JP2000503484A - 電気絶縁支持体上に少なくとも２つの配線面を形成する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 電気絶縁支持体上に配線面（ＶＥ１，ＶＥ２，ＶＥ３）を形成する際、導体パターンを金属被覆のレーザ構造化によって形成し、かつスルー接触のために必要なブラインドホールを同様にレーザビームによって製造する。それによりとくにマルチ・チップ・モジュールが、わずかな費用で製造することができる。

Description

【発明の詳細な説明】 電気絶縁支持体上に少なくとも２つの配線面を形成する方法 ヨーロッパ特許出願公開第００６２３００号明細書によれば、プリント板を製 造する方法が公知であり、ここでは金属層上に全面的に被着された金属製エッチ ングレジスト層が、再びレーザビームにより選択的に除去され、かつ導体像が、 このようにして露出した金属層のエッチングにより構造化できる。この公知の方 法において、導体路の間の金属層をエッチングにより完全に除去できるようにす るために、あらかじめその上にあるエッチングレジスト層は、同様に完全に除去 しなければならない。しかしレーザビームによって行なわれるエッチングレジス ト層のこの除去は、手間がかかり、かつ時間がかかる。このことは、とくに導体 路が比較的広く互いに離れており、かつそれによりレーザによって切除すべきエ ッチングレジスト層が比較的大きいときに当てはまる。 ヨーロッパ特許出願公開第０３１６１９２号明細書により公知のプリント板を 製造する方法において、前記の方法とは相違して、後に形成される導体像に直接 隣接するエッチングレジスト層の範囲だけが、電磁ビーム、有利にはレーザビー ムによって除去される。し たがって電磁ビームによる輪郭描写は、切除すべきエッチングレジスト層のわず かな面広がりに関して急速に行なうことができる導体像の狭い周回又は書換えと みなすことができる。導体像に相当しない範囲は、アノードに接触させられ、そ れからここにおいてエッチングレジスト層が、電解的に切除でき、かつそれによ り露出した金属層が、エッチング除去できる。しかし導体像に相当しないランド 範囲は、プリント板の機能に害を及ぼすことなく、そのままであってもよい。場 合によってはランド範囲は、アース又は統一的な電位に接続してもよく、かつシ ールドの機能を受持つことができる。 多層のプリント板において、個々の配線面は、いわゆるスルー接触によって直 接互いに導電結合される。プリント板の小型化は、とりわけこのスルー接触の所 要場所によって制限される。所要場所は、配線面におけるスルー接触のために空 けておかなければならない面によって、かつスルー接触の長さによって確定する 。その長さにおいてスルー接触は、結合すべき配線面の間に、場合によってはプ リント板の全厚さを通って延びている。スルー接触は、多層プリント板における あらかじめ製造された中間積層板の全厚さを通って延びていることもある。 ヨーロッパ特許出願公開第０１６４６５４号明細書によれば、層系列、金属／ 誘電体／金属を有する積層 板に、エキシマーレーザによってブラインドホールを形成することが公知である 。その際、積層板のいちばん上の金属は、穴あきマスクとして利用され、この穴 あきマスクの穴像は、写真技術によって転写され、かつ後続のエッチングによっ て製造される。このマスクの穴範囲に露出した誘電体は、それからエキシマーレ ーザの作用によって、いちばん下の金属層に達し、かつ切除プロセスを終了する まで切除される。公知の方法によってとくに多層プリント板の製造の際、必要な スルー接触ホールは、ブラインドホールの形に製造される。 ヨーロッパ特許出願公開第０４７８３１３号明細書によれば、いわゆるＳＬＣ 法（Surface Laminar Circuit）が公知であり、ここではまず基板上に第１の配 線面が形成される。それからこの第１の配線面上に、スクリーン印刷により又は カーテン注入により感光エポキシ樹脂からなる誘電体層が被着される。それから フォトリソグラフィー法において露光及び現像により、基板内に第１の配線面が 形成される。それからこの第１の配線面上にスクリーン印刷により又はカーテン 注入により、感光エポキシ樹脂からなる誘電体層が被着される。それからフォト リソグラフィー法において露光及び現像により、誘電体層内にブラインドホール が製造される。穴壁及び誘電体層の表面の化学的及び電気的な銅メッキの後に、 第２の配線面は、堆積され た銅層のフォトリソグラフィー構造化によって形成される。感光誘電体層及び銅 層の交互の被着によって、この時、前記のようにそれ以上の配線面を製造するこ とができる。 米国特許第５５０９５５３号明細書によれば、マルチチップモジュールの製造 方法が公知であり、ここでは電気絶縁支持体上に、２つ又は場合によっては３つ の配線面が形成される。配線面の形成は、次の段階を含む： ａ．）とくにスパッタリングによって、支持体上に第１の金属被覆を被着し、 ｂ．）第１の配線面の後に形成される導体パターンに相当しない範囲において 、レーザビームによって第１の金属被覆を除去し、 ｃ．）工程段階ｂ．）において形成された第１の配線面上に誘電体層を被着し 、 ｄ．）レーザビームによって誘電体層にブラインドホールを形成し、その際、 誘電体材料を第１の配線面の導体パターンに設けられたパッドまで切除し、 ｅ．）とくにスパッタリングによって、誘電体層の表面に第２の金属被覆を被 着し、その際、ブラインドホールも金属で満たされ、 ｆ．）第２の配線面の後に形成される導体パターンに相当しない範囲において 、レーザビームによって第２の金属被覆を除去する。 第３の配線面を形成するために、相応して変形された形で段階ｃ．）ないしｆ ．）を繰返すことができる。ブラインドホール又はスルー接触の位置に設けられ た配線面の導体パターンのパッドは、これらのパッドから運び去られる導体路よ りも著しく幅広い。 ドイツ連邦共和国特許出願公開第４１０３８３４号明細書によれば、プリント 板の製造方法が公知であり、ここでは電気絶縁支持体が前提になっており、この 支持体は、金属被覆を有する。レーザビームによる金属被覆の構造化の際に、支 持体の表面の損傷を防ぐために、金属被覆上にまず赤外線ビームに対して透明な かつエッチング剤に対して抗性を有する層が被着される。続いて所望の導体パタ ーンを製造するために、金属被覆は、レーザビームによって残りの金属の厚さを 維持しながら構造化され、それから残りの金属の厚さは、支持体の表面までエッ チングされ、かつその後、抗性のある層のまだ残った部分が除去される。 本発明の問題は、とくにマルチチップモジュールの構成にも適し、かつ配線面 の全導体パターンのために必要な場所のはっきりした減少を可能にする、電気絶 縁支持体上に少なくとも２つの配線面を形成する方法を提供することにある。 この問題の本発明のよる解決は、請求の範囲第１及び６項に記載した工程段階 によって行なわれる。 本発明は、次のような知識に基づいている。すなわ ち配線面における導体パターンの構造化のため及び誘電体層へのブラインドホー ルの形成のためにレーザ技術を使用することによって、従来の方法に対してかな りの利点が得られる。相応する構造細かさの際に通常のリソグラフィー法と比較 して、いずれにせよわずかな清浄空間の要求しか課されない。フォトマスク及び 相応する空調装置の使用は、完全に省略することができる。さらにレーザの焦点 深度は、平らでない面の加工を可能にし、すなわち通常のリソグラフィーにおい て有効な平面化の要求は、本発明による方法においては適用されない。とくにそ の下にあるブラインドホールによって生じることがある構成要素の接続位置にお ける凹凸は、どのような困難も引起こさない。最後になお求められる構造及び穴 の細かさは、現代のレーザシステム及び特殊装置の使用により、経済的な条件で 高い加工速度において実現できることを強調しておく。スルー接触の範囲におい ても導体路の幅を一定に維持することによって、配線面の全導体パターンは、従 来必要であった場所の数分の１に収容することができる。５０μｍの導体路幅の 際、所要場所は、従来通常であった１００ｔｔｍの導体路幅に対して、例えば７ ５％減少することができる。 その際、配線面を形成するための個々の金属被覆のレーザ構造化は、請求の範 囲第１項によれば、金属被覆の直接の構造化により、又は請求の範囲第６項によ れば、エッチングレジスト層の構造化及びそれに続くエッチングによって行なう ことができる。直接の構造化の場合、金属被覆は、その下にある層にまで完全に 切除でき、又はその後続いて差動エッチングによって除去される薄い残り層を残 すことができる。 本発明の有利な構成は、従属請求の範囲第２ないし５及び７ないし２３項に記 載されている。 本発明の実施例は、図面に示されており、かつ次に詳細に説明する。 図１ないし１３は、大幅に簡単化された略図において、電気絶縁支持体上に３ つの配線面を形成する際の種々の工程段階を示しており、その際、個々の配線面 は、それぞれエッチングレジスト層のレーザ構造化及びそれに続くエッチングに よって形成される。 図１４は、同様に大幅に簡単化された略図において、本発明による方法にした がって製造されたマルチ・チップ・モジュールの断面を示している。 図１５ないし２７は、大幅に簡単化された略図において、電気絶縁支持体上に ３つの配線面を形成する際の種々の工程段階を示しており、その際、個々の配線 面は、それぞれそれぞれの金属被覆の直接のレーザ構造化によって形成される。 図２８ないし３９は、大幅に簡単化された略図において、電気絶縁支持体上に ３つの配線面を形成する際の種々の工程段階を示しており、その際、個々の配線 面は、それぞれそれぞれの金属被覆の全く完全ではないレーザ構造化によって形 成され、かつ構造化の範囲に残された金属被覆の薄い残り層は、ディファレンシ ャルエッチングによって除去される。 図２によるレーザ切除によって露出した第１の金属被覆Ｍ１の範囲は、この時 、図３によれば、支持体Ｕの表面までエッチング除去される。この構造化過程に よって、すでに述べた第１の配線面ＶＥ１が生じる。第１の配線面ＶＥ１の導体 路は、ＬＢ１によって示されている。個々の導体路ＬＢ１の間の間隔は、Ａ１で 示されている。 続いて図４によれば、第１の配線面ＶＥ１上に、例えばカーテン注入により、 誘電体層ＤＥ１が被着される。導体路ＬＢ１の上のこの誘電体層ＤＥ１の厚さは 、ｓによって示されている。 図５によれば、その後のスルー接触のために設けられた位置においてレーザビ ームＬＳ２によってブラインドホールＳＬ１が、第１の誘電体層ＤＥ１に形成さ れ、その際、誘電体材料は、第１の配線面ＶＥ１の導体路ＬＢ１まで切除される 。これらのブラインドホールＳＬ１の直径は、Ｄ１によって示されている。 図６によれば、続いて第１の誘電体層ＤＥ１の表面及びブラインドホールＳＬ １の壁に、第２の金属被覆Ｍ２が被着される。第２の金属被覆Ｍ２の被着は、再 び銅の化学的及びめっき的な堆積によって行なわれる 。その後、第２の金属被覆Ｍ２上に、第２のエッチングレジスト層ＡＲ２が被着 される。この第２のエッチングレジスト層ＡＲ２の被着は、ここでも再びすずの 化学的な堆積によって行なわれる。 図７によれば、続いて第２のエッチングレジスト層ＡＲ２は、レーザビームＬ Ｓ１によって、形成すべき第２の配線面の後の導体パターンに直接隣接する範囲 において再び除去される。 図７によるレーザ切除によって露出する第２の金属被覆Ｍ２の範囲は、続いて 第１の誘電体層ＤＥ１の表面までエッチングされる。図８によれば、この構造化 過程の際に、前にすでに述べた第２の配線面ＶＥ２が生じる。この第２の配線面 ＶＥ２の導体路は、ＬＢ２によって示されている。この導体路ＬＢ２の幅は、Ｂ ２によって示されているが、一方２つの導体路ＬＢ２の間の間隔は、Ａ２によっ て示されている。 図９によれば、図８から明らかな第２の配線面ＶＥ２上に、続いて第２の誘電 体層ＤＥ２が被着される。 図１０によれば、続いてスルー接触のために設けられた位置においてレーザビ ームＬＳ２によって、第２の誘電体層ＤＥ２内にブラインドホールＳＬ２が形成 される。 ブラインドホールＳＬ２を製造した後に、続いて図１１によれば、第２の誘電 体層ＤＥ２の表面及びブラインドホールＳＬ２の壁に、第３の金属被覆Ｍ３が被 着される。第３の金属被覆Ｍ３は、再び銅の化学的及びめっき的な堆積によって 形成される。続いて第３のエッチングレジスト層ＡＲ３が、第３の金属被覆Ｍ３ 上に被着される。第３のエッチングレジスト層ＡＲ３の被着は、再びすずの化学 的な堆積によって行なわれる。 図１２によれば、第３のエッチングレジスト層ＡＲ３が、レーザビームＬＳ１ によって、形成すべき第３の配線面の後の導体パターンに直接隣接する範囲にお いて再び除去されることが明らかである。 図１２によるレーザ切除によって露出した第３の金属被覆Ｍ３の範囲は、続い て第２の誘電体層ＤＥ２の表面までエッチングされる。この構造化過程において 、前記の第３の配線面ＶＥ３が生じる。第３の配線面ＶＥ３の導体路は、ＬＢ３ によって示されている。導体路ＬＢ３の幅は、Ｂ３によって示されているが、一 方導体路ＬＢ３の間の間隔は、Ａ３によって示されている。 図１３に示された支持体Ｕ上に被着された配線面ＶＥ１、ＶＥ２、ＶＥ３の断 面において、個々の導体路は、同じ方向に延びている。しかし実際には導体路は 、交差していることもある。例えば、配線面ＶＥ１及びＶＥ３の導体路ＬＢ１及 びＬＢ３が、図平面に対して垂直に延びているが、一方第２の配線面ＶＥ２の導 体路ＬＢ２が、図平面に対して平行に延びていること が考えられる。 前に図１ないし１３によって説明した工程経過において、個々の配線層のレー ザ構造化のために、ダイオードポンピングされるＮｄ−ＹＡＧレーザが利用され る。誘電体層へのブラインドホールの形成のためには、周波数を３倍したＮｄ− ＹＡＧレーザが利用される。 図１４は、大幅に簡単化した略図で、マルチ・チップ・モジュールの断面を示 している。以下にＭＣＭと称するマルチ・チップ・モジュールにおいて、電気絶 縁基礎材料１が前提となり、この基礎材料は、場合によっては抵抗構造及び／又 はコンデンサ構造を備えることができる。基礎材料１上に上方に順に、Ｘ方向の 導体路を備えた配線面２、誘電体層３、Ｙ方向の導体路を備えた配線面４、誘電 体層５、構成ブロック端子として形成された配線面６及び誘電体層７が構成され ている。その際、レーザビームによって構造化された誘電体層７は、構成ブロッ ク端子を除いて全配線面６を覆うソルダレジストの役割を果たす。その際、図１ ４において認めることができないスルー接触も含めて基礎材料１の上の配線面２ 、３及び６の製造は、図１ないし１３によって説明した工程段階と同様に行なわ れる。 下方に向かって基礎材料１上に順に、電圧供給のために設けられた配線面８、 誘電体層９及びアースに接 続される配線面１０が構成されている。微細構造として実現される配線面２、４ 及び６とは相違して、配線面８及び１０は、通常の技術において粗構造として構 成される。その際、配線面８及び１０は、スルー接触のための穴を有する大きな 銅面として構成されている。配線面４及び６への配線面８及び１０のスルー接触 は、機械的にあけられた穴によって行なわれ、その際、これらの穴の直径は、０ ．３〜０．４ｍｍである。 配線面２、４及び６及び誘電体層３、５及び７の製造の際に、それぞれのＭＣ Ｍに対する位置決め点又は光学的調節マークによってＭＣＭごとにレーザ加工が 行なわれる。もはや有効／基準点によって作業されない。なぜなら利用のために まとめられた複数のＭＣＭの大きな面積の位置決め調節は、不正確な位置決め及 び粗い構造に、又は低い配線密度に通じるからである。Ｘ及びＹ方向における構 造化層及びスルー接触を有する配線面２及び４の高度な構造細かさ及びとりわけ 正確な位置決めは、小さな面の位置決め調節を必要とするので、レーザ構造化の ための最大の面積は、５０ｍｍ×５０ｍｍに制限される。加工は、利用中に行な うことができるが、その際、ストライプ又は帯材料のレーザ加工が望ましい。ス トライプ又は帯材料のレーザ加工の際に、なお微細位置決め装置による１つの運 動軸線だけが必要である、すなわち微細位置決め装置を有する複雑なＸ及びＹ運 動システムは省略すること ができる。ストライプ又は帯材料の２つのトラックを有する装置において、一方 のトラックの供給及び位置決めは、第２のトラックの加工の際に行なうことがで き、かつその逆も可能である。 図１５ないし２７は、図１ないし１３によって説明した方法の第１の変形の種 々の方法段階を示している。 この第１の変形において図１５によれば、電気絶縁支持体Ｕを前提とし、この 支持体上に、第１の金属被覆Ｍ１が被着される。 続いて図１６によれば、第１の金属被覆Ｍ１は、レーザビームＬＳ１により、 形成すべき第１の配線面の導体パターンに直接隣接する範囲において再び除去さ れる。 図１７によれば、図１６によるレーザ切除によって、第１の配線面ＶＥ１が生 じる。図３と同様に、第１の配線面ＶＥ１の導体路は、ＬＢ１によって示されて いるが、一方この導体路ＬＢ１の一定の幅は、Ｂ１によって示されている。図１ ８ないし２０から明らかな次の工程段階は、図４ないし６によって説明した工程 段階に相当するが、その際、第２の金属被覆Ｍ２上におけるエッチングレジスト 層の被着は、行なわれない。 図２１によれば、第２の金属被覆Ｍ２は、レーザビームＬＳ１によって、形成 すべき第２の配線面の後の 導体パターンに直接隣接する範囲において再び除去される。 図２２によれば、図２１によるレーザ切除によって、第２の配線面ＶＥ２が生 じる。図８と同様に、第２の配線面ＶＥ２の導体路は、ＬＢ２によって示されて いる。この導体路ＬＢ２の幅は、Ｂ２によって示されているが、一方２つの導体 路ＬＢ２の間の間隔は、Ａ２によって示されている。 図２３ないし２５から明らかな次の工程段階は、図９ないし１１によって説明 した工程段階に相当するが、その際、第３の金属被覆Ｍ３におけるエッチングレ ジスト層の被着は、行なわれない。 図２６によれば、第３の金属被覆Ｍ３は、レーザビームＬＳ１によって、形成 すべき第３の配線面の後の導体パターンに直接隣接する範囲において再び除去さ れる。 図２７によれば、図２６によるレーザ切除により、第３の配線面ＶＥ３が生じ る。図１３と同様に、第３の配線面ＶＥ３の導体路は、ＬＢ３によって示されて いる。導体路ＬＢ３の幅は、Ｂ３によって示されているが、一方導体路ＬＢ３の 間の間隔は、Ａ３によって示されている。 図２８ないし３９は、図１ないし１３によって説明した方法の第２の変形の異 なった工程段階を示している。第２の変形は、まず図２８によれば、レーザビー ムＬＳ１による第１の金属被覆Ｍ１の構造化の際に、金属が支持体Ｕの表面の密 接した上までしか切除されないという点において、第１の変形とは相違している 。それから続いて残った薄い残り層ＲＳ１は、ディファレンシャルエッチングに より支持体Ｕの表面まで切除され、その際、図２９によれば、第１の配線面ＶＥ １が生じる。ディファレンシャルエッチングの際、図２８に示されたすべての組 織は、エッチング液に浸漬され、このエッチング液は、残り層ＲＳ１だけでなく 、その他の金属被覆Ｍ１にも作用する。残り層ＲＳ１はきわめて薄く、かつエッ チング時間は相応して短く決められているので、その他の金属被覆Ｍ１へのエッ チング作用は、不利な結果にはならない。 図３０ないし３２から明らかな次の工程段階は、図１８ないし２０によって説 明された工程段階に相当する。 図３３によれば、第２の金属被覆Ｍ２は、レーザビームＬＳ１によって、誘電 体層ＤＥ１の表面の密接した上までだけ切除される。それから続いて残りの薄い 残り層ＲＳ２は、ディファレンシャルエッチングにより誘電体層ＤＥ１の表面ま で切除され、その際、図３４によれば、第２の配線面ＶＥ２が生じる。 図３５ないし３７から明らかな次の工程段階は、図２３ないし２５によって説 明した工程段階に相当する。 図３８によれば、第３の金属被覆Ｍ３は、レーザビームＬＳ１により、第２の 誘電体層ＤＥ２の表面の密接した上までだけ切除される。それから続いて残りの 薄い残り層ＲＳ３は、差動エッチングにより誘電体層ＤＥ２の表面まで切除され 、その際、図３９によれば、第３の配線面ＶＥ３が生じる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．電気絶縁支持体（Ｕ）上に少なくとも２つの配線面（ＶＥ１，ＶＥ２）を形 成する方法において、 ａ）支持体（Ｕ）上に第１の金属被覆（Ｍ１）を被着し、 ｂ）少なくとも第１の配線面（ＶＥ１）の後に形成される導体パターンに直接 隣接する範囲においてかつ少なくともかなりの程度まで支持体（Ｕ）の表面まで 、レーザビーム（ＬＳ１）によって第１の金属被覆（Ｍ１）を除去し、 ｃ）工程段階ｂ）において形成された第１の配線面（ＶＥ１）上に誘電体層（ ＤＥ１）を被着し、 ｄ）レーザビーム（ＬＳ２）によって誘電体層（ＤＥ１）にブラインドホール （ＳＬ１）を形成し、その際、誘電体材料を第１の配線面（ＶＥ１）の導体路（ ＬＢ１）まで切除し、 ｅ）誘電体層（ＤＥ１）の表面及びブラインドホール（ＳＬ１）の壁上に第２ の金属被覆（Ｍ２）を被着し、 ｆ）少なくとも第２の配線面（ＶＥ２）の後に形成される導体パターンに直接 隣接する範囲においてかつ少なくともかなりの程度まで誘電体層（ＤＥ１）の表 面まで、レーザビーム（ＬＳ１）によって第２の金属被覆（Ｍ２）を除去する 工程段階からなり、その際、工程段階ｂ）において、第１の配線面（ＶＥ１）の 導体パターンの輪郭をあらかじめ与え、この輪郭において後に工程段階ｄ）にお いて形成すべきブラインドホール（ＳＬ１）の範囲においても導体路（ＬＢ１） が一定の幅（Ｂ１）を有することを特徴とする、電気絶縁支持体（Ｕ）上に少な くとも２つの配線面（ＶＥ１，ＶＥ２）を形成する方法。 ２．付加的に、 ｇ）工程段階ｆ）において形成された第２の配線面（ＶＥ２）上に第２の誘電 体層（ＤＥ２）を被着し、 ｈ）レーザビーム（ＬＳ２）によって第２の誘電体層（ＤＥ２）にブラインド ホール（ＳＬ２）を形成し、その際、誘電体材料を第２の配線面（ＶＥ２）の導 体路（ＬＢ２）まで切除し、 ｉ）第２の誘電体層（ＤＥ２）の表面及びブラインドホール（ＳＬ２）の壁上 に第３の金属被覆（Ｍ３）を被着し、 ｊ）少なくとも第３の配線面（ＶＥ３）の後に形成される導体パターンに直接 隣接する範囲においてかつ少なくともかなりの程度まで第２の誘電体層（ＤＥ２ ）の表面まで、レーザビーム（ＬＳ１）によって第３の金属被覆（Ｍ３）を除去 する 工程からなり、その際、工程段階ｆ）において、第 ２の配線面（ＶＥ２）の導体パターンの輪郭をあらかじめ与え、この輪郭におい て後に工程段階ｈ）において形成すべきブラインドホール（ＳＬ２）の範囲にお いても導体路（ＬＢ２）が一定の幅（Ｂ２）を有する、請求項１記載の方法。 ３．工程電解ｂ）において、第１の金属被覆（Ｍ１）を支持体（Ｕ）の表面の密 接した上まで切除し、かつ残った残り層（ＲＳ１）をディファレンシャルエッチ ングにより支持体（Ｕ）の表面まで切除する、請求項１又は２記載の方法。 ４．工程段階ｆ）において、第２の金属被覆（Ｍ２）を誘電体層（ＤＥ１）の表 面の密接した上まで切除し、かつ残った残り層（ＲＳ２）をディファレンシャル エッチングにより誘電体層（ＤＥ１）の表面まで切除する、請求項１から３まで のいずれか１項記載の方法。 ５．工程段階ｊ）において、第３の金属被覆（Ｍ３）を第２の誘電体層（ＤＥ２ ）の表面の密接した上まで切除し、かつ残った残り層（ＲＳ３）をディファレン シャルエッチングにより第２の誘電体層（ＤＥ２）の表面まで切除する、請求項 １から４までのいずれか１項記載の方法。 ６．電気絶縁支持体（Ｕ）上に少なくとも２つの配線面（ＶＥ１，ＶＥ２）を形 成する方法において、 ａ）支持体（Ｕ）上に第１の金属被覆（Ｍ１）を被 着し、 ｂ）第１の金属被覆（Ｍ１）上に第１のエッチングレジスト層（ＡＲ１）を被 着し、 ｃ）少なくとも第１の配線面（ＶＥ１）の後に形成される導体パターンに直接 隣接する範囲において、レーザビーム（ＬＳ１）によって第１のエッチングレジ スト層（ＡＲ１）を除去し、 ｄ）支持体（Ｕ）の表面まで工程段階ｃ）において露出した第１の金属被覆（ Ｍ１）の範囲をエッチングし、 ｅ）工程段階ｄ）において形成された第１の配線面（ＶＥ１）上に誘電体層（ ＤＥ１）を被着し、 ｆ）レーザビーム（ＬＳ２）によって誘電体層（ＤＥ１）にブラインドホール （ＳＬ１）を形成し、その際、誘電体材料を第１の配線面（ＶＥ１）の導体路（ ＬＢ１）まで切除し、 ｇ）誘電体層（ＤＥ１）の表面及びブラインドホール（ＳＬ１）の壁上に第２ の金属被覆（Ｍ２）を被着し、 ｈ）第２の金属被覆（Ｍ２）上に第２のエッチングレジスト層（ＡＲ２）を被 着し、 ｉ）少なくとも第２の配線面（ＶＥ２）の後に形成される導体パターンに直接 隣接する範囲において、レーザビーム（ＬＳ１）によって第２のエッチングレジ スト層（ＡＲ２）を除去し、 Ｊ）誘電休層（ＤＥ１）の表面まで工程段階ｉ）において露出した第２の金属 被覆（Ｍ２）の範囲をエッチングする 工程段階からなり、その際、工程段階ｃ）において、第１の配線面（ＶＥ１） の導休パターンの輪郭をあらかじめ与え、この輪郭において後に工程段階ｆ）に おいて形成すべきブラインドホール（ＳＬ１）の範囲においても導体路（ＬＢ１ ）が一定の幅（Ｂ１）を有すること特徴とする、電気絶縁支持体上に少なくとも ２つの配線面を形成する方法。 ７．付加的に、 ｋ）工程段階ｊ）において形成された第２の配線面（ＶＥ２）上に第２の誘電 体層（ＤＥ２）を被着し、 ｌ）レーザビーム（ＬＳ２）によって第２の誘電体層（ＤＥ２）にブラインド ホール（ＳＬ２）を形成し、その際、誘電体材料を第２の配線面（ＶＥ２）の導 体路（ＬＢ２）まで切除し、 ｍ）第２の誘電体層（ＤＥ２）の表面及びブラインドホール（ＳＬ２）の壁上 に第３の金属被覆（Ｍ３）を被着し、 ｎ）第３の金属被覆（Ｍ３）上に第３のエッチングレジスト層（ＡＲ３）を被 着し、 ｏ）少なくとも第３の配線面（ＶＥ３）の後に形成される導体パターンに直接 隣接する範囲において、 レーザビーム（ＬＳ１）によって第３のエッチングレジスト層（ＡＲ３）を除去 し、 ｐ）第２の誘電体層（ＤＥ２）の表面まで工程段階ｏ）において露出した第３ の金属被覆（Ｍ３）の範囲をエッチングする 工程段階からなり、その際、工程段階ｉ）において、第２の配線面（ＶＥ２） の導体パターンの輪郭をあらかじめ与え、この輪郭において後に工程段階１）に おいて形成すべきブラインドホール（ＳＬ２）の範囲においても導体路（ＬＢ２ ）が一定の幅（Ｂ２）を有する、請求項６記載の方法。 ８．金属被覆（Ｍ１；Ｍ２；Ｍ３）を銅の電流を流さないかつメッキ析出によっ て被着する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。 ９．エッチングレジスト層（ＡＲ１；ＡＲ２；ＡＲ３）をすずの化学的堆積によ って被着する、請求項６から８のいずれか１項記載の方法。 １０．エッチングレジスト層（ＡＲ１；ＡＲ２；ＡＲ３）の部分的な除去を偏向 可能なビームを有するレーザビーム（ＬＳ１）によって行なう、請求項１から６ までのいずれか１項記載の方法。 １１．集束されたレーザビームによってブラインドホール（ＳＬ１；ＳＬ２）を マスクを用いずに形成する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。 １２．配線面（ＶＥ１；ＶＥ２；ＶＥ３）の導体パターンを最大５０ｍｍ×５０ ｍｍの面積に制限する、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。 １３．配線面（ＶＥ１；ＶＥ２；ＶＥ３）において、最大７５μｍの幅（Ｂ１； Ｂ２；Ｂ３）を有する導体路（ＬＢ１；ＬＢ２；ＬＢ３）を形成する、請求項１ ２記載の方法。 １４．最大５５μｍの直径（Ｄ１；Ｄ２）を有するブラインドホール（ＳＬ１； ＳＬ２）を形成する、請求項１２又は１３記載の方法。 １５．配線面（ＶＥ１；ＶＥ２；ＶＥ３）において、最大４０μｍの導体路（Ｌ Ｂ１；ＬＢ２；ＬＢ３）の間の間隔（Ａ１；Ａ２；Ａ３）を有する導体パターン を形成する、請求項１２から１４までのいずれか１項記載の方法。 １６．最大１０μｍの厚さを有する金属被覆（Ｍ１；Ｍ２；Ｍ３）を被着する、 請求項１２から１５までのいずれか１項記載の方法。 １７．最大４０μｍの厚さ（ｓ）を有する誘電体層（ＤＥ１：ＤＥ２）を被着す る、請求項１２から１６までのいずれか１項記載の方法。 １８．配線面（ＶＥ１；ＶＥ２；ＶＥ３）の導体パターンを最大２５ｍｍ×２５ ｍｍの面積に制限する、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。 １９．配線面（ＶＥ１；ＶＥ２；ＶＥ３）において、 最大５０μｍの幅（Ｂ１；Ｂ２；Ｂ３）を有する導体路（ＬＢ１；ＬＢ２；ＬＢ ３）を形成する、請求項１８記載の方法。 ２０．最大３５μｍの直径（Ｄ１；Ｄ２）を有するブラインドホール（ＳＬ１； ＳＬ２）を形成する、請求項１８又は１９記載の方法。 ２１．配線面（ＶＥ１；ＶＥ２；ＶＥ３）において、最大３５μｍの導体路（Ｌ Ｂ１；ＬＢ２；ＬＢ３）の間の間隔（Ａ１；Ａ２；Ａ３）を有する導体パターン を形成する、請求項１８から２０までのいずれか１項記載の方法。 ２２．最大５μｍの厚さを有する金属被覆（Ｍ１；Ｍ２；Ｍ３）を被着する、請 求項１８から２１までのいずれか１項記載の方法。 ２３．最大２５μｍの厚さ（ｓ）を有する誘電体層（ＤＥ１：ＤＥ２）を被着す る、請求項１８から２２までのいずれか１項記載の方法。