JPS61275819A - 二端子素子アクテイブマトリクス液晶表示装置 - Google Patents
二端子素子アクテイブマトリクス液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS61275819A JPS61275819A JP60118519A JP11851985A JPS61275819A JP S61275819 A JPS61275819 A JP S61275819A JP 60118519 A JP60118519 A JP 60118519A JP 11851985 A JP11851985 A JP 11851985A JP S61275819 A JPS61275819 A JP S61275819A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、金属−半絶縁膜−金属（導電膜）より成る２
端子素子いわゆるＭＳ工素子を非線形アクティブ素子と
して用いた液晶表示装置に関する〈発明の概要〉 本発明はＭＥ工素子の光照射下の特性変化を改善するこ
とを目的とし、牛絶Ｒ膜に対する遮光を行電極〔第１不
透明導電膜〕と画素電極に接する第２不透明導電膜とで
行ない、かつＭＳ工素子の両電極として用いるものであ
る。
端子素子いわゆるＭＳ工素子を非線形アクティブ素子と
して用いた液晶表示装置に関する〈発明の概要〉 本発明はＭＥ工素子の光照射下の特性変化を改善するこ
とを目的とし、牛絶Ｒ膜に対する遮光を行電極〔第１不
透明導電膜〕と画素電極に接する第２不透明導電膜とで
行ない、かつＭＳ工素子の両電極として用いるものであ
る。
〈従来の技術〉
液晶表示装置の大面積化、高精細化が図られる中で、ア
クティブマトリクス方式は注目されている。中でも、了
クチイブ素子に２端子素子を用いることは、製造が容易
でかつ高精細化に適している、２端子素子には、ＰＮダ
イオード、金萬−絶縁膜−金属（Ｍ 工Ｍ）などがある
が、金属−半絶縁膜−金属等導電膜構造から成るＭＳ工
素子は信顆性等の点で有利である。Ｍｅ工素子を用いた
液晶表示装置の例を第２図に示し７た。第２図（ｃＬ）
はその平面図、第２図Ｃｂ）は第２図れ）の０−０′線
に沿った断面図でちる。液晶１３の両側にＡ透明基板］
０とＢ基板１が設けられ、へ基板１０には列方向に延在
する列電極１１が透明導電膜で設けられ、Ｂ基板１には
ＭＳ工素子２０と画素電極２が設けられ液晶１３と界面
に配向Ｒ１２、１，４が存在している。Ｍｓ工素子加は
、列方向にのびる行電極４と半絶縁膜８と画素電極２よ
り成る。半絶縁膜８は１３（Ｏｚ。
クティブマトリクス方式は注目されている。中でも、了
クチイブ素子に２端子素子を用いることは、製造が容易
でかつ高精細化に適している、２端子素子には、ＰＮダ
イオード、金萬−絶縁膜−金属（Ｍ 工Ｍ）などがある
が、金属−半絶縁膜−金属等導電膜構造から成るＭＳ工
素子は信顆性等の点で有利である。Ｍｅ工素子を用いた
液晶表示装置の例を第２図に示し７た。第２図（ｃＬ）
はその平面図、第２図Ｃｂ）は第２図れ）の０−０′線
に沿った断面図でちる。液晶１３の両側にＡ透明基板］
０とＢ基板１が設けられ、へ基板１０には列方向に延在
する列電極１１が透明導電膜で設けられ、Ｂ基板１には
ＭＳ工素子２０と画素電極２が設けられ液晶１３と界面
に配向Ｒ１２、１，４が存在している。Ｍｓ工素子加は
、列方向にのびる行電極４と半絶縁膜８と画素電極２よ
り成る。半絶縁膜８は１３（Ｏｚ。
ＳｉＮｇ等でＳｉ成分が化学量論的組成より多く含まれ
、１０６〜１０１ＢΩ−副の抵抗率を有し、電界増加と
共に抵抗が減少する。しかしながら、これらの膜は数１
００ Ｌｗτの光照射により抵抗が１〜８桁小さくなる
性質を有す。そのため、Ｂ基板１や画素電極２、行電極
４が透明な場合、光照射により２端子素子の特性が変化
して灰示品質が劣化してしまう問題があった。
、１０６〜１０１ＢΩ−副の抵抗率を有し、電界増加と
共に抵抗が減少する。しかしながら、これらの膜は数１
００ Ｌｗτの光照射により抵抗が１〜８桁小さくなる
性質を有す。そのため、Ｂ基板１や画素電極２、行電極
４が透明な場合、光照射により２端子素子の特性が変化
して灰示品質が劣化してしまう問題があった。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明は斜上の光照射による２端子素子の特性変化の問
題を解決すべくなされたものである。
題を解決すべくなされたものである。
〈問題点全解決するだめの手段〉
本発明では、半絶縁膜に光が直接照射されない様に両側
に第１及び第２の不透明導電Ｎを設け、しかも第１不透
明導電膜を行電極とし、第２不透明導電膜を画素電極に
接する如くしたものである。
に第１及び第２の不透明導電Ｎを設け、しかも第１不透
明導電膜を行電極とし、第２不透明導電膜を画素電極に
接する如くしたものである。
〈作用〉
ＭＩ３工素子は、第１不透明導電膜−半絶縁膜−第２不
透明導電、膜で形成されるので、半絶縁膜の上部と下部
が遮光される。半絶縁膜の側面からの光入射は少ないの
で、光照射によるＭＳ工素子の特性変化は少ない。
透明導電、膜で形成されるので、半絶縁膜の上部と下部
が遮光される。半絶縁膜の側面からの光入射は少ないの
で、光照射によるＭＳ工素子の特性変化は少ない。
〈実施例〉
σ、実施例１（第１図り
第１図には本発明によるＢ基板１側の単位画素構造例を
示した。第１図（ハ）はその平面図、第１図（ｂ）及び
（ｃ） Ｂそれツレ第１図Ｇｚ）のＡ−Ａｔ線及ヒＢ−
Ｂｉ線に沿った断面図である。ガラス、石英等のＢ絶縁
基板１上に工’ｒｏ等の透明導電膜から成る画素電極２
が設けられ、その一部の上に第２不透明導電膜５と半絶
縁膜８と第１導電膜４から成るＭＳ工素子加が設けられ
ている。この例では、第１導電膜４は半絶縁膜Ｂ上で行
方向に延びて行電極を形成している。
示した。第１図（ハ）はその平面図、第１図（ｂ）及び
（ｃ） Ｂそれツレ第１図Ｇｚ）のＡ−Ａｔ線及ヒＢ−
Ｂｉ線に沿った断面図である。ガラス、石英等のＢ絶縁
基板１上に工’ｒｏ等の透明導電膜から成る画素電極２
が設けられ、その一部の上に第２不透明導電膜５と半絶
縁膜８と第１導電膜４から成るＭＳ工素子加が設けられ
ている。この例では、第１導電膜４は半絶縁膜Ｂ上で行
方向に延びて行電極を形成している。
本実施例の製造は、（１）Ｂ基板１上に透明導電膜、第
２不透明導電膜５を連続堆積し、■）画素電極２の形状
に第２導電膜５及び透明導電膜を選択エッチする。（８
）、半絶縁膜８をプラズマｏｖｐ、光ＯＶＤ、減圧ＯＶ
Ｄ等で堆積後、連続して第１不透明導電膜も堆積し、■
０行電極４の形状に第１導電膜、半絶縁膜８を選択エッ
チし、さらに露出した第２導電膜も除去することにより
行なえる簡単なものである。半乾Ｒ膜８は上記の方法で
ｅ４Ｈ４を用いることにより水素含有の特性の優れた膜
を得ることができる。
２不透明導電膜５を連続堆積し、■）画素電極２の形状
に第２導電膜５及び透明導電膜を選択エッチする。（８
）、半絶縁膜８をプラズマｏｖｐ、光ＯＶＤ、減圧ＯＶ
Ｄ等で堆積後、連続して第１不透明導電膜も堆積し、■
０行電極４の形状に第１導電膜、半絶縁膜８を選択エッ
チし、さらに露出した第２導電膜も除去することにより
行なえる簡単なものである。半乾Ｒ膜８は上記の方法で
ｅ４Ｈ４を用いることにより水素含有の特性の優れた膜
を得ることができる。
第１及び第２不透明導電膜は、Ｏｒ、 Ｍ 、 、 Ｔ
ａ、Ｗ、等の高融点金属やそれらの硅累化物、さらにＡ
ｚ、Ａｇ、Ｎ（等の金属が用いられる。特に行電極４に
は、外部取り出しが容易な様゛にＡｔ、Ａ％、Ｎｊ等の
金属と高融点金属との多層膜が好ましい。
ａ、Ｗ、等の高融点金属やそれらの硅累化物、さらにＡ
ｚ、Ａｇ、Ｎ（等の金属が用いられる。特に行電極４に
は、外部取り出しが容易な様゛にＡｔ、Ａ％、Ｎｊ等の
金属と高融点金属との多層膜が好ましい。
ｂ、実施例２゜（第８図〕
第８図には、本発明の他の実施例を示した。この例では
、行電極４がＢ基板１に亘接設けられ、その上に半絶縁
膜８が全面堆積されている。画素電極２は半絶縁膜８上
に形成され、ＭＳｌＳｌ素子面素電極２の一部の下部に
挿入された第２不透明導電膜５と半絶縁膜８と行電極４
から成っている。本例では画素電極２が最−上面にある
ので配向膜が形成しやすい利点がある。また、本目的の
ためには、画素電極２１Ｍ５工素子の一方の電極として
用い、第２不透明導電膜をその上面に形成してもかまわ
ない。
、行電極４がＢ基板１に亘接設けられ、その上に半絶縁
膜８が全面堆積されている。画素電極２は半絶縁膜８上
に形成され、ＭＳｌＳｌ素子面素電極２の一部の下部に
挿入された第２不透明導電膜５と半絶縁膜８と行電極４
から成っている。本例では画素電極２が最−上面にある
ので配向膜が形成しやすい利点がある。また、本目的の
ためには、画素電極２１Ｍ５工素子の一方の電極として
用い、第２不透明導電膜をその上面に形成してもかまわ
ない。
Ｃ９実施例８ （第４図り
第４図には、Ｍｅ工素子かとしての行電極４と半絶縁膜
８の大きさを違えた構造を示した。第２不透明導電膜５
の形状は画素電極２と半絶縁膜８の重畳部分になってい
る。この例では、行電極４と第２不透明導電膜５の間に
短絡が生じにくい長所金石している。
８の大きさを違えた構造を示した。第２不透明導電膜５
の形状は画素電極２と半絶縁膜８の重畳部分になってい
る。この例では、行電極４と第２不透明導電膜５の間に
短絡が生じにくい長所金石している。
〈発明の効果〉
本発明によってＭＳ工素子の光照射に↓る特性変化が抑
えられるので、光照射下の画質劣化が防げ、本液晶装置
の広範凪な使用が可能となる。また、半乾Ｒ膜にＳｉリ
ッチなｓｈｏπや５ａＮｚを用いられ、安定な信頼性の
高い素子を得ることができ、特に水素含有の半乾Ｒ膜は
Ｓｉａ、、ＳｔＲＨ６等を用いたプラズマＯＶＤ等で低
温で堆積できるので大面積化も容易でちる。
えられるので、光照射下の画質劣化が防げ、本液晶装置
の広範凪な使用が可能となる。また、半乾Ｒ膜にＳｉリ
ッチなｓｈｏπや５ａＮｚを用いられ、安定な信頼性の
高い素子を得ることができ、特に水素含有の半乾Ｒ膜は
Ｓｉａ、、ＳｔＲＨ６等を用いたプラズマＯＶＤ等で低
温で堆積できるので大面積化も容易でちる。
半絶縁膜は上記の膜に限らず光による抵抗率変化がおれ
ば、本発明全適用して有効である。
ば、本発明全適用して有効である。
第１図れ）（は本発明によるＭＥ工素子単位画素の平面
図、第１図（ｂ）と第１図（ｃ）はそれぞれ第１図（ａ
）のＡ−ＡＩ線とＢ、−１３１線に沿った断面図である
。第２図（α）は従来のＭＳ工素子を用いた液晶表示装
置の平面図、第２図Ｃｂ）は第２図（ａ）のＯ−０１線
に沿った断面図、第３図及び第４図はそれぞれ本発明に
よる他の実施例による単位画素断面図である。 １゜。Ｂ基板 ２０９画素電極 ８６．半絶縁膜 ４゜
０行電極〔第１不透明導電膜〕５．。第２不透明導電膜
２ｏ。。Ｍｓ工素子。 以上
図、第１図（ｂ）と第１図（ｃ）はそれぞれ第１図（ａ
）のＡ−ＡＩ線とＢ、−１３１線に沿った断面図である
。第２図（α）は従来のＭＳ工素子を用いた液晶表示装
置の平面図、第２図Ｃｂ）は第２図（ａ）のＯ−０１線
に沿った断面図、第３図及び第４図はそれぞれ本発明に
よる他の実施例による単位画素断面図である。 １゜。Ｂ基板 ２０９画素電極 ８６．半絶縁膜 ４゜
０行電極〔第１不透明導電膜〕５．。第２不透明導電膜
２ｏ。。Ｍｓ工素子。 以上
Claims (3)
- （１）、少なく共透明導電膜による列方向配線が複数個
形成されたＡ透明基板と、行方向配線と画素電極と前記
行方向配線と画素電極間に挿入された２端子素子とが複
数個形成されたＢ基板と、前記Ａ基板しＢ基板の間には
さまれた液晶とから少なく共成る液晶表示装置において
、前記２端子素子が一方の電極を行電極とする第１不透
明導電膜を含む導電膜と他方の電極が前記画素電極に接
する第２不透明導電膜と、前記両電極にはさまれた少な
く共Ｓｉ成分が化学量論的組成より多い酸化硅素膜また
は窒化硅素膜より成る半絶縁膜とで構成され、前記第１
及び第２不透明導電膜によつて前記半絶縁膜を遮光して
いることを特徴とする二端子素子アクティブマトリクス
液晶表示装置。 - （２）、前記半絶縁膜が水素を含んでいることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の二端子素子アクテイブ
マトリクス液晶表示装置。 - （３）、前記画素電極が透明導電膜より形成されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の
二端子素子アクティブマトリクス液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118519A JPS61275819A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 二端子素子アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60118519A JPS61275819A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 二端子素子アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61275819A true JPS61275819A (ja) | 1986-12-05 |
| JPH059010B2 JPH059010B2 (ja) | 1993-02-03 |
Family
ID=14738629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60118519A Granted JPS61275819A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 二端子素子アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61275819A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0324525A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-01 | Seiko Instr Inc | 電気光学装置の製造方法 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP60118519A patent/JPS61275819A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0324525A (ja) * | 1989-06-21 | 1991-02-01 | Seiko Instr Inc | 電気光学装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH059010B2 (ja) | 1993-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |