JP2983717B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JP2983717B2 JP2983717B2 JP3259218A JP25921891A JP2983717B2 JP 2983717 B2 JP2983717 B2 JP 2983717B2 JP 3259218 A JP3259218 A JP 3259218A JP 25921891 A JP25921891 A JP 25921891A JP 2983717 B2 JP2983717 B2 JP 2983717B2
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- layer
- photovoltaic device
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可撓性を有する光起電
力装置の製造方法に関する。
力装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、可撓性を有する光起電力装置とし
て、支持基板上に、可撓性、透光性且つ絶縁性を有する
第１樹脂層を形成し、この第１樹脂層上に順次、透明電
極、光活性層を含む薄膜半導体層、背面金属電極及び可
撓性且つ絶縁性を有する第２樹脂層を積層形成した後、
上記支持基板より第１樹脂層を剥離することによって光
起電力装置を製造する方法が特開平１−１０５５８１号
公報に開示されている。
て、支持基板上に、可撓性、透光性且つ絶縁性を有する
第１樹脂層を形成し、この第１樹脂層上に順次、透明電
極、光活性層を含む薄膜半導体層、背面金属電極及び可
撓性且つ絶縁性を有する第２樹脂層を積層形成した後、
上記支持基板より第１樹脂層を剥離することによって光
起電力装置を製造する方法が特開平１−１０５５８１号
公報に開示されている。
【０００３】その光起電力装置の第１樹脂層には、折り
曲げが可能で耐熱性に優れるポリイミド樹脂が用いられ
ており、また上記第１樹脂層が形成される支持基板とし
ては、光起電力装置の形成後、第１樹脂層を支持基板か
ら剥離し易くするために離型性の優れる硝子基板が用い
られている。
曲げが可能で耐熱性に優れるポリイミド樹脂が用いられ
ており、また上記第１樹脂層が形成される支持基板とし
ては、光起電力装置の形成後、第１樹脂層を支持基板か
ら剥離し易くするために離型性の優れる硝子基板が用い
られている。
【０００４】そして、その基板上に光起電力装置を形成
した後、支持基板毎、水中に浸漬させて、支持基板と第
１樹脂層との界面に水を浸入させることにより、光起電
力装置を支持基板から剥離せしめている。
した後、支持基板毎、水中に浸漬させて、支持基板と第
１樹脂層との界面に水を浸入させることにより、光起電
力装置を支持基板から剥離せしめている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、上述の硝子
基板から第１樹脂層を剥離せしめる際には、約３乃至７
日間連続して水中に浸漬させなければならず、その間に
透明電極、薄膜半導体層及び背面金属電極が腐食すると
いう問題が生じていた。
基板から第１樹脂層を剥離せしめる際には、約３乃至７
日間連続して水中に浸漬させなければならず、その間に
透明電極、薄膜半導体層及び背面金属電極が腐食すると
いう問題が生じていた。
【０００６】この原因は、第１樹脂層が形成される硝子
基板の表面に、その第１樹脂層中の分子と結合し易い錫
等の不純物が存在することにあると発明者は考察する。
基板の表面に、その第１樹脂層中の分子と結合し易い錫
等の不純物が存在することにあると発明者は考察する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の光起電力装置の
製造方法は、支持基板の一主面上に絶縁性且つ可撓性を
有する第１樹脂層、第１電極層、光活性層を含む薄膜半
導体層、第２電極層及び絶縁性且つ可撓性を有する第２
樹脂層を順次積層形成した後、上記第１樹脂層を上記支
持基板から剥離せしめる光起電力装置の製造方法におい
て、少なくとも上記支持基板の一主面に前記第１樹脂層
との結合力を低減させるための不純物除去処理を行うこ
とを特徴とする。
製造方法は、支持基板の一主面上に絶縁性且つ可撓性を
有する第１樹脂層、第１電極層、光活性層を含む薄膜半
導体層、第２電極層及び絶縁性且つ可撓性を有する第２
樹脂層を順次積層形成した後、上記第１樹脂層を上記支
持基板から剥離せしめる光起電力装置の製造方法におい
て、少なくとも上記支持基板の一主面に前記第１樹脂層
との結合力を低減させるための不純物除去処理を行うこ
とを特徴とする。
【０００８】
【作用】支持基板の一主面上に、第１樹脂層、透明電
極、光活性層を含む薄膜半導体層、背面金属電極及び第
２樹脂層を積層形成する前に、少なくとも上記支持基板
の一主面に前記第１樹脂層との結合力を低減させるため
の不純物除去処理を行い、第１樹脂層が形成される硝子
基板とその第１樹脂層との間の結合力（密着力）を低減
させる。
極、光活性層を含む薄膜半導体層、背面金属電極及び第
２樹脂層を積層形成する前に、少なくとも上記支持基板
の一主面に前記第１樹脂層との結合力を低減させるため
の不純物除去処理を行い、第１樹脂層が形成される硝子
基板とその第１樹脂層との間の結合力（密着力）を低減
させる。
【０００９】
【実施例】本発明の光起電力装置の製造方法を図１乃至
図３に示す。
図３に示す。
【００１０】図１において、硝子基板１を５乃至５０％
濃度のフッ酸（ＨＦ）に１乃至２０分程度浸漬させ、硝
子基板１の約１乃至２０μｍの深さまでの表面２に存在
する不純物、例えば錫等を除去する。この結果、硝子基
板１の表面２に存在する不純物である錫の存在比は、除
去前２乃至３ａｔｍ．％であったのが、０．１ａｔｍ．
％以下に低減される。
濃度のフッ酸（ＨＦ）に１乃至２０分程度浸漬させ、硝
子基板１の約１乃至２０μｍの深さまでの表面２に存在
する不純物、例えば錫等を除去する。この結果、硝子基
板１の表面２に存在する不純物である錫の存在比は、除
去前２乃至３ａｔｍ．％であったのが、０．１ａｔｍ．
％以下に低減される。
【００１１】この処理後、図２に示すように、後に形成
する第１樹脂層４が硝子基板１から簡単に剥離されない
ように、硝子基板１の一主面上に、この硝子基板１の周
辺部から１乃至５ｍｍの個所に上記硝子基板１の全周に
沿って、０．１乃至３ｍｍのライン幅のＡｇペースト等
からなる金属ペースト３を印刷し、３００乃至６００℃
で焼成する。
する第１樹脂層４が硝子基板１から簡単に剥離されない
ように、硝子基板１の一主面上に、この硝子基板１の周
辺部から１乃至５ｍｍの個所に上記硝子基板１の全周に
沿って、０．１乃至３ｍｍのライン幅のＡｇペースト等
からなる金属ペースト３を印刷し、３００乃至６００℃
で焼成する。
【００１２】この後、図３（ａ）に示すように、透光
性、絶縁性且つ可撓性のポリイミドのワニスである第１
樹脂層４をスピンコータ等で硝子基板１上に均一に、厚
さ５乃至１００μｍで形成し、１００乃至３００℃まで
段階的に昇温しながら処理する。
性、絶縁性且つ可撓性のポリイミドのワニスである第１
樹脂層４をスピンコータ等で硝子基板１上に均一に、厚
さ５乃至１００μｍで形成し、１００乃至３００℃まで
段階的に昇温しながら処理する。
【００１３】その後、第１樹脂層４上に、酸化錫（Ｓｎ
Ｏ2）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等からなる透明電
極５、ｐ型、ｉ型及びｎ型又はｐｎ接合等の光活性層を
含む厚さ３０００乃至７０００Åのアモルファスシリコ
ン、アモルファスシリコンカーバイト、アモルファスシ
リコンゲルマニウム等のアモルファスシリコン系の薄膜
半導体層６及びアルミニウム又はアルミニウムとチタン
との２重構造からなる厚さ４０００Å乃至２μｍの背面
金属電極７を順次形成する。
Ｏ2）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等からなる透明電
極５、ｐ型、ｉ型及びｎ型又はｐｎ接合等の光活性層を
含む厚さ３０００乃至７０００Åのアモルファスシリコ
ン、アモルファスシリコンカーバイト、アモルファスシ
リコンゲルマニウム等のアモルファスシリコン系の薄膜
半導体層６及びアルミニウム又はアルミニウムとチタン
との２重構造からなる厚さ４０００Å乃至２μｍの背面
金属電極７を順次形成する。
【００１４】次に、背面金属電極７を保護すべく、この
上面に厚さ２０μｍ乃至１ｍｍのＥＶＡ、ＰＥＴ等から
なる熱可塑性樹脂シートである第２樹脂層８を図３
（ｂ）のように形成する。
上面に厚さ２０μｍ乃至１ｍｍのＥＶＡ、ＰＥＴ等から
なる熱可塑性樹脂シートである第２樹脂層８を図３
（ｂ）のように形成する。
【００１５】最後に、光起電力装置を硝子基板１から剥
離すべく、図３（ｃ）に示すように金属ペースト３の内
側を島状に切断し、水中に硝子基板１ごと浸漬すること
により、約１乃至３０時間で硝子基板１から第１樹脂層
４を剥離せしめることができる。
離すべく、図３（ｃ）に示すように金属ペースト３の内
側を島状に切断し、水中に硝子基板１ごと浸漬すること
により、約１乃至３０時間で硝子基板１から第１樹脂層
４を剥離せしめることができる。
【００１６】このように、第１樹脂層４を形成する前
に、少なくとも第１樹脂層４が形成される硝子基板１表
面に、第１樹脂層４との結合力を低減させるための不純
物除去処理を行うことによって、第１樹脂層４と硝子基
板１との結合力（密着力）を低減させることができる結
果、剥離のための水中への浸漬時間は短時間となり、透
明電極５、薄膜半導体層６及び背面金属電極７に腐食を
与えることは全くなくなる。
に、少なくとも第１樹脂層４が形成される硝子基板１表
面に、第１樹脂層４との結合力を低減させるための不純
物除去処理を行うことによって、第１樹脂層４と硝子基
板１との結合力（密着力）を低減させることができる結
果、剥離のための水中への浸漬時間は短時間となり、透
明電極５、薄膜半導体層６及び背面金属電極７に腐食を
与えることは全くなくなる。
【００１７】なお、本実施例では、硝子基板１側から透
明電極５、薄膜半導体層６及び背面金属電極７を順に形
成したが、これには限らない。
明電極５、薄膜半導体層６及び背面金属電極７を順に形
成したが、これには限らない。
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、少なくとも支持基板の
一主面に前記第１樹脂層との結合力を低減させるための
不純物除去処理を行った後、透光性、絶縁性且つ可撓性
を有する第１樹脂層、第１電極層、光活性層を含む薄膜
半導体層、第２電極層及び絶縁性且つ可撓性を有する第
２樹脂層を順次積層形成することにより、上記支持基板
から第１樹脂層を水中で剥離せしめる際に極めて短時間
のうちに、その作業を行うことができる結果、第１電極
層、光活性層を含む薄膜半導体層、第２電極層に腐食を
与えることが全くなくなる。
一主面に前記第１樹脂層との結合力を低減させるための
不純物除去処理を行った後、透光性、絶縁性且つ可撓性
を有する第１樹脂層、第１電極層、光活性層を含む薄膜
半導体層、第２電極層及び絶縁性且つ可撓性を有する第
２樹脂層を順次積層形成することにより、上記支持基板
から第１樹脂層を水中で剥離せしめる際に極めて短時間
のうちに、その作業を行うことができる結果、第１電極
層、光活性層を含む薄膜半導体層、第２電極層に腐食を
与えることが全くなくなる。
【図１】本発明の不純物処理した支持基板の断面図
【図２】本発明に係わる金属ペーストを印刷した後の支
持基板の上面図並びに断面図
持基板の上面図並びに断面図
【図３】本発明に係わる光起電力装置の製造を工程順に
示す断面図
示す断面図
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中川 誠 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 岸 靖雄 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−105581（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−177572（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−261761（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−19375（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (2)
- 【請求項１】 支持基板の一主面上に絶縁性且つ可撓性
を有する第１樹脂層、第１電極層、光活性層を含む薄膜
半導体層、第２電極層及び絶縁性且つ可撓性を有する第
２樹脂層を順次積層形成した後、上記第１樹脂層を上記
支持基板から剥離せしめる光起電力装置の製造方法にお
いて、少なくとも上記支持基板の一主面に前記第１樹脂
層との結合力を低減させるための不純物除去処理を行う
ことを特徴とする光起電力装置の製造方法。 - 【請求項２】 ガラスからなる上記支持基板の一主面に
フッ酸によって不純物除去処理を行うことを特徴とする
請求項１記載の光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3259218A JP2983717B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3259218A JP2983717B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102500A JPH05102500A (ja) | 1993-04-23 |
| JP2983717B2 true JP2983717B2 (ja) | 1999-11-29 |
Family
ID=17331045
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3259218A Expired - Fee Related JP2983717B2 (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2983717B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4739772B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2011-08-03 | シチズンホールディングス株式会社 | 光電変換装置の製造方法 |
| JP2014022459A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 積層体及びフレキシブルデバイスの製造方法 |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP3259218A patent/JP2983717B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05102500A (ja) | 1993-04-23 |
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Legal Events
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