JPS62500745A - 能動マトリクスデイスプレイスクリ−ンの製造方法 - Google Patents

能動マトリクスデイスプレイスクリ−ンの製造方法

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 能動マトリクスディスプレイスクリーンの製造方法 本発明は、能動マトリクスディスプレイスクリーンの製造方法に関し、より詳細 には薄膜トランジスタおよびコンデンサに基礎を置いた電子回路の製造方法に関 するものである０ フランス特許公開第２．５３３．０７２号はコンデンサ板および薄膜トランジス タを支持する下方壁およびコンデンサの第２板を形成する対向電極で被覆された 上方壁が製造される能動マトリクスディスプレイスクリーンの製造方法を記載し ている。この明細書の要旨である方法は、下方壁を製造するために、絶縁基板上 に第１の透明な導電性材料層を蒸着し：この第１層を結果として生じるコンデン サの板の一方を形成するパッドの行および列を構成すべくフォトエツチングし、 各パッドが突起に接合され、この第１のフォトエツチングがまたパッドの列間に 配置された前記第１の導電性材料の列を残し；全体にわたって水素化したアモル ファスシリコン層を蒸着し；絶縁層を蒸着し；第２の導電性材料層を蒸着し；突 起を越えて延びる第２の導電性材料の行を残すべくシリコン層／絶縁層／導電性 材料の組合せをフォトエツチングし、列および突起との行の重複区域がトランジ スタのソースおよびドレインを画成し、トランジスタのグリッドが突起と列間に 配置された行の一部からなる工程を実施することを特徴とする０この方法の変形 においてかつ酸化物とａＳｉＨ層との間の接触を改善するために、ｎを高ドーピ ングしたアモルファスシリコン層が酸化物の後に蒸着される。第１のエツチング はさらに同一マスクを使用して行なわれるが、シリコン層および醪化層双方に影 響を及ぼす０第２のフォトエツチングは変えられない。
本発明の目的はドーピングした追加のシリコン層を使用ししかも第２のフォトエ ツチングが僅かに変更されるこの方法の変形である。
従来技術の明細書において、ドーピングしたシリコンは第２のエツチング中半導 体シリコンの後に化学的作用が及ぼされる。したがって、ドーピングしたシリコ ンは酸化物の上方の、グリッドの下にのみ残る。
従来技術に記載された実施例により得られた結果は方法の有効性およびその簡単 の利点を示しｔけれども、結果として生じるスクリーンは幾らかの場合において 列の破壊を生じる幾つかの欠点を特徴とする。これらの破壊は初期の基板にイン ジウム−スズ酸化物の非常に薄い層で被覆された「ノ（ルザース」型のガラスが 使用されるとき生じる。
これらの標率基板（これらは既に液晶ディスプレイにおいて使用されているので 高価ではない）中の「自然の」微細なスクラッチは１００係の歩留りでの極めて 細い帯片（約２０μｍの幅）の形成を阻止する。それゆえ透明かつ導電性層を良 好な品質の基板に蒸着するかまたは遮断された列を補償するために冗長性を導入 する必要がある。
第２の解決は本発明において使用される。
冗長性はエツチング後ｎドーピングシリコン層および次の層によって形成された 積層体を列の一部にわたって残すように第２のレベルマスク金僅かに変更するこ とによって得られる。列が破壊されるならば、その場合積層体はその２つの部分 間の導電性ブリッジとして作用する。２つの導体が平行に設けられるのでアドレ ッシング列の設計において電気的冗長性が生じ、第２の導体は第１の導の欠点を 軽減する。
この解決は他の利点、すなわち残存する積層体が透明な列の光学的マスキングを 結果として生じるという利点を有する。列がマスクされないならば表示点と同一 の方法で目視することができる。
その出現は画像中のビデオ電圧の平均値に依存する。この作用は、目が白線に対 して、非常に細かいとしても、非常に感じ易いので、黒表示モード上の白におい てかなり有害である。反対モード、白土の黒において、その作用は白背景上の２ ０μ口幅の黒線は目視不能であるので極めて僅かに目視できる。それゆえ、透明 な列の光学的マスキングは、とくに第１のモードにおいて必要であり１そして本 発明によって好ましく実現される。
本発明による改良は、僅かに変更される第２レベルのマスクの設計のみであるの で、如何なる追加の作業も導入しないことが認められる。
また極めて広い破壊の場合においてドーピングしたシリコンブリッジの抵抗が高 くなることが認められる。
いずれにしても、本発明の特徴は限定されない説明例として付与された以下の一 実施例の説明からより明瞭となる。
第１図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）　、　（ｄ）は本発明による方法の必須 段階金子す断面図、 第２図は結果として生じるスクリーンの部分詳細図、 第３図は第２のエツチング後列上に残るセグメントを示す断面図、 第４図は本発明によって導かれた電気的冗長性の原理を示す等価寛気回路図であ る。
本発明による方法を構成する種々の作業が得られるスクリーンの種々の中間状態 を示す第１図に示される。これらの作業は以下の通りである。すなわち、 透明な導電性材料、例えばスズおよびインジウム酸化物の層１０２で前もって被 覆された商標バルザースにより市販されるようなガラス基板上にｎ全高ドーピン グしたアモルファスシリコン層１２０を蒸着し、 これら２つの層を行および列に配置されたパッド１０６のモザイクを作るために フォトエツチングし、これらのパッドは結果として生じるコンデンサの板の一方 を形成し、この第１のフォトエツチングはまたｎで高ドーピングしたアモルファ スシリコン層１２０によって被覆された第１の導電性材料１０２の列１０４’ｒ 残し、これらの列はノくラドの列間に横たわり（第ｔｍ（ｂ））、水素化したア モルファスシリコン層１１０をすべてにわたって蒸着し、 例えばシリカの絶縁層１１２を蒸着し、第２の導電性材料、例えばアルミニウム 力１らなる層１１４を蒸着（第１図（Ｃ））シ、各パッドを露光しかつ第２の導 電性材料１１４の行１１６を残すように層１２０，１１０，１１２および１１４ をフォトエツチングし、積層体のセグメントＳが列の上方に残り、ギャップの橋 絡部が２つの連続する行を分離し、この第２のフォトエツチングがこれらのギャ ップの各端部においてのみ列の透明な導電性材料１０２を露光（第１図（ｄ）　 ）　Ｌ、 この組合せ全皮膜保護するように８１０２　層を蒸着する。
第２のフォトエツチング後列上に残るセグメントＳの位置および構造は第２図お よび第６図により良好に見られる。
このセグメントの役割は第６図および第４図を参照して説明する０第６図は破壊 １０３を特徴とする列１０２を示す０′セグメントＳによってかつとくに高ドー ピングしたアモルファスシリコン層１２０によって形成された導電性ブリッジは 電気的連続性を再び確立する。破壊１０６が非常に広いとしても、それにも拘ら ず、電気的連続性は層１０２および導電性層１１４０２つの部分によって形成さ れる２つのコンデンサＣ□およびＣ２によって保証される（破壊を有するシリコ ンのセグメントの無視し得ない抵抗Ｈにも拘らず）。等価電気回路図を第４図に 示す。
ＦＩＧ　２ 国際調査報告 ＡＮＮＥＸ　Ｔｏ　Ｔ）ｌｒ＋ＩＮＴＥＲＮＡＴ！０ＮＡＬ　５ＥＡＲＣＨＲＥ ＰＯＲＴ　ＯＮ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 コンデンサ板を支持する下方壁および第２のコンデンサ板を形成する対向電極で 被覆された上方壁が作られる能動マトリクスデイスプレイスクリーンの製造方法 において、前記下方壁る作るために、 高ｎドープのアモルファスシリコン層が第１の透明導電性材料層で被覆された絶 縁基板上に蒸着され、 これら２つの層が行および列に配置されたパツドのモザイクを構成すべくフオト エツチングされ、これらのパツドが結果として生じるコンデンサの板の一方を形 成し、各パツドが突起に接合され、この第１のフォトエツチングはまたｎを高ド ーピングしたアモルフアスシリコン層によつて被覆された前記第１導電性材料か らなる列を残し、これらの列が前記パツドの列間に配置され、すべてにわたつて 水素化したアモルフアスシリコン層を蒸着し、 絶縁層を蒸着し、 第２の導電性材料層を蒸着し、 各パツドを露光するが第２の導電性材料の行を残すように層の積層体をフオトエ ツチングし、この第２のフオトエツチングはまた２つの連続する行間のギヤツプ の一部にわたつて列の上方にこの積層体のセグメントを残し、この第２のフオト エツチングはこれらのギヤツプの名端部においてのみ列の透明な導電性材料を露 光することを特徴とする能動マトリクスディスプレイスクリーンの製造方法。
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