JPS61101030A - 微細パタ−ン形成法 - Google Patents
微細パタ−ン形成法Info
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- JPS61101030A JPS61101030A JP59223352A JP22335284A JPS61101030A JP S61101030 A JPS61101030 A JP S61101030A JP 59223352 A JP59223352 A JP 59223352A JP 22335284 A JP22335284 A JP 22335284A JP S61101030 A JPS61101030 A JP S61101030A
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- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
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- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は例えば磁気バブルメモリに適応して有利な光露
光技術による微細パターン形成法に関するものである。
光技術による微細パターン形成法に関するものである。
磁気バブルメモリは不揮発性メモリであり、且つフロッ
ピーディスク等の磁気ディスクや磁気テープの如く可動
機構を必要とぜす、しかも高速アクセスができ、長寿命
でプリント板実装もできるなどの優れた特徴をもってい
る。
ピーディスク等の磁気ディスクや磁気テープの如く可動
機構を必要とぜす、しかも高速アクセスができ、長寿命
でプリント板実装もできるなどの優れた特徴をもってい
る。
磁気バブルメモリは1チツプ(略10角)当りの記憶容
量をIMbit 、 4Mbitと高めてきたが、これ
に伴いパターンの微細加工技術が極めて重要になってき
ている。
量をIMbit 、 4Mbitと高めてきたが、これ
に伴いパターンの微細加工技術が極めて重要になってき
ている。
光露光技術では形成困難とされている最小幅寸法が1μ
m以下の微細パターンを形成する方法として電子ビーム
露光やX線露光があるが一定面積当りの露光時間が格段
に長い、また装置が大がか1 りで価格が非常に高くコ
スト面に問題がある等の欠、壱がある。
m以下の微細パターンを形成する方法として電子ビーム
露光やX線露光があるが一定面積当りの露光時間が格段
に長い、また装置が大がか1 りで価格が非常に高くコ
スト面に問題がある等の欠、壱がある。
このため従前の光露光技術による微細パターンの形成法
の提り(が望まれている。
の提り(が望まれている。
第3図に光霧光法による従来のパターン形成法の工程を
示す。図において11は露光用マスク、11aはマスク
パターン、12はレジスト膜、13はパターン形成用膜
、14は基板、に)は照射光である。
示す。図において11は露光用マスク、11aはマスク
パターン、12はレジスト膜、13はパターン形成用膜
、14は基板、に)は照射光である。
この従来の光露光1d(A)の如く基板14上に金属等
のパターン形成用膜13とレジスト膜12が被着形成さ
れ、その上に密着或いはある程度の距離をおいて露光用
マスク11を記動した状態で行なわれている。
のパターン形成用膜13とレジスト膜12が被着形成さ
れ、その上に密着或いはある程度の距離をおいて露光用
マスク11を記動した状態で行なわれている。
具体的に説明すればまず、形成したいパターン形状と同
形のマスクパターンlla f有する露光用マスク11
を用いてレジスト膜12を露光し、現像して(C)の如
きレジストパターン12′ヲ形成する。その後該レジス
トパターン12′ヲ用いてバタ〒ン形成用晩13をイオ
ンエツチング等にてエツチングし、レジストパターン1
2′ヲとりのぞいて(D)の如き配線パターンやマスク
としての所望パターンが完成する。
形のマスクパターンlla f有する露光用マスク11
を用いてレジスト膜12を露光し、現像して(C)の如
きレジストパターン12′ヲ形成する。その後該レジス
トパターン12′ヲ用いてバタ〒ン形成用晩13をイオ
ンエツチング等にてエツチングし、レジストパターン1
2′ヲとりのぞいて(D)の如き配線パターンやマスク
としての所望パターンが完成する。
このように従来は露光用マスク111個だけ用いて露光
、現像、エツチングの工程を1回のみでパターンの形成
を行っていた0 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記の如き方法により微細(1μm以下)なパターンを
形成しようとするとマスクパターン1laO幅が狭いた
め(B)の如く露光時に該マスクパターンllaの両側
からの光のまわりこみを生じレジスト膜12が余謂な部
分まで露光され、これを現像すると(C)の如く側面が
だれたレジストパターン12′が形成されてしまう。ぞ
してこのようなレジストパターン12′金用いてエツチ
ングすると(D)に示すような側面に傾斜のあるパター
ンができ、所望形状のパターンを形成することができな
い。
、現像、エツチングの工程を1回のみでパターンの形成
を行っていた0 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記の如き方法により微細(1μm以下)なパターンを
形成しようとするとマスクパターン1laO幅が狭いた
め(B)の如く露光時に該マスクパターンllaの両側
からの光のまわりこみを生じレジスト膜12が余謂な部
分まで露光され、これを現像すると(C)の如く側面が
だれたレジストパターン12′が形成されてしまう。ぞ
してこのようなレジストパターン12′金用いてエツチ
ングすると(D)に示すような側面に傾斜のあるパター
ンができ、所望形状のパターンを形成することができな
い。
前記問題点を解決するため本発明では、微細パターンの
一方側面を生成するための第一マスクと前記微細幅パタ
ーンの他方側面を生成するための第二マスクとを用い、
前記第一マスクを用いて前記レジスト膜を露光、現像し
、且つ前記パターン形成用膜をエツチングして前記一方
側面を生成する工程と、一方側面が形成された該パター
ン形成用膜上に再度前記レジスト膜を被着する工程と、
前記第二マスクを用いて前記被着レジスト膜を露光、現
像し、且つ前記パターン形成用膜をエツチングして前記
他方側面を生成する工程とを少なくとも有してなること
全特徴とする微細パターン形成法を提供する。
一方側面を生成するための第一マスクと前記微細幅パタ
ーンの他方側面を生成するための第二マスクとを用い、
前記第一マスクを用いて前記レジスト膜を露光、現像し
、且つ前記パターン形成用膜をエツチングして前記一方
側面を生成する工程と、一方側面が形成された該パター
ン形成用膜上に再度前記レジスト膜を被着する工程と、
前記第二マスクを用いて前記被着レジスト膜を露光、現
像し、且つ前記パターン形成用膜をエツチングして前記
他方側面を生成する工程とを少なくとも有してなること
全特徴とする微細パターン形成法を提供する。
パターン形成する際の露光、現像、エツチングの工程を
2回行うことでパターンの2つの側面音別々に形成する
ことによレマスクの両側面のそれぞれ反対面からの光の
捷わりこみがなくなりパターンマスクとほぼ同寸法で両
側面が垂直、すなわちだれのないレジストマスクが形成
される。
2回行うことでパターンの2つの側面音別々に形成する
ことによレマスクの両側面のそれぞれ反対面からの光の
捷わりこみがなくなりパターンマスクとほぼ同寸法で両
側面が垂直、すなわちだれのないレジストマスクが形成
される。
以下、第1図と卯2図の図面に従って本発明の詳細な説
明する。
明する。
第1図は本発明の微細パターン形成法の工程を説明する
ための断面図、第2図は第1図の主要工程の平面図で凌
ンる。
ための断面図、第2図は第1図の主要工程の平面図で凌
ンる。
図において1,5は露光用第1.第2マスク、la、5
aUマスクパターン、2,6uレジスト膜、2a、6a
は露光後のレジスト膜(以下レジストパターン)、3は
3000Aの金からなるパターン形成用膜、4はGGG
基板、7,8は形成さハたパターンである。
aUマスクパターン、2,6uレジスト膜、2a、6a
は露光後のレジスト膜(以下レジストパターン)、3は
3000Aの金からなるパターン形成用膜、4はGGG
基板、7,8は形成さハたパターンである。
第2図(T))に示すような微細(最小幅ωが1μm以
下)な所望パターン8を形成する場合、本発明の実施例
では、まず第1図(A)に示すようにレジスト膜2の一
方側面のみを形成するようなマスクパターン1aを有す
る露光用第1マスク1(第2図(A)参照)を用いてレ
ジスト膜2の露光全行い、現像して第1図(B)に示す
如きレジストパターン2ai形成する。その後、該レジ
ストパターン2kを用いてGGlj二板4上板4上らな
るパターン形成用膜3のイオンエツチングを行い、レジ
ストパターン2Iをとりのぞいて第1図(C)に示す如
き一方イ+l1lWrlが生成されたパターン7(第2
図(C)参照)をまず形成する。
下)な所望パターン8を形成する場合、本発明の実施例
では、まず第1図(A)に示すようにレジスト膜2の一
方側面のみを形成するようなマスクパターン1aを有す
る露光用第1マスク1(第2図(A)参照)を用いてレ
ジスト膜2の露光全行い、現像して第1図(B)に示す
如きレジストパターン2ai形成する。その後、該レジ
ストパターン2kを用いてGGlj二板4上板4上らな
るパターン形成用膜3のイオンエツチングを行い、レジ
ストパターン2Iをとりのぞいて第1図(C)に示す如
き一方イ+l1lWrlが生成されたパターン7(第2
図(C)参照)をまず形成する。
1〜かる後、第1図(D)の如くパターン7と基板4の
露出部に再度レジスト膜6を塗布する。そして他方側面
全形成するようなマスクパターン5aを有する露光用紀
2マスク5(第2図(B)参照)を用いてレジスト膜6
の露光、現像を行い、第1図(E)に示すようなレジス
トマスク6aを形成する。その稜レジストマスク6a′
?用いてイオンエツチングし該レジストパターン6aの
除去を行うことにより第1図(F)および第2図(I)
)に示す所望のパターン8が形成される。
露出部に再度レジスト膜6を塗布する。そして他方側面
全形成するようなマスクパターン5aを有する露光用紀
2マスク5(第2図(B)参照)を用いてレジスト膜6
の露光、現像を行い、第1図(E)に示すようなレジス
トマスク6aを形成する。その稜レジストマスク6a′
?用いてイオンエツチングし該レジストパターン6aの
除去を行うことにより第1図(F)および第2図(I)
)に示す所望のパターン8が形成される。
本発明では所望のパターンの両側向な・二つの露光用マ
スクを用い別々の露光、現像、エツチング工程で形成す
るため露光時の反対(1111の面からの光の捷わりこ
みはなくなるので光のまわりこみが低減され、パターン
マスクとほぼ同形のレジストパターンを形成することが
可能となり所望の微細なパターンヲエノチングすること
ができる。
スクを用い別々の露光、現像、エツチング工程で形成す
るため露光時の反対(1111の面からの光の捷わりこ
みはなくなるので光のまわりこみが低減され、パターン
マスクとほぼ同形のレジストパターンを形成することが
可能となり所望の微細なパターンヲエノチングすること
ができる。
第1図は本発明の微細パターン形成法のT8を示す図、
第2図は第1図の主要工程の平面図で、第3図は従来の
パターン形成法の工程を示す図である。 図において、1,5は露光用第1.第2マスク、2.6
はレジスト膜、3けパターン形成用膜、4は基板、7,
8は形成さtIだパターンである。 C′XJト
第2図は第1図の主要工程の平面図で、第3図は従来の
パターン形成法の工程を示す図である。 図において、1,5は露光用第1.第2マスク、2.6
はレジスト膜、3けパターン形成用膜、4は基板、7,
8は形成さtIだパターンである。 C′XJト
Claims (2)
- (1)パターン形成用膜上に被着した感光性レジスト膜
を露光用マスクを用いて露光し、現像してレジストパタ
ーンを形成し、しかる後パターン形成用膜をエッチング
して微細幅のパターンを形成する方法において、前記微
細パターンの一方側面を生成するための第一マスクと前
記微細幅パターンの他方側面を生成するための第二マス
クとを用い、前記第一マスクを用いて前記レジスト膜を
露光、現像し、且つ前記パターン形成用膜をエッチング
して前記一方側面を生成する工程と、一方側面が形成さ
れた該パターン形成用膜上に再度前記レジスト膜を被着
する工程と、前記第二マスクを用いて前記被着レジスト
膜を露光、現像し、且つ前記パターン形成用膜をエッチ
ングして前記他方側面を生成する工程とを少なくとも有
してなることを特徴とする微細パターン形成法。 - (2)前記パターンはバブル結晶層表面に被着したイオ
ン注入パターン形成用パターンであることを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の微細パターン形成法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59223352A JPS61101030A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 微細パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59223352A JPS61101030A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 微細パタ−ン形成法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61101030A true JPS61101030A (ja) | 1986-05-19 |
JPH0462451B2 JPH0462451B2 (ja) | 1992-10-06 |
Family
ID=16796815
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59223352A Granted JPS61101030A (ja) | 1984-10-24 | 1984-10-24 | 微細パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61101030A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04332114A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-11-19 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体装置のマスクパターン形成方法 |
-
1984
- 1984-10-24 JP JP59223352A patent/JPS61101030A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04332114A (ja) * | 1990-09-17 | 1992-11-19 | Hyundai Electron Ind Co Ltd | 半導体装置のマスクパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0462451B2 (ja) | 1992-10-06 |
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