JP2009058860A - 図形パターン分割方法及びその方法を用いた描画装置、フォトマスク - Google Patents

Abstract

【課題】図形パターンの分割数を減らすことによって、描画時間を短縮し、装置に対する描画負荷を小さくできる図形パターン分割方法を提供する。
【解決手段】本発明の図形パターン分割方法は、基材上に形成される遮光膜を選択的にエッチングするレジスト層に電子ビームを照射するときの図形パターンを分割する図形パターン分割方法であって、矩形図形パターンを照射してこれを現像しエッチングを行ったときの頂点の部分に形成されるコーナーラウンディングの半径をｒとするとき、ｒ／２≦Ｌ≦ｒ／３で規定されるＬを一辺とするプロセス依存グリッド単位を規定して、図形パターンの境界内に存在し、かつ、図形パターンの境界線にかからない全てのプロセス依存グリッド単位を決定し、決定されたプロセス依存グリッド単位に基づいて図形パターンを分割することを特徴とする。
【選択図】 図３

Description

本発明は、電子ビーム等を用いてフォトマスクなどの微細図形パターンの描画を行うための図形パターン分割方法及びそのような方法を用いた描画装置、フォトマスクに関する。

電子ビームなどを用いた描画装置によるパターニングは、可変形成方式が主流であるが、形成できる形状は矩形などに限られている。この理由は、電子ビームが通過する矩形開口部を有する２種類のアパーチャにより確定するためである。すなわち、アパーチャにより形成できる形状は限られており、アパーチャ組み合わせにより形成できない形状は、微小図形に分割する必要が出てくる。アパーチャ組み合わせにより形成できないパターンとしては、斜めの線を含む斜め図形を描画する場合であり、このような斜め図形は微小な矩形に分割することが行われる。

このような斜め図形を微小な矩形に分割して描画することについては、例えば、特許文献１（特開平６−２０９３１号公報）には、描画される図形を矩形単位に分割する手段と、分割された前記矩形に対応した断面形状を有する電子ビームを発生させる手段とを具備する、いわゆる可変成形方式の電子ビーム描画装置において、斜め図形を矩形分割した結果生じる三角形を、これに内接し縦横比の異なる複数の矩形として描画データを生成し、これらをその一部が重復することを許して描画することを特徴とする電子ビーム露光方法が開示されている。
特開平６−２０９３１号公報

従来、設計パターン（目標図形、目標パターン）に斜め図形が多い場合、斜め図形を非常に多数の微小な矩形図形に分割して、この個々の矩形図形を描画するという形となる。電子ビームによる描画は図形数によりその描画時間が決定されるので、斜め図形を多数の微小な矩形図形に分割して描画すると、描画時間が長くなり装置の描画負荷が非常に大きなものとなってしまう、という問題があった。

本発明は以上のような課題を解決するためのもので、請求項１に係る発明は、基材上に形成される遮光膜を選択的にエッチングするレジスト層に電子ビームを照射するときの図形パターンを分割する図形パターン分割方法であって、矩形図形パターンを照射してこれを現像しエッチングを行ったときの頂点の部分に形成されるコーナーラウンディングの半径をｒとするとき、ｒ／２≦Ｌ≦ｒ／３で規定されるＬを一辺とするプロセス依存グリッド単位を規定して、図形パターンの境界内に存在し、かつ、図形パターンの境界線にかからない全てのプロセス依存グリッド単位を決定し、決定されたプロセス依存グリッド単位に基づいて図形パターンを分割することを特徴とする。

また、請求項２に係る発明は、基材上に形成される遮光膜を選択的にエッチングするレジスト層に電子ビームを照射するときの図形パターンを分割する図形パターン分割方法であって、
矩形図形パターンを照射してこれを現像しエッチングを行ったときの頂点の部分に形成されるコーナーラウンディングの半径をｒとするとき、ｒ／２≦Ｌ≦ｒ／３で規定されるＬを一辺とするプロセス依存グリッド単位を規定して、図形パターンの境界内に存在するか、又は、図形パターンの境界線が通るプロセス依存グリッド単位を決定し、決定されたプロセス依存グリッド単位に基づいて図形パターンを分割することを特徴とする。

また、請求項３に係る発明は、基材上に形成される遮光膜を選択的にエッチングするレジスト層に電子ビームを照射するときの図形パターンを分割する図形パターン分割方法であって、
矩形図形パターンを照射してこれを現像しエッチングを行ったときの頂点の部分に形成されるコーナーラウンディングの半径をｒとするとき、ｒ／２≦Ｌ≦ｒ／３で規定されるＬを一辺とするプロセス依存グリッド単位を規定して、図形パターンの境界内に存在し、かつ、境界線にかからない全てのプロセス依存グリッド単位と、図形パターンの境界線が通るプロセス依存グリッドと面積が等しい等価グリッドとを決定し、決定されたプロセス依存グリッド単位と等価グリッドとに基づいて図形パターンを分割することを特徴とする。

また、請求項４に係る発明は、請求項１乃至請求項３に記載の図形パターン分割方法を用いたことを特徴とする描画装置である。

また、請求項５に係る発明は、請求項１乃至請求項３に記載の図形パターン分割法を用いて描画したことを特徴とするフォトマスクである。

本発明の実施の形態に係る図形パターン分割方法及びその方法を用いた描画装置、フォトマスクによれば、図形パターンの分割数を減らすことによって、描画時間を短縮し、描画装置に対する描画負荷を小さくすることが可能となる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。ＬＳＩのパターン寸法の微細化が進んだ結果、フォトマスクのパターンの作製には従来用いられてきた光露光に代わって電子ビーム露光技術が使われるようになってきている。電子ビームによる描画は、主に超微細描画を目的とした点ビーム描画方式と汎用性の高い可変成形描画方式に大別される。

本発明における描画装置は可変成形描画方式のものを想定している。図１は可変成形描画方式の電子ビーム描画装置の概略構成を模式的に示す図である。図１において、１０は電子銃、１１は第１アパーチャ、１２は第２アパーチャ、１３は第１偏向子、１４は第２偏向子、２０は基板をそれぞれ示している。第１アパーチャ１１、第２アパーチャ１２は所定の矩形状の開口部を有する絞りであり、第１偏向子１３、第２偏向子１４は、電子ビームに対して電磁場をかける電極板などである。

電子ビームによって描画される基板２０は、ガラスなどの透明基材層と、この透明基材層上に設けられ、図形パターンを形成するためのクロム層（遮光膜を形成する層）、そしてクロム層を露光に応じて選択的にエッチングするためのレジスト層が形成されているものである。このレジスト層は電子ビームの照射工程（描画工程）の後、周知の方法によって現像されて、遮光膜であるクロム層を選択的に除去したりする。

電子銃１０は電子ビーム描画装置における電子ビーム源であり、この電子銃１０から基板２０に向けて電子ビームが放出される。可変成形描画方式の電子ビーム描画装置では、電子ビーム軌道上の２カ所に第１アパーチャ１１および第２アパーチャ１２をそれぞれ設け、各アパーチャを透過したビームによって基板２０上で描画を行う。各アパーチャを透過した矩形ビームの縦横のサイズは、第１アパーチャ１１と第２アパーチャ１２の間に設けられた第１偏向子１３、第２偏向子１４によって制御しており、種々の大きさの矩形ビームが成形可能である。このため、可変成型描画方式を用いた場合には、点ビーム描画方式を用いた場合に比べ、縦横の矩形パターンの組み合わせ図形は高速に描画することができる。しかし、斜めの線を含む斜め図形を描画する場合、斜め図形を細かい矩形図形に分割して描画するため、装置の描画負荷が高く、高速に描画することができなかった。なお、ここで「斜め」とは、第１アパーチャ１１や第２アパーチャ１２の矩形状の開口部の各辺に対して、第１アパーチャ１１や第２アパーチャ１２平面内で所定の角度を有することを言う。

従来の可変成形描画方式の電子ビーム描画装置では、設計パターン（目標図形、目標パターン）に斜め図形が多い場合、斜め図形を非常に多数の微小な矩形図形に分割して、この個々の矩形図形を描画する。電子ビームによる描画は図形数によりその描画時間が決定されるので、斜め図形を多くの微小な矩形図形に分割すると、描画時間が長くなり装置の描画負荷が非常に大きなものとなってしまう、という問題があった。

ところで、実際のパターニングにおいては、電子ビームによる露光の後、現像工程、エッチング工程を経て基板１０上にパターン形状が得られるわけであるが、これらの工程を経ると、基板２０上で得られる矩形の頂点にも角の丸み（コーナーラウンディング）が形成されてしまうこととなる。パターニング時の角の丸み（コーナーラウンディング）は、露光の後の現像工程、エッチング工程に依存するものであり、その半径はおよそ３０〜９０ｎｍである。

図２は最終的に基板上に形成されるパターンの電子顕微鏡写真である。図２の電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真において、色の濃い部分がクロム層部が除去されたガラス基材層部を示しており、色の淡い部分がクロム層部を示している。また、写真中の一点鎖線で示されているＰは、目標とする設計パターンを示している。写真によれば、このような設計パターンＰに対して、現像・エッチング工程を経てコーナーラウンディングが形成されることが理解できる。

図２の電子顕微鏡写真によれば、現像・エッチング工程を経て、ガラス基材部上に除去されずに残ったクロム層部のコーナーラウンディングの半径（円Ｏの半径）は約６０ｎｍである。

さて、現像・エッチング工程を経ると、上記のような角の丸み（コーナーラウンディング）ができてしまうので、例えば、斜め図形を描画する際に、設計パターン図形をいかに微細に分割したところで、最終的なパターン形状への影響は小さい。本発明は、設計パターン図形をいかに微細に分割しても、コーナーラウンディングが形成されてしまう、ということに着目して、従来より矩形図形の分割数を減らすことによって、描画時間を短縮し、装置に対する描画負荷を小さくする。

以下、具体的に本発明における設計図形パターンの分割の方法について説明する。なお、本発明は、以下に説明する図形パターンの分割方法は電子ビームなどを用いた描画装置に用いるものである。

図３は本発明の実施の形態に係る図形パターン分割方法の概念を示す図であり、図４は本発明の実施の形態に係る図形パターン分割方法による分割例を示す図である。
図３において、Ｐが描画を行いたい目標図形パターン（設計パターン）であり、この図形パターンＰは斜めの線を含む斜め図形である。

電子ビームなどの描画装置でこの図形パターンＰを描画する上では、矩形図形に分割するわけであるが、このときに本発明においては、「プロセス依存グリッド単位」という概念のグリッド単位を導入する。

通常の描画装置における最小グリッドの一辺は描画装置の性能に依存するものであり、例えば１ｎｍ程度である。最小グリッドは、第１アパーチャ１１及び第２アパーチャ１２で形成することができる最小の矩形図形のことを示している。

これに対して、「プロセス依存グリッド単位」は、矩形図形パターンを描画装置で照射してこれを現像しエッチングを行ったときの頂点の部分に形成されるコーナーラウンディングの半径をｒとするとき、ｒ／３≦Ｌ≦ｒ／２で規定されるＬを一辺とするグリッド単位であり、コーナーラウンディングｒをおよそ３０〜９０ｎｍとするならば、Ｌ＝１０〜４５ｎｍとなる。

図３において示す格子の一単位が、このプロセス依存グリッド単位である。本発明においては、図形パターンＰの境界内に存在し、かつ、図形パターンＰの境界線にかからない全てのプロセス依存グリッド単位を決定する。このようなプロセス依存グリッド単位は、図３において斜線で塗りつぶされているものが相当する。

そして、図形パターンＰを分割するにあたっては、以上のようにして決定されたプロセス依存グリッド単位に基づいて行うようにする。図４は、決定されたプロセス依存グリッド単位に基づいて、図形パターンＰを分割する一例を示すものであり、ここでは、点線で囲まれたＲ１乃至Ｒ８に示す矩形図形に分割している。本発明の描画装置においては、このＲ１乃至Ｒ８の矩形図形毎に電子ビームを照射するようにして目標図形パターンＰの照射とする。このような簡略化した分割方法による図形パターンＰの照射によっても、プロセスを経た後では、コーナーラウンディングの影響が出るために略目標図形パターンを得ることが可能となると共に、図形パターンの分割数を減らすことによって、描画時間を短縮し、装置に対する描画負荷を小さくできる。

次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図５は本発明の第２の実施の形態に係る図形パターン分割方法の概念を示す図であり、図６は本発明の第２の実施の形態に係る図形パターン分割方法による分割例を示す図である。本実施形態においても「プロセス依存グリッド単位」という概念のグリッド単位を導入する。本実施形態における「プロセス依存グリッド単位」も先の第１の実施形態のものと同じものである。

図５において、Ｐが描画を行いたい目標図形パターン（設計パターン）であり、この図形パターンＰは斜めの線を含む斜め図形である。また、図５において示す格子の一単位が、このプロセス依存グリッド単位である。

本実施形態においては、図形パターンＰの境界内に存在するか、又は、図形パターンの境界線が通る全てのプロセス依存グリッド単位を決定する。このようなプロセス依存グリッド単位は、図５において斜線で塗りつぶされているものが相当する。

そして、図形パターンＰを分割するにあたっては、以上のようにして決定されたプロセス依存グリッド単位に基づいて行うようにする。図６は、決定されたプロセス依存グリッド単位に基づいて、図形パターンＰを分割する一例を示すものであり、ここでは、点線で囲まれたＲ１乃至Ｒ１０に示す矩形図形に分割している。本発明の描画装置においては、このＲ１乃至Ｒ１０の矩形図形毎に電子ビームを照射するようにして目標図形パターンＰの照射とする。このような簡略化した分割方法による図形パターンＰの照射によっても、プロセスを経た後では、コーナーラウンディングの影響が出るために略目標図形パターンを得ることが可能となると共に、図形パターンの分割数を減らすことによって、描画時間を短縮し、装置に対する描画負荷を小さくできる。

次に、本発明の第３の実施形態について説明する。図７は本発明の第３の実施の形態に係る図形パターン分割方法の概念を示す図であり、図８は本発明の第３の実施の形態に係る図形パターンの周縁部の分割方法の概念を示す図である。本実施形態においても「プロセス依存グリッド単位」という概念のグリッド単位を導入する。本実施形態における「プロセス依存グリッド単位」も先の第１の実施形態のものと同じものである。

図７において、Ｐが描画を行いたい目標図形パターン（設計パターン）であり、この図形パターンＰは斜めの線を含む斜め図形である。また、図７において示す格子の一単位が、このプロセス依存グリッド単位である。

本実施形態においては、（Ｉ）図形パターンＰの境界内に存在し、かつ、図形パターンＰの境界線にかからない全てのプロセス依存グリッド単位を決定する。

また、（ＩＩ）図形パターンＰの境界線が通るプロセス依存グリッドと面積が等しい等価グリッドとを決定する。ここで「等価グリッド」は描画対象の図形パターンＰの境界に対し描画装置が描画するために設定した描画パターンの境界で、図形パターンＰの境界を（例えば以下に記載の方法で）近似した境界である。（ＩＩ）の決定時における等価グリッドの作成の仕方は以下の通りとする。
（ＩＩ−ａ）プロセス依存グリッドの対向する２つの辺と図形パターンＰの境界線が交点を有する場合：前記交点がない辺と平行な辺をもつ等価面積の矩形領域を作成し等価グリッドとする。
（ＩＩ−ｂ）プロセス依存グリッドの相隣り合う２つの辺と図形パターンＰの境界線が交点を有する場合：相隣り合う２つの辺を２辺とする等価面積の正方形を作成する（ＩＩ−ｂ−１）か、プロセス依存グリッドから相隣り合う２つの辺を２辺とする正方形を抜いた等価面積のＬ字形状を作成して（ＩＩ−ｂ−２）等価グリッドとする。前者（ＩＩ−ｂ−１）とするか後者（ＩＩ−ｂ−２）とするかは、着目するグリッド単位と隣接するグリッド単位との連続性が確保できるかにおうじて決定する。具体的には、前記相隣り合う２つの辺の交点が図形パターンＰに含まれる場合は隣り合う２つの辺を２辺とする等価面積の正方形を作成し、前記相隣り合う２つの辺の交点が図形パターンＰに含まれない場合は、該交点を含む正方形を抜いた等価面積のＬ字形状を作成して等価グリッドとする。隣接するグリッド単位に連続性が存在するということは、ある等価グリッドと別の等価グリッドとの間に飛び地が存在しないような状態のことをいう。

また、ここで、等価面積とは、着目するグリッド単位内における図形パターンＰの面積と同じ面積のことをいう。

以上のようにして決定されたプロセス依存グリッド単位及び等価グリッドは、図７において斜線で塗りつぶされているものが相当する。そして、図形パターンＰを分割するにあたっては、以上のようにして決定されたプロセス依存グリッド単位及び等価グリッドに基づいて行うようにする。

上記の「等価グリッド」の考え方により詳しく説明する。図８は図７の一部を拡大したものであり、図８においてＣＭＰ１乃至ＣＭＰ６として点線で囲まれているのが等価グリッドである。図８においては、プロセス依存グリッドの左隅には、プロセス依存グリッドを指定するためのＧＲＩＤ（Ｘ，Ｙ）の記載を付加している。

等価グリッドＣＭＰ１の面積は、ＧＲＩＤ（２，１）における設計パターンＰ内の領域の面積と等しくなるように設定される。ここで、ＧＲＩＤ（２，１）は相隣り合う２辺と図形パターンＰが境界線を有しているので、（ＩＩ−ｂ）のパターンとなる。また、隣接するグリッド単位ＧＲＩＤ（１，１）やＧＲＩＤ（２，２）との連続性を保つために、（ＩＩ−ｂ−１）によって等価グリッドが作成されている。

等価グリッドＣＭＰ２の面積は、ＧＲＩＤ（２，２）における設計パターンＰ内の領域の面積と等しくなるように設定される。ここで、ＧＲＩＤ（２，２）では対向する２つの辺と図形パターンＰの境界線が交点を有する場合であるので（ＩＩ−ａ）によって等価グリッドＣＭＰ２が作成される。

等価グリッドＣＭＰ３の面積は、ＧＲＩＤ（２，３）における設計パターンＰ内の領域の面積と等しくなるように設定される。ここで、ＧＲＩＤ（２，３）は相隣り合う２辺と図形パターンＰが境界線を有しているので、（ＩＩ−ｂ）のパターンとなる。また、隣接するグリッド単位ＧＲＩＤ（２，３）やＧＲＩＤ（３，３）との連続性を保つために、（ＩＩ−ｂ−２）によって等価グリッドが作成されている。

等価グリッドＣＭＰ４の面積は、ＧＲＩＤ（３，３）における設計パターンＰ内の領域の面積と等しくなるように設定される。ここで、ＧＲＩＤ（３，３）は相隣り合う２辺と図形パターンＰが境界線を有しているので、（ＩＩ−ｂ）のパターンとなる。また、隣接するグリッド単位ＧＲＩＤ（２，３）やＧＲＩＤ（３，４）との連続性を保つために、（ＩＩ−ｂ−１）によって等価グリッドが作成されている。

等価グリッドＣＭＰ５の面積は、ＧＲＩＤ（３，４）における設計パターンＰ内の領域の面積と等しくなるように設定される。ここで、ＧＲＩＤ（３，４）では対向する２つの辺と図形パターンＰの境界線が交点を有する場合であるので（ＩＩ−ａ）によって等価グリッドＣＭＰ２が作成される。

等価グリッドＣＭＰ６の面積は、ＧＲＩＤ（３，５）における設計パターンＰ内の領域の面積と等しくなるように設定される。ここで、ＧＲＩＤ（３，５）は相隣り合う２辺と図形パターンＰが境界線を有しているので、（ＩＩ−ｂ）のパターンとなる。また、隣接するグリッド単位ＧＲＩＤ（３，４）やＧＲＩＤ（２，５）との連続性を保つために、（ＩＩ−ｂ−１）によって等価グリッドが作成されている。

第３の実施形態に係る分割方法は、第１、第２のものに比べると、やや複雑なものであるが、従来の分割方法に比べると、簡略化されたものであるといえる。この第３実施形態のような分割方法による図形パターンＰの照射によっても、プロセスを経た後では、コーナーラウンディングの影響が出るために略目標図形パターンを得ることが可能となると共に、図形パターンの分割数を減らすことによって、描画時間を短縮し、装置に対する描画負荷を小さくできる。

次に、従来の図形パターン分割方法と本発明の図形パターン分割方法の比較について説明する。図９は従来の図形パターン分割方法によって図形パターンを分割した例を示す図であり、図１０は本発明の第１の実施の形態に係る図形パターン分割方法によって図形パターンを分割した例を示す図である。

図９（Ａ）に示す図形パターンが斜め線を含む目標図形パターンである。これに対して、従来の図形パターン分割方法で矩形図形に分割した様子を図９（Ｂ）に示す。ここで、描画装置における最小グリッドは１．２５ｎｍとしている。また図９（Ｂ）のＡ１に示す領域を拡大したものが図９（Ｃ）であり、図９（Ｃ）のＡ２に示す領域を拡大したものが図（Ｄ）である。図９に示す従来の図形パターン分割方法で矩形図形に分割した場合には、矩形図形の総数は７０７となり、図形パターン中の最小の段差Ｓ１は１．２５ｎｍとなる。

次に、本発明の図形パターンの分割について説明する。図１０（Ａ）に示す図形パターンが斜め線を含む目標図形パターンである。これに対して、従来の図形パターン分割方法で矩形図形に分割した様子を図１０（Ｂ）に示す。ここで、コーナーラウンディングｒは６０ｎｍとし、プロセス依存グリッドの一辺Ｌは、コーナーラウンディングｒの１／２の３０ｎｍとしている。

また図１０（Ｂ）のＢ１に示す領域を拡大したものが図１０（Ｃ）である。図１０に示す従来の図形パターン分割方法で矩形図形に分割した場合には、矩形図形の総数は２５となり、図形パターン中の最小の段差Ｓ１は３０ｎｍとなる。

このように、本発明の図形パターン分割方法によれば、矩形図形の総数を大幅に減少させることができ、描画時間を短縮し、描画装置に対する描画負荷を小さくすることが可能となる。

可変成形描画方式の電子ビーム描画装置の概略構成を模式的に示す図である。 最終的に基板上に形成されるパターンの電子顕微鏡写真である。 本発明の第１の実施の形態に係る図形パターン分割方法の概念を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る図形パターン分割方法による分割例を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る図形パターン分割方法の概念を示す図である。 本発明の第２の実施の形態に係る図形パターン分割方法による分割例を示す図である。 本発明の第３の実施の形態に係る図形パターン分割方法の概念を示す図である。 本発明の第３の実施の形態に係る図形パターンの周縁部の分割方法の概念を示す図である。 従来の図形パターン分割方法によって図形パターンを分割した例を示す図である。 本発明の第１の実施の形態に係る図形パターン分割方法によって図形パターンを分割した例を示す図である。

符号の説明

１０・・・電子銃、１１・・・第１アパーチャ、１２・・・第２アパーチャ、１３・・・第１偏向子、１４・・・第２偏向子、２０・・・基板

Claims (5)

1. 基材上に形成される遮光膜を選択的にエッチングするレジスト層に電子ビームを照射するときの図形パターンを分割する図形パターン分割方法であって、
   矩形図形パターンを照射してこれを現像しエッチングを行ったときの頂点の部分に形成されるコーナーラウンディングの半径をｒとするとき、ｒ／２≦Ｌ≦ｒ／３で規定されるＬを一辺とするプロセス依存グリッド単位を規定して、
   図形パターンの境界内に存在し、かつ、図形パターンの境界線にかからない全てのプロセス依存グリッド単位を決定し、決定されたプロセス依存グリッド単位に基づいて図形パターンを分割することを特徴とする図形パターン分割方法。
2. 基材上に形成される遮光膜を選択的にエッチングするレジスト層に電子ビームを照射するときの図形パターンを分割する図形パターン分割方法であって、
   矩形図形パターンを照射してこれを現像しエッチングを行ったときの頂点の部分に形成されるコーナーラウンディングの半径をｒとするとき、ｒ／２≦Ｌ≦ｒ／３で規定されるＬを一辺とするプロセス依存グリッド単位を規定して、
   図形パターンの境界内に存在するか、又は、図形パターンの境界線が通るプロセス依存グリッド単位を決定し、決定されたプロセス依存グリッド単位に基づいて図形パターンを分割することを特徴とする図形パターン分割方法。
3. 基材上に形成される遮光膜を選択的にエッチングするレジスト層に電子ビームを照射するときの図形パターンを分割する図形パターン分割方法であって、
   矩形図形パターンを照射してこれを現像しエッチングを行ったときの頂点の部分に形成されるコーナーラウンディングの半径をｒとするとき、ｒ／２≦Ｌ≦ｒ／３で規定されるＬを一辺とするプロセス依存グリッド単位を規定して、
   図形パターンの境界内に存在し、かつ、境界線にかからない全てのプロセス依存グリッド単位と、
   図形パターンの境界線が通るプロセス依存グリッドと面積が等しい等価グリッドとを決定し、決定されたプロセス依存グリッド単位と等価グリッドとに基づいて図形パターンを分割することを特徴とする図形パターン分割方法。
4. 請求項１乃至請求項３に記載の図形パターン分割方法を用いたことを特徴とする描画装置。
5. 請求項１乃至請求項３に記載の図形パターン分割法を用いて描画したことを特徴とするフォトマスク。