JP2783918B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1892—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates
- H01L31/1896—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof methods involving the use of temporary, removable substrates for thin-film semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、軽量でフレキシブルな
薄膜状光起電力装置の製造方法に関する。
薄膜状光起電力装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】フレキシブルな光起電力装置の製造方法
としては、特開昭61−85872号公報に記載されて
いるように、ガラス基板上に金属層と非晶質シリコン層
・ITO層及び集電極を順次形成した後、ガラス基板を
剥離する方法がある。しかしながら前記金属層として、
ステンレス鋼・クロム・銀等が使われており、ステンレ
ス鋼・クロムはガラス基板に対する剥離性が悪いので、
ガラス基板を剥離する時にむらが多くて実用的でない。
銀を使用した場合は剥離性が多少良いが、銀層の上に非
晶質シリコン層を形成する時に、銀が非晶質シリコン内
に移動して光起電力装置としての性能を低下する欠点が
ある。
としては、特開昭61−85872号公報に記載されて
いるように、ガラス基板上に金属層と非晶質シリコン層
・ITO層及び集電極を順次形成した後、ガラス基板を
剥離する方法がある。しかしながら前記金属層として、
ステンレス鋼・クロム・銀等が使われており、ステンレ
ス鋼・クロムはガラス基板に対する剥離性が悪いので、
ガラス基板を剥離する時にむらが多くて実用的でない。
銀を使用した場合は剥離性が多少良いが、銀層の上に非
晶質シリコン層を形成する時に、銀が非晶質シリコン内
に移動して光起電力装置としての性能を低下する欠点が
ある。
【0003】このような欠点を解消するために、特開平
1−105581には、支持基板上にポリイミド樹脂層
と透明電極・アモルファスシリコン半導体層及び背面電
極を形成した後、これを水中に浸漬することによって前
記ポリイミド樹脂層と支持基板とを剥離する方法が記載
されている。
1−105581には、支持基板上にポリイミド樹脂層
と透明電極・アモルファスシリコン半導体層及び背面電
極を形成した後、これを水中に浸漬することによって前
記ポリイミド樹脂層と支持基板とを剥離する方法が記載
されている。
【0004】しかしながらこの方法は、剥離剤としてポ
リイミド樹脂層を用いているために、次のような欠点が
ある。即ち、 (1)樹脂の耐熱性は最大摂氏300度程度であり、そ
の上には、形成温度が摂氏約600度の酸化スズ(Sn
O2)膜をつけることができない。従って、抵抗が小さ
く光透過率の高い酸化スズを透明導電膜として使用する
ことができず、抵抗の大きい他の導電膜を使用しなけれ
ばならない。 (2)支持基板から光起電力装置を剥離する時に、剥離
性にむらがあり、再現性に乏しい。 (3)樹脂層は吸水性が高い為に、光起電力層の形成時
に真空容器内にガスを発生し、このガスが光起電力層内
に侵入して膜質を低下させる。
リイミド樹脂層を用いているために、次のような欠点が
ある。即ち、 (1)樹脂の耐熱性は最大摂氏300度程度であり、そ
の上には、形成温度が摂氏約600度の酸化スズ(Sn
O2)膜をつけることができない。従って、抵抗が小さ
く光透過率の高い酸化スズを透明導電膜として使用する
ことができず、抵抗の大きい他の導電膜を使用しなけれ
ばならない。 (2)支持基板から光起電力装置を剥離する時に、剥離
性にむらがあり、再現性に乏しい。 (3)樹脂層は吸水性が高い為に、光起電力層の形成時
に真空容器内にガスを発生し、このガスが光起電力層内
に侵入して膜質を低下させる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、水中に浸漬
せずとも支持基板から容易に剥離できるフレキシブル性
に富んだ薄膜状の光起電力装置を提供せんとするもので
ある。
せずとも支持基板から容易に剥離できるフレキシブル性
に富んだ薄膜状の光起電力装置を提供せんとするもので
ある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、無機系第1保
護膜、第1電極、アモルファスシリコン製光起電力層、
第2電極及び第2保護膜を順次積層した光起電力装置の
製造方法であって、支持基板上に、この支持基板と前記
無機第1保護膜とに剥離性が良い金属層を形成する工程
と、この金属層上に前記無機系第1保護膜、前記第1電
極、前記アモルファスシリコン製光起電力層、前記第2
電極及び前記第2保護膜を順次積層する工程と、この工
程の後、前記支持基板を前記金属層を介して前記無機第
1保護膜から剥離する工程と、からなることを特徴とす
る。
護膜、第1電極、アモルファスシリコン製光起電力層、
第2電極及び第2保護膜を順次積層した光起電力装置の
製造方法であって、支持基板上に、この支持基板と前記
無機第1保護膜とに剥離性が良い金属層を形成する工程
と、この金属層上に前記無機系第1保護膜、前記第1電
極、前記アモルファスシリコン製光起電力層、前記第2
電極及び前記第2保護膜を順次積層する工程と、この工
程の後、前記支持基板を前記金属層を介して前記無機第
1保護膜から剥離する工程と、からなることを特徴とす
る。
【0007】
【作用】このようにすることによって、光起電力装置を
剥離するに際して、金属層を介して容易に剥離でき、ま
た無機系第1保護膜によって光起電力装置を保護するこ
とができる。
剥離するに際して、金属層を介して容易に剥離でき、ま
た無機系第1保護膜によって光起電力装置を保護するこ
とができる。
【0008】以下実施例を図に基づいて説明すると、1
は青板ガラス等の支持基板で、その上にエレクトロンビ
ーム法によって鉛製の金属層2を形成する。その後、第
1保護膜3となる二酸化硅素、及び酸化スズ等の透明第
1電極4を形成し、更に光起電力層5となるアモルファ
スシリコン膜をp層・i層・n層の順で形成した後、第
2電極6を形成し、更に第2保護膜となるラミネートフ
ィルムを貼りつける。
は青板ガラス等の支持基板で、その上にエレクトロンビ
ーム法によって鉛製の金属層2を形成する。その後、第
1保護膜3となる二酸化硅素、及び酸化スズ等の透明第
1電極4を形成し、更に光起電力層5となるアモルファ
スシリコン膜をp層・i層・n層の順で形成した後、第
2電極6を形成し、更に第2保護膜となるラミネートフ
ィルムを貼りつける。
【0009】その後、支持基板1から光起電力層5を剥
離するのであるが、前記金属層2は鉛製であるために剥
離性が良く、しかも青板ガラス製の支持基板1に対する
剥離性よりも二酸化硅素に対するそれの方が良いので、
光起電力層5を剥離する時に、金属層2と二酸化硅素か
ら成る第1保護膜3との間で剥離が生ずる。而して二酸
化硅素は透明であるため、第1保護膜3を入射光側とし
た光起電力装置を得ることができる。
離するのであるが、前記金属層2は鉛製であるために剥
離性が良く、しかも青板ガラス製の支持基板1に対する
剥離性よりも二酸化硅素に対するそれの方が良いので、
光起電力層5を剥離する時に、金属層2と二酸化硅素か
ら成る第1保護膜3との間で剥離が生ずる。而して二酸
化硅素は透明であるため、第1保護膜3を入射光側とし
た光起電力装置を得ることができる。
【0010】なお、第1保護膜3は基板加熱を行わずに
形成するのが望ましい。基板加熱を行うと、第1保護膜
である二酸化硅素と金属層2との間の結着力が強くなっ
て剥離しにくくなると共に、金属層2を通して二酸化硅
素が支持基板1にも付着して、ますます剥離しにくくな
ってしまうからである。
形成するのが望ましい。基板加熱を行うと、第1保護膜
である二酸化硅素と金属層2との間の結着力が強くなっ
て剥離しにくくなると共に、金属層2を通して二酸化硅
素が支持基板1にも付着して、ますます剥離しにくくな
ってしまうからである。
【0011】光起電力層5を、n層・i層・p層の順で
形成する場合は、第2電極6と第2保護膜7を透明にす
る。この場合も光起電力層5を支持基板1から剥離する
に際して、金属層2と無機系第1保護膜3との間で剥離
が生ずる。このタイプでは、第2保護膜7側を入射光側
として使用する方が光変換効率が良い。
形成する場合は、第2電極6と第2保護膜7を透明にす
る。この場合も光起電力層5を支持基板1から剥離する
に際して、金属層2と無機系第1保護膜3との間で剥離
が生ずる。このタイプでは、第2保護膜7側を入射光側
として使用する方が光変換効率が良い。
【0012】なお、光起電力層5がいずれのタイプであ
っても、剥離性が良好な金属2として、鉛の他に亜鉛や
錫を使用することができる。
っても、剥離性が良好な金属2として、鉛の他に亜鉛や
錫を使用することができる。
【0013】
【発明の効果】本発明は支持基板上に光起電力層を形成
した後に、これを支持基板から剥離して光起電力装置を
作るので、軽量で薄く、且つフレキシブルな光起電力装
置を簡単に作ることができる。また、剥離剤として鉛等
の金属を使用しているので、透明導電膜や光起電力層を
形成する時に多少の熱が加わってもガスが発生するよう
なことがなく、光起電力層の膜質を低下して変換効率を
下げるようなことはない。更に前記金属層の表面を無機
系第1保護膜で覆っているので、第1電極を形成する際
に前記金属が第1電極に浸透したり、その逆の移動が生
ずることはなく、しかも前記無機系第1保護膜は光起電
力装置の保護膜として働くので、耐久性に富んだ光起電
力装置を得ることができる。
した後に、これを支持基板から剥離して光起電力装置を
作るので、軽量で薄く、且つフレキシブルな光起電力装
置を簡単に作ることができる。また、剥離剤として鉛等
の金属を使用しているので、透明導電膜や光起電力層を
形成する時に多少の熱が加わってもガスが発生するよう
なことがなく、光起電力層の膜質を低下して変換効率を
下げるようなことはない。更に前記金属層の表面を無機
系第1保護膜で覆っているので、第1電極を形成する際
に前記金属が第1電極に浸透したり、その逆の移動が生
ずることはなく、しかも前記無機系第1保護膜は光起電
力装置の保護膜として働くので、耐久性に富んだ光起電
力装置を得ることができる。
【図1】図面は、本発明に係る光起電力装置の製造方法
の製造途中の断面図である。
の製造途中の断面図である。
1 支持基板 2 金属層 3 無機系第1保護膜 4 第1電極 5 アモルファスシリコン製光起電力層 6 第2電極 7 第2保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沢田 謙司 守口市京阪本通2丁目18番地 三洋電機 株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−234082(JP,A) 特開 昭63−107073(JP,A) 特開 昭63−300571(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 31/04
Claims (1)
- 【請求項1】 無機系第1保護膜、第1電極、アモルフ
ァスシリコン製光起電力層、第2電極及び第2保護膜を
順次積層した光起電力装置の製造方法であって、 支持基板上に、この支持基板と前記無機第1保護膜とに
剥離性が良い金属層を形成する工程と、 この金属層上に前記無機系第1保護膜、前記第1電極、
前記アモルファスシリコン製光起電力層、前記第2電極
及び前記第2保護膜を順次積層する工程と、 この工程の後、前記支持基板を前記金属層を介して前記
無機第1保護膜から剥離する工程と、 からなることを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3064816A JP2783918B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 光起電力装置の製造方法 |
US07/851,785 US5232860A (en) | 1991-03-28 | 1992-03-16 | Method of flexible photovoltaic device manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3064816A JP2783918B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04299873A JPH04299873A (ja) | 1992-10-23 |
JP2783918B2 true JP2783918B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=13269155
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3064816A Expired - Lifetime JP2783918B2 (ja) | 1991-03-28 | 1991-03-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5232860A (ja) |
JP (1) | JP2783918B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5498297A (en) * | 1994-09-15 | 1996-03-12 | Entech, Inc. | Photovoltaic receiver |
US5674325A (en) * | 1995-06-07 | 1997-10-07 | Photon Energy, Inc. | Thin film photovoltaic device and process of manufacture |
RU2190901C2 (ru) * | 1996-09-26 | 2002-10-10 | Акцо Нобель Н.В. | Способ производства фотоэлектрической фольги и фольга, полученная этим способом |
AU5518100A (en) * | 1999-07-13 | 2001-01-30 | Eidgenossische Technische Hochschule Zurich | Flexible thin-layer solar cell |
AU2001254762A1 (en) * | 2000-04-06 | 2001-10-23 | Akzo Nobel N.V. | Method of manufacturing a photovoltaic foil |
EP2395567B1 (en) | 2010-06-10 | 2018-10-03 | Solarwave AB | A method for producing a solar cell module |
CN102437286A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-05-02 | 北京精诚铂阳光电设备有限公司 | 大面积柔性薄膜太阳能电池及其制造方法 |
KR102121002B1 (ko) | 2013-06-28 | 2020-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 지지체 상에 기판을 임시 본딩하기 위한 장치 및 방법 |
DE102013108013B4 (de) * | 2013-07-26 | 2017-12-14 | Heliatek Gmbh | Vorrichtung zum Schutz und Reinigung optoelektronischer Bauelemente |
KR102102955B1 (ko) | 2013-08-12 | 2020-04-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치의 제조 방법 |
KR102115561B1 (ko) | 2013-09-16 | 2020-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 폴리이미드 기판의 제조 방법 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법 |
KR102180089B1 (ko) | 2013-12-30 | 2020-11-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 기판의 제조 방법 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법 |
KR102328677B1 (ko) | 2014-10-17 | 2021-11-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
KR102442188B1 (ko) | 2015-06-19 | 2022-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102415326B1 (ko) | 2015-10-29 | 2022-06-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 플렉서블 표시 장치의 제조 방법 |
CN107621857A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-01-23 | 联想(北京)有限公司 | 一种显示屏、电子设备及光强检测方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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