JPS58144888A - 行列形液晶表示装置 - Google Patents
行列形液晶表示装置Info
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、各画素毎に独立した液晶駆動電極を有する行
列形液晶表示装置に間する。
列形液晶表示装置に間する。
近年、低電力で表示できる事を特徴とする液晶を用いて
、複雑な文字や画像の表示を行なうための行列形液晶表
示装竜の開発が盛んである。液晶を行電極と列電極に設
けて、両電極間の実効電圧により液晶を駆動きせるとい
う単純行列電圧平均化駆動方式では、走査線数に限界が
あシ、一般に解像度の低い画像しか得られず、高い解像
度の画像を得ようとすれば、半導体基板上に高度な半導
体技術を駆使し、各画素毎にスイッチングトランジスタ
を設は次アクティブマトリックス駆動方式を用いねばな
らない。この場合、半導体基板となるＳ１ウエーハから
１パネルもしくは数パネルしか製作することができず、
歩留りの点から１パネルあたりのコストが高くなる事は
必至であった。
、複雑な文字や画像の表示を行なうための行列形液晶表
示装竜の開発が盛んである。液晶を行電極と列電極に設
けて、両電極間の実効電圧により液晶を駆動きせるとい
う単純行列電圧平均化駆動方式では、走査線数に限界が
あシ、一般に解像度の低い画像しか得られず、高い解像
度の画像を得ようとすれば、半導体基板上に高度な半導
体技術を駆使し、各画素毎にスイッチングトランジスタ
を設は次アクティブマトリックス駆動方式を用いねばな
らない。この場合、半導体基板となるＳ１ウエーハから
１パネルもしくは数パネルしか製作することができず、
歩留りの点から１パネルあたりのコストが高くなる事は
必至であった。
従来製作されているアクティブ・マトリックス駆動液晶
表示パネルの回路図を第１図に示す、解像度を高めるた
め、一般にｒｓ、ｍの数は２００〜２５０〈らいになっ
ている０便宜上、第１図の回路は、ｎ型半導体基板に形
成されていて、図中のＭＯＳ）ランジスタ” １ ＋
Ｍ Ｉｍ ”’−Ｍａｎ は、ＰチャネルＭＯＳｌ）
ランジスタとする０列電極Ｘｔ。
表示パネルの回路図を第１図に示す、解像度を高めるた
め、一般にｒｓ、ｍの数は２００〜２５０〈らいになっ
ている０便宜上、第１図の回路は、ｎ型半導体基板に形
成されていて、図中のＭＯＳ）ランジスタ” １ ＋
Ｍ Ｉｍ ”’−Ｍａｎ は、ＰチャネルＭＯＳｌ）
ランジスタとする０列電極Ｘｔ。
ｘｌ、・・・に映像信号が印加され次時、液晶ｆ駆動す
るための１極を有する電荷蓄積用コンデンサーｃｔｔ
、 Ｃ１ｌ 、・・・にそれぞれ映倫信号を保持させる
様、各ＭＯＥｌ）ランジスタＭｔｌ 、 Ｍｔｍ 、・
・・のゲートとなる行電極ＹｔｉＣＪｉｉ＃ｉ電圧ＶＫ
ＩＤに対し負の電圧ｖ１♂を印加し、トランジスタＭｓ
＊ 、 Ｍｔｍ ＋・・・・・・１０ Ｎ状態にさせ、
電荷蓄積用コンデンサｃｔｔ 、 （！１１ 、・・・
・・・に映像信号を書き込み、充分書き込まれたら、行
電極Ｙ１に基叛雷圧ＶＤＤを印加し、ＭＯＳトランジス
タＭｌｌ ｌ Ｍｔｍ 、・・・・・・をＯＦＦ状態に
し、映倫信号を保持させる。その後、再び列電極Ｘ１＊
Ｘｌｔ・・・・・・にあらたな映像信号を印加し、行電
極！、に雷１ｌＥｖ８１Ｉｆ印加し５、その打電Ｗｉ
Ｙ ｔがゲートとなるトランジスタ群Ｍ Ｉｓ ｔ Ｍ
１１ ｍ ’・・・・・をＯＮ状態にし、各トランジ
スタに対応する嘗荷蓄積用コンデンサＯ１１，，ＣＩ！
、・・・・・・にあらたな映像信号を書き込む。
るための１極を有する電荷蓄積用コンデンサーｃｔｔ
、 Ｃ１ｌ 、・・・にそれぞれ映倫信号を保持させる
様、各ＭＯＥｌ）ランジスタＭｔｌ 、 Ｍｔｍ 、・
・・のゲートとなる行電極ＹｔｉＣＪｉｉ＃ｉ電圧ＶＫ
ＩＤに対し負の電圧ｖ１♂を印加し、トランジスタＭｓ
＊ 、 Ｍｔｍ ＋・・・・・・１０ Ｎ状態にさせ、
電荷蓄積用コンデンサｃｔｔ 、 （！１１ 、・・・
・・・に映像信号を書き込み、充分書き込まれたら、行
電極Ｙ１に基叛雷圧ＶＤＤを印加し、ＭＯＳトランジス
タＭｌｌ ｌ Ｍｔｍ 、・・・・・・をＯＦＦ状態に
し、映倫信号を保持させる。その後、再び列電極Ｘ１＊
Ｘｌｔ・・・・・・にあらたな映像信号を印加し、行電
極！、に雷１ｌＥｖ８１Ｉｆ印加し５、その打電Ｗｉ
Ｙ ｔがゲートとなるトランジスタ群Ｍ Ｉｓ ｔ Ｍ
１１ ｍ ’・・・・・をＯＮ状態にし、各トランジ
スタに対応する嘗荷蓄積用コンデンサＯ１１，，ＣＩ！
、・・・・・・にあらたな映像信号を書き込む。
こ引らを繰り返す事に依り、パネルの各画素毎に設けら
れ７’（ＭＯＳ）ランジスタを順次アドレスし、映像信
号を＃ＭＯ８）ランジスタと一対に設けられ次電荷蓄積
用コンデンサに保持するとともに、その保持された電位
になっている液晶駆動用電極で液晶を駆動する。この場
合、行電極Ｙ１．Ｙ、。
れ７’（ＭＯＳ）ランジスタを順次アドレスし、映像信
号を＃ＭＯ８）ランジスタと一対に設けられ次電荷蓄積
用コンデンサに保持するとともに、その保持された電位
になっている液晶駆動用電極で液晶を駆動する。この場
合、行電極Ｙ１．Ｙ、。
・・・・・・’１ｍは、パネルの一抱から他端まで伸び
、その長さは一般のＩＣパターンに比べ充分長く広い面
積を有量る。そのためゲート部やフィールド部のピノホ
ールに依シ、行電極と基板が短絡したりする。又、静電
気に依るゲート絶縁膜の絶縁破壊を防ぐために、行１極
の入力部に保＠漬“イオードを設けたりした時、接合不
良が生じたりすれは、接合耐圧は充分低下し、行電極Ｙ
１が、その行に属するＭＯＢ）ランジスタ群Ｍｉ、 、
Ｍｉ、 、・・・・・・のゲートの役割を果たし得な
くなる。この轡なゲート行電極の不良は、アクティブ・
マ） ＋３クス駆動方式で映し出された画像上横方向に
、その前後の行とはっきりと異なる色でくっきりと線欠
陥となって現われる、前述した様に、アクティブ會マト
リクス駆動液晶表示装置の半導体基板を用いたパネルは
、面積上８１ウエーハから１枚もしくは数枚しか製造す
る事ができず、かつ線欠陥がわずか１本あっても、その
パネルは製品としての価値をなさなくなってしまう。そ
のため、はとんど１００チに近い歩留りが要求され、必
然的に１パネルあたりのコストが高くなってしまった。
、その長さは一般のＩＣパターンに比べ充分長く広い面
積を有量る。そのためゲート部やフィールド部のピノホ
ールに依シ、行電極と基板が短絡したりする。又、静電
気に依るゲート絶縁膜の絶縁破壊を防ぐために、行１極
の入力部に保＠漬“イオードを設けたりした時、接合不
良が生じたりすれは、接合耐圧は充分低下し、行電極Ｙ
１が、その行に属するＭＯＢ）ランジスタ群Ｍｉ、 、
Ｍｉ、 、・・・・・・のゲートの役割を果たし得な
くなる。この轡なゲート行電極の不良は、アクティブ・
マ） ＋３クス駆動方式で映し出された画像上横方向に
、その前後の行とはっきりと異なる色でくっきりと線欠
陥となって現われる、前述した様に、アクティブ會マト
リクス駆動液晶表示装置の半導体基板を用いたパネルは
、面積上８１ウエーハから１枚もしくは数枚しか製造す
る事ができず、かつ線欠陥がわずか１本あっても、その
パネルは製品としての価値をなさなくなってしまう。そ
のため、はとんど１００チに近い歩留りが要求され、必
然的に１パネルあたりのコストが高くなってしまった。
本発明は、上記ゲート行電極の不良が存在しても、見た
目に違和感を感じさせる事の危い様にする事を目的とし
、充分良好な画像を得られる事を明らかにし、その等価
回路を提供しようというものである。
目に違和感を感じさせる事の危い様にする事を目的とし
、充分良好な画像を得られる事を明らかにし、その等価
回路を提供しようというものである。
本発明の実施例の詳細を、第２図を用いて説明する。
ここに示されているＭＯＳ）ランジスタＭＡｉ、ｊ（但
しｉ＝１〜ｍ、ｊ＝１〜ｎ Ｌ ＭＢｉｊ（但し１＝１
〜（ｍ−１）、ｊ＝１〜ｎ）ｉｊ、全て同導電型のＭＯ
日トランジスタで、便宜上、Ｎ型半導体基根上に作興さ
れたＰチャネルＭＯ日トランジスタとする。単位画素に
相当する液晶を駆動する液晶駆動電極を有する信号雪圧
保持用のキャパシタＣＮ１ｊ（１＝１〜ｍ、ｊ＝１〜ｎ
）と、それらをアドレスするためのスイッチング素子を
ＭＯＳ）ランジスタＭＡｉ、＋（ｔ＝１〜ｍ、、＋＝１
〜ｎ）＊及びＭＢｉｊ（ｉ＝１〜（ｍ−１）、ｊ＝１〜
ｎ）で構成し、それらの中で添字１ｊの一致するもの１
組を単位液晶駆動セルとし、ｍＸｎ個の複数の液晶駆動
セルをｍ行、ｎ行の行列□状に配置し、第１（１＝１〜
ｍ）行に属するＭＯＳ）ランジスタＭＡｉｊ（ｊ＝１〜
ｎ）のゲート電極が共通になる様、ゲート走査行電極Ｙ
Ｇｉ（ｉ＝１〜ｍ）ｆ設け、かつ第１行目のゲート走査
行電極ＹＧｓ・を除く他のゲート走査行市、極ｙＧｔ（
ｔ＝２〜ｍ）Ｖｉ、それぞれの前行に属する単位液晶駆
動セルに含まれるＭＯＳ）ランジスタＭ Ｂ （１１）
ｊ （ｊ ＝ １〜ｎ）のゲート電極でもある様に接続
する。また各単位液晶駆動セルに含まれる液晶駆動電極
と液晶をはさんで透明電極との間に形成される容量Ｌ
Ｃｉ Ｎ ｉｊを添字が対応する様に、第２図中に配し
である。
しｉ＝１〜ｍ、ｊ＝１〜ｎ Ｌ ＭＢｉｊ（但し１＝１
〜（ｍ−１）、ｊ＝１〜ｎ）ｉｊ、全て同導電型のＭＯ
日トランジスタで、便宜上、Ｎ型半導体基根上に作興さ
れたＰチャネルＭＯ日トランジスタとする。単位画素に
相当する液晶を駆動する液晶駆動電極を有する信号雪圧
保持用のキャパシタＣＮ１ｊ（１＝１〜ｍ、ｊ＝１〜ｎ
）と、それらをアドレスするためのスイッチング素子を
ＭＯＳ）ランジスタＭＡｉ、＋（ｔ＝１〜ｍ、、＋＝１
〜ｎ）＊及びＭＢｉｊ（ｉ＝１〜（ｍ−１）、ｊ＝１〜
ｎ）で構成し、それらの中で添字１ｊの一致するもの１
組を単位液晶駆動セルとし、ｍＸｎ個の複数の液晶駆動
セルをｍ行、ｎ行の行列□状に配置し、第１（１＝１〜
ｍ）行に属するＭＯＳ）ランジスタＭＡｉｊ（ｊ＝１〜
ｎ）のゲート電極が共通になる様、ゲート走査行電極Ｙ
Ｇｉ（ｉ＝１〜ｍ）ｆ設け、かつ第１行目のゲート走査
行電極ＹＧｓ・を除く他のゲート走査行市、極ｙＧｔ（
ｔ＝２〜ｍ）Ｖｉ、それぞれの前行に属する単位液晶駆
動セルに含まれるＭＯＳ）ランジスタＭ Ｂ （１１）
ｊ （ｊ ＝ １〜ｎ）のゲート電極でもある様に接続
する。また各単位液晶駆動セルに含まれる液晶駆動電極
と液晶をはさんで透明電極との間に形成される容量Ｌ
Ｃｉ Ｎ ｉｊを添字が対応する様に、第２図中に配し
である。
なおかつ、各列に属するＭＯ日トランジスタのソースが
各列毎に共通となる様に接続し、映像信号供給用の列電
極群Ｘ８ｊ（ｊ＝１〜ｍ）と添字が列番号と一致する様
に接続する。
各列毎に共通となる様に接続し、映像信号供給用の列電
極群Ｘ８ｊ（ｊ＝１〜ｍ）と添字が列番号と一致する様
に接続する。
列電極ＸＳｔ、！８１．・・・・・・に映倫信号が印加
され次時、液晶を駆動するための電極を有する信号１圧
保持用キヤパンタ（Ｎｔｔ、ｃｙ１鵞、・曲・ｃ Ｎ
＋’ ｎにそれぞれ映倫信号を保持させる様、各ＭＯ８
）ランジスタＭＡｓｘ 、 ＭＡｔｍ＊・・・・・・Ｍ
Ａ、ａ のゲートとなる行１極ＹＧｓに、基型雪圧’
Ｉ／！ｌＤ［対し負の雪圧Ｖｓｓを印加し、ＭＯＳ）ラ
ンジスタＭＡｔｔ＋ＭＡＩ！・・・・・・Ｍ ＡＩＤを
ＯＮ状態にし、信号雪圧保持用キャパシタＣＮｔｓ、Ｃ
Ｎｔｓ＋・・・・・・ＯＮＩｎに映像１ぎ号を書き込み
、充分書き込まれたら、行電極ＹＧ＋に基版電圧７ＤＤ
ｔ印加し、ＭＯＳ）ランジスタＭ Ａｌｔ、ＭＡｓｓ、
……ＭＡｔｎ ｔ ＯＦ Ｆ状ａＣｔ、映像信号を保持
させる。その後、再び列電極ＸＳ、。
され次時、液晶を駆動するための電極を有する信号１圧
保持用キヤパンタ（Ｎｔｔ、ｃｙ１鵞、・曲・ｃ Ｎ
＋’ ｎにそれぞれ映倫信号を保持させる様、各ＭＯ８
）ランジスタＭＡｓｘ 、 ＭＡｔｍ＊・・・・・・Ｍ
Ａ、ａ のゲートとなる行１極ＹＧｓに、基型雪圧’
Ｉ／！ｌＤ［対し負の雪圧Ｖｓｓを印加し、ＭＯＳ）ラ
ンジスタＭＡｔｔ＋ＭＡＩ！・・・・・・Ｍ ＡＩＤを
ＯＮ状態にし、信号雪圧保持用キャパシタＣＮｔｓ、Ｃ
Ｎｔｓ＋・・・・・・ＯＮＩｎに映像１ぎ号を書き込み
、充分書き込まれたら、行電極ＹＧ＋に基版電圧７ＤＤ
ｔ印加し、ＭＯＳ）ランジスタＭ Ａｌｔ、ＭＡｓｓ、
……ＭＡｔｎ ｔ ＯＦ Ｆ状ａＣｔ、映像信号を保持
させる。その後、再び列電極ＸＳ、。
ＸＳ、、・・・・・・Ｋあらたな映像信号を印加し、次
行の行電極ＹＧ、に電圧ｖａｓｔ印加し、その行電極Ｙ
ＧＩがゲートとなるトランジスタ群、ＭＯＳ）ランジス
タＭ Ａ Ｉｌｔ ＠ Ｍ Ａ １ｍ ＋・・・・・・
Ｍ Ａｌｎと、前行に属するＭＯＳ）ランジｙ、、 夕
）、４ ＢＨ、Ｍ ＢｔＩ、 ・・・ＭＢｔｍをＯＮ状
態にし、各トランジスタと接続されている信号雪圧保持
用キャパシタＣ’Ｎ 雪＋ １０ Ｎ １ｍ＋・・・・
・・ＣＮＩ！＋及びＯＩｔｓ 、 ＯＩｔｓ 、 ＝・
＝・ＣＮｔｗ＋ Ｋ、あらたな映倫信号を書き込み、充
分書き込まれたら、行１１極ＹＧＩに電圧ＶＤＤを印加
し、ＭＯＦ３トランジスタＭ Ａ１１ ｐ Ｍ Ａｌｌ
ｔ・°・・・・Ｍ、Ａｌｌ！１．及びＭ Ｂｓｔ 、
ＭＢｔ鵞。
行の行電極ＹＧ、に電圧ｖａｓｔ印加し、その行電極Ｙ
ＧＩがゲートとなるトランジスタ群、ＭＯＳ）ランジス
タＭ Ａ Ｉｌｔ ＠ Ｍ Ａ １ｍ ＋・・・・・・
Ｍ Ａｌｎと、前行に属するＭＯＳ）ランジｙ、、 夕
）、４ ＢＨ、Ｍ ＢｔＩ、 ・・・ＭＢｔｍをＯＮ状
態にし、各トランジスタと接続されている信号雪圧保持
用キャパシタＣ’Ｎ 雪＋ １０ Ｎ １ｍ＋・・・・
・・ＣＮＩ！＋及びＯＩｔｓ 、 ＯＩｔｓ 、 ＝・
＝・ＣＮｔｗ＋ Ｋ、あらたな映倫信号を書き込み、充
分書き込まれたら、行１１極ＹＧＩに電圧ＶＤＤを印加
し、ＭＯＦ３トランジスタＭ Ａ１１ ｐ Ｍ Ａｌｌ
ｔ・°・・・・Ｍ、Ａｌｌ！１．及びＭ Ｂｓｔ 、
ＭＢｔ鵞。
・・・・・・ＭＢｔｍｌ ｆ ＯＦ Ｆ状態にし、書き
込んだ映像信号を保持する、この操作を繰り返し、順次
ゲート走査両極ＹＧｉに電圧ｙｅｓ及び雪圧ＶＤＩ）を
印加し、新しい映像信号を信号電圧保持用キャパシタに
書き込んでゆくとともに、キャパシタに保持された官位
と同電位になる様に接糾されている液晶駆動用電極で液
晶を駆動する。
込んだ映像信号を保持する、この操作を繰り返し、順次
ゲート走査両極ＹＧｉに電圧ｙｅｓ及び雪圧ＶＤＩ）を
印加し、新しい映像信号を信号電圧保持用キャパシタに
書き込んでゆくとともに、キャパシタに保持された官位
と同電位になる様に接糾されている液晶駆動用電極で液
晶を駆動する。
今、ｗ４１行目のゲート行電極ＹＧｉが基飯と短絡して
いたとすると、ゲート行電極ＹＧｉに雪圧ＶａＳを印加
しても、ゲート行電極ＹＧｉは基枡雫圧ＶＸｌＤｔＣ引
かれ、ゲート行電極ＹＧｉをゲートとするＭ０８トラン
ジスタＭＢ （１−＋）ｔ、 Ｍｐ（ｉ”）ｔｔ−＝
Ｍ Ｂ （１−１） ！１ 、及びＭムｉｔ、ＭＡｌｌ
、 ・ＭＡ ｉｌｌはＯＦＦ状態を維持し、列電極ｘ
ｅｔ、ｘｓ鵞。
いたとすると、ゲート行電極ＹＧｉに雪圧ＶａＳを印加
しても、ゲート行電極ＹＧｉは基枡雫圧ＶＸｌＤｔＣ引
かれ、ゲート行電極ＹＧｉをゲートとするＭ０８トラン
ジスタＭＢ （１−＋）ｔ、 Ｍｐ（ｉ”）ｔｔ−＝
Ｍ Ｂ （１−１） ！１ 、及びＭムｉｔ、ＭＡｌｌ
、 ・ＭＡ ｉｌｌはＯＦＦ状態を維持し、列電極ｘ
ｅｔ、ｘｓ鵞。
・・・・・・Ｘ８ｍからの映像信号は信号電圧保持用キ
ャパシタＯＮ （’１−１）’１ 、 Ｏ１２（１−１
）１．−・・ｌｌｌ！Ｎ（１−１）ａ及びＣｌ５１＊、
ＯＮ１＠、・・・・・・０１１ ｉｌｌには書き込ま
れない。しかし、上記キャパシタＯＮ （１−１）、
。
ャパシタＯＮ （’１−１）’１ 、 Ｏ１２（１−１
）１．−・・ｌｌｌ！Ｎ（１−１）ａ及びＣｌ５１＊、
ＯＮ１＠、・・・・・・０１１ ｉｌｌには書き込ま
れない。しかし、上記キャパシタＯＮ （１−１）、
。
ａＮ（ｔ−１）ｍｓ・・・・・・ＯＮ（１−１）ｍには
、□その前の状態即ち第（１−１）行目のゲート行電極
ＹＧ（ｉ−１）に電圧Ｖｌｌｌｌが印加された時に、そ
れをゲートとす為ＭＯ日トデンジスタＭム（１−１）亀
、 ＭＡ（１−１）ＩＩ・・−・・・ＭＡ（１−１）ｎ
がＯＮ状態となり、その時に供給されている列電極ＸＳ
１．ＸＳ、、・・・・・・ｘｓｎからの映像信号が書き
込まれているし、又、前記信号電圧保持用キャパシタＯ
Ｎ ｉｌ、 ＣＮ ｉ！、・・・ＣＮｊ！１にはその後
の状態、即ち？（１＋１）行目のゲート行１１１ｙＧ（
１＋１）Ｋ電圧７ｓｓが印加さｉ＊時、それをゲートと
してＯＮ状態となっ７’ｔＭＯ８トランジスタＭＢｉ１
． ＭＢｉ２．・旧・・ＭＢｉｍが列電極ＸＢＩ、ＸＢ
、、・・・・・・Ｘ８ｎからの映倫信号を書き込む。
、□その前の状態即ち第（１−１）行目のゲート行電極
ＹＧ（ｉ−１）に電圧Ｖｌｌｌｌが印加された時に、そ
れをゲートとす為ＭＯ日トデンジスタＭム（１−１）亀
、 ＭＡ（１−１）ＩＩ・・−・・・ＭＡ（１−１）ｎ
がＯＮ状態となり、その時に供給されている列電極ＸＳ
１．ＸＳ、、・・・・・・ｘｓｎからの映像信号が書き
込まれているし、又、前記信号電圧保持用キャパシタＯ
Ｎ ｉｌ、 ＣＮ ｉ！、・・・ＣＮｊ！１にはその後
の状態、即ち？（１＋１）行目のゲート行１１１ｙＧ（
１＋１）Ｋ電圧７ｓｓが印加さｉ＊時、それをゲートと
してＯＮ状態となっ７’ｔＭＯ８トランジスタＭＢｉ１
． ＭＢｉ２．・旧・・ＭＢｉｍが列電極ＸＢＩ、ＸＢ
、、・・・・・・Ｘ８ｎからの映倫信号を書き込む。
この様にして、ｔ！Ａ１図に示され次回路構成では、従
来第１行目のゲート行電極がピンホール等の原因で基板
に短絡したり、それに備わっている保護ダイオードの接
合不良に依り接合耐圧が充分低下した様な場合、そのゲ
ート行電極をゲートとするＭＯ日トランジスタは終始０
ＩＦＦ状態となり、列電極からの映倫信号は信号電圧保
持用キャパシタに書き込まれず、画面上、横方向の線欠
陥となってくっきりと映し出されたものが、本発明を用
いた第２図の回路構成にすることに依り、ｌ ｉ行目の
ゲート行電極が不良のために、それをゲートとするＭＯ
日トランジスタが終始ＯＦＦ状態であっても、それらの
ＭＯＳ）ランジスタと並列接続されて、かつゲートを第
（ｔ−１）行文Ｕ第（ｉ＋１）行とするＭＯ８トランジ
スタから所定の信号１圧保持用キャパシタへ列電極から
供給さｔ１７’？映倫信号を書き込む事が可能となシ、
くっきりし六線欠陥は現わわず、第（１−２）行目と第
（１−１）行目とに同じ映イ象信号が映し出されるだけ
で、見た目には異和感を感じさせぬ画偉が得られた。
来第１行目のゲート行電極がピンホール等の原因で基板
に短絡したり、それに備わっている保護ダイオードの接
合不良に依り接合耐圧が充分低下した様な場合、そのゲ
ート行電極をゲートとするＭＯ日トランジスタは終始０
ＩＦＦ状態となり、列電極からの映倫信号は信号電圧保
持用キャパシタに書き込まれず、画面上、横方向の線欠
陥となってくっきりと映し出されたものが、本発明を用
いた第２図の回路構成にすることに依り、ｌ ｉ行目の
ゲート行電極が不良のために、それをゲートとするＭＯ
日トランジスタが終始ＯＦＦ状態であっても、それらの
ＭＯＳ）ランジスタと並列接続されて、かつゲートを第
（ｔ−１）行文Ｕ第（ｉ＋１）行とするＭＯ８トランジ
スタから所定の信号１圧保持用キャパシタへ列電極から
供給さｔ１７’？映倫信号を書き込む事が可能となシ、
くっきりし六線欠陥は現わわず、第（１−２）行目と第
（１−１）行目とに同じ映イ象信号が映し出されるだけ
で、見た目には異和感を感じさせぬ画偉が得られた。
第２図の回路構成では、２行連続、即ち２本連続のゲー
ト行宵、極の不良が生じた場合には、横方向にくっきり
と１本のライン欠陥が現われるが、その確率は、１本の
ゲート行電極不良の発生確率に比べきわめて低いためほ
とんど問題と′ならぬ。
ト行宵、極の不良が生じた場合には、横方向にくっきり
と１本のライン欠陥が現われるが、その確率は、１本の
ゲート行電極不良の発生確率に比べきわめて低いためほ
とんど問題と′ならぬ。
２行連続のゲート行電極の不良が生じても、何らかの映
像信号が信号電圧保持用キャパシタへ書き込まれる様に
した回路でその前又は後の行へ書き込まれる映像信号と
同じ映像信号を、信号電圧保持用キャパシタに書き込む
回路の一例ｔｔ１４５図に示す。第２図において最終行
のゲート行電極が不良となった場合、最終行の信号雪圧
保持用キャパシタには映像信号は書き込憧れぬが、映し
出さすする画面上、最終行が現われないという事で、連
続した映倫を途中でさえぎる形式のライン欠陥でない事
、及び画儂表示装置として実装する場合、上下左右１ラ
イン位はかくされるため、問題とならぬ。又、便宜上、
本発明は、Ｎ型基＠に＊ｆｆされたＰチャネルＭ０８ト
ランジスタで回路も形成し穴ものについて述べたが、Ｐ
基板に形成さｔ′ＩたｎチャネルＭＯ８トランジスタで
も本発明の回路を構成できる。
像信号が信号電圧保持用キャパシタへ書き込まれる様に
した回路でその前又は後の行へ書き込まれる映像信号と
同じ映像信号を、信号電圧保持用キャパシタに書き込む
回路の一例ｔｔ１４５図に示す。第２図において最終行
のゲート行電極が不良となった場合、最終行の信号雪圧
保持用キャパシタには映像信号は書き込憧れぬが、映し
出さすする画面上、最終行が現われないという事で、連
続した映倫を途中でさえぎる形式のライン欠陥でない事
、及び画儂表示装置として実装する場合、上下左右１ラ
イン位はかくされるため、問題とならぬ。又、便宜上、
本発明は、Ｎ型基＠に＊ｆｆされたＰチャネルＭ０８ト
ランジスタで回路も形成し穴ものについて述べたが、Ｐ
基板に形成さｔ′ＩたｎチャネルＭＯ８トランジスタで
も本発明の回路を構成できる。
本発明は、単結晶半導体基板上に製造された回路につい
て説明したが、単結晶半導体基板だけでな（、ＳＯ８構
造のものや、了毎ルファス半導体や多結晶半導体のＴＦ
Ｔｌに用いて、石英ガラス基ＩＩとにも製造できる。
て説明したが、単結晶半導体基板だけでな（、ＳＯ８構
造のものや、了毎ルファス半導体や多結晶半導体のＴＦ
Ｔｌに用いて、石英ガラス基ＩＩとにも製造できる。
第１図は、従来のアクティブ・マトリクス・アドレス方
式を用いた液晶表示）くネルの等価回路図を示し、第２
図及び第３図に、本発明を用いたアクティブ−マトリク
ス・アドレス方式の液晶表示パネルの等価回路図を示す
。 Ｘ８ｕ、 ｘｓ＝、 ・・・ＸＢｍ ・・・列電極ＹＧ
Ｉ、ＹＧ＠、・・・ＹＧ膳・・・行１極ＭＡｚｔ 、
ＭＡｔｍ 、・・・ＭＡＩＩＩＩ。 ＭＢｗｔ 、 ＸＢｍ嘗、−ＭＢｍｍ” Ｍ Ｏ８）ラ
ンクｘｐＯＮｎ、ＯＮｕ、・・・ＯＮａｍ・・・信号電
圧保持用キャパシタ ＬＯＮｌｌ、ＬＯＮ１＠、”・ＬＯＮｗａ＊ ”・液晶
の等価キャパシタ ７ｍ）Ｄ・・・・・・基板電圧 Ｖｃ・・・・・・共通電極電圧 以と 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士 最上 務 手続補正書（自発） １ 事件の表示 昭和５７年特許願第２７５８８号 ２ 発明の名称 行列形液晶表示装置 （、補正を４る名 （２５２）株式会社 第 二 精 工 舎代表取締役
服 部 −部 、１ 代 理 人 〒１５０東京都渋谷区神宮前２ Ｔ ［１６番８号（２
） 別紙の通り、第５図を改めます。 特許請求の範囲 （１）液晶を駆動するための信号電圧を保持するキャパ
シタと、単位画素に相当する液晶を駆動する液晶駆動電
極と、各画素をアドレスするためのスイッチング素子と
を１組にした液晶駆動セルを行列状に配置し、かつ各列
毎に液晶を駆動するための信号電圧を供給する列電極群
と、各行毎に、上記スイッチング素子をアドレスするゲ
ート走査行電極群とを有する半導体基板と、透明電極を
有する透明１桧との間に、液晶を挾持した液晶表示装置
において、少なくとも１行以上に亘たる行に属する前記
１つの液晶駆動電極に対応する前記スイッチング素子が
、並列接続されたＭＯＳ ）ランジスタから構成されて
いる事を特徴とする行列形液晶表示装置。 （２）前記スイッチング素子を構成するＭ○８トランジ
スタが同導電型であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の行列形液晶表示装置。 （３）前記ゲート走査行！極群の第１行目もしくは最終
行のゲート電極を除く他のそれぞれの各行電極が、行列
状に配列された前記スイッチング素子群のうち、少なく
とも、２行Ｋｔ）７するスイッチング素子群をアドレス
する事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の行列形
液晶表示装置。 （４）前記ゲート走査行電極群のうち第１行目もしくは
最終行の電極を除いた他の各行電極がアドレスするスイ
ッチング素子群は、前記行電極に対応する行に属するス
イッチング群と、該行の前行。 るいはそれら両者に属する前記スイッチング素子であり
、それらスイッチング素子群は、少なくとも隣接した２
行以上の行に１っている事を特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の行列形液晶表示装置。 （５）前記１つの液晶駆動電極に対応する前記スイッチ
ング素子が、第１行もしくは最終行に属する時、１個の
ＭＯＳ ）ランジスタから構成されていて、第１行もし
くは最終行を除く他の行に属す以上のＭ０８トランジス
タから構成されている事を特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の行列形液晶表示装置。
式を用いた液晶表示）くネルの等価回路図を示し、第２
図及び第３図に、本発明を用いたアクティブ−マトリク
ス・アドレス方式の液晶表示パネルの等価回路図を示す
。 Ｘ８ｕ、 ｘｓ＝、 ・・・ＸＢｍ ・・・列電極ＹＧ
Ｉ、ＹＧ＠、・・・ＹＧ膳・・・行１極ＭＡｚｔ 、
ＭＡｔｍ 、・・・ＭＡＩＩＩＩ。 ＭＢｗｔ 、 ＸＢｍ嘗、−ＭＢｍｍ” Ｍ Ｏ８）ラ
ンクｘｐＯＮｎ、ＯＮｕ、・・・ＯＮａｍ・・・信号電
圧保持用キャパシタ ＬＯＮｌｌ、ＬＯＮ１＠、”・ＬＯＮｗａ＊ ”・液晶
の等価キャパシタ ７ｍ）Ｄ・・・・・・基板電圧 Ｖｃ・・・・・・共通電極電圧 以と 出願人 株式会社第二精工舎 代理人 弁理士 最上 務 手続補正書（自発） １ 事件の表示 昭和５７年特許願第２７５８８号 ２ 発明の名称 行列形液晶表示装置 （、補正を４る名 （２５２）株式会社 第 二 精 工 舎代表取締役
服 部 −部 、１ 代 理 人 〒１５０東京都渋谷区神宮前２ Ｔ ［１６番８号（２
） 別紙の通り、第５図を改めます。 特許請求の範囲 （１）液晶を駆動するための信号電圧を保持するキャパ
シタと、単位画素に相当する液晶を駆動する液晶駆動電
極と、各画素をアドレスするためのスイッチング素子と
を１組にした液晶駆動セルを行列状に配置し、かつ各列
毎に液晶を駆動するための信号電圧を供給する列電極群
と、各行毎に、上記スイッチング素子をアドレスするゲ
ート走査行電極群とを有する半導体基板と、透明電極を
有する透明１桧との間に、液晶を挾持した液晶表示装置
において、少なくとも１行以上に亘たる行に属する前記
１つの液晶駆動電極に対応する前記スイッチング素子が
、並列接続されたＭＯＳ ）ランジスタから構成されて
いる事を特徴とする行列形液晶表示装置。 （２）前記スイッチング素子を構成するＭ○８トランジ
スタが同導電型であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の行列形液晶表示装置。 （３）前記ゲート走査行！極群の第１行目もしくは最終
行のゲート電極を除く他のそれぞれの各行電極が、行列
状に配列された前記スイッチング素子群のうち、少なく
とも、２行Ｋｔ）７するスイッチング素子群をアドレス
する事を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の行列形
液晶表示装置。 （４）前記ゲート走査行電極群のうち第１行目もしくは
最終行の電極を除いた他の各行電極がアドレスするスイ
ッチング素子群は、前記行電極に対応する行に属するス
イッチング群と、該行の前行。 るいはそれら両者に属する前記スイッチング素子であり
、それらスイッチング素子群は、少なくとも隣接した２
行以上の行に１っている事を特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の行列形液晶表示装置。 （５）前記１つの液晶駆動電極に対応する前記スイッチ
ング素子が、第１行もしくは最終行に属する時、１個の
ＭＯＳ ）ランジスタから構成されていて、第１行もし
くは最終行を除く他の行に属す以上のＭ０８トランジス
タから構成されている事を特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の行列形液晶表示装置。
Claims (5)
- （１） 液晶を駆動するための信号電圧を保持するキ
ャパシタと、単位画素に相当する液晶を駆動する液晶駆
動電極と、各画素をアドレスするためのスイッチング素
子とを１組にした液晶駆動セルを行列状に配置し、かつ
各列毎に液晶を駆動するための信号電圧を供給する列雷
極群と、各行毎に、上記スイッチング素子をアドレスす
るゲート走査行電極群とを有する半導体基板と、透明電
極を有する透明基板との間に、液晶を挾持した液晶表示
装置において、少なくとも１行以上に亘たる行に属する
前記１液晶駆動Ｗ極に対応する前記スイッチング素子が
、並列接続されたゲートｆＴＬ、いに異にするＭＯ８）
ランジスタから構成されている事ｆ％徴とする行列形液
晶表示装置。 - （２）前記スイッチング素子を構成するＭ ＯＳ ）ラ
ンジスタが同導電型である事を特徴とする特許請求の範
囲一゛１項記載の行列形液晶表示装青。 - （３）前記ゲート走査ｉ−極−λ第１行目もしくは最終
行のゲート電極を除く他のそれぞれの各行電極が、行列
状に配列された前記スイッチング素子群のうち、少なく
とも、２行にわたるスイッチング素子群をアドレスする
事’ｔ＊徴とする特許請求の範囲第１項記載め行列形液
晶表示装置。 - （４） 前記ゲート走査行電極群のうち第１行目もし
く゛は最終行の電極を除いた他の各行電極がアドレスす
るスイッチング素子群は、前記行電極に対応する會に属
するスイッチング群と、核行の薊行。 前々行、・・・・・・、もしくは、次行１次々行、・・
・あるいはそれら両者に属する前記スイッチング素子で
あり、それらスイッチング素子群は、少なくとも隣接し
た２行以上の行に亘っている事を特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の行列形液晶衰示装置。 - （５）前記１液晶駆動１．極に対応する前記スイッチン
グ素子が、第１行もしくＦｉ最終行Ｖｒ、１１３する時
、１個のＭＯＳ）ランジスタから構成されていて、第１
行本しくけ最終行を除く他の行に属する前記スイッチン
グ素子は、並列接＃！これたゲートを互いに異にする２
個以上のＭＯＳ ）ランジスタから構成されている事を
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の行列形液晶表示
装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57027588A JPS58144888A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 行列形液晶表示装置 |
| US06/467,799 US4680580A (en) | 1982-02-23 | 1983-02-18 | Active matrix-addressed liquid-crystal display device |
| GB08304733A GB2115199B (en) | 1982-02-23 | 1983-02-21 | Active matrix-addressed liquid crystal display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57027588A JPS58144888A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 行列形液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58144888A true JPS58144888A (ja) | 1983-08-29 |
| JPS647391B2 JPS647391B2 (ja) | 1989-02-08 |
Family
ID=12225105
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57027588A Granted JPS58144888A (ja) | 1982-02-23 | 1982-02-23 | 行列形液晶表示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4680580A (ja) |
| JP (1) | JPS58144888A (ja) |
| GB (1) | GB2115199B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPS60242495A (ja) * | 1984-05-17 | 1985-12-02 | セイコーエプソン株式会社 | アクテイブマトリツクスパネル |
| JPS60244996A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-04 | 日本電信電話株式会社 | アクテイブマトリクス型画像表示装置 |
| JPS61121034A (ja) * | 1984-11-16 | 1986-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタアレイ |
| JPS61243486A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-29 | 松下電器産業株式会社 | アクテイブマトリクス基板 |
| JPS61243487A (ja) * | 1985-04-19 | 1986-10-29 | 松下電器産業株式会社 | アクテイブマトリクス基板 |
| JPS61243483A (ja) * | 1985-04-20 | 1986-10-29 | 松下電器産業株式会社 | アクテイブマトリクス基板 |
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| US5331447A (en) * | 1987-06-10 | 1994-07-19 | Hitachi, Ltd. | TFT active matrix liquid crystal display devices with plural TFTs in parallel per pixel |
| US5610738A (en) * | 1990-10-17 | 1997-03-11 | Hitachi, Ltd. | Method for making LCD device in which gate insulator of TFT is formed after the pixel electrode but before the video signal line |
Families Citing this family (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59116685A (ja) * | 1982-12-23 | 1984-07-05 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 画像表示装置 |
| US4651148A (en) * | 1983-09-08 | 1987-03-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display driving with switching transistors |
| KR900005489B1 (ko) * | 1984-04-26 | 1990-07-30 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 액정표시장치의 구동회로 |
| WO1986002489A1 (fr) * | 1984-10-17 | 1986-04-24 | L'ETAT FRANCAIS représenté par LE MINISTRE DES PTT | Procede de fabrication de circuits electroniques a base de transistors en couches minces et de condensateurs |
| FR2571913B1 (fr) * | 1984-10-17 | 1986-12-26 | Richard Joseph | Ecran d'affichage a matrice active a double transistor d'adressage |
| JPH07113819B2 (ja) * | 1984-11-06 | 1995-12-06 | キヤノン株式会社 | 表示装置及びその駆動法 |
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