JPS5877231A - レジストパタ−ンのテ−パ形成方法 - Google Patents

レジストパタ−ンのテ−パ形成方法

Info

Publication number
JPS5877231A
JPS5877231A JP56175672A JP17567281A JPS5877231A JP S5877231 A JPS5877231 A JP S5877231A JP 56175672 A JP56175672 A JP 56175672A JP 17567281 A JP17567281 A JP 17567281A JP S5877231 A JPS5877231 A JP S5877231A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
resist
taper
irregular parts
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP56175672A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0145739B2 (ja
Inventor
Takashi Ookoda
大古田　隆司
Akira Eda
昭 江田
Hideki Nishida
西田　秀来
Hisao Nozawa
野沢　悠夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP56175672A priority Critical patent/JPS5877231A/ja
Publication of JPS5877231A publication Critical patent/JPS5877231A/ja
Publication of JPH0145739B2 publication Critical patent/JPH0145739B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7035—Proximity or contact printers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブルメモリ素子製作時のレジストパタ
ーンのテーバ形成方法に関する。
従来のレジストパターンのテーノくの形成方法は、レジ
ストと下地とのエツチング速度の違いを利用してい良。
しかし、転写される下地）（ターンのテーパ角が不十分
なため、多層配線の際に段切れが生じやすいという欠点
があった。
したがって、本発明の目的は、磁気パズルメモリ素子に
おいズパターンに適当なテーバを形成することを提供す
ることにある。
こＯため、本発明は、多層配線部などＯラフパターンに
適用するものであ〕、マスクパターンの周辺にピッチ間
隔２μｍ以下の凹凸ｔ−２け、露光時ＯＷＡ折先によシ
、レジストパターンにテーバを形成し、積層構造の各層
間のパターンのテーパ角をゆるやかにして段切れな防止
するようにしたものである。
以下、本発明を実施例によって詳細ｔｃＩ！明する。
第１図は、１スクのパターンの一部を示し、第２図は、
そのマスクによ多形成されたレジストの断面形状を示す
。１はマスク基板、２はパターンを示しその周辺には微
細な凹凸を形成しである。３はｌｌ！射光、４は凹凸を
通る回折光、Ｓはレジスト６とマスク１の間のギャップ
、７はレジスト藝を形成し念下地を示しである。第３図
は横軸に凹凸のピッチ間隔、縦軸にレジストパターンの
テーパ角を示している。本＊施例の特徴は、嬉３図で示
すようにピッチ間隔が２μｍ以下、すなわちパターン周
辺部に２μｍ間隔以下の凹凸を形成することで、その部
分を通る光の回折光により、第２図の６の点−で囲まれ
九テーパｔ′有したレジストパターンが形成場れ、更に
エツチングにより、下地Ｔに同様な形状のパターンが得
られる。第３図において、Ｐ】ハテーパ形成領域、Ｐ２
はズスクパターンＯ凹凸が直接転写する領域である。こ
の↓うに本発明を適用することによル、積層構造をゼす
る多層配＠０テーパが従来の方法よシなめらかになる効
果がある。
以上説明したように、本発明によれば、多層配１ＩＩＫ
おける積層構造の各層のパターンのテーバ角を適当な角
度に形成できるので段切れによる断線が防止でき、製品
の歩留シが向上するという優れた効果がある。
【図面の簡単な説明】
１１１４１図は本発明の一実施例における１スクの正面
図、第２図は、この１スクを使用した露光時の断面図、
第３図はマスクパターンのピッチ間隔とレジストパター
ンＯテーパ角の関係を示す図である。 ｌ　ａ　ａ　＠　ａｙスク基板、２・・・・パターン、
３・・・・照射光、４・・・・回拓光、５・・・・ギャ
ップ、６・・・・レジスト、Ｔ・・・・下地。 １１−声！− 二１に雫−一 第１独 ＼　　　パター）頗辺の凹凸のヒー・ｙ関１鵬（７ｕｍ
）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ｉスフパターンの周辺にピッチ間隔２μｍ以下の凹凸を
    形成し、露光時にこの凹凸を通る光の回折光によってレ
    ジストに適度なテーノく−を形ａ−ｇせゐようにしたこ
    とを特徴とするレジストノ（ターンＯテーパ形成方法。
JP56175672A 1981-11-04 1981-11-04 レジストパタ−ンのテ−パ形成方法 Granted JPS5877231A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56175672A JPS5877231A (ja) 1981-11-04 1981-11-04 レジストパタ−ンのテ−パ形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56175672A JPS5877231A (ja) 1981-11-04 1981-11-04 レジストパタ−ンのテ−パ形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5877231A true JPS5877231A (ja) 1983-05-10
JPH0145739B2 JPH0145739B2 (ja) 1989-10-04

Family

ID=16000211

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56175672A Granted JPS5877231A (ja) 1981-11-04 1981-11-04 レジストパタ−ンのテ−パ形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5877231A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60135949A (ja) * 1983-12-23 1985-07-19 Matsushita Electric Works Ltd 光成形体の製造方法
JPS61111533A (ja) * 1984-11-05 1986-05-29 Mitsubishi Electric Corp 感光性樹脂のパタ−ン形成方法
JPH01243436A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 感光性有機樹脂膜の形成方法
WO1995010849A1 (fr) * 1993-10-13 1995-04-20 Oki Electric Industry Co., Ltd. Motif et procede d'evaluation d'un foyer
EP1034457A1 (en) * 1997-11-24 2000-09-13 ASML Masktools Netherlands B.V. Method of fine feature edge tuning with optically-halftoned mask
JP2002040623A (ja) * 2000-07-26 2002-02-06 Ricoh Opt Ind Co Ltd 濃度分布マスクの製造方法
JP2005257712A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Hoya Corp グレートーンマスク及びその製造方法
JP2009230017A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Omron Corp レジスト露光方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60135949A (ja) * 1983-12-23 1985-07-19 Matsushita Electric Works Ltd 光成形体の製造方法
JPS61111533A (ja) * 1984-11-05 1986-05-29 Mitsubishi Electric Corp 感光性樹脂のパタ−ン形成方法
JPH031822B2 (ja) * 1984-11-05 1991-01-11 Mitsubishi Electric Corp
JPH01243436A (ja) * 1988-03-25 1989-09-28 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 感光性有機樹脂膜の形成方法
WO1995010849A1 (fr) * 1993-10-13 1995-04-20 Oki Electric Industry Co., Ltd. Motif et procede d'evaluation d'un foyer
EP1034457A1 (en) * 1997-11-24 2000-09-13 ASML Masktools Netherlands B.V. Method of fine feature edge tuning with optically-halftoned mask
EP1034457A4 (en) * 1997-11-24 2001-05-02 Asml Masktools Bv METHOD FOR ADJUSTING THE EDGES OF FINE DETAILS USING A HALF-TONE OPTICAL MASK
JP2002040623A (ja) * 2000-07-26 2002-02-06 Ricoh Opt Ind Co Ltd 濃度分布マスクの製造方法
JP2005257712A (ja) * 2004-03-09 2005-09-22 Hoya Corp グレートーンマスク及びその製造方法
JP4521694B2 (ja) * 2004-03-09 2010-08-11 Ｈｏｙａ株式会社 グレートーンマスク及び薄膜トランジスタの製造方法
JP2009230017A (ja) * 2008-03-25 2009-10-08 Omron Corp レジスト露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0145739B2 (ja) 1989-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS5877231A (ja) レジストパタ−ンのテ−パ形成方法
JPS58218119A (ja) パタ−ン形成方法
JPH0342896A (ja) 多層プリント基板
JPS6392042A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH04180661A (ja) リードフレームおよびその製造方法
JPS59155921A (ja) レジストパタ−ンの形成方法
JPH02228022A (ja) ホールパターンの形成方法
JPS6233580B2 (ja)
JPH03157948A (ja) フレキシブル回路基板の製造方法
JPS63200594A (ja) 印刷配線板およびその製造方法
JPS60240148A (ja) リ−ドフレ−ムの製造方法
JPS6141095Y2 (ja)
JPH05224429A (ja) 半導体製品の製造方法
JPS59116657A (ja) ホトマスクの作成方法
JPS61101030A (ja) 微細パタ−ン形成法
JPH02148721A (ja) レジストパターン形成方法
JPS61187294A (ja) 導電パタ−ンの形成方法
JPH05327179A (ja) プリント配線基板の製造方法
JPS59224194A (ja) 薄膜配線基板
JPS5855677B2 (ja) アツマクシユウセキカイロノセイゾウホウホウ
JPS61135189A (ja) 印刷配線板の製造方法
JPH01264288A (ja) 薄膜配線パターンの形成方法
JPS6034038A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0478011A (ja) 薄膜パターンの形成方法
EP0370511A3 (en) Method of fabricating a photoplate