JPH05224429A - 半導体製品の製造方法 - Google Patents
半導体製品の製造方法Info
- Publication number
- JPH05224429A JPH05224429A JP2786492A JP2786492A JPH05224429A JP H05224429 A JPH05224429 A JP H05224429A JP 2786492 A JP2786492 A JP 2786492A JP 2786492 A JP2786492 A JP 2786492A JP H05224429 A JPH05224429 A JP H05224429A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- wafer
- pattern
- developing
- developer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体集積回路の製造過程において、レジス
トで半導体回路パターンを作る時、レジスト自身の慎重
によりパターンのすそがだれてくる。これを防ぐのを目
的とする。 【構成】 レジスト付ウェーハの下から現像液を吹き付
ける。 【効果】 ウェーハに付いたレジストは、下向きになっ
て重力に引かれる形になるので、パターンすそがだれる
ことがなく精密な半導体回路パターンを作ることができ
る。
トで半導体回路パターンを作る時、レジスト自身の慎重
によりパターンのすそがだれてくる。これを防ぐのを目
的とする。 【構成】 レジスト付ウェーハの下から現像液を吹き付
ける。 【効果】 ウェーハに付いたレジストは、下向きになっ
て重力に引かれる形になるので、パターンすそがだれる
ことがなく精密な半導体回路パターンを作ることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製品の製造過
程において、レジスト付ウェーハを現像する時の現像方
法に関する。
程において、レジスト付ウェーハを現像する時の現像方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の現像方法は、図２に断面
図として示すように、レジスト２，３に半導体回路パタ
ーンを焼き付けたウェーハ４の上から現像液１を吹き付
けウェーハを回転させながら現像液１によって不要な部
分のレジスト３を溶かすという方法で行っていた。
図として示すように、レジスト２，３に半導体回路パタ
ーンを焼き付けたウェーハ４の上から現像液１を吹き付
けウェーハを回転させながら現像液１によって不要な部
分のレジスト３を溶かすという方法で行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の現像方法では、図３のように現像後のレジストパター
ンがレジストの自重によりすそがだれてきて精密なパタ
ーンが作りにくいという問題があった。
の現像方法では、図３のように現像後のレジストパター
ンがレジストの自重によりすそがだれてきて精密なパタ
ーンが作りにくいという問題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明のレジスト付ウェ
ーハの現像方法は、レジスト付ウェーハの下から現像液
を吹き付けるものである。
ーハの現像方法は、レジスト付ウェーハの下から現像液
を吹き付けるものである。
【０００５】
【作用】上記の構成より、ウェーハに付いたレジストは
下向きになっているので、現像後の回路パターンを作っ
たレジストがレジストの自重により下に引かれるので、
パターンのすそがだれるのを防止できる。
下向きになっているので、現像後の回路パターンを作っ
たレジストがレジストの自重により下に引かれるので、
パターンのすそがだれるのを防止できる。
【０００６】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。図１はこの発明の一実施例の断面図である。１は
現像液，２は半導体回路パターンとして残るレジスト，
３は現像後排除されるレジスト，４はウェーハである。
する。図１はこの発明の一実施例の断面図である。１は
現像液，２は半導体回路パターンとして残るレジスト，
３は現像後排除されるレジスト，４はウェーハである。
【０００７】次に、上記の作用について説明する。図１
に示したように、レジスト付ウェーハ４は下向きになっ
ており、レジスト面に対し下から現像液１を吹き付ける
ので、現像後の半導体回路パターンがレジストの自重に
より下に引かれるので、パターンのすそだけが起こら
ず、精密なパターンを作ることができる。
に示したように、レジスト付ウェーハ４は下向きになっ
ており、レジスト面に対し下から現像液１を吹き付ける
ので、現像後の半導体回路パターンがレジストの自重に
より下に引かれるので、パターンのすそだけが起こら
ず、精密なパターンを作ることができる。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はレジスト
付ウェーハを下向けにすることによりレジストのだれが
なくなり、レジストパターンの精度を向上する。
付ウェーハを下向けにすることによりレジストのだれが
なくなり、レジストパターンの精度を向上する。
【図１】 この発明の断面図
【図２】 従来の現像方法の断面図
【図３】 従来の現像方法での現像後の断面図
１ 現像液 ２ 半導体回路パターンして残るレジスト ３ 現像後排除されるレジスト ４ ウェーハ
Claims (1)
- 【請求項１】半導体製品の製造過程の写真蝕刻工程にお
いて、レジスト付ウェーハを現像する時、ウェーハの下
から現像液を吹き付けながら現像することを特徴とする
現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2786492A JPH05224429A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 半導体製品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2786492A JPH05224429A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 半導体製品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05224429A true JPH05224429A (ja) | 1993-09-03 |
Family
ID=12232774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2786492A Pending JPH05224429A (ja) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | 半導体製品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05224429A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5930549A (en) * | 1996-11-21 | 1999-07-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Developing device for semiconductor device fabrication and its controlling method |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP2786492A patent/JPH05224429A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5930549A (en) * | 1996-11-21 | 1999-07-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Developing device for semiconductor device fabrication and its controlling method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH05224429A (ja) | 半導体製品の製造方法 | |
| JPS6450425A (en) | Formation of fine pattern | |
| JPS5877231A (ja) | レジストパタ−ンのテ−パ形成方法 | |
| CN1123420A (zh) | 用于制造半导体器件的光掩模的制造方法 | |
| JPS5797626A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JP2716957B2 (ja) | 導電性微細パターンの形成方法 | |
| JPS55138839A (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
| JPS60235426A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| JPS607709B2 (ja) | 金属板の処理方法及びその装置 | |
| JPH03203390A (ja) | プリント基板の製造方法 | |
| JPS5973834A (ja) | シャドウマスクの製造方法 | |
| JPS6339110A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS60240148A (ja) | リ−ドフレ−ムの製造方法 | |
| JPS60128447A (ja) | フオトマスク | |
| JPH09134505A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS589414B2 (ja) | フォトファブリケ−ション用マスクの製作方法 | |
| JPH06138640A (ja) | ホトマスクの製法 | |
| JPH02228022A (ja) | ホールパターンの形成方法 | |
| JPS5495132A (en) | Production of magnetic bubble memory unit | |
| JPH0485814A (ja) | マスクの作成方法 | |
| JPH0649954B2 (ja) | 時計用針の製造方法 | |
| JPH05283332A (ja) | 現像方法および装置 | |
| JPS642008A (en) | Formation of diffraction grating | |
| JPS5490971A (en) | Pattern forming method | |
| JPS6425416A (en) | Electron beam exposure method |