JPH05283332A - 現像方法および装置 - Google Patents
現像方法および装置Info
- Publication number
- JPH05283332A JPH05283332A JP7957792A JP7957792A JPH05283332A JP H05283332 A JPH05283332 A JP H05283332A JP 7957792 A JP7957792 A JP 7957792A JP 7957792 A JP7957792 A JP 7957792A JP H05283332 A JPH05283332 A JP H05283332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- developing
- nozzle
- photoresist
- concentration
- developing solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 寸法精度の高いレジストパターンを形成する
ことのできる現像処理技術を提供する。 【構成】 現像液供給ライン２と、希釈液供給ライン５
と、現像液供給ライン２から供給された現像液および希
釈液供給ライン５から供給された希釈液を所望の割合で
混合する第一のノズル９と、第一のノズル９によって所
望の濃度に設定された現像液を半導体ウエハ１１の表面
のフォトレジストに供給する第二のノズル１０とを備
え、フォトレジストを現像する現像液の濃度をシーケン
ス的に変化させるようにした現像装置である。
ことのできる現像処理技術を提供する。 【構成】 現像液供給ライン２と、希釈液供給ライン５
と、現像液供給ライン２から供給された現像液および希
釈液供給ライン５から供給された希釈液を所望の割合で
混合する第一のノズル９と、第一のノズル９によって所
望の濃度に設定された現像液を半導体ウエハ１１の表面
のフォトレジストに供給する第二のノズル１０とを備
え、フォトレジストを現像する現像液の濃度をシーケン
ス的に変化させるようにした現像装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造工程などで
使用されるフォトリソグラフィ技術に関し、特に、半導
体ウエハ上に塗布されたフォトレジストの現像処理に適
用して有効な技術に関するものである。
使用されるフォトリソグラフィ技術に関し、特に、半導
体ウエハ上に塗布されたフォトレジストの現像処理に適
用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置のレジストプロセス
では、紫外線や電子線などの露光光を使って半導体ウエ
ハ上のフォトレジストにマスクパターンの潜像を形成
し、次いで、このフォトレジストを現像して感光領域ま
たは非感光領域を選択的に除去することにより、レジス
トパターンを形成している。
では、紫外線や電子線などの露光光を使って半導体ウエ
ハ上のフォトレジストにマスクパターンの潜像を形成
し、次いで、このフォトレジストを現像して感光領域ま
たは非感光領域を選択的に除去することにより、レジス
トパターンを形成している。
【０００３】従来、フォトレジストの現像工程では、例
えば第７回東京応化セミナー講演集Ｐ４９〜Ｐ５８（１
９８６年）などに記載があるように、現像液の温度、供
給量、現像時間などのパラメータを制御することによっ
て、レジストパターンの寸法安定性を図っている。
えば第７回東京応化セミナー講演集Ｐ４９〜Ｐ５８（１
９８６年）などに記載があるように、現像液の温度、供
給量、現像時間などのパラメータを制御することによっ
て、レジストパターンの寸法安定性を図っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
従来技術は、現像液の濃度についての配慮が充分になさ
れていない。すなわち、半導体ウエハ上に形成されるレ
ジストパターンの寸法やフォトレジストの膜厚は、デバ
イスやプロセスによって異なるにもかかわらず、従来の
現像工程では、一定濃度の現像液を使って現像処理を行
っているのが現状である。
従来技術は、現像液の濃度についての配慮が充分になさ
れていない。すなわち、半導体ウエハ上に形成されるレ
ジストパターンの寸法やフォトレジストの膜厚は、デバ
イスやプロセスによって異なるにもかかわらず、従来の
現像工程では、一定濃度の現像液を使って現像処理を行
っているのが現状である。
【０００５】ところが、現像過程にあるフォトレジスト
は、その上部が下部に比べて長時間現像液に曝されるた
め、一定濃度の現像液を使って現像処理を行った場合
は、横方向の膜減りが下部よりも上部で大きくなる。そ
のため、現像終了時にはフォトレジストの上部と下部と
でレジストパターンの寸法に差が生じたり、レジストパ
ターンの上部のエッジ部分が丸くなったりするなど、寸
法精度の向上を実現する上で問題がある。
は、その上部が下部に比べて長時間現像液に曝されるた
め、一定濃度の現像液を使って現像処理を行った場合
は、横方向の膜減りが下部よりも上部で大きくなる。そ
のため、現像終了時にはフォトレジストの上部と下部と
でレジストパターンの寸法に差が生じたり、レジストパ
ターンの上部のエッジ部分が丸くなったりするなど、寸
法精度の向上を実現する上で問題がある。
【０００６】そこで、本発明の目的は、寸法精度の高い
レジストパターンを形成することのできる現像処理技術
を提供することにある。
レジストパターンを形成することのできる現像処理技術
を提供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【０００９】本発明の現像装置は、現像液供給ライン
と、希釈液供給ラインと、前記現像液供給ラインから供
給された現像液および前記希釈液供給ラインから供給さ
れた希釈液を所望の割合で混合する第一のノズルと、前
記第一のノズルによって所望の濃度に設定された現像液
を被処理物上のフォトレジストに供給する第二のノズル
とを備える。
と、希釈液供給ラインと、前記現像液供給ラインから供
給された現像液および前記希釈液供給ラインから供給さ
れた希釈液を所望の割合で混合する第一のノズルと、前
記第一のノズルによって所望の濃度に設定された現像液
を被処理物上のフォトレジストに供給する第二のノズル
とを備える。
【００１０】
【作用】上記した手段によれば、フォトレジストを現像
する際、現像液濃度をシーケンス的に変化させることに
より、レジストパターンの寸法やフォトレジストの膜厚
などに応じた最適の現像条件を設定することができるの
で、レジストパターンの寸法精度が向上する。
する際、現像液濃度をシーケンス的に変化させることに
より、レジストパターンの寸法やフォトレジストの膜厚
などに応じた最適の現像条件を設定することができるの
で、レジストパターンの寸法精度が向上する。
【００１１】
【実施例】本発明の一実施例である現像装置の要部の構
成を図１を用いて説明する。この現像装置は、例えばフ
ォトレジスト塗布・現像一貫処理装置の現像ユニットに
組み込まれている。
成を図１を用いて説明する。この現像装置は、例えばフ
ォトレジスト塗布・現像一貫処理装置の現像ユニットに
組み込まれている。
【００１２】一端が現像液供給源１に接続された現像液
供給ライン２の中途には、現像液流量制御ユニット３お
よびエアオペレートバルブ４が設けられている。また、
一端が希釈液供給源５に接続された希釈液供給ライン６
の中途には、希釈液流量制御ユニット７およびエアオペ
レートバルブ８が設けられている。
供給ライン２の中途には、現像液流量制御ユニット３お
よびエアオペレートバルブ４が設けられている。また、
一端が希釈液供給源５に接続された希釈液供給ライン６
の中途には、希釈液流量制御ユニット７およびエアオペ
レートバルブ８が設けられている。
【００１３】上記現像液供給源１には、高濃度の現像液
が貯留されており、希釈液供給源５には、高濃度の現像
液を希釈するための純水が貯留されている。
が貯留されており、希釈液供給源５には、高濃度の現像
液を希釈するための純水が貯留されている。
【００１４】上記現像液供給ライン２および希釈液供給
ライン６のそれぞれの他端は、第一のノズル９に接続さ
れている。現像液流量制御ユニット３は、エアオペレー
トバルブ４の開放時に第一のノズル９に所定量の現像液
を供給し、希釈液流量制御ユニット７は、エアオペレー
トバルブ８の開放時に第一のノズル９に所定量の希釈液
を供給する。
ライン６のそれぞれの他端は、第一のノズル９に接続さ
れている。現像液流量制御ユニット３は、エアオペレー
トバルブ４の開放時に第一のノズル９に所定量の現像液
を供給し、希釈液流量制御ユニット７は、エアオペレー
トバルブ８の開放時に第一のノズル９に所定量の希釈液
を供給する。
【００１５】第一のノズル９は、現像液供給ライン２を
通じて供給された所定量の高濃度現像液と希釈液供給ラ
イン６を通じて供給された希釈液とをスプレー化して均
一に混合し、これを第二のノズル１０に供給する。
通じて供給された所定量の高濃度現像液と希釈液供給ラ
イン６を通じて供給された希釈液とをスプレー化して均
一に混合し、これを第二のノズル１０に供給する。
【００１６】第二のノズル１０は、第一のノズル９から
供給された均一な濃度の現像液をスプレー化して半導体
ウエハ１１の表面に供給し、半導体ウエハ１１上に塗布
された露光処理済みのフォトレジスト（図示せず）を現
像する。
供給された均一な濃度の現像液をスプレー化して半導体
ウエハ１１の表面に供給し、半導体ウエハ１１上に塗布
された露光処理済みのフォトレジスト（図示せず）を現
像する。
【００１７】第一のノズル９に供給される現像液および
希釈液の流量ならびにエアオペレートバルブ４，８の開
閉のタイミングは、ＣＰＵ１２によって制御されるよう
になっている。従って、半導体ウエハ１１の表面に供給
される現像液は、その濃度がシーケンス的に変化される
ようになっている。
希釈液の流量ならびにエアオペレートバルブ４，８の開
閉のタイミングは、ＣＰＵ１２によって制御されるよう
になっている。従って、半導体ウエハ１１の表面に供給
される現像液は、その濃度がシーケンス的に変化される
ようになっている。
【００１８】第一のノズル９および第二のノズル１０の
スプレー状態は、一端が加圧ガス供給源１３に接続され
た加圧ガス供給ライン１４の中途に設けられてたエアオ
ペレートバルブ１５の開閉によって調整される。このエ
アオペレートバルブ１５の開閉のタイミングもＣＰＵ１
２によって制御される。
スプレー状態は、一端が加圧ガス供給源１３に接続され
た加圧ガス供給ライン１４の中途に設けられてたエアオ
ペレートバルブ１５の開閉によって調整される。このエ
アオペレートバルブ１５の開閉のタイミングもＣＰＵ１
２によって制御される。
【００１９】現像終了後は、第一のノズル９および第二
のノズル１０に希釈液のみを供給するか、または希釈液
と加圧ガスとを交互に供給することによってノズル内の
現像液を排出する。このとき、第二のノズル１０は、半
導体ウエハ１１の上方より退避した位置に移動する（ま
たは、半導体ウエハ１１が第二のノズル１０の下方より
退避した位置に移動する）。
のノズル１０に希釈液のみを供給するか、または希釈液
と加圧ガスとを交互に供給することによってノズル内の
現像液を排出する。このとき、第二のノズル１０は、半
導体ウエハ１１の上方より退避した位置に移動する（ま
たは、半導体ウエハ１１が第二のノズル１０の下方より
退避した位置に移動する）。
【００２０】その後、第一のノズル９および第二のノズ
ル１０に希釈液のみを供給し、半導体ウエハ１１の表面
に残留した現像液をリンスする。
ル１０に希釈液のみを供給し、半導体ウエハ１１の表面
に残留した現像液をリンスする。
【００２１】また、現像処理中、現像液の濃度が変わる
毎に半導体ウエハ１１の表面に残留した現像液を希釈液
でリンスすることにより、半導体ウエハ１１の表面に常
に最適濃度の現像液を供給することができる。
毎に半導体ウエハ１１の表面に残留した現像液を希釈液
でリンスすることにより、半導体ウエハ１１の表面に常
に最適濃度の現像液を供給することができる。
【００２２】上記のように構成された本実施例の現像装
置によれば、半導体ウエハの表面に供給する現像液の濃
度をシーケンス的に変化させることができるので、デバ
イスやプロセスによって異なるレジストパターンの寸法
やフォトレジストの膜厚に応じた最適の現像条件を設定
することができ、レジストパターンの寸法精度を向上さ
せることができる。
置によれば、半導体ウエハの表面に供給する現像液の濃
度をシーケンス的に変化させることができるので、デバ
イスやプロセスによって異なるレジストパターンの寸法
やフォトレジストの膜厚に応じた最適の現像条件を設定
することができ、レジストパターンの寸法精度を向上さ
せることができる。
【００２３】すなわち、例えば現像開始時の現像液濃度
を薄く設定し、フォトレジストの現像が進行すると共に
現像液濃度を高くすることにより、露光後のレジスト内
コントラスト分布に応じて光反応の弱い領域を現像液の
濃度で補正してやることができるので、断面が矩形なレ
ジストパターンを形成することができる。
を薄く設定し、フォトレジストの現像が進行すると共に
現像液濃度を高くすることにより、露光後のレジスト内
コントラスト分布に応じて光反応の弱い領域を現像液の
濃度で補正してやることができるので、断面が矩形なレ
ジストパターンを形成することができる。
【００２４】また、現像開始時の現像液を高濃度に設定
した後、連続して、かつ短時間に低濃度を現像液を供給
することにより、フォトレジストの深さ方向の位置に対
する横方向の現像速度を現像の進行につれて変えること
ができるので、レジスト形状を容易に制御することがで
きる。
した後、連続して、かつ短時間に低濃度を現像液を供給
することにより、フォトレジストの深さ方向の位置に対
する横方向の現像速度を現像の進行につれて変えること
ができるので、レジスト形状を容易に制御することがで
きる。
【００２５】さらに、レジストパターンの寸法や、露光
領域と非露光領域との比に応じて現像液の濃度を変える
ことによってもレジスト形状を制御することができる。
領域と非露光領域との比に応じて現像液の濃度を変える
ことによってもレジスト形状を制御することができる。
【００２６】また、上記のように構成された本実施例の
現像装置によれば、半導体ウエハの表面に供給する現像
液の濃度を一系統のノズルで変化させることができるの
で、現像液濃度の異なる複数系統のノズルを使って半導
体ウエハの表面に現像液を供給する場合に比べて装置の
コストを低減することができ、かつ装置の占有スペース
を縮小することができる。
現像装置によれば、半導体ウエハの表面に供給する現像
液の濃度を一系統のノズルで変化させることができるの
で、現像液濃度の異なる複数系統のノズルを使って半導
体ウエハの表面に現像液を供給する場合に比べて装置の
コストを低減することができ、かつ装置の占有スペース
を縮小することができる。
【００２７】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００２８】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００２９】本発明の現像装置によれば、レジストパタ
ーンの寸法やフォトレジストの膜厚などに応じた最適の
現像条件を設定することができるので、レジストパター
ンの寸法精度が向上する結果、例えば微細な集積回路パ
ターンを有する半導体集積回路装置の信頼性や製造歩留
りを向上させることができる。
ーンの寸法やフォトレジストの膜厚などに応じた最適の
現像条件を設定することができるので、レジストパター
ンの寸法精度が向上する結果、例えば微細な集積回路パ
ターンを有する半導体集積回路装置の信頼性や製造歩留
りを向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例である現像装置の要部を示す
概略図である。
概略図である。
１ 現像液供給源 ２ 現像液供給ライン ３ 現像液流量制御ユニット ４ エアオペレートバルブ ５ 希釈液供給源 ６ 希釈液供給ライン ７ 希釈液流量制御ユニット ８ エアオペレートバルブ ９ 第一のノズル １０ 第二のノズル １１ 半導体ウエハ １２ ＣＰＵ １３ 加圧ガス供給源 １４ 加圧ガス供給ライン １５ エアオペレートバルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石内 正宏 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 黒岩 慶造 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理物上に塗布されたフォトレジスト
にマスクパターンの潜像を形成した後、前記フォトレジ
ストを現像して前記被処理物上にレジストパターンを形
成する現像方法であって、現像液の濃度を変化させなが
らフォトレジストを現像することを特徴とする現像方
法。 - 【請求項２】 現像液の濃度を変化させる毎に、フォト
レジストの表面をリンスすることを特徴とする請求項１
記載の現像方法。 - 【請求項３】 現像液供給ラインと、希釈液供給ライン
と、前記現像液供給ラインから供給された現像液および
前記希釈液供給ラインから供給された希釈液を所望の割
合で混合する第一のノズルと、前記第一のノズルによっ
て所望の濃度に設定された現像液を被処理物上のフォト
レジストに供給する第二のノズルとを備えたことを特徴
とする現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7957792A JPH05283332A (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 現像方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7957792A JPH05283332A (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 現像方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05283332A true JPH05283332A (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=13693849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7957792A Pending JPH05283332A (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 現像方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05283332A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015005586A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN107835576A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-03-23 | 奥士康科技股份有限公司 | 一种溶液自动添加系统 |
-
1992
- 1992-04-01 JP JP7957792A patent/JPH05283332A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015005586A (ja) * | 2013-06-20 | 2015-01-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN107835576A (zh) * | 2017-11-17 | 2018-03-23 | 奥士康科技股份有限公司 | 一种溶液自动添加系统 |
| CN107835576B (zh) * | 2017-11-17 | 2023-12-05 | 奥士康科技股份有限公司 | 一种溶液自动添加系统 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4189141B2 (ja) | 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 | |
| US5885755A (en) | Developing treatment apparatus used in the process for manufacturing a semiconductor device, and method for the developing treatment | |
| US6709531B2 (en) | Chemical liquid processing apparatus for processing a substrate and the method thereof | |
| EP0591608A2 (en) | Production method of T-shaped gate electrode in semiconductor device | |
| JP2006019742A (ja) | 液浸リソグラフィの方法および装置 | |
| JPH05283332A (ja) | 現像方法および装置 | |
| US6656277B2 (en) | Apparatus for and method of processing substrate | |
| US6372389B1 (en) | Method and apparatus for forming resist pattern | |
| KR0160921B1 (ko) | 레지스트 패턴의 형성방법 | |
| US5866303A (en) | Resist developing method by magnetic field controlling, resist developing apparatus and method of fabricating semiconductor device | |
| Kubota et al. | A Fast Method of Simulating Resist Pattern Contours Based on Mean Inhibitor Concentration | |
| JPH0862849A (ja) | フォトレジスト塗布方法及びその装置 | |
| US7944025B2 (en) | Semiconductor constructions | |
| JP2937159B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH05181286A (ja) | レジストパタ−ンの形状改善方法 | |
| KR100713398B1 (ko) | 음파를 이용한 반도체 웨이퍼의 현상장치 | |
| CN107039247A (zh) | 用于制造半导体器件的方法和系统 | |
| JPS63164217A (ja) | ホトレジスト膜の現像方法および現像装置 | |
| JPH11297607A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0425114A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH11153871A (ja) | レジストパターン形成方法及び半導体基板 | |
| JPH0344646A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR20020068130A (ko) | 반도체 제조 공정에서의 감광막 현상 방법 | |
| JPS62126634A (ja) | 半導体ウエハの位置合せマ−ク | |
| JPS58122726A (ja) | レジスト寸法の精密制御による半導体素子の製造方法 |