JPH05198919A - プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】高精細な導体パターンを形成することのできる
プリント配線板の製造方法を提供する。 【構成】紫外線を透過する材質からなるベース材の一面
にポリイミド層を形成し、このポリイミド層をエキシマ
レーザービームにより所定形状に除去してマスクパター
ンを形成することによりフォトマスクを形成する。この
パターン描画に用いるエキシマレーザーは、発振波長が
短いことからそのレーザービームを小さく絞ることがで
き、従って、微細なマスクパターンを形成することがで
きる。プリント配線板材料に紫外線硬化型フォトレジス
トを形成した後に、このフォトレジスト面に、前記フォ
トマスクをこれのマスクパターンを対面させて密着し、
紫外線を照射してフォトマスクを通じフォトレジストを
露光し、現像およびエッチングを順次行なう。微細なマ
スクパターンにより高精細な導体パターンを形成でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子機器等に使用され
るプリント配線板の製造方法に関するもので、特に、高
密度配線および高密度実装が要求されるフレキシブルプ
リント配線板、多層プリント配線板または多層フレキシ
ブルプリント配線板等の製造に適した方法に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、プリント配線板の導体パターンの
形成には写真法が一般に採用されており、その露光のた
めのフォトマスクは、ベース材と乳剤層からなる銀塩フ
ィルムをマスキング材料として用い、これへのパターン
描画を、レーザープロッタ（アルゴンイオンレーザー）
を用いて写真技術により行なうことにより形成されてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、前述の銀塩
フィルムをマスキング材料として用いた写真法によるフ
ォトマスクの製造方法では、使用しているレーザープロ
ッタつまりアルゴンイオンレーザーの特性によって描画
できるパターン幅に限界があり、マスクパターンつまり
導体パターンを高精細化して形成するのに限度がある。
また、マスキング材料として用いる銀塩フィルムは損傷
や劣化し易い欠点がある。

【０００４】そこで本発明は、高精細な導体パターンを
形成することのできるプリント配線板の製造方法を提供
することを技術的課題とするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記した課題
を達成するための技術的手段として、プリント配線板を
次のような工程を経て製造するようにした。即ち、紫外
線を透過する材質からなるベース材の一面にポリイミド
層を形成し、このポリイミド層をエキシマレーザービー
ムにより所定の形状に除去してマスクパターンを形成
し、前記ベース材の一面に前記マスクパターンを備えた
フォトマスクを形成し、プリント配線板材料に紫外線硬
化型フォトレジストを形成した後に、このフォトレジス
ト面に、前記フォトマスクをこれの前記マスクパターン
を対面させて密着し、この状態で紫外線を照射して前記
フォトマスクを通じ前記フォトレジストを露光し、この
フォトレジストを現像して残存した該フォトレジストに
より前記プリント配線板材料に導体パターンをエッチン
グ加工する工程を経ることを特徴としている。

【０００６】

【作用】ポリイミドは紫外線を透過しないので、紫外線
硬化型フォトレジストを用いた導体パターン形成におけ
るフォトマスキング材料として使用できる。ベース材の
一面に形成されたポリイミド層をエキシマレーザービー
ムによりパターン描画してネガ型のフォトマスクが作成
される。エキシマレーザーは、従来のパターン描画に用
いられているアルゴンイオンレーザーよりも発振波長が
短いことから、そのレーザービームをアルゴンイオンレ
ーザーよりも小さく絞ることができる。従って、従来に
比し格段に微細化したマスクパターンを有するフォトマ
スクを製作でき、このフォトマスクを用いて紫外線硬化
型フォトレジストを露光することにより、高精細な導体
パターンを形成することができる。

【０００７】

【実施例】以下、本発明の好適な一実施例について図面
を参照しながら詳細に説明する。図１乃至図１２は両面
フレキシブルプリント配線板の製造に適用した場合の本
発明の一実施例を製造工程順に示したものである。先
ず、高精細導体パターンを形成するためのフォトマスク
の製造方法について図１乃至図４を参照しながら説明す
る。図１に示すような紫外線を透過する材質からなるフ
ォトマスク用ベース材（１）上に、図２（ａ）に示すよ
うに樹脂（３）を介在してポリイミドフィルムを接着す
ることによりポリイミド層（２）を形成する。或いは、
ベース材（１）上に図２（ｂ）に示すようにポリイミド
のワニスを塗布し且つ硬化させることによりポリイミド
層（２）を形成する。続いて、図３に示すように、ポリ
イミド層（２）を含むマスキング層（４）を、小さく絞
り込んだ高出力のエキシマレーザービーム（５）により
所定の導体パターン形状に光化学的に除去すると、図４
に示すように、ベース材（１）上にポリイミドによるマ
スクパターン（６）が形成されたネガ型のフォトマスク
（７）が出来上がる。このパターン描画に用いるエキシ
マレーザー（媒質としてはＡｒＦ，ＫｒＦまたはＸｅＣ
ｌ等が好ましい）は、従来のパターン描画に用いられて
いるアルゴンイオンレーザーよりも発振波長が短いため
に、そのレーザービーム（５）はアルゴンイオンレーザ
ーよりも小さく絞ることができる。それに伴って格段に
微細なマスクパターン（６）を形成することができる。

【０００８】次に、上記フォトマスク（７）を用いた両
面フレキシブルプリント配線板の製造方法について図５
乃至図１２を参照しながら説明する。図５に示すような
絶縁ベース層（９）の両面にそれぞれ銅箔等による導体
層（１０），（１１）が形成された両面銅張りフレキシ
ブルプリント配線板材料（８）の所要箇所に、図６に示
すようにスルーホール用孔（１２）を穿孔した後に、図
７に示すように、スルーホール用孔（１２）の孔周面を
含む全表面にスルーホールめっき（１４）を施す。この
スルーホールめっき（１４）と導体層（１０），（１
１）とによる導体面部（１５）の両側面に、図８に示す
ように、紫外線硬化型フォトレジスト（１６），（１
７）を形成する。

【０００９】続いて、両側のフォトレジスト（１６），
（１７）にそれぞれ、図９に示すように、図１乃至図４
で説明した工程を経て製作したフォトマスク（７）を各
々のマスクパターン（６）を対面させて真空密着させた
後に、この両フォトマスク（７）側から紫外線を照射し
てを露光する。この露光後に現像すると、フォトマスク
（７）のマスキング材料であるポリイミドは紫外線を透
過しないので、図１０に示すように、フォトレジスト
（１６），（１７）におけるフォトマスク（７）のマス
クパターン（６）が存在しないことにより紫外線で露光
されて硬化した部分のみが残存する。更に図１１に示す
ように、この残存したフォトレジスト（１６），（１
７）をマスクとして導体面部（１５）をそれぞれエッチ
ングし、最後にフォトレジスト（１６），（１７）を剥
離除去することにより、図１２に示すように高微細な導
体パターン（１８）を有する両面フレキシブルプリント
配線板が出来上がる。

【００１０】尚、実施例では、片面（各図の下側面）に
は高微細でない導体パターン（１９）を形成する場合を
例示してあり、従って、この導体パターン（１９）のみ
を既存技術で製作されたフォトマスクを用いて形成して
もよい。

【００１１】

【発明の効果】以上のように本発明のプリント配線板の
製造方法によると、フォトマスクを、マスキング材とし
てのポリイミド層をエキシマレーザビームを用いてパタ
ーン描画することにより製作するようにしたので、発振
波長が短いことにより小さく絞れるエキシマレーザービ
ームにより微細なマスクパターンを有するフォトマスク
を製作することができ、このフォトマスクと紫外線硬化
型フォトレジストとにより高精細な導体パターンを形成
することができる。

【００１２】また、マスキング材としてポリイミドを用
いるので、従来のマスキングとしての銀塩フィルムに比
較して損傷や劣化が極めて少ない利点がある。更に、フ
ォトマスクを、エキシマレーザービームによるポリイミ
ド層の光化学的な除去加工のみで製作できるので、従来
の写真技術による現像等の工程が不要となる長所があ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に用いるフォトマスク製作用
ベース材の断面図である。

【図２】同上のベース材の一面にポリイミド層を形成し
た状態の断面図である。

【図３】同上のポリイミド層へのマスクパターンの形成
工程の断面図である。

【図４】同上の工程後に作成されたフォトマスクの断面
図である。

【図５】本発明の一実施例に用いるプリント配線板材料
の断面図である。

【図６】同上のプリント配線板材料にスルーホール用孔
を加工後の断面図である。

【図７】同上の配線板材料にスルーホールめっきを施し
た状態の断面図である。

【図８】同上の配線板材料にフォトレジストを形成した
状態の断面図である。

【図９】同上の配線板材料に図４のフォトマスクを密着
して露光を行なう工程の断面図である。

【図１０】同上の露光工程後に現像を行なった状態の断
面図である。

【図１１】同上の現像後にエッチングを行なった状態の
断面図である。

【図１２】同上の工程を経て製作されたプリント配線板
の断面図である。

【符号の説明】

１ ベース材 ２ ポリイミド層 ５ エキシマレーザービーム ６ マスクパターン ７ フォトマスク ８ プリント配線板材料 １６，１７ フォトレジスト １８，１９ 導体パターン

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 紫外線を透過する材質からなるベース材
   の一面にポリイミド層を形成し、このポリイミド層をエ
   キシマレーザービームにより所定の形状に除去してマス
   クパターンを形成し、前記ベース材の一面に前記マスク
   パターンを備えたフォトマスクを形成し、プリント配線
   板材料に紫外線硬化型フォトレジストを形成した後に、
   このフォトレジスト面に、前記フォトマスクをこれの前
   記マスクパターンを対面させて密着し、この状態で紫外
   線を照射して前記フォトマスクを通じ前記フォトレジス
   トを露光し、このフォトレジストを現像して残存した該
   フォトレジストにより前記プリント配線板材料に導体パ
   ターンをエッチング加工することを特徴とするプリント
   配線板の製造方法。