JPH028465B2 - - Google Patents
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- JPH028465B2 JPH028465B2 JP58111472A JP11147283A JPH028465B2 JP H028465 B2 JPH028465 B2 JP H028465B2 JP 58111472 A JP58111472 A JP 58111472A JP 11147283 A JP11147283 A JP 11147283A JP H028465 B2 JPH028465 B2 JP H028465B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アモルフアス半導体装置の製造方法
にかかり、特に厚膜回路を有する基板上への、ア
モルフアス半導体装置の製造方法に関する。
にかかり、特に厚膜回路を有する基板上への、ア
モルフアス半導体装置の製造方法に関する。
近年、急速に実用化が進められているアモルフ
アス半導体は、大面積化が容易であり、大幅な組
成の自由度を持ち、電気的特性や光学的特性を、
広範囲にわたつて制御できること等の長所を最大
限に利用して、種々の分野への応用が試みられて
いる。
アス半導体は、大面積化が容易であり、大幅な組
成の自由度を持ち、電気的特性や光学的特性を、
広範囲にわたつて制御できること等の長所を最大
限に利用して、種々の分野への応用が試みられて
いる。
その１つとして、例えば、固体撮像装置の制御
回路部を厚膜で構成すると共に、固体撮像素子等
の能動素子部をアモルフアス半導体で構成したも
のが考えられている。
回路部を厚膜で構成すると共に、固体撮像素子等
の能動素子部をアモルフアス半導体で構成したも
のが考えられている。
厚膜回路は、製造工数が少なく安価で、周囲条
件に強く、大電力に耐え得るという長所を有して
おり、アモルフアス半導体との共存が望まれてい
る反面、製造上の問題から、上述の如きアモルフ
アス半導体装置の実用化は困難であつた。
件に強く、大電力に耐え得るという長所を有して
おり、アモルフアス半導体との共存が望まれてい
る反面、製造上の問題から、上述の如きアモルフ
アス半導体装置の実用化は困難であつた。
ところで、この厚膜からなる制御回路とアモル
フアス半導体からなる固体撮像素子とを同一基板
上に集積化せしめるにあたり、従来は、以下に示
すような方法が用いられていた。
フアス半導体からなる固体撮像素子とを同一基板
上に集積化せしめるにあたり、従来は、以下に示
すような方法が用いられていた。
まずセラミツク基板１上に、第１の導体ペース
トをインクとして使用し、スクリーン印刷法によ
り印刷、および焼成を行ない第１の導体層２を形
成する。
トをインクとして使用し、スクリーン印刷法によ
り印刷、および焼成を行ない第１の導体層２を形
成する。
次いで、ガラスペーストをインクとして使用
し、スクリーン印刷法により、印刷および焼成を
行ない絶縁層３を形成する。
し、スクリーン印刷法により、印刷および焼成を
行ない絶縁層３を形成する。
更に、第１の導体層と同様に所定形状のスクリ
ーンを用いて、第２の導体層４をスクリーン印刷
法により印刷および焼成を行ない、第１図に示す
如く、厚膜制御回路Ｃを形成する。
ーンを用いて、第２の導体層４をスクリーン印刷
法により印刷および焼成を行ない、第１図に示す
如く、厚膜制御回路Ｃを形成する。
このようにして形成された厚膜からなる制御回
路部Ｃに固体撮像素子部Ｓを並設すべく蒸着及び
フオトリソグラフイによつて、第２図に示す如
く、下部電極５を形成する。
路部Ｃに固体撮像素子部Ｓを並設すべく蒸着及び
フオトリソグラフイによつて、第２図に示す如
く、下部電極５を形成する。
こののち、前記制御回路部Ｃをはじめとし、ア
モルフアスシリコン層の堆積を不要とする部分の
上に、メタルマスクと指称されている金属製の板
状体を載置し、プラズマCVD法によつて、第３
図に示す如く、アモルフアスシリコン層７を選択
的に堆積せしめる。
モルフアスシリコン層の堆積を不要とする部分の
上に、メタルマスクと指称されている金属製の板
状体を載置し、プラズマCVD法によつて、第３
図に示す如く、アモルフアスシリコン層７を選択
的に堆積せしめる。
そして、前記板状体６を排除したのち、通常の
方法−蒸着およびフオトリングラフイーによつ
て、上部電極８を形成し、第４図に示す如く、ア
モルフアス半導体装置の形成がなされていた。
方法−蒸着およびフオトリングラフイーによつ
て、上部電極８を形成し、第４図に示す如く、ア
モルフアス半導体装置の形成がなされていた。
しかしながら、厚膜は、薄膜等に比べ、膜質が
ち密でないことから、このような方法によると、
アモルフアスシリコン層の着膜工程において、マ
スクとして使用されている板状体６と導体層との
間からシラン、水素等のガスプラズマが入り込
み、厚膜の膜質に損傷を与えたり、厚膜とセラミ
ツク基板との間に、前記ガスプラズマによる気泡
が介入したりすることにより、厚膜の基板への密
着強度が低下する。従つて、この厚膜回路に半導
体チツプを塔載せしめるためのワイヤボンデイン
グ工程時には、特に、膜の剥離がひんぱんに発生
し、歩留り低下の原因となつていた。
ち密でないことから、このような方法によると、
アモルフアスシリコン層の着膜工程において、マ
スクとして使用されている板状体６と導体層との
間からシラン、水素等のガスプラズマが入り込
み、厚膜の膜質に損傷を与えたり、厚膜とセラミ
ツク基板との間に、前記ガスプラズマによる気泡
が介入したりすることにより、厚膜の基板への密
着強度が低下する。従つて、この厚膜回路に半導
体チツプを塔載せしめるためのワイヤボンデイン
グ工程時には、特に、膜の剥離がひんぱんに発生
し、歩留り低下の原因となつていた。
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、
厚膜集積回路基板上にアモルフアス半導体装置を
形成するにあたり、厚膜回路に欠陥が発生するの
を防止し、製造歩留りを向上せしめることを目的
とする。
厚膜集積回路基板上にアモルフアス半導体装置を
形成するにあたり、厚膜回路に欠陥が発生するの
を防止し、製造歩留りを向上せしめることを目的
とする。
本発明は、厚膜回路の形成された基板上に、ア
モルフアス半導体層を形成するにあたり、あらか
じめ、この厚膜回路を金属膜によつて被覆して、
厚膜回路を保護しつつ、アモルフアス半導体層を
着膜したのち、この金属膜を除去することによ
り、厚膜の剥離を防止しようとするものである。
モルフアス半導体層を形成するにあたり、あらか
じめ、この厚膜回路を金属膜によつて被覆して、
厚膜回路を保護しつつ、アモルフアス半導体層を
着膜したのち、この金属膜を除去することによ
り、厚膜の剥離を防止しようとするものである。
以下、本発明実施例の厚膜回路基板上へのアモ
ルフアス半導体装置の製造方法について、図面を
参照しつつ説明する。
ルフアス半導体装置の製造方法について、図面を
参照しつつ説明する。
まず、セラミツク基板１上に、スクリーン印刷
法により、印刷、焼成し、第５図に示す如く、第
１の導体である金層２を形成する。
法により、印刷、焼成し、第５図に示す如く、第
１の導体である金層２を形成する。
次いで、第６図に示す如く、スクリーン印刷法
により印刷、焼成し、絶縁性のガラス層３を形成
する。
により印刷、焼成し、絶縁性のガラス層３を形成
する。
更に、第７図に示す如く、スクリーン印刷法に
より、印刷、焼成し、第２の導体である金層４を
形成する。
より、印刷、焼成し、第２の導体である金層４を
形成する。
このようにして形成された厚膜制御回路Ｃを有
する基板全体に、蒸着法によつて膜厚4000Åのク
ロム層を着膜し、第８図に示す如く、フオトリソ
グラフイによつて下部のクロム電極５および厚膜
制御回路の保護膜９となる部分を除く不要部のク
ロム層を除去する。ここで、下部電極５は前記厚
膜制御回路と相互接続される様な形状にパターニ
ングするものとする。
する基板全体に、蒸着法によつて膜厚4000Åのク
ロム層を着膜し、第８図に示す如く、フオトリソ
グラフイによつて下部のクロム電極５および厚膜
制御回路の保護膜９となる部分を除く不要部のク
ロム層を除去する。ここで、下部電極５は前記厚
膜制御回路と相互接続される様な形状にパターニ
ングするものとする。
そして更に、第９図に示す如く、この上に金属
製の板状体６を載置し、プラズマCVD法により、
水素化アモルフアスシリコン層７を選択的に堆積
せしめる。この水素化アモルフアスシリコン層の
膜厚は1μｍである。
製の板状体６を載置し、プラズマCVD法により、
水素化アモルフアスシリコン層７を選択的に堆積
せしめる。この水素化アモルフアスシリコン層の
膜厚は1μｍである。
次いで前記板状体６を排除した後、フオトリソ
グラフイにより厚膜印刷回路上のクロムからなる
保護膜９をエツチング除去する。
グラフイにより厚膜印刷回路上のクロムからなる
保護膜９をエツチング除去する。
最後に、第１０図に示す如く、メタルマスク
（図示せず）を介し、上部電極として所定形状の
酸化インジウム錫電極を約0.1μｍの膜厚で着膜す
る。
（図示せず）を介し、上部電極として所定形状の
酸化インジウム錫電極を約0.1μｍの膜厚で着膜す
る。
このようにして、水素化アモルフアスシリコン
層からなる固体撮像素子部Ｓと厚膜制御部Ｃとよ
りなる半導体装置が形成される。
層からなる固体撮像素子部Ｓと厚膜制御部Ｃとよ
りなる半導体装置が形成される。
この半導体装置における厚膜回路は基板との密
着性が極めて良好であり、経時的に安定である
上、この回路上に、シフトレジスタ等の半導体チ
ツプを塔載するにあたり、ダイボンデイング、ワ
イヤボンデイングを行なつても厚膜の剥離を生じ
ることもなく、実装にあたつての製造歩留りが極
めて良好である。
着性が極めて良好であり、経時的に安定である
上、この回路上に、シフトレジスタ等の半導体チ
ツプを塔載するにあたり、ダイボンデイング、ワ
イヤボンデイングを行なつても厚膜の剥離を生じ
ることもなく、実装にあたつての製造歩留りが極
めて良好である。
なお、実施例においては、厚膜回路の保護膜と
して下部電極形成工程で着膜されたクロム膜を利
用したが、別工程で金等の異なる材質の金属膜を
形成してもよい。
して下部電極形成工程で着膜されたクロム膜を利
用したが、別工程で金等の異なる材質の金属膜を
形成してもよい。
また、実施例においては、固体撮像装置につい
て説明したが、薄膜トランジスタ回路、太陽電池
をはじめとし、他方面への適用も可能である。
て説明したが、薄膜トランジスタ回路、太陽電池
をはじめとし、他方面への適用も可能である。
以上、説明してきたように、本発明によれば、
アモルフアス半導体層の形成前に厚膜回路部を金
属膜で被覆し、保護しておくことにより、厚膜回
路に欠陥を生ぜしめることなく、アモルフアス半
導体層を堆積し得、製造歩留りの良好な半導体装
置の提供が可能となる。
アモルフアス半導体層の形成前に厚膜回路部を金
属膜で被覆し、保護しておくことにより、厚膜回
路に欠陥を生ぜしめることなく、アモルフアス半
導体層を堆積し得、製造歩留りの良好な半導体装
置の提供が可能となる。
第１図乃至第４図は、従来のアモルフアス半導
体装置の製造工程を示す図、第５図乃至第１０図
は、本発明実施例のアモルフアス半導体装置の製
造工程を示す図である。 １……セラミツク基板、２……第１の導体層
（金層）、３……ガラス層（絶縁層）、４……第２
の導体層（金層）、５……下部電極（クロム電
極）、６……板状体（メタルマスク）、７……アモ
ルフアスシリコン層、８……上部電極（1TO電
極）、９……保護膜、Ｃ……制御回路部、Ｓ……
固体撮像素子部。
体装置の製造工程を示す図、第５図乃至第１０図
は、本発明実施例のアモルフアス半導体装置の製
造工程を示す図である。 １……セラミツク基板、２……第１の導体層
（金層）、３……ガラス層（絶縁層）、４……第２
の導体層（金層）、５……下部電極（クロム電
極）、６……板状体（メタルマスク）、７……アモ
ルフアスシリコン層、８……上部電極（1TO電
極）、９……保護膜、Ｃ……制御回路部、Ｓ……
固体撮像素子部。
Claims (1)
- １ 厚膜回路素子を有する基板上に、アモルフア
ス半導体素子を形成するにあたり、アモルフアス
半導体の着膜工程に先立ち、あらかじめ、前記厚
膜回路素子を金属膜で被覆し、保護する工程を有
することを特徴とするアモルフアス半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58111472A JPS603152A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | アモルフアス半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58111472A JPS603152A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | アモルフアス半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603152A JPS603152A (ja) | 1985-01-09 |
| JPH028465B2 true JPH028465B2 (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=14562109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58111472A Granted JPS603152A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | アモルフアス半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603152A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04129035U (ja) * | 1991-05-17 | 1992-11-25 | ホシザキ電機株式会社 | 冷媒凝縮器の支持構造 |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP58111472A patent/JPS603152A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS603152A (ja) | 1985-01-09 |
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