JP2013506286A - 溶液工程を用いたフレキシブル基板の製造方法 - Google Patents

溶液工程を用いたフレキシブル基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2013506286A
JP2013506286A JP2012530760A JP2012530760A JP2013506286A JP 2013506286 A JP2013506286 A JP 2013506286A JP 2012530760 A JP2012530760 A JP 2012530760A JP 2012530760 A JP2012530760 A JP 2012530760A JP 2013506286 A JP2013506286 A JP 2013506286A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flexible substrate
manufacturing
substrate
vapor deposition
film layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012530760A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5758391B2 (ja
Inventor
震 張
敏▲姫▼ 崔
承勳 韓
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University
Original Assignee
Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University filed Critical Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University
Publication of JP2013506286A publication Critical patent/JP2013506286A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5758391B2 publication Critical patent/JP5758391B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02601—Nanoparticles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C41/00—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor
    • B29C41/34—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29C41/36—Feeding the material on to the mould, core or other substrate
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C41/00—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor
    • B29C41/02—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C41/22—Making multilayered or multicoloured articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C41/00—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor
    • B29C41/02—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C41/08—Coating a former, core or other substrate by spraying or fluidisation, e.g. spraying powder
    • B29C41/085—Coating a former, core or other substrate by spraying or fluidisation, e.g. spraying powder by rotating the former around its axis of symmetry
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C41/00—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor
    • B29C41/02—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C41/12—Spreading-out the material on a substrate, e.g. on the surface of a liquid
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C41/00—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor
    • B29C41/02—Shaping by coating a mould, core or other substrate, i.e. by depositing material and stripping-off the shaped article; Apparatus therefor for making articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C41/14—Dipping a core
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
    • B29K2105/00—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped
    • B29K2105/06—Condition, form or state of moulded material or of the material to be shaped containing reinforcements, fillers or inserts
    • B29K2105/16—Fillers
    • B29K2105/165—Hollow fillers, e.g. microballoons or expanded particles
    • B29K2105/167—Nanotubes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2007/00—Flat articles, e.g. films or sheets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3425—Printed circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

炭素ナノチューブを用いたフレキシブル基板の製造方法が開示される。その方法は、基板上に炭素ナノチューブを含有したインクを塗布して蒸着層を形成し、前記炭素ナノチューブ蒸着層上に高分子或いは単分子を含む化学溶液をコーティングして薄膜層を形成することを含む。その方法によれば、スピンコーティング(回転塗布)された炭素ナノチューブ層上に高分子或いは単分子化学溶液をコーティングしてベース基板と高分子フィルムとが当接する面積を最小化することにより、外部ストレスやレーザを加えることなく基板から容易に分離可能なフレキシブル基板を形成できる効果がある。

Description

本発明は、シリコンウェハやガラス基板などに固定されたフレキシブル基板の製造方法に関する。
プラスチック基板はフレキシブルであるため、既存のシリコンウェハやガラス基板に最適化された製造装備を用いるには、堅固な基板上に固定しなければならない。
このようなプラスチック基板を堅固なガラス基板上に固定させる方法は大きく分けて３種類がある。
図１に関し提案されているのが、単面接着テープを用いてプラスチック基板をガラス基板に固定する方法であり、プラスチックフィルム２をガラス基板１上に配置し、両端部を単面接着テープ３で固定する。この方法は非常に簡単で利便性があるが、ガラス基板１とプラスチック基板は、密着せず、熱膨張係数が相異なるので、高温工程でプラスチック基板に歪みが発生するという問題がある。
図２に示すのは、両面接着層４でガラス基板１とプラスチック基板２を固定する方法である。この方法は、ガラス基板とプラスチック基板との密着性を向上でき、且つ、これにより高温工程でのプラスチックフィルムの歪みが排除できるという点では効果がある。しかしながら、この方法は接着強度の調節が困難であるという問題がある。すなわち、両面接着層が強い接着力を有する場合には工程完了後にプラスチック基板の分離に大きい外部ストレスを必要とし、弱い接着力を有する場合には工程の途中で基板が分離してしまうという問題がある。
図３に関し、上記の問題を解決する試みで、ガラス基板１とプラスチック基板２との間に犠牲層５を挿入し、工程完了後にレーザ照射で犠牲層に熱を加えることでフィルムが分離される。この方法は、ガラス基板とプラスチック基板との密着性が向上し、プラスチック基板をガラス基板から分離する時にストレスを最小化できるという利点がある。しかしながら、この方法は、犠牲層の再使用が可能でなく、レーザを使用するため製造コストがアップするという欠点がある。
図４に示すように、上記の工程とは異なり、高分子溶液６をガラス基板１上にスピンコーティング(回転塗布)などの方法でコーティングして高分子フィルムを形成した後、フィルムを加熱・固化して取り外すという方法がある。この方法もガラス基板と高分子フィルムとの接着力が非常に強いため分離し難いという欠点がある。
従って、上記の諸問題を考慮して本発明がなされ、本発明の目的の一つは、スピンコーティング(回転塗布)された炭素ナノチューブ層上に高分子又は単分子化学溶液をコーティングしてベース基板と高分子フィルムとが当接する面積を最小化し、それにより、外部ストレスやレーザを加えることなく基板から容易に分離可能なフレキシブル基板を形成する、炭素ナノチューブを用いたフレキシブル基板の製造方法を提供することである。
本発明の別の目的は、炭素ナノチューブを含むインクと同様に、疏水性物質を含むインクを用いて蒸着層を形成することで上記と同等の効果を実現する、フレキシブル基板の製造方法を提供することである。
本発明によれば、上記及びその他の目的は、基板上に炭素ナノチューブを含有したインクをスピンコーティング(回転塗布)して蒸着層を形成し、前記炭素ナノチューブ蒸着層上に高分子又は単分子溶液をスピンコーティングして薄膜層を形成することで構成される、炭素ナノチューブを用いたフレキシブル基板の製造方法を提供することで達成できる。
特に、上記した製造方法に用いることのできる前記化学溶液は、芳香族ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、フッ素系樹脂から選ぶことができる。
より具体的には、前記化学溶液は、ポリイミド(polyimide, PI)又はポリメチルメタクリレート(Poly Methyl Methacrylate, PMMA)であってよい。
上記した製造工程で用いられる前記基板は、ガラス基板、シリコンウェハ基板、ステンレススチール基板、サファイア基板から選ぶことができる。
或いは、上記した製造工程を少なくとも１回繰り返し、蒸着層と薄膜層とで構成された少なくとも１つの複合フィルム層を形成することによるフレキシブル基板の製造方法が提供される。
製造工程では、炭素ナノチューブの代わりに疏水性物質を含むインクを用いて蒸着層を形成することができる。この製造工程は、炭素ナノチューブを含むインク層を用いて蒸着層を実現するのと同一の一連の工程で実現される。
特に、疏水性物質を用いる場合、疏水性物質の疏水性が高くて接触角が８０度以上であるのが好ましい。
本発明は、ベース基板と高分子フィルムとが当接する面積を最小化するために、スピンコーティング(回転塗布)された炭素ナノチューブ層上に高分子或いは単分子化学溶液をコーティングすることにより、外部ストレスやレーザを加えることなく基板から容易に分離できるフレキシブル基板の製造方法を提供する。
従来技術による基板の製造方法を示す断面図である。 従来技術による基板の製造方法を示す断面図である。 従来技術による基板の製造方法を示す断面図である。 従来技術による基板の製造方法を示す断面図である。 本発明による基板の製造方法を示す断面図である。 本発明による基板の製造方法を示す断面図である。 本発明による基板の製造方法を示す断面図である。
以下、添付の図面を参照して本発明の構成及び作用を具体的に説明する。
図５及び図６に関し、本発明によるフレキシブル基板の製造方法は、基板１０上に炭素ナノチューブ２１を含有したインクを塗布して蒸着層２０を形成し、前記炭素ナノチューブ蒸着層上に高分子或いは単分子を含む化学溶液をスピンコーティングして薄膜層３０を形成することにより構成される。スピンコーティング(spin coating)、スリットコーティング(slit coating)、スプレーコーティング(spray coating)、ディップコーティング(dip coating)等の種々のコーティング方法を本発明に適用することができる。
その方法により形成されるフレキシブル基板は、スピンコーティング(回転塗布)された炭素ナノチューブ間に前記化学溶液が入り込むので、薄膜層としての薄膜フィルムとガラス基板との当接面積を効果的に低減することができ、従ってガラス基板から薄膜層を効果的に分離できる。
上記した製造工程に用いられる化学溶液としての高分子溶液は、溶液状態で蒸着して固化されることにより薄膜が得られるポリイミド(PI)、ポリメチルメタクリレート(PMMA)等の有機物又はそれらの混合物から選ぶことができる。また、前記高分子溶液は、前記有機物と少量の無機物との混合物であってもよい。具体的には、上記した高分子溶液は、芳香族ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、フッ素系樹脂及びそれらの混合物から選ぶことができる。若しくは、高分子溶液は、ピロメリト酸二無水物又はビフェニルテトラカルボン酸無水物と、ジアミノジフェニルエーテルなどの芳香族ポリイミドとの縮合で得られる芳香族ポリイミドであってよい。ここで、ポリイミド(PI)樹脂とは、芳香族テトラカルボキシル酸又はその誘導体と、芳香族ジイソシアネート又はその誘導体とを縮重合した後イミド化して製造される高耐熱樹脂を言う。このポリイミド(PI)樹脂は、使われる単量体の種類に応じて様々な分子構造を有することができ、従って様々な物性を呈することができる。一般的に、ポリイミド(PI)樹脂の製造のために使われる芳香族テトラカルボキシル酸は、ピロメリト酸二無水物(PMDA)又はビフェニルテトラカルボキシル酸二無水物(BPDA)等であってよく、芳香族ジアミンはオキシジアニリン(ODA)又はｐ-フェニレンジアミン(p-PDA)であってよい。
なお、本発明に使える単分子溶液は、エポキシ系化合物やＵＶ硬化型単分子を用いることができ、熱処理又はＵＶ照射により高分子化できる。
なお、製造工程に用いることのできる基板は、ガラス、シリコンウェハ、ステンレススチール、サファイアから選ばれた、半導体工程に使える堅固な材質から造ることができる。
図７に関し、製造工程は、炭素ナノチューブを含むインクを用いた蒸着層を形成し、高分子又は単分子を含む溶液を用いた薄膜層を形成することで構成される一連の段階を少なくとも１回繰り返することで構成でき、炭素ナノチューブを含む薄膜層２０ａ、２０ｂ、２０ｃを複数含む多層構造を持つフレキシブル基板を形成して、炭素ナノチューブによって高い強度を有しながらもガラス基板から容易に分離できる高強度フレキシブル基板を実現できる。
以下、別の実施例を説明する。製造工程は、炭素ナノチューブの代わりに疏水性物質を含むインクを用いて蒸着層を実現することができる。この製造工程は、炭素ナノチューブを含むインク層を用いて蒸着層を実現するのと同じ一連の工程で実現される。この場合、前記疏水性物質は疏水性が高く、接触角が８０度以上〜１３０度以下であるのが好ましい。疏水性物質は、例えば、水酸基、アミノ基又はカルボキシル基を含んでよい。
上記したように、本発明による製造工程によれば、基板と薄膜フィルムとが当接する面積を最小化することにより、外部ストレスやレーザを加えることなく基板から容易に分離できるフレキシブル基板の形成が可能となる。
以上、例示のために本発明の好適実施例を開示してきたが、添付の請求の範囲に開示されているような本発明の範囲及び要旨を逸脱することなく種々の修飾、追加及び置換が可能であることは当業者なら理解されるであろう。

Claims (12)

  1. 基板上に炭素ナノチューブを含有したインクを塗布して蒸着層を形成し、
    前記炭素ナノチューブ蒸着層上に高分子或いは単分子が含まれた化学溶液をコーティングして薄膜層を形成する
    ことから構成される、炭素ナノチューブを用いたフレキシブル基板の製造方法。
  2. 前記化学溶液が、芳香族ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、フッ素系樹脂から選ばれる、請求項１に記載のフレキシブル基板の製造方法。
  3. 前記化学溶液が、ポリイミド(polyimide, PI)又はポリメチルメタクリレート(Poly Methyl Methacrylate, PMMA)である、請求項１に記載のフレキシブル基板の製造方法。
  4. 前記基板が、ガラス、シリコンウェハ、ステンレススチール、サファイアから選ばれる、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のフレキシブル基板の製造方法。
  5. 前記蒸着層と前記薄膜層の形成工程を少なくとも１回繰り返し、前記フレキシブル基板を構成する前記前記蒸着層と薄膜層とで構成される少なくとも１つの複合フィルム層を形成する、請求項４に記載のフレキシブル基板の製造方法。
  6. 基板上に、接触角が８０度以上の高疏水性物質を含有したインクを塗布して蒸着層を形成し、
    前記蒸着された疏水性物質上に高分子或いは単分子が含まれた化学溶液をコーティングして薄膜層を形成する、
    ことで構成されるフレキシブル基板の製造方法。
  7. 前記疏水性物質は接触角が８０度以上〜１３０度以下である、請求項６に記載のフレキシブル基板の製造方法。
  8. 前記疏水性物質が、水酸基、アミノ基、カルボキシル基又はこれらの混合物を含む、請求項７に記載のフレキシブル基板の製造方法。
  9. 前記化学溶液が、芳香族ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、フッ素系樹脂から選ばれる、請求項７に記載のフレキシブル基板の製造方法。
  10. 前記化学溶液が、ポリイミド(polyimide, PI)又はポリメチルメタクリレート(Poly Methyl Methacrylate, PMMA)である、請求項７に記載のフレキシブル基板の製造方法。
  11. 前記基板が、ガラス、シリコンウェハ、ステンレススチール、サファイアから選ばれる、請求項７乃至請求項１０のいずれかに記載のフレキシブル基板の製造方法。
  12. 前記蒸着層と前記薄膜層の形成工程を少なくとも１回繰り返して、前記フレキシブル基板を構成する前記前記蒸着層と薄膜層とで構成される少なくとも１つの複合フィルム層を形成する、請求項１１に記載のフレキシブル基板の製造方法。
JP2012530760A 2009-09-29 2010-02-02 溶液工程を用いたフレキシブル基板の製造方法 Active JP5758391B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090092577A KR101075481B1 (ko) 2009-09-29 2009-09-29 용액공정을 이용한 플렉서블 기판의 제조방법
KR10-2009-0092577 2009-09-29
PCT/KR2010/000618 WO2011040685A1 (en) 2009-09-29 2010-02-02 Method for fabricating flexible board using solution process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013506286A true JP2013506286A (ja) 2013-02-21
JP5758391B2 JP5758391B2 (ja) 2015-08-05

Family

ID=43826469

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012530760A Active JP5758391B2 (ja) 2009-09-29 2010-02-02 溶液工程を用いたフレキシブル基板の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20120183699A1 (ja)
JP (1) JP5758391B2 (ja)
KR (1) KR101075481B1 (ja)
CN (2) CN108724570A (ja)
WO (1) WO2011040685A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101491274B1 (ko) * 2013-07-11 2015-02-10 경희대학교 산학협력단 유기발광 다이오드용 필름
KR102369298B1 (ko) 2014-04-29 2022-03-03 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN111516279A (zh) * 2020-04-23 2020-08-11 内蒙动力机械研究所 一种防热涂层片材预成型方法
TWI748740B (zh) * 2020-11-11 2021-12-01 宸寰科技有限公司 散熱導電軟板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000003944A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Japan Electronic Materials Corp フレキシブル基板の製造方法
JP2001240650A (ja) * 2000-03-01 2001-09-04 Ube Ind Ltd ポリイミド系絶縁膜用組成物、絶縁膜および絶縁膜の形成法
JP2005214626A (ja) * 2002-01-16 2005-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガスセンサ、ガスセンサユニットおよびそれを用いた保鮮装置
JP2005353590A (ja) * 2004-05-31 2005-12-22 Samsung Sdi Co Ltd 高分子材料を用いたフレキシブルエミッター及びその製造方法
JP2006261535A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Ricoh Co Ltd 積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、電子素子を用いた電子素子アレイ、積層構造体の製造方法および電子素子の製造方法
JP2008536187A (ja) * 2005-04-19 2008-09-04 韓国科学技術院 有機−無機ハイブリッド材料を利用したフレキシブルフィルム光導波路及びその製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2595903B2 (ja) * 1994-07-05 1997-04-02 日本電気株式会社 液相におけるカーボン・ナノチューブの精製・開口方法および官能基の導入方法
US6466297B1 (en) * 1999-07-02 2002-10-15 Merck Patent Geselleschaft Mit Beschrankter Haftung Method of preparing a broadband reflective polarizer
JP4207398B2 (ja) * 2001-05-21 2009-01-14 富士ゼロックス株式会社 カーボンナノチューブ構造体の配線の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体の配線およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス
US7455757B2 (en) * 2001-11-30 2008-11-25 The University Of North Carolina At Chapel Hill Deposition method for nanostructure materials
EP1513621A4 (en) * 2002-05-21 2005-07-06 Eikos Inc METHOD FOR CONFIGURING COATING OF CARBON NANOTUBES AND WIRING OF CARBON NANOTUBES
WO2005012162A2 (en) * 2003-07-09 2005-02-10 Hyperion Catalysis International, Inc. Field emission devices made with laser and/or plasma treated carbon nanotube mats, films or inks
KR100563058B1 (ko) * 2003-11-21 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
US20070298253A1 (en) * 2004-09-17 2007-12-27 Kenji Hata Transparent Conductive Carbon Nanotube Film and a Method for Producing the Same
US20080286546A1 (en) * 2005-05-03 2008-11-20 Nanocomp Technologies, Inc. Continuous glassy carbon composite materials reinforced with carbon nanotubes and methods of manufacturing same
US7550194B2 (en) * 2005-08-03 2009-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Low color polyimide compositions useful in optical type applications and methods and compositions relating thereto
WO2008100333A2 (en) * 2006-08-10 2008-08-21 William Marsh Rice University Polymer composites mechanically reinforced with alkyl and urea functionalized nanotubes
US20080047930A1 (en) * 2006-08-23 2008-02-28 Graciela Beatriz Blanchet Method to form a pattern of functional material on a substrate
KR100801670B1 (ko) * 2006-10-13 2008-02-11 한국기계연구원 잉크젯 프린팅법에 의한 나노소재의 미세 전극 패턴 제조방법
CN101360387B (zh) * 2007-08-03 2012-06-13 富葵精密组件(深圳)有限公司 柔性电路板基膜、柔性电路板基板及柔性电路板
KR101063755B1 (ko) * 2008-02-15 2011-09-14 한양대학교 산학협력단 금속 나노입자상의 자기조립단분자층 코팅장치 및 이를이용한 코팅방법

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000003944A (ja) * 1998-06-15 2000-01-07 Japan Electronic Materials Corp フレキシブル基板の製造方法
JP2001240650A (ja) * 2000-03-01 2001-09-04 Ube Ind Ltd ポリイミド系絶縁膜用組成物、絶縁膜および絶縁膜の形成法
JP2005214626A (ja) * 2002-01-16 2005-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガスセンサ、ガスセンサユニットおよびそれを用いた保鮮装置
JP2005353590A (ja) * 2004-05-31 2005-12-22 Samsung Sdi Co Ltd 高分子材料を用いたフレキシブルエミッター及びその製造方法
JP2006261535A (ja) * 2005-03-18 2006-09-28 Ricoh Co Ltd 積層構造体、積層構造体を用いた電子素子、電子素子を用いた電子素子アレイ、積層構造体の製造方法および電子素子の製造方法
JP2008536187A (ja) * 2005-04-19 2008-09-04 韓国科学技術院 有機−無機ハイブリッド材料を利用したフレキシブルフィルム光導波路及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110035033A (ko) 2011-04-06
KR101075481B1 (ko) 2011-10-21
WO2011040685A1 (en) 2011-04-07
CN102687244A (zh) 2012-09-19
US20120183699A1 (en) 2012-07-19
JP5758391B2 (ja) 2015-08-05
CN108724570A (zh) 2018-11-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI551459B (zh) 積層結構及包含利用其所製造之基板之裝置
CN107722270B (zh) 聚酰亚胺基液体和使用其制备的聚酰亚胺基膜
JP5758391B2 (ja) 溶液工程を用いたフレキシブル基板の製造方法
JP2019143144A (ja) 剥離層形成用組成物
KR101206352B1 (ko) 플렉서블 기판의 제조방법
JP6411047B2 (ja) ポリイミド積層構造体及びその製造方法
TW201102267A (en) Metalized polyimide film and flexible printed circuit board using the same
KR20110083448A (ko) 금속화 폴리이미드 필름, 및 그것을 이용한 플렉서블 배선판
JP2019065266A (ja) ポリイミドフィルム、金属張積層板及び回路基板
WO2007030202A2 (en) Preparation of membranes using solvent-less vapor deposition followed by in-situ polymerization
TWI391223B (zh) 合成樹脂膜之製造方法及合成樹脂膜
JP2007106891A (ja) 新規なポリイミド樹脂
TWI848002B (zh) 用於製造可撓性顯示器之疊層結構以及使用其製造可撓性顯示器的方法
KR101121021B1 (ko) 용액공정을 이용한 플렉서블 기판의 제조방법
JP2006199740A (ja) ポリイミドフィルムとその製造方法
JP2007099842A (ja) 新規なポリイミド樹脂
KR100646248B1 (ko) 2층 동장 적층판의 제조방법
JP2006117792A (ja) 新規なポリイミドフィルム
TWI718853B (zh) 移除光阻的方法、積層體、聚醯亞胺樹脂及剝離液
TWI739703B (zh) 形成金屬圖案的方法
JP2007099843A (ja) 新規なポリイミド樹脂
JP2007321079A (ja) ポリイミドフィルムおよび製造方法
JPH0782482A (ja) 高分子複合体とその製造方法
JP2007253516A (ja) ポリイミドフィルム
JP2007191539A (ja) ポリイミドフィルムおよび金属化ポリイミドフィルム

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131121

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140219

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140304

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140715

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20141014

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20141021

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141111

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20141117

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20150507

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20150603

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5758391

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250