JP2000003944A - フレキシブル基板の製造方法 - Google Patents
フレキシブル基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 大面積のフレキシブル基板であっても犠牲層
の溶解除去が短時間ですみ、しかも形成されるフレキシ
ブル基板に自身に蓄積される応力に耐えることができる
程度の接着力を有するようにする。 【構成】 担体基板１００の上に犠牲層２００を形成す
る工程と、犠牲層２００の上にフレキシブルな薄膜３０
０を積層する工程と、犠牲層２００を溶解除去する工程
とを有するフレキシブル基板の製造方法であって、犠牲
層２００を形成する工程は、担体基板１００の上に下側
保護薄膜２１０を形成する工程と、下側保護薄膜２１０
の上に中間膜２２０を形成する工程と、中間膜２２０の
上に上側保護薄膜２３０を形成する工程とからなり、中
間膜２２０はサマリウムからなり、下側保護薄膜２１０
と上側保護薄膜２３０とはモリブデンからなり、犠牲層
２００の溶解除去工程では、犠牲層２００の中間膜２２
０のみを溶解するようになっている。
の溶解除去が短時間ですみ、しかも形成されるフレキシ
ブル基板に自身に蓄積される応力に耐えることができる
程度の接着力を有するようにする。 【構成】 担体基板１００の上に犠牲層２００を形成す
る工程と、犠牲層２００の上にフレキシブルな薄膜３０
０を積層する工程と、犠牲層２００を溶解除去する工程
とを有するフレキシブル基板の製造方法であって、犠牲
層２００を形成する工程は、担体基板１００の上に下側
保護薄膜２１０を形成する工程と、下側保護薄膜２１０
の上に中間膜２２０を形成する工程と、中間膜２２０の
上に上側保護薄膜２３０を形成する工程とからなり、中
間膜２２０はサマリウムからなり、下側保護薄膜２１０
と上側保護薄膜２３０とはモリブデンからなり、犠牲層
２００の溶解除去工程では、犠牲層２００の中間膜２２
０のみを溶解するようになっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ内に形成された、集積回路の電極であるパッドに接触
してその特性を測定するための端子板、あるいは微弱な
圧力センサーに用いるダイアフラム板となる多層フレキ
シブル基板の製造方法に関するものである。
ハ内に形成された、集積回路の電極であるパッドに接触
してその特性を測定するための端子板、あるいは微弱な
圧力センサーに用いるダイアフラム板となる多層フレキ
シブル基板の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】フレキシブル基板には、薄膜を多層にわ
たって積層したものがある。例えば、シリコンウエハを
担体基板とし、このシリコンウエハの上に最終的には溶
解除去される犠牲層を形成し、当該犠牲層の上に薄膜を
多層にわたって積層し、前記犠牲層を溶解除去すること
でシリコンウエハからフレキシブル基板を切り離すよう
なものがある。前記犠牲層としては、例えば非結晶シリ
コンや臭化カリウムを用いることが提案されている。
たって積層したものがある。例えば、シリコンウエハを
担体基板とし、このシリコンウエハの上に最終的には溶
解除去される犠牲層を形成し、当該犠牲層の上に薄膜を
多層にわたって積層し、前記犠牲層を溶解除去すること
でシリコンウエハからフレキシブル基板を切り離すよう
なものがある。前記犠牲層としては、例えば非結晶シリ
コンや臭化カリウムを用いることが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、配線板
の面積が大きくなると非結晶シリコンでは溶解に長時間
を用紙、実用上の困難を伴う。また、臭化カリウムでは
多層膜の形成過程で必要な純水による洗浄で剥離を生ず
るだけでなく、接着力が弱いなどという実用上の問題点
がある。
の面積が大きくなると非結晶シリコンでは溶解に長時間
を用紙、実用上の困難を伴う。また、臭化カリウムでは
多層膜の形成過程で必要な純水による洗浄で剥離を生ず
るだけでなく、接着力が弱いなどという実用上の問題点
がある。
【０００４】本発明は上記事情に鑑みて創案されたもの
で、大面積のフレキシブル基板であっても犠牲層の溶解
除去が短時間ですみ、しかも形成されるフレキシブル基
板に自身に蓄積される応力に耐えることができる程度の
接着力を有するフレキシブル基板の製造方法を提供する
ことを目的としている。
で、大面積のフレキシブル基板であっても犠牲層の溶解
除去が短時間ですみ、しかも形成されるフレキシブル基
板に自身に蓄積される応力に耐えることができる程度の
接着力を有するフレキシブル基板の製造方法を提供する
ことを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフレキシブ
ル基板の製造方法は、担体基板の上に犠牲層を形成する
工程と、この犠牲層の上にフレキシブルな薄膜を積層す
る工程と、前記犠牲層を溶解除去する工程とを有するフ
レキシブル基板の製造方法であって、前記犠牲層を形成
する工程は、担体基板の上に下側保護薄膜を形成する工
程と、この下側保護薄膜の上に中間膜を形成する工程
と、この中間膜の上に上側保護薄膜を形成する工程とか
らなり、前記中間膜はサマリウムからなり、前記下側保
護薄膜と上側保護薄膜とはモリブデン又はタングステン
或いはこれらのシリサイドからなり、犠牲層の溶解除去
工程では、犠牲層の中間膜のみを溶解するようになって
いる。
ル基板の製造方法は、担体基板の上に犠牲層を形成する
工程と、この犠牲層の上にフレキシブルな薄膜を積層す
る工程と、前記犠牲層を溶解除去する工程とを有するフ
レキシブル基板の製造方法であって、前記犠牲層を形成
する工程は、担体基板の上に下側保護薄膜を形成する工
程と、この下側保護薄膜の上に中間膜を形成する工程
と、この中間膜の上に上側保護薄膜を形成する工程とか
らなり、前記中間膜はサマリウムからなり、前記下側保
護薄膜と上側保護薄膜とはモリブデン又はタングステン
或いはこれらのシリサイドからなり、犠牲層の溶解除去
工程では、犠牲層の中間膜のみを溶解するようになって
いる。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態に係る
フレキシブル基板の製造方法の各工程を示す概略的断面
図である。
フレキシブル基板の製造方法の各工程を示す概略的断面
図である。
【０００７】本発明の実施の形態に係るフレキシブル基
板の製造方法は、担体基板１００の上に犠牲層２００を
形成する工程と、この犠牲層２００の上にフレキシブル
な薄膜３００を積層する工程と、前記犠牲層２００を溶
解除去する工程とを有するフレキシブル基板の製造方法
であって、前記犠牲層２００を形成する工程は、担体基
板１００の上に下側保護薄膜２１０を形成する工程と、
この下側保護薄膜２１０の上に中間膜２２０を形成する
工程と、この中間膜２２０の上に上側保護薄膜２３０を
形成する工程とからなり、前記中間膜２２０はサマリウ
ムからなり、前記下側保護薄膜２１０と上側保護薄膜２
３０とはモリブデンからなり、犠牲層２００の溶解除去
工程では、犠牲層２００の中間膜２２０のみを溶解する
ようになっている。
板の製造方法は、担体基板１００の上に犠牲層２００を
形成する工程と、この犠牲層２００の上にフレキシブル
な薄膜３００を積層する工程と、前記犠牲層２００を溶
解除去する工程とを有するフレキシブル基板の製造方法
であって、前記犠牲層２００を形成する工程は、担体基
板１００の上に下側保護薄膜２１０を形成する工程と、
この下側保護薄膜２１０の上に中間膜２２０を形成する
工程と、この中間膜２２０の上に上側保護薄膜２３０を
形成する工程とからなり、前記中間膜２２０はサマリウ
ムからなり、前記下側保護薄膜２１０と上側保護薄膜２
３０とはモリブデンからなり、犠牲層２００の溶解除去
工程では、犠牲層２００の中間膜２２０のみを溶解する
ようになっている。
【０００８】前記担体基板１００としては、シリコンウ
エハが用いられる。
エハが用いられる。
【０００９】まず、この担体基板１００の表面に犠牲層
２００を形成する。この犠牲層２００の形成工程は以下
の通りである。担体基板１００の表面全域にモリブデン
からなる下側保護薄膜２１０を形成する。この下側保護
薄膜２１０の厚さは０．１〜０．２μｍに設定され、例
えば平行平板型スパッタ装置で形成される。
２００を形成する。この犠牲層２００の形成工程は以下
の通りである。担体基板１００の表面全域にモリブデン
からなる下側保護薄膜２１０を形成する。この下側保護
薄膜２１０の厚さは０．１〜０．２μｍに設定され、例
えば平行平板型スパッタ装置で形成される。
【００１０】次に、下側保護薄膜２１０の上にサマリウ
ムからなる中間膜２２０を積層する。この中間膜２２０
は、前記下側保護薄膜２１０の全面に積層されるのでは
なく、図１（Ａ）に示すように、縁部から１〜２ｍｍ程
度の部分から内側のみに積層される。この中間膜２２０
の厚さは１〜２μｍであり、例えば真空蒸着装置によっ
て形成される。
ムからなる中間膜２２０を積層する。この中間膜２２０
は、前記下側保護薄膜２１０の全面に積層されるのでは
なく、図１（Ａ）に示すように、縁部から１〜２ｍｍ程
度の部分から内側のみに積層される。この中間膜２２０
の厚さは１〜２μｍであり、例えば真空蒸着装置によっ
て形成される。
【００１１】さらに、前記中間膜２２０の上にモリブデ
ンからなる上側保護薄膜２３０を形成する（図１（Ｂ）
参照）。この上側保護薄膜２３０は下側保護薄膜２１０
と同様に厚さが０．１〜０．２μｍに設定され、例えば
平行平板型スパッタ装置で形成される。また、この上側
保護薄膜２３０は、前記中間層２２０が形成されていな
い部分、すなわち下側保護薄膜２１０が露出した縁部か
ら１〜２ｍｍの範囲にまで積層される。
ンからなる上側保護薄膜２３０を形成する（図１（Ｂ）
参照）。この上側保護薄膜２３０は下側保護薄膜２１０
と同様に厚さが０．１〜０．２μｍに設定され、例えば
平行平板型スパッタ装置で形成される。また、この上側
保護薄膜２３０は、前記中間層２２０が形成されていな
い部分、すなわち下側保護薄膜２１０が露出した縁部か
ら１〜２ｍｍの範囲にまで積層される。
【００１２】このようにして、図１（Ｂ）に示すような
犠牲層２００を担体基板１００に形成することができ
た。
犠牲層２００を担体基板１００に形成することができ
た。
【００１３】ここで、下側保護薄膜２１０及び上側保護
薄膜２３０としてモリブデンの薄膜を形成するのは、次
の理由による。すなわち、犠牲層２００をサマリウムか
らなる中間膜２２０のみから構成すると、担体基板１０
０や犠牲層２００の上に形成するフレキシブルな薄膜３
００との間に好ましくない化学反応が生じ、その結果、
製造されるフレキシブル基板４００の特性が低下するた
めである。
薄膜２３０としてモリブデンの薄膜を形成するのは、次
の理由による。すなわち、犠牲層２００をサマリウムか
らなる中間膜２２０のみから構成すると、担体基板１０
０や犠牲層２００の上に形成するフレキシブルな薄膜３
００との間に好ましくない化学反応が生じ、その結果、
製造されるフレキシブル基板４００の特性が低下するた
めである。
【００１４】次に、前記犠牲層２００の上にフレキシブ
ルな薄膜３００を積層するのである。このフレキシブル
な薄膜３００の積層は、次のようにして行う。まず、絶
縁層３１０を形成する。この絶縁層３１０としては、プ
ラズマＣＶＤ法によって形成される酸化シリコン層（以
下、ＳＯＸ層とする）が適している。しかも、このＳＯ
Ｘ層は、例えばトリメトキシシランと酸素との混合ガス
を用いたプラズマＣＶＤ法によって形成する２×１０
（ｄｙｎｅ／ｃｍ）程度の圧縮性の低歪のＳｉＯ膜とす
る。
ルな薄膜３００を積層するのである。このフレキシブル
な薄膜３００の積層は、次のようにして行う。まず、絶
縁層３１０を形成する。この絶縁層３１０としては、プ
ラズマＣＶＤ法によって形成される酸化シリコン層（以
下、ＳＯＸ層とする）が適している。しかも、このＳＯ
Ｘ層は、例えばトリメトキシシランと酸素との混合ガス
を用いたプラズマＣＶＤ法によって形成する２×１０
（ｄｙｎｅ／ｃｍ）程度の圧縮性の低歪のＳｉＯ膜とす
る。
【００１５】絶縁層としての前記絶縁層３１０の上にア
ルミニウムの蒸着膜或いはスパッタ膜からなる導電層３
２０を形成する。
ルミニウムの蒸着膜或いはスパッタ膜からなる導電層３
２０を形成する。
【００１６】この絶縁層３１０及び導電層３２０の積層
を複数回（図１（Ｃ）では２回）にわたって反復する。
そして、最終的な表面には絶縁層３３０を形成する。
を複数回（図１（Ｃ）では２回）にわたって反復する。
そして、最終的な表面には絶縁層３３０を形成する。
【００１７】次に、このように形成されたフレキシブル
な薄膜３００は、犠牲層２００を溶解除去することで担
体基板１００から外さなければならない。かかる工程は
次のようにして行われる。
な薄膜３００は、犠牲層２００を溶解除去することで担
体基板１００から外さなければならない。かかる工程は
次のようにして行われる。
【００１８】まず、フォトエッチング法によって、図１
（Ｄ）に示すように、中間膜２２０が形成されていない
部分の上側Ａにあるフレキシブルな薄膜３００、上側保
護薄膜２３０及び下側保護薄膜２１０を除去することで
中間膜２２０の端部を露出させる。
（Ｄ）に示すように、中間膜２２０が形成されていない
部分の上側Ａにあるフレキシブルな薄膜３００、上側保
護薄膜２３０及び下側保護薄膜２１０を除去することで
中間膜２２０の端部を露出させる。
【００１９】次に、０．１％程度の塩酸水溶液によって
中間膜２２０を溶解除去する。すると、図１（Ｅ）に示
すように、下側保護薄膜２１０は担体基板１００の表面
に、上側保護薄膜２３０はフレキシブルな薄膜３００の
裏面にそれぞれ残置するが、フレキシブルな薄膜３００
は、フレキシブル基板４００として担体基板１００から
離脱する。
中間膜２２０を溶解除去する。すると、図１（Ｅ）に示
すように、下側保護薄膜２１０は担体基板１００の表面
に、上側保護薄膜２３０はフレキシブルな薄膜３００の
裏面にそれぞれ残置するが、フレキシブルな薄膜３００
は、フレキシブル基板４００として担体基板１００から
離脱する。
【００２０】なお、上述した実施の形態では、絶縁層３
１０としてＳＯＸ層を挙げたが、ポリイミド層（以下、
ＰＩＱ層とする）でもよい。ここで、表１にてＳＯＸ層
とＰＩＱ層との特性の差を説明する。
１０としてＳＯＸ層を挙げたが、ポリイミド層（以下、
ＰＩＱ層とする）でもよい。ここで、表１にてＳＯＸ層
とＰＩＱ層との特性の差を説明する。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１に示すように、剛性の小さい多層薄膜
構造には回転式塗布法で形成するＰＩＱ層が適している
が、融点が低いため３５０℃以下の環境下でしか使用す
ることができない。これに対して、ＳＯＸ層は融点が高
いのでより高温の環境下でも使用することができる。し
かし、柔軟性はＰＩＱ層の方がＳＯＸ層より優れてい
る。従って、上記実施の形態では、ＰＩＱ層を適宜選択
することも可能である。
構造には回転式塗布法で形成するＰＩＱ層が適している
が、融点が低いため３５０℃以下の環境下でしか使用す
ることができない。これに対して、ＳＯＸ層は融点が高
いのでより高温の環境下でも使用することができる。し
かし、柔軟性はＰＩＱ層の方がＳＯＸ層より優れてい
る。従って、上記実施の形態では、ＰＩＱ層を適宜選択
することも可能である。
【００２３】また、上述した実施の形態では、下側保護
薄膜２１０及び上側保護薄膜２３０としてモリブデンの
薄膜を用いたが、例えば、タングステン或いはモリブデ
ンのシリサイドやタングステンのシリサイドを用いても
よい。この場合にも、モリブデンの薄膜を下側保護薄膜
２１０及び上側保護薄膜２３０としたのと同様の効果を
得ることができる。
薄膜２１０及び上側保護薄膜２３０としてモリブデンの
薄膜を用いたが、例えば、タングステン或いはモリブデ
ンのシリサイドやタングステンのシリサイドを用いても
よい。この場合にも、モリブデンの薄膜を下側保護薄膜
２１０及び上側保護薄膜２３０としたのと同様の効果を
得ることができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明に係るフレキシブル基板の製造方
法は、担体基板の上に犠牲層を形成する工程と、この犠
牲層の上にフレキシブルな薄膜を積層する工程と、前記
犠牲層を溶解除去する工程とを有するフレキシブル基板
の製造方法であって、前記犠牲層を形成する工程は、担
体基板の上に下側保護薄膜を形成する工程と、この下側
保護薄膜の上に中間膜を形成する工程と、この中間膜の
上に上側保護薄膜を形成する工程とからなり、前記中間
膜はサマリウムからなり、前記下側保護薄膜と上側保護
薄膜とはモリブデン又はタングステン或いはこれらのシ
リサイドからなり、犠牲層の溶解除去工程では、犠牲層
の中間膜のみを溶解するようになっている。
法は、担体基板の上に犠牲層を形成する工程と、この犠
牲層の上にフレキシブルな薄膜を積層する工程と、前記
犠牲層を溶解除去する工程とを有するフレキシブル基板
の製造方法であって、前記犠牲層を形成する工程は、担
体基板の上に下側保護薄膜を形成する工程と、この下側
保護薄膜の上に中間膜を形成する工程と、この中間膜の
上に上側保護薄膜を形成する工程とからなり、前記中間
膜はサマリウムからなり、前記下側保護薄膜と上側保護
薄膜とはモリブデン又はタングステン或いはこれらのシ
リサイドからなり、犠牲層の溶解除去工程では、犠牲層
の中間膜のみを溶解するようになっている。
【００２５】このフレキシブル基板の製造方法による
と、犠牲層を非結晶シリコンなどで形成した従来の方法
と同等の条件下において、犠牲層の溶解除去に要する時
間を数分の一以下に短縮することができた。また、この
製造方法によって製造されたフレキシブル基板は、純水
の洗浄程度の力では剥離することがない。すなわち、極
めて薄く、デリケートなこの種の多層薄膜を担体基板か
ら剥離する困難な作業を、比較的平易な作業に置き換え
ることができるのである。
と、犠牲層を非結晶シリコンなどで形成した従来の方法
と同等の条件下において、犠牲層の溶解除去に要する時
間を数分の一以下に短縮することができた。また、この
製造方法によって製造されたフレキシブル基板は、純水
の洗浄程度の力では剥離することがない。すなわち、極
めて薄く、デリケートなこの種の多層薄膜を担体基板か
ら剥離する困難な作業を、比較的平易な作業に置き換え
ることができるのである。
【図１】本発明の実施の形態に係るフレキシブル基板の
製造方法の各工程を示す概略的断面図である。
製造方法の各工程を示す概略的断面図である。
１００ 担体基板 ２００ 犠牲層 ２１０ 下側保護薄膜 ２２０ 中間膜 ２３０ 上側保護薄膜 ３００ フレキシブルな薄膜 ４００ フレキシブル基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年４月５日（１９９９．４．５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るフレキシブ
ル基板の製造方法は、担体基板の上に犠牲層を形成する
工程と、前記犠牲層の上にフレキシブルな薄膜を形成す
る工程と、前記犠牲層の一部を溶解除去する工程とを有
するフレキシブル基板の製造方法であって、前記犠牲層
は、前記担体基板の上に形成される下側保護薄膜と、こ
の下側保護薄膜の上に形成される中間膜と、この中間膜
の上に形成される上側保護薄膜からなり、前記犠牲層を
形成する工程には、前記担体基板の上に前記下側保護薄
膜を形成する工程と、この下側保護薄膜の上に前記中間
膜を形成する工程と、この中間膜の上に前記上側保護薄
膜を形成する工程とが含まれ、前記中間膜はサマリウム
からなり、前記下側保護薄膜と前記上側保護薄膜とはモ
リブデン又はタングステン或いはこれらのシリサイドか
らなり、前記犠牲層の溶解除去工程では、前記犠牲層の
前記中間膜のみを溶解するようになっている。
ル基板の製造方法は、担体基板の上に犠牲層を形成する
工程と、前記犠牲層の上にフレキシブルな薄膜を形成す
る工程と、前記犠牲層の一部を溶解除去する工程とを有
するフレキシブル基板の製造方法であって、前記犠牲層
は、前記担体基板の上に形成される下側保護薄膜と、こ
の下側保護薄膜の上に形成される中間膜と、この中間膜
の上に形成される上側保護薄膜からなり、前記犠牲層を
形成する工程には、前記担体基板の上に前記下側保護薄
膜を形成する工程と、この下側保護薄膜の上に前記中間
膜を形成する工程と、この中間膜の上に前記上側保護薄
膜を形成する工程とが含まれ、前記中間膜はサマリウム
からなり、前記下側保護薄膜と前記上側保護薄膜とはモ
リブデン又はタングステン或いはこれらのシリサイドか
らなり、前記犠牲層の溶解除去工程では、前記犠牲層の
前記中間膜のみを溶解するようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】本発明の実施の形態に係るフレキシブル基
板の製造方法は、担体基板１００の上に犠牲層２００を
形成する工程と、前記犠牲層２００の上にフレキシブル
な薄膜３００を形成する工程と、前記犠牲層２００の一
部を溶解除去する工程とを有するフレキシブル基板の製
造方法であって、前記犠牲層２００は、前記担体基板１
００の上に形成される下側保護薄膜２１０と、この下側
保護薄膜２１０の上に形成される中間膜２２０と、この
中間膜２２０の上に形成される上側保護薄膜２３０から
なり、前記犠牲層２００を形成する工程には、担体基板
の上に下側保護薄膜２１０を形成する工程と、この下側
保護薄膜２１０の上に中間膜２２０を形成する工程と、
この中間膜２２０の上に上側保護薄膜２３０を形成する
工程とが含まれ、前記中間膜２２０はサマリウムからな
り、前記下側保護薄膜２１０と前記上側保護薄膜２３０
とはモリブデン又はタングステン或いはこれらのシリサ
イドからなり、前記犠牲層２００の溶解除去工程では、
前記犠牲層２００の前記中間膜２２０のみを溶解するよ
うになっている。
板の製造方法は、担体基板１００の上に犠牲層２００を
形成する工程と、前記犠牲層２００の上にフレキシブル
な薄膜３００を形成する工程と、前記犠牲層２００の一
部を溶解除去する工程とを有するフレキシブル基板の製
造方法であって、前記犠牲層２００は、前記担体基板１
００の上に形成される下側保護薄膜２１０と、この下側
保護薄膜２１０の上に形成される中間膜２２０と、この
中間膜２２０の上に形成される上側保護薄膜２３０から
なり、前記犠牲層２００を形成する工程には、担体基板
の上に下側保護薄膜２１０を形成する工程と、この下側
保護薄膜２１０の上に中間膜２２０を形成する工程と、
この中間膜２２０の上に上側保護薄膜２３０を形成する
工程とが含まれ、前記中間膜２２０はサマリウムからな
り、前記下側保護薄膜２１０と前記上側保護薄膜２３０
とはモリブデン又はタングステン或いはこれらのシリサ
イドからなり、前記犠牲層２００の溶解除去工程では、
前記犠牲層２００の前記中間膜２２０のみを溶解するよ
うになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】このようにして、図１（Ｂ）に示すような
犠牲層２００、すなわち下側保護薄膜２１０と、この下
側保護薄膜２１０の上に形成された中間膜２２０と、こ
の中間膜２２０の上に形成された上側保護薄膜２３０と
からなる犠牲層２００を担体基板１００に形成すること
ができた。
犠牲層２００、すなわち下側保護薄膜２１０と、この下
側保護薄膜２１０の上に形成された中間膜２２０と、こ
の中間膜２２０の上に形成された上側保護薄膜２３０と
からなる犠牲層２００を担体基板１００に形成すること
ができた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】
【発明の効果】本発明に係るフレキシブル基板の製造方
法は、担体基板の上に犠牲層を形成する工程と、前記犠
牲層の上にフレキシブルな薄膜を形成する工程と、前記
犠牲層の一部を溶解除去する工程とを有するフレキシブ
ル基板の製造方法であって、前記犠牲層は、前記担体基
板の上に形成される下側保護薄膜と、この下側保護薄膜
の上に形成される中間膜と、この中間膜の上に形成され
る上側保護薄膜からなり、前記犠牲層を形成する工程に
は、担体基板の上に下側保護薄膜を形成する工程と、こ
の下側保護薄膜の上に中間膜を形成する工程と、この中
間膜の上に上側保護薄膜を形成する工程とが含まれ、前
記中間膜はサマリウムからなり、前記下側保護薄膜と前
記上側保護薄膜とはモリブデン又はタングステン或いは
これらのシリサイドからなり、前記犠牲層の溶解除去工
程では、前記犠牲層の前記中間膜のみを溶解するように
なっている。
法は、担体基板の上に犠牲層を形成する工程と、前記犠
牲層の上にフレキシブルな薄膜を形成する工程と、前記
犠牲層の一部を溶解除去する工程とを有するフレキシブ
ル基板の製造方法であって、前記犠牲層は、前記担体基
板の上に形成される下側保護薄膜と、この下側保護薄膜
の上に形成される中間膜と、この中間膜の上に形成され
る上側保護薄膜からなり、前記犠牲層を形成する工程に
は、担体基板の上に下側保護薄膜を形成する工程と、こ
の下側保護薄膜の上に中間膜を形成する工程と、この中
間膜の上に上側保護薄膜を形成する工程とが含まれ、前
記中間膜はサマリウムからなり、前記下側保護薄膜と前
記上側保護薄膜とはモリブデン又はタングステン或いは
これらのシリサイドからなり、前記犠牲層の溶解除去工
程では、前記犠牲層の前記中間膜のみを溶解するように
なっている。
フロントページの続き (72)発明者 岩田 浩 兵庫県尼崎市西長洲町２丁目５番13号 日 本電子材料株式会社内 Ｆターム(参考） 2G011 AA21 AB06 AB08 AE03 4M106 AA01 AA02 BA01 DD09 DD10 4M112 DA17
Claims (1)
- 【請求項１】 担体基板の上に犠牲層を形成する工程
と、この犠牲層の上にフレキシブルな薄膜を積層する工
程と、前記犠牲層を溶解除去する工程とを有するフレキ
シブル基板の製造方法において、前記犠牲層を形成する
工程は、担体基板の上に下側保護薄膜を形成する工程
と、この下側保護薄膜の上に中間膜を形成する工程と、
この中間膜の上に上側保護薄膜を形成する工程とからな
り、前記中間膜はサマリウムからなり、前記下側保護薄
膜と上側保護薄膜とはモリブデン又はタングステン或い
はこれらのシリサイドからなり、犠牲層の溶解除去工程
では、犠牲層の中間膜のみを溶解することを特徴とする
フレキシブル基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18569398A JP2931297B1 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | フレキシブル基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18569398A JP2931297B1 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | フレキシブル基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2931297B1 JP2931297B1 (ja) | 1999-08-09 |
| JP2000003944A true JP2000003944A (ja) | 2000-01-07 |
Family
ID=16175220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18569398A Expired - Fee Related JP2931297B1 (ja) | 1998-06-15 | 1998-06-15 | フレキシブル基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2931297B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011040685A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | Kyunghee University Industrial & Academic Collaboration Foundation | Method for fabricating flexible board using solution process |
| KR101191865B1 (ko) | 2011-04-20 | 2012-10-16 | 한국기계연구원 | 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판 |
| WO2012144827A2 (ko) * | 2011-04-20 | 2012-10-26 | 한국기계연구원 | 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판 |
| WO2016018030A1 (ko) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | 동우 화인켐 주식회사 | 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법 |
| US9510457B2 (en) | 2012-05-21 | 2016-11-29 | Korea Institute of Machinery and Minerals | Methods of manufacturing metal wiring buried flexible substrate by using plasma and flexible substrates manufactured by the same |
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|---|---|---|---|---|
| KR102469186B1 (ko) | 2015-04-30 | 2022-11-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
-
1998
- 1998-06-15 JP JP18569398A patent/JP2931297B1/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011040685A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-04-07 | Kyunghee University Industrial & Academic Collaboration Foundation | Method for fabricating flexible board using solution process |
| JP2013506286A (ja) * | 2009-09-29 | 2013-02-21 | キョンヒ・ユニヴァーシティ・インダストリアル・アンド・アカデミック・コラボレーション・ファウンデーション・ | 溶液工程を用いたフレキシブル基板の製造方法 |
| KR101191865B1 (ko) | 2011-04-20 | 2012-10-16 | 한국기계연구원 | 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판 |
| WO2012144827A2 (ko) * | 2011-04-20 | 2012-10-26 | 한국기계연구원 | 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판 |
| WO2012144827A3 (ko) * | 2011-04-20 | 2013-03-07 | 한국기계연구원 | 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판 |
| US9445504B2 (en) | 2011-04-20 | 2016-09-13 | Korea Institute Of Machinery And Materials | Methods of manufacturing metal wiring buried flexible substrate and flexible substrates manufactured by the same |
| US9510457B2 (en) | 2012-05-21 | 2016-11-29 | Korea Institute of Machinery and Minerals | Methods of manufacturing metal wiring buried flexible substrate by using plasma and flexible substrates manufactured by the same |
| WO2016018030A1 (ko) * | 2014-07-31 | 2016-02-04 | 동우 화인켐 주식회사 | 필름 터치 센서 및 그의 제조 방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2931297B1 (ja) | 1999-08-09 |
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