 | 2007-04-03 | Sony Corporation | Exposure pattern forming method and exposure pattern |
| JP2006058865A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-03-02 | Toppan Printing Co Ltd | 濃度分布マスクの製造方法 |
| JP4631573B2 (ja) * | 2004-07-20 | 2011-02-16 | 凸版印刷株式会社 | 濃度分布マスクの製造方法 |
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