KR102115561B1

KR102115561B1 - 폴리이미드 기판의 제조 방법 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법

Info

Publication number: KR102115561B1
Application number: KR1020130111388A
Authority: KR
Inventors: 하이크 카차트리안; 구현우; 김선호; 김태웅
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2013-09-16
Filing date: 2013-09-16
Publication date: 2020-05-27
Also published as: CN104465334A; TW201511961A; US9555561B2; CN104465334B; US20150076720A1; KR20150032388A

Abstract

글라스 기판에 산 용액을 제공하여 상기 글라스 기판이 포함하는 제1 양이온을 제거하고, 상기 글라스 기판에 폴리아믹 산(polyamic acid)을 포함하는 소오스 용액을 제공한다. 그 이후에, 상기 폴리아믹 산을 경화하여 상기 글라스 기판 위에 폴리이미드(polyamide) 기판을 형성하고, 상기 글라스 기판으로부터 상기 폴리이미드 기판을 분리하는 단계를 포함하는 폴리이미드 기판을 제조한다.

Description

폴리이미드 기판의 제조 방법 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법{Method of manufacturing polyimide substrate and method of manufacturing display device using the same}

본 발명은 폴리이미드 기판의 제조 방법 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 글라스 기판 위에 폴리이미드 기판을 제조하는 폴리이미드 기판 및 이를 이용하는 표시장치의 제조 방법에 관한 것이다.

표시 장치 중에 플렉서블 기판을 포함하여 플렉서블 특성을 갖는 플렉서블 표시 장치가 개발되고 있다. 상기 플렉서블 표시 장치는 사용자의 요구에 따라 유연하게 구부러질 수 있어, 사용자의 휴대성 및 사용의 편의성이 향상될 수 있다. 상기 플렉서블 기판으로는 플라스틱 기판 및 박막 형상의 금속 기판들이 있고, 상기 플라스틱 기판으로는 내열성이 우수한 폴리이미드 기판이 주로 사용되고 있다.

한편, 상기 플렉서블 기판을 이용하여 플렉서블 표시 장치를 제조하는 경우에, 상기 플렉서블 기판의 평탄도를 확보하기 위하여 글라스 기판과 같은 커리어 기판 상에 상기 플렉서블 기판을 배치하고, 상기 플렉서블 기판에 대해 다양한 제조 공정들을 수행하여 상기 플렉서블 기판 위에 화소들을 형성하고, 상기 화소들이 형성된 상기 플렉서블 기판을 상기 커리어 기판으로부터 분리한다.

본 발명의 일 목적은 폴리이미드 기판을 용이하게 제조할 수 있는 폴리이미드 기판의 제조 방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 폴리이미드 기판을 이용하여 표시 장치를 용이하게 제조할 수 있는 표시 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.

상술한 본 발명의 일 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 폴리이미드 기판을 제조하는 방법은 다음과 같다.

상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 표시장치의 제조 방법은 다음과 같다.

글라스 기판 위에 폴리이미드 기판을 형성하고, 상기 폴리이미드 기판 위에 다수의 화소들을 형성하고, 상기 글라스 기판으로부터 상기 다수의 화소들이 형성된 상기 폴리이미드 기판을 분리한다.

상기 폴리이미드 기판을 형성하는 방법은 다음과 같다. 글라스 기판에 산 용액을 제공하여 상기 글라스 기판이 포함하는 제1 양이온을 제거하고, 상기 글라스 기판에 폴리아믹 산(polyamic acid)을 포함하는 소오스 용액을 제공하고, 상기 폴리아믹 산을 경화한다.

본 발명에 따르면, 글라스 기판 및 상기 글라스 기판 위에 형성된 폴리이미드 기판 간의 결합력을 감소시킬 수 있다. 따라서, 글라스 기판 위에 폴리이미드 기판을 형성한 이후에, 상기 폴리이미드 기판을 상기 글라스 기판으로부터 박리하는 데 필요한 힘이 감소되어 상기 폴리이미드 기판을 상기 글라스 기판으로부터 용이하게 박리할 수 있다.

도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리이미드 기판을 제조하는 방법을 나타낸 도면들이다.
도 2a는 침출 공정이 수행되기 이전에 도 1b의 제1 부분을 확대한 도면이다.
도 2b는 침출 공정이 완료된 이후에 도 1b의 제1 부분을 확대한 도면이다.
도 2c는 침출 공정이 완료된 이후에 글라스 기판의 깊이에 따른 글라스 기판에 함유된 제1 양이온들의 개수를 나타내는 그래프이다.
도 3은 도 1c의 제2 부분을 확대한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 글라스 기판의 표면 처리 공정의 방법을 나타내는 도면들이다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.

이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 살펴보기로 한다. 상기한 본 발명의 목적, 특징 및 효과는 도면과 관련된 실시예들을 통해서 용이하게 이해될 수 있을 것이다. 다만, 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고, 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 후술될 본 발명의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고, 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명의 범위가 후술될 실시예들에 의해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 한편, 하기 실시예와 도면 상에 동일한 참조 번호들은 동일한 구성 요소를 나타낸다.

또한, 본 명세서에서 `제1`, `제2` 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 `위에` 또는 `상에` 있다고 할 때, 다른 부분 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.

도 1a 내지 도 1f는 본 발명의 일 실시예에 따른 폴리이미드 기판을 제조하는 방법을 나타낸 도면들이다.

도 1a를 참조하면, 글라스 기판(GS)에 대해 열처리 공정이 수행된다. 상기 열처리 공정에 의해 상기 글라스 기판(GS)이 포함하는 제1 양이온(도 2a의 C1)이 상기 글라스 기판(GS)의 상부면(S1) 측으로 이동될 수 있다. 상기 글라스 기판(GS)이 포함하는 물질에 따라 상기 제1 양이온의 종류가 상이할 수 있으나, 이 실시예에서는 상기 글라스 가판(GS)은 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 바륨 산화물, 스트론튬 산화물, 칼슘 산화물 및 마그네슘 산화물을 포함할 수 있고, 이 경우에 상기 제1 양이온은 알루미늄 양이온, 바륨 양이온, 스트론튬 양이온, 칼슘 양이온, 철 양이온 및 보론 양이온을 포함할 수 있다.

이 실시예에서는, 상기 글라스 기판(GS)을 열처리 챔버(미도시)에 투입하여 상기 글라스 기판(GS) 측으로 복사열(HT)이 제공되어, 상기 열처리 공정이 수행될 수 있다. 다른 실시예에서는, 상기 글라스 기판(GS)을 지지하는 지지부재에 내장된 가열부재를 이용하여 상기 글라스 기판(GS)에 대해 상기 열처리 공정이 수행될 수도 있다.

이 실시예에서는 상기 열처리 공정의 공정 온도는 약 300℃ 내지 약 600도℃일 수 있고, 보다 상세하게는 상기 열처리 공정의 공정 온도는 약 450℃ 내지 약 550℃일 수 있다.

이 실시예에서와 같이, 상기 글라스 기판(GS)에 대해 침출 공정을 수행하기 이전에, 상기 글라스 기판(GS)에 대해 상기 열처리 공정이 수행되는 경우에, 상기 침출 공정에서 상기 글라스 기판(GS)으로부터 상기 제1 양이온이 보다 용이하게 침출될 수 있다. 한편, 본 발명이 상기 열처리 공정의 수행 여부에 한정되는 것은 아니고, 다른 실시예에서는 상기 열처리 공정은 생략될 수도 있다.

도 1b를 참조하면, 글라스 기판(GS)에 대해 열처리 공정이 수행된 이후에, 상기 글라스 기판(GS)에 대해 산 처리하여 침출 공정(leaching process)이 수행된다. 이 실시예에서는, 상기 글라스 기판(GS)의 상부에 배치된 분사 부재들(10)을 이용하여 상기 글라스 기판(GS) 측으로 산 용액(15)이 제공되어 상기 침출 공정이 수행될 수 있다.

이 실시예에서는, 상기 산 용액(15)은 구연산(citric acid)을 포함할 수 있고, 상기 침출 공정은 약 10분 내지 약 60분 동안 수행될 수 있고, 보다 상세하게는 약 15분 내지 약 35동안 수행될 수 있다. 본 발명의 실시예와 달리, 상기 침출 공정이 약 10분 미만으로 수행되는 경우에, 상기 글라스 기판(GS)에 함유된 제1 양이온들(도 2a의 C1)이 제거되는 효과가 미미할 수 있다. 또한, 상기 침출 공정이 약 60분을 초과하여 수행되는 경우에, 상기 산 용액(15)에 의해 상기 글라스 기판(GS)이 식각될 수 있다.

이 실시예에서는, 상기 산 용액(15)은 구연산을 포함하나, 본 발명이 상기 산 용액(15)의 성분에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다른 실시예에서는 상기 산 용액(15)은 염산 및 질산과 같은 다른 종류의 산을 포함할 수도 있고, 상기 산의 세기가 강할수록 상기 침출 공정의 공정 시간은 감소될 수 있다.

상기 침출 공정을 보다 상세히 설명하기 위해서 도 1b에 도 2a, 도 2b 및 도 2c를 더 참조하여 설명한다.

도 2a는 침출 공정이 수행되기 이전에 도 1b의 제1 부분을 확대한 도면이고, 도 2b는 침출 공정이 완료된 이후에 도 1b의 제1 부분을 확대한 도면이고, 도 2c는 침출 공정이 완료된 이후에 글라스 기판의 깊이에 따른 글라스 기판에 함유된 제1 양이온들의 개수를 나타내는 그래프이다.

도 2a를 참조하면, 상기 글라스 기판(GS)에 대해 상기 침출 공정이 수행되기 이전에는, 상기 글라스 기판(GS)은 산화물들(C0) 및 제1 양이온들(C1)을 포함한다. 상기 산화물들(C0)은 실리콘 산화물들을 포함할 수 있다. 또한, 이 실시예에서는 상기 제1 양이온들(C1)은 상기 글라스 기판(GS)이 포함하는 불순물일 수 있고, 상기 제1 양이온들(C1)은 알루미늄 양이온들, 바륨 양이온들, 스트론튬 양이온들, 칼슘 양이온들 및 철 양이온들을 포함할 수 있다.

도 1b 및 도 2b를 참조하면, 상기 침출 공정이 수행되면, 상기 산 용액(15)이 상기 글라스 기판(GS)의 상부면(S1) 측으로 제공됨에 따라 상기 제1 양이온들(C1) 중 상기 상부면(S1)에 인접하게 위치한 제1 양이온들이 상기 산 용액(15)에 의해 제거된다. 그 결과, 상기 침출 공정이 완료되면, 상기 제1 양이온들(C1)이 제거됨에 따라 상기 글라스 기판(GS)에 공극들(vacancies, VC)이 생성된다.

한편, 상기 침출 공정 진행 시, 상기 산 용액(15)은 상기 글라스 기판(GS)의 상기 상부면(S1) 측에 제공되어 상기 글라스 기판(GS)의 두께 방향을 따라 상기 글라스 기판(GS) 측으로 침투된다. 따라서, 상기 글라스 기판(GS)에서 상기 산 용액(15)이 침투되는 방향 및 상기 산 용액(15)에 의해 상기 제1 양이온(C1)이 제거되어 상기 공극들(VC)이 생성되는 메커니즘을 고려하면, 도 2c에 도시된 제1 그래프(C1)에서 보여지듯이, 상기 글라스 기판(GS)에서 상기 제1 양이온들(C1)의 개수는 상기 상부면(S1)에서 가장 적고, 상기 제1 양이온들(C1)의 개수는 상기 글라스 기판(GS)의 깊이가 증가할수록 대략적으로 증가한다. 또한, 이 실시예에서와 같이 상기 침출 공정이 수행되는 시간이 약 10분 내지 약 60분 동안 수행되므로, 상기 글라스 기판(GS)의 깊이가 소정의 값 이상일 때 상기 제1 양이온들(C1)의 개수는 일정해질 수 있다.

도 1c를 참조하면, 제2 양이온을 포함하는 수용액(25)을 수용하는 용기(20)을 준비한 후에, 침출 공정이 수행된 글라스 기판(GS)을 상기 수용액(25)에 침지시킨다. 그 결과, 상기 침출 공정에 의해 상기 글라스 기판(GS)에 형성된 다수의 공극들(도 2b의 VC)에 제2 양이온(도 3의 C2)이 채워진다.

이 실시예에서는, 상기 제2 양이온은 마그네슘 양이온일 수 있다. 따라서, 상기 수용액(25)은 염화 마그네슘(magnesium chloride), 마그네슘 글루코네이트(magnesium　gluconate), 아세트산 마그네슘(magnesium acetate), 구연산 마그네슘(magnesium citrate), 브롬화 마그네슘(magnesium bromide), 및 황산 마그네슘(magnesium sulfate)과 같은 물질을 용매에 용해하여 제조될 수 있다.

도 1c에 도시된 공정을 도 3을 더 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 도 1c의 제2 부분을 확대한 도면이다.

도 3을 참조하면, 글라스 기판(GS)을 수용액(25)에 침지시키는 경우에, 침출 공정에 의해 글라스 기판(GS)에 형성된 다수의 공극들(VC)에 제2 양이온(C2)이 채워진다. 또한, 상기 다수의 공극들(VC)은 상기 글라스 기판(GS)의 상부면(S1)에 인접하여 주로 형성되고, 상기 제2 양이온(C2)은 상기 상부면(S1)에 인접하여 형성된 상기 다수의 공극들(VC)에 채워져 상기 상부면(S1)에 대해 표면 처리 공정이 수행될 수 있다. 따라서, 상기 표면 처리 공정을 수행하기 이전보다 상기 표면 처리 공정 수행한 이후에 상기 상부면(S1)에서 상기 제2 양이온(C2) 및 상기 제2 양이온(C2)을 포함하는 산화물의 농도가 증가된다.

이 실시예에서는, 상기 글라스 기판(GS)을 상기 수용액(25)에 침지시켜 상기 표면 처리 공정이 수행되나, 본 발명이 상기 표면 처리 공정의 방법에 한정되는 것은 아니다. 다른 실시예에 따른 상기 표면 처리 공정을 도 4a 및 도 4b를 참조하여 설명하면 다음과 같다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 글라스 기판의 표면 처리 공정의 방법을 나타내는 도면들이다.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 도 1b를 참조하여 설명된 글라스 기판(GS)에 대한 침출 공정을 수행한 이후에, 상기 글라스 기판(GS)의 상부면(S1) 위에 박막(FM)을 형성한다. 상기 박막(FM)은 제2 양이온(도 3의 C2)을 포함하고, 이 실시예에서는 상기 박막(FM)은 마그네슘을 포함하거나 마그네슘 산화물을 포함할 수 있다.

또한, 이 실시예에서는 상기 박막(FM)은 스퍼터링법 및 화학기상증착법과 같은 증착법을 이용하여 상기 글라스 기판(GS) 위에 형성될 수 있고, 상기 박막(FM)은 약 10 옹스트롬 내지 약 100옹스트롬으로 형성될 수 있다.

상기 글라스 기판(GS) 위에 상기 박막(FM)을 형성한 이후에, 상기 박막(FM)이 형성된 상기 글라스 기판(GS)을 가열한다. 그 결과, 상기 박막(FM)이 포함하는 상기 제2 양이온이 상기 상부면(S1)으로부터 제1 깊이(D1)까지 상기 글라스 기판(GS) 측으로 확산된다. 따라서, 상기 제2 양이온의 확산으로 상기 글라스 기판(GS)의 상기 상부면(S1)에 대해 표면 처리 공정이 수행될 수 있고, 그 결과 상기 표면 처리 공정에 의해 상기 상부면(S1)에 마그네슘 양이온 및 마그네슘 산화물의 농도가 증가될 수 있다.

그 이후에, 상기 글라스 기판(GS)으로부터 상기 박막(FM)을 분리하면, 상기 글라스 기판(GS)에 대해 상기 표면 처리 공정이 완료될 수 있다.

도 1d, 도 1e 및 도 3을 참조하면, 침출 공정 및 표면 처리 공정이 순차적으로 수행된 글라스 기판(GS) 위에 폴리아믹 산(polyamic acid)을 포함하는 소오스 용액(35)을 제공하여 예비 폴리이미드층(PI-1)이 형성된다. 이 실시예에서는 상기 소오스 용액(35)은 노즐(30)을 이용하여 상기 글라스 기판(GS) 위에 제공될 수 있다. 그 이후에, 상기 예비 폴리이미드 층(PI-1)에 열(HT)을 가하여 상기 예비 폴리이미드 층(PT-1)을 경화하고, 그 결과, 폴리이미드 기판(PI)이 형성된다.

한편, 앞서 상술한 바와 같이 제2 양이온(C2)이 마그네슘 양이온인 경우를 예를 들어 설명하면, 표면 처리 공정에 의해 상기 글라스 기판(GS)의 상부면(S1)에 상기 마그네슘 양이온의 농도가 증가된 상태에서 상기 글라스 기판(GS) 위에 상기 예비 폴리이미드 층(PI-1)이 형성되는 경우에, 상기 마그네슘 양이온 및 상기 폴리아믹 산 간에 산-염기 반응이 발생한다. 그 결과, 상기 산-염기 반응에 의해 염(salt, 50)이 생성되고, 상기 염(50)은 상기 상부면(S1) 위에 형성되어 상기 글라스 기판(GS) 및 상기 예비 폴리이미드층(PI-1) 사이에 개재된다.

한편, 상술한 바와 같이, 이 실시예에서는 상기 제2 양이온은 상기 폴라아믹 산과 산-염기 반응하는 경향이 클 수 있으나, 알루미늄 양이온, 바륨 양이온, 스트론튬 양이온, 칼슘 양이온, 철 양이온 및 보론 양이온과 같은 제1 양이온(C1)은 상기 폴리아믹 산과 산-염기 반응 보다는 공유 결합하는 경향이 클 수 있다. 이 경우에, 상기 상부면(S1) 상에 생성된 상기 염(50)은 상기 제1 양이온(C1) 및 상기 폴리아믹 산 간의 공유 결합을 방해할 수 있고, 이에 따라 상기 염(50)에 의해 상기 폴리아믹 산과 공유 결합되는 상기 제1 양이온(C1)의 개수가 감소될 수 있다. 상기 폴리이미드 기판(PI) 및 상기 글라스 기판(GS) 간에 결합력을 정의하면, 상기 결합력의 세기는 상기 폴리아믹 산과 공유 결합되는 상기 제1 양이온(C1)의 개수와 비례하므로, 상기 염(50)에 의해 상기 결합력이 감소될 수 있다.

도 1f를 참조하면, 글라스 기판(GS)으로부터 폴리이미드 기판(PI)를 분리하여 상기 폴리이미드 기판(PI)의 제조가 완성된다. 한편, 상기 글라스 기판(GS)으로부터 상기 폴리이미드 기판(PI)을 분리할 때, 염(50)에 의해 상기 글라스 기판(GS) 및 상기 폴리이미드 기판(PI) 간의 결합력이 감소되므로 상기 폴리이미드 기판(PI)은 상기 글라스 기판(GS)으로부터 용이하게 분리될 수 있다.

본 발명의 실시예와 달리, 상기 글라스 기판(GS)에 대해 앞서 상술한 침출 공정 및 표면 처리 공정이 수행되지 않는 경우에, 상기 폴리이미드 기판(PI)을 상기 글라스 기판(GS)으로부터 분리하기 위하여 약 78gf/inch 내지 120gf/inch의 힘이 필요할 수 있다. 하지만, 본 발명의 실시예에 따르면, 아래 표 1에 개시되는 바와 같이, 상기 폴리이미드 기판(PI)을 상기 글라스 기판(GS)으로부터 분리하는 데 필요한 힘이 감소될 수 있다.

폴리이미드 기판에서 박리되는 부분	박리 힘(peeling strength)
에지	13.62 gf/inch
에지	15.50 gf/inch
중앙	14.44 gf/inch
중앙	15.75 gf/inch
평균	14.83 gf/inch

상기 표 1에 개시되는 내용과 같이, 본 발명의 실시예에 따르면 박리 힘이 크게 감소되므로, 상기 폴리이미드 기판(PI)을 상기 글라스 기판(GS)으로부터 박리하기 위하여 레이저 조사 공정과 같은 별도의 공정을 수행할 필요가 없다.

한편, 도 1a 내지 도 1f를 참조하여 설명된 실시예에서는, 글라스 기판(GS)에 대해 침출 공정 및 표면 처리 공정을 순차적으로 수행하여 상기 글라스 기판(GS) 및 상기 폴리이미드 기판(PI) 간에 결합력이 감소될 수 있으나, 다른 실시예에서는 상기 표면 처리 공정이 생략될 수 있다. 상기 표면 처리 공정이 생략되는 경우에, 상기 폴리이미드 기판(PI) 및 상기 글라스 기판(GS) 사이에 상기 염(50)이 발생되지는 않으나, 상기 침출 공정에 의해 상기 폴리아믹 산과 공유 결합하는 상기 글라스 기판(GS)의 제1 양이온(도 3의 C1)의 개수가 감소되어 상기 결합력이 감소될 수 있다.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치의 제조 방법을 나타내는 도면들이다.

우선, 도 1a 내지 도 1e를 참조하여 설명된 방법에 따라, 글라스 기판(GS) 위에 폴리이미드 기판(PI)을 형성하고, 상기 글라스 기판(GS) 및 상기 폴리이미드 기판(PI) 사이에 염(50)이 형성된다.

도 5a를 참조하면, 폴리이미드 기판(PI) 위에 다수의 화소들을 형성하고, 상기 다수의 화소들을 커버하는 봉지막(60)을 형성한다. 이 실시예에서는, 상기 폴리이미드 기판(PI)은 제1 표시 영역(DA1), 제2 표시 영역(DA2) 및 제3 표시 영역(DA3)을 갖고, 이 경우에, 상기 제1 내지 제3 표시 영역들(DA1, DA2, DA3)에 일대일 대응하여 제1 화소들(PX1), 제2 화소들(PX2) 및 제3 화소들(PX3)이 형성될 수 있다.

이 실시예에서는, 상기 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3)은 유기전계발광 표시장치가 갖는 화소들을 포함할 수 있다. 하지만, 본 발명이 상기 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3)의 구조에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 다른 실시예에서는 상기 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3)은 액정표시장치용 어레이기판의 화소 전극들을 포함할 수 있다.

도 5b를 참조하면, 상기 제1 내지 제3 화소들(PX1, PX2, PX3)이 형성된 폴리이미드 기판(PI)을 글라스 기판(GS)으로부터 분리한다. 그 결과, 상기 폴리이미드 기판(PI)을 베이스 기판으로 갖는 표시장치(100)의 제조가 완성된다.

한편, 상기 글라스 기판(GS)으로부터 상기 폴리이미드 기판(PI)를 분리할 때, 앞서 상술한 바와 같이, 염(50)에 의해 상기 글라스 기판(GS) 및 상기 폴리이미드 기판(PI) 간의 결합력이 감소되므로 상기 폴리이미드 기판(PI)은 상기 기판(GS)으로부터 용이하게 분리될 수 있다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

GS: 글라스 기판 50: 염
PI: 폴리이미드 기판 25: 수용액
15: 산 용액 C0: 산화물들
C1: 제1 양이온들 VC: 공극들
C2: 제2 양이온들

Claims

글라스 기판에 산 용액을 제공하여 상기 글라스 기판이 포함하는 제1 양이온을 제거하는 단계;
상기 제1 양이온을 제거한 이후에, 상기 제1 양이온이 제거됨에 따라 상기 글라스 기판에 생성된 공극(vacancy)에 제2 양이온을 제공하는 단계;
상기 글라스 기판에 폴리아믹 산(polyamic acid)을 포함하는 소오스 용액을 제공하는 단계;
상기 폴리아믹 산을 경화하여 상기 글라스 기판 위에 폴리이미드(polyamide) 기판을 형성하는 단계; 및
상기 글라스 기판으로부터 상기 폴리이미드 기판을 분리하는 단계를 포함하는 폴리이미드 기판을 제조하는 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 산 용액은 상기 글라스 기판의 상부면에 제공되고, 상기 폴리아믹 산은 상기 상부면에 제공되어 상기 폴리이미드 기판은 상기 상부면 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 기판을 제조하는 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 폴리이미드 기판은 상기 글라스 기판에 제1 결합력으로 결합되고, 상기 제1 양이온이 제거됨에 따라 상기 제1 양이온 및 상기 소오스 용액이 포함하는 물질 간에 화학적 결합이 감소되어 상기 제1 결합력의 크기가 감소되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 기판을 제조하는 방법.
제 3 항에 있어서,
상기 제2 양이온이 상기 소오스 용액이 포함하는 물질과 화학적으로 결합하여 상기 폴리이미드 기판 및 상기 글라스 기판 사이에 염(salt)이 생성되고, 상기 염에 의해 상기 제1 결합력의 크기가 감소되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 기판을 제조하는 방법.
제 4 항에 있어서, 상기 제1 양이온은 알루미늄 양이온, 바륨 양이온, 스트론튬 양이온, 칼슘 양이온, 철 양이온, 및 보론 양이온 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 제2 양이온은 마그네슘 양이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 기판을 제조하는 방법.
제 4 항에 있어서, 상기 제2 양이온을 포함하는 수용액에 상기 글라스 기판을 침지시켜, 상기 공극에 상기 제2 양이온이 제공되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 기판을 제조하는 방법.
제 6 항에 있어서, 상기 글라스 기판은 상기 수용액에 10분 내지 60분 동안 침지되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 기판을 제조하는 방법.
제 4 항에 있어서, 상기 글라스 기판 위에 박막을 형성하고, 상기 박막으로부터 상기 글라스 기판 측으로 상기 제2 양이온이 확산하여 상기 공극에 상기 제2 양이온이 제공되는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 기판을 제조하는 방법.
제 2 항에 있어서,
상기 제1 양이온을 제거하기 이전에, 상기 글라스 기판에 대해 열처리를 수행하는 단계를 더 포함하고,
상기 열 처리에 의해 상기 제1 양이온이 상기 글라스 기판의 상기 상부면 측으로 이동하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 기판을 제조하는 방법.
제 1 항에 있어서, 상기 산 용액은 구연산(citric acid)을 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리이미드 기판을 제조하는 방법.
글라스 기판 위에 폴리이미드 기판을 형성하는 단계;
상기 폴리이미드 기판 위에 다수의 화소들을 형성하는 단계; 및
상기 글라스 기판으로부터 상기 다수의 화소들이 형성된 상기 폴리이미드 기판을 분리하는 단계를 포함하고,
상기 폴리이미드 기판을 형성하는 단계는,
글라스 기판에 산 용액을 제공하여 상기 글라스 기판이 포함하는 제1 양이온을 제거하는 단계;
상기 제1 양이온을 제거한 이후에, 상기 제1 양이온이 제거됨에 따라 상기 글라스 기판에 생성된 공극(vacancy)에 제2 양이온을 제공하는 단계;
상기 글라스 기판에 폴리아믹 산(polyamic acid)을 포함하는 소오스 용액을 제공하는 단계; 및
상기 폴리아믹 산을 경화하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조 방법.
제 11 항에 있어서, 상기 산 용액은 상기 글라스 기판의 상부면에 제공되고, 상기 폴리아믹 산은 상기 상부면에 제공되어 상기 폴리이미드 기판은 상기 상부면 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 11 항에 있어서, 상기 폴리이미드 기판은 상기 글라스 기판에 제1 결합력으로 결합되고, 상기 제1 양이온이 제거됨에 따라 상기 제1 양이온 및 상기 소오스 용액이 포함하는 물질 간에 화학적 결합이 감소되어 상기 제1 결합력의 크기가 감소되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 13 항에 있어서,
상기 제2 양이온이 상기 소오스 용액이 포함하는 물질과 화학적으로 결합하여 상기 폴리이미드 기판 및 상기 글라스 기판 사이에 염(salt)이 생성되고, 상기 염에 의해 상기 제1 결합력의 크기가 감소되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 14 항에 있어서, 상기 제1 양이온은 알루미늄 양이온, 바륨 양이온, 스트론튬 양이온, 칼슘 양이온, 철 양이온, 및 보론 양이온 중 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 제2 양이온은 마그네슘 양이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 14 항에 있어서, 상기 제2 양이온을 포함하는 수용액에 상기 글라스 기판을 침지시켜, 상기 공극에 상기 제2 양이온이 제공되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 16 항에 있어서, 상기 글라스 기판은 상기 수용액에 10분 내지 60분 동안 침지되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법,
제 14 항에 있어서, 상기 글라스 기판 위에 박막을 형성하고, 상기 박막으로부터 상기 글라스 기판 측으로 상기 제2 양이온이 확산하여 상기 공극에 상기 제2 양이온이 제공되는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 12 항에 있어서,
상기 제1 양이온을 제거하기 이전에, 상기 글라스 기판에 대해 열처리를 수행하는 단계를 더 포함하고,
상기 열 처리에 의해 상기 제1 양이온이 상기 글라스 기판의 상기 상부면 측으로 이동하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.
제 11 항에 있어서, 상기 산 용액은 구연산(citric acid)을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시장치의 제조 방법.