JP2002280579A - 集積化薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
集積化薄膜太陽電池の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 縁研磨に伴うセル面の損傷、セル性能の低
下、ひいては歩留りの低下を防止できる集積化薄膜太陽
電池の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板（１）上に形成された透明電
極層（２）をスクライブして分離する工程と、透明電極
層（２）上に光電変換半導体層（４，５）を成膜した
後、光電変換半導体層をスクライブして接続用溝を形成
する工程と、光電変換半導体層（４，５）上に裏面電極
層（７）を成膜した後、裏面電極層および光電変換半導
体層をスクライブして分離する工程とを有する集積化薄
膜太陽電池の製造方法において、光電変換半導体層
（４，５）を成膜する前に、ガラス基板（１）の周縁部
に形成されている透明電極層（２）を除去する。
下、ひいては歩留りの低下を防止できる集積化薄膜太陽
電池の製造方法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板（１）上に形成された透明電
極層（２）をスクライブして分離する工程と、透明電極
層（２）上に光電変換半導体層（４，５）を成膜した
後、光電変換半導体層をスクライブして接続用溝を形成
する工程と、光電変換半導体層（４，５）上に裏面電極
層（７）を成膜した後、裏面電極層および光電変換半導
体層をスクライブして分離する工程とを有する集積化薄
膜太陽電池の製造方法において、光電変換半導体層
（４，５）を成膜する前に、ガラス基板（１）の周縁部
に形成されている透明電極層（２）を除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は集積化薄膜太陽電池
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】スーパーストレート構造の集積化薄膜太
陽電池は、ガラス基板の裏面に積層された透明電極層、
光電変換半導体層および裏面電極層からなるストリング
状の複数段の太陽電池セルを直列に接続した構造を有す
る。また、光電変換半導体層に用いられるシリコンの保
護などを目的として、太陽電池セルの裏面は架橋剤を含
むエチレン−酢酸ビニル共重合体（以下、ＥＶＡと記
す）などを主成分とする封止樹脂とテドラーなどを用い
た保護シートで封止している。
陽電池は、ガラス基板の裏面に積層された透明電極層、
光電変換半導体層および裏面電極層からなるストリング
状の複数段の太陽電池セルを直列に接続した構造を有す
る。また、光電変換半導体層に用いられるシリコンの保
護などを目的として、太陽電池セルの裏面は架橋剤を含
むエチレン−酢酸ビニル共重合体（以下、ＥＶＡと記
す）などを主成分とする封止樹脂とテドラーなどを用い
た保護シートで封止している。
【０００３】こうした集積化薄膜太陽電池のコストを低
減するためには、窓ガラス用として大量に生産されてい
る安価なフロート板ガラスを使用する必要がある。フロ
ート板ガラスを使用した場合でも、フロートガラス引き
とはオフラインで特にマスクを利用して透明導電膜（Ｔ
ＣＯ）からなる透明電極層を形成すると、コスト増が避
けられない。現実的な選択として、フロートガラス引き
とオンラインでマスクを使用せずにＴＣＯを成膜する必
要がある。この場合、ガラス基板の一方の面には全面に
ＴＣＯが付いている。
減するためには、窓ガラス用として大量に生産されてい
る安価なフロート板ガラスを使用する必要がある。フロ
ート板ガラスを使用した場合でも、フロートガラス引き
とはオフラインで特にマスクを利用して透明導電膜（Ｔ
ＣＯ）からなる透明電極層を形成すると、コスト増が避
けられない。現実的な選択として、フロートガラス引き
とオンラインでマスクを使用せずにＴＣＯを成膜する必
要がある。この場合、ガラス基板の一方の面には全面に
ＴＣＯが付いている。
【０００４】このように一面全面にＴＣＯが形成された
ガラス基板を用いて太陽電池モジュールを作製した場
合、最終的にはモジュールの側面に裏面電極層、光電変
換半導体層および透明電極層が存在するためモジュール
の耐絶縁性が損なわれる。このため、太陽電池モジュー
ルの長期信頼性を向上する観点から、ガラス基板の周縁
部を研磨する、いわゆる縁研磨が行われている。
ガラス基板を用いて太陽電池モジュールを作製した場
合、最終的にはモジュールの側面に裏面電極層、光電変
換半導体層および透明電極層が存在するためモジュール
の耐絶縁性が損なわれる。このため、太陽電池モジュー
ルの長期信頼性を向上する観点から、ガラス基板の周縁
部を研磨する、いわゆる縁研磨が行われている。
【０００５】従来、例えば特開平２０００−１５０９４
４号公報に示されているように、ガラス基板上の透明電
極層をスクライブして分離し、透明電極層上に光電変換
半導体層を成膜し、光電変換半導体層をスクライブして
接続用溝を形成し、光電変換半導体層上に裏面電極層を
成膜し、裏面電極層および光電変換半導体層をスクライ
ブして分離した後に、ガラス基板の周縁部に形成されて
いる裏面電極層、光電変換半導体層および透明電極層
を、例えばブラスト処理により一度に除去（縁研磨）す
る方法が用いられていた。
４号公報に示されているように、ガラス基板上の透明電
極層をスクライブして分離し、透明電極層上に光電変換
半導体層を成膜し、光電変換半導体層をスクライブして
接続用溝を形成し、光電変換半導体層上に裏面電極層を
成膜し、裏面電極層および光電変換半導体層をスクライ
ブして分離した後に、ガラス基板の周縁部に形成されて
いる裏面電極層、光電変換半導体層および透明電極層
を、例えばブラスト処理により一度に除去（縁研磨）す
る方法が用いられていた。
【０００６】ところで、ＴＣＯとしては一般的に水素プ
ラズマ耐性の高いＦドープＳｎＯ2が用いられる。この
ＦドープＳｎＯ2は非常に硬く、またエッチングが困難
である（還元剤として金属粉を要し、塩酸を使用する）
という問題がある。このため、ブラスト処理による研磨
速度を１５ｃｍ／ｓｅｃ以下に設定して厳しい条件でＴ
ＣＯを確実に除去するようにしている。
ラズマ耐性の高いＦドープＳｎＯ2が用いられる。この
ＦドープＳｎＯ2は非常に硬く、またエッチングが困難
である（還元剤として金属粉を要し、塩酸を使用する）
という問題がある。このため、ブラスト処理による研磨
速度を１５ｃｍ／ｓｅｃ以下に設定して厳しい条件でＴ
ＣＯを確実に除去するようにしている。
【０００７】しかし、このような厳しい条件でブラスト
処理を行うと、太陽電池セルのセル面から３ｍｍ以上離
した位置でブラスト処理を行っているにもかかわらずセ
ル面に損傷が生じてセル性能の低下を招き、歩留りが低
下するという問題が生じていた。
処理を行うと、太陽電池セルのセル面から３ｍｍ以上離
した位置でブラスト処理を行っているにもかかわらずセ
ル面に損傷が生じてセル性能の低下を招き、歩留りが低
下するという問題が生じていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、縁研
磨に伴うセル面の損傷、セル性能の低下、ひいては歩留
りの低下を防止できる集積化薄膜太陽電池の製造方法を
提供することにある。
磨に伴うセル面の損傷、セル性能の低下、ひいては歩留
りの低下を防止できる集積化薄膜太陽電池の製造方法を
提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の集積化薄膜太陽
電池の製造方法は、透明絶縁基板上に形成された透明電
極層をスクライブして分離する工程と、前記透明電極層
上に光電変換半導体層を成膜した後、光電変換半導体層
をスクライブして接続用溝を形成する工程と、前記光電
変換半導体層上に裏面電極層を成膜した後、裏面電極層
および光電変換半導体層をスクライブして分離する工程
とを有する集積化薄膜太陽電池の製造方法において、前
記光電変換半導体層を成膜する前に、前記透明絶縁基板
の周縁部に形成されている透明電極層を除去することを
特徴とする。
電池の製造方法は、透明絶縁基板上に形成された透明電
極層をスクライブして分離する工程と、前記透明電極層
上に光電変換半導体層を成膜した後、光電変換半導体層
をスクライブして接続用溝を形成する工程と、前記光電
変換半導体層上に裏面電極層を成膜した後、裏面電極層
および光電変換半導体層をスクライブして分離する工程
とを有する集積化薄膜太陽電池の製造方法において、前
記光電変換半導体層を成膜する前に、前記透明絶縁基板
の周縁部に形成されている透明電極層を除去することを
特徴とする。
【００１０】基板周縁部の透明電極層の除去はブラスト
処理によって行うことが好ましい。また、基板周縁部の
透明電極層のブラスト処理を行う前に、透明電極層のス
クライブを行うことが好ましい。
処理によって行うことが好ましい。また、基板周縁部の
透明電極層のブラスト処理を行う前に、透明電極層のス
クライブを行うことが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】上記のように本発明の方法では、
最初に透明絶縁基板の周縁部に形成されている透明電極
層を除去（縁研磨）しておき、その後に光電変換半導体
層の成膜・加工、裏面電極層の成膜・加工を行う。この
ため、これらの工程の後に再び縁研磨を行う際には透明
電極層が残っていないので、従来透明電極層を含んで一
括で行っていた縁研磨よりも、条件の緩やかな方法を用
いることができる。したがって、再度の縁研磨の際に、
太陽電池セルのセル面の損傷が低減され、セル性能の低
下を防止でき、従来よりも歩留りを向上できる。
最初に透明絶縁基板の周縁部に形成されている透明電極
層を除去（縁研磨）しておき、その後に光電変換半導体
層の成膜・加工、裏面電極層の成膜・加工を行う。この
ため、これらの工程の後に再び縁研磨を行う際には透明
電極層が残っていないので、従来透明電極層を含んで一
括で行っていた縁研磨よりも、条件の緩やかな方法を用
いることができる。したがって、再度の縁研磨の際に、
太陽電池セルのセル面の損傷が低減され、セル性能の低
下を防止でき、従来よりも歩留りを向上できる。
【００１２】本発明においては、透明絶縁基板上に形成
された透明電極層のスクライブを行った後に、基板周縁
部の透明電極層のブラスト処理を行うことが好ましい。
これは、ブラスト処理→スクライブの順序で加工する
と、縁研磨残滓によってスクライブが阻害されるのでそ
れぞれの処理の後に合計２度の洗浄が必要になり、また
スクライブ時にレーザー光が縁研磨された領域からＴＣ
Ｏが存在する領域へ移る境界でスクライブが確実に行わ
れない部分が生じるためである。スクライブ→ブラスト
処理の順序で加工すると、どの領域でもスクライブを確
実に行うことができ、洗浄はブラスト処理後に１度だけ
行えばよい。
された透明電極層のスクライブを行った後に、基板周縁
部の透明電極層のブラスト処理を行うことが好ましい。
これは、ブラスト処理→スクライブの順序で加工する
と、縁研磨残滓によってスクライブが阻害されるのでそ
れぞれの処理の後に合計２度の洗浄が必要になり、また
スクライブ時にレーザー光が縁研磨された領域からＴＣ
Ｏが存在する領域へ移る境界でスクライブが確実に行わ
れない部分が生じるためである。スクライブ→ブラスト
処理の順序で加工すると、どの領域でもスクライブを確
実に行うことができ、洗浄はブラスト処理後に１度だけ
行えばよい。
【００１３】なお、大面積の透明絶縁基板上に集積化セ
ルを作製した後、各種モジュールに適応したサイズに分
割する場合には、透明絶縁基板の周縁部に加えて中央部
の分割領域に対してもブラスト処理を行う。
ルを作製した後、各種モジュールに適応したサイズに分
割する場合には、透明絶縁基板の周縁部に加えて中央部
の分割領域に対してもブラスト処理を行う。
【００１４】上述したように、透明電極層のスクライ
ブ、透明電極層の縁研磨および洗浄を行った後、ＣＶＤ
による光電変換半導体層の成膜が行われるが、洗浄とＣ
ＶＤ成膜との間に加熱処理を行ってもよい。この加熱処
理の温度は、８０℃〜５００℃、好ましくは２００〜４
００℃、さらに好ましくは３００〜３５０℃に設定され
る。８０℃以上であれば水分を高速に除去することがで
きる。２００℃以上であればＣＶＤにおいて不純物が発
生しにくくなる。１５０℃以上であればブラスト処理お
よびレーザースクライブによって生じたマイクロクラッ
クを減少してガラス強度を高めることができ、特に３０
０℃以上でこの効果が顕著になる。しかし、３５０℃を
超えると装置コストが増大し、ガラス熱歪みが発生する
ようになる。また、４００℃を超えると歪みが増大し、
５００℃を超えると歪みが顕著になる。
ブ、透明電極層の縁研磨および洗浄を行った後、ＣＶＤ
による光電変換半導体層の成膜が行われるが、洗浄とＣ
ＶＤ成膜との間に加熱処理を行ってもよい。この加熱処
理の温度は、８０℃〜５００℃、好ましくは２００〜４
００℃、さらに好ましくは３００〜３５０℃に設定され
る。８０℃以上であれば水分を高速に除去することがで
きる。２００℃以上であればＣＶＤにおいて不純物が発
生しにくくなる。１５０℃以上であればブラスト処理お
よびレーザースクライブによって生じたマイクロクラッ
クを減少してガラス強度を高めることができ、特に３０
０℃以上でこの効果が顕著になる。しかし、３５０℃を
超えると装置コストが増大し、ガラス熱歪みが発生する
ようになる。また、４００℃を超えると歪みが増大し、
５００℃を超えると歪みが顕著になる。
【００１５】光電変換半導体層の構造は特に限定され
ず、例えばｐｉｎ型アモルファスシリコン層でもよい
し、ｐｉｎ型アモルファスシリコン層とｐｉｎ型ポリシ
リコン層とからなるハイブリッド型でもよい。
ず、例えばｐｉｎ型アモルファスシリコン層でもよい
し、ｐｉｎ型アモルファスシリコン層とｐｉｎ型ポリシ
リコン層とからなるハイブリッド型でもよい。
【００１６】上述したように、光電変換半導体層の成膜
・加工、裏面電極層の成膜・加工を行った後には再び縁
研磨が行われる。この際、少なくとも基板周縁部の裏面
電極層を除去すれば、太陽電池モジュールの絶縁性を確
保することができる。また、基板周縁部の裏面電極層お
よび光電変換半導体層を除去して基板面を露出させれ
ば、裏面の封止に用いられるＥＶＡが良好に付着するよ
うになるので、信頼性を向上できる。
・加工、裏面電極層の成膜・加工を行った後には再び縁
研磨が行われる。この際、少なくとも基板周縁部の裏面
電極層を除去すれば、太陽電池モジュールの絶縁性を確
保することができる。また、基板周縁部の裏面電極層お
よび光電変換半導体層を除去して基板面を露出させれ
ば、裏面の封止に用いられるＥＶＡが良好に付着するよ
うになるので、信頼性を向上できる。
【００１７】上述したように、再度の縁研磨は、透明電
極層よりも除去しやすい裏面電極層および光電変換半導
体層に対するものなので、条件の緩やかな方法により行
うことができる。例えば、研磨速度を３０ｃｍ／ｓｅｃ
以上に設定した弱いブラスト処理を用いることができ
る。また、平面回転歯を有する研磨機（ホイール）を用
いてもよい。さらに、レーザー加工を用いてもよい。こ
れらの方法を用いれば、再度の縁研磨の際に、太陽電池
セルのセル面の損傷が低減され、セル性能の低下を防止
でき、従来よりも歩留りを向上できる。
極層よりも除去しやすい裏面電極層および光電変換半導
体層に対するものなので、条件の緩やかな方法により行
うことができる。例えば、研磨速度を３０ｃｍ／ｓｅｃ
以上に設定した弱いブラスト処理を用いることができ
る。また、平面回転歯を有する研磨機（ホイール）を用
いてもよい。さらに、レーザー加工を用いてもよい。こ
れらの方法を用いれば、再度の縁研磨の際に、太陽電池
セルのセル面の損傷が低減され、セル性能の低下を防止
でき、従来よりも歩留りを向上できる。
【００１８】
【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。 実施例 図１（Ａ）〜（Ｅ）を参照して本実施例に係るハイブリ
ッド型の集積化薄膜太陽電池の製造方法を説明する。図
１（Ａ）〜（Ｅ）はガラス基板の周縁部を示す断面図で
ある。本実施例では、９１０ｍｍ×９１０ｍｍのガラス
基板を用いて太陽電池セルを形成し、最終的に２分割し
て９１０ｍｍ×４５５ｍｍの２枚の太陽電池モジュール
を製造する。
説明する。 実施例 図１（Ａ）〜（Ｅ）を参照して本実施例に係るハイブリ
ッド型の集積化薄膜太陽電池の製造方法を説明する。図
１（Ａ）〜（Ｅ）はガラス基板の周縁部を示す断面図で
ある。本実施例では、９１０ｍｍ×９１０ｍｍのガラス
基板を用いて太陽電池セルを形成し、最終的に２分割し
て９１０ｍｍ×４５５ｍｍの２枚の太陽電池モジュール
を製造する。
【００１９】図１（Ａ）に示すように、９１０ｍｍ×９
１０ｍｍ、厚み４ｍｍのガラス基板１上に厚さ約０．８
μｍのＳｎＯ2からなる透明電極層２が形成されてお
り、この透明電極層２にスクライブライン３を設けるこ
とにより単位セルごとに分離した。図示しないが、ガラ
ス基板１の光入射面には反射防止膜（ＡＲコート）が施
されている。透明電極層２のレーザースクライブ工程
は、レーザースクライバーのＸ−Ｙテーブル上に透明電
極層２を上向きにしてガラス基板１を載置し、上方から
レーザー光を照射することによって行った。このとき、
ＹＡＧレーザーの基本波を用い、加工点出力を１３Ｗに
設定して、線幅約８０μｍのスクライブライン３を形成
した。
１０ｍｍ、厚み４ｍｍのガラス基板１上に厚さ約０．８
μｍのＳｎＯ2からなる透明電極層２が形成されてお
り、この透明電極層２にスクライブライン３を設けるこ
とにより単位セルごとに分離した。図示しないが、ガラ
ス基板１の光入射面には反射防止膜（ＡＲコート）が施
されている。透明電極層２のレーザースクライブ工程
は、レーザースクライバーのＸ−Ｙテーブル上に透明電
極層２を上向きにしてガラス基板１を載置し、上方から
レーザー光を照射することによって行った。このとき、
ＹＡＧレーザーの基本波を用い、加工点出力を１３Ｗに
設定して、線幅約８０μｍのスクライブライン３を形成
した。
【００２０】図１（Ｂ）に示すように、ガラス基板１の
周縁部１１に形成されている透明電極層２を周囲から約
５ｍｍの幅でブラスト処理して除去した。図２にこの工
程に対応する平面図を示す。本実施例においては、最終
的にガラス基板１を２分割するので、図２に示すように
周縁部１１に加えて中央部１２の透明電極層２もブラス
ト処理により除去した。このとき、ブラスト処理による
研磨速度は１５ｃｍ／ｓｅｃに設定した。
周縁部１１に形成されている透明電極層２を周囲から約
５ｍｍの幅でブラスト処理して除去した。図２にこの工
程に対応する平面図を示す。本実施例においては、最終
的にガラス基板１を２分割するので、図２に示すように
周縁部１１に加えて中央部１２の透明電極層２もブラス
ト処理により除去した。このとき、ブラスト処理による
研磨速度は１５ｃｍ／ｓｅｃに設定した。
【００２１】図１（Ｃ）に示すように、透明電極層２上
に、厚さ約０．２５μｍのｐｉｎ型アモルファスシリコ
ン層４および厚さ約２μｍのｐｉｎ型ポリシリコン層５
を成膜した。その後、アモルファスシリコン層４および
ポリシリコン層５に接続溝となるスクライブライン６を
設けた。半導体層（ポリシリコン層５とアモルファスシ
リコン層４）のレーザースクライブ工程は、レーザース
クライバーのＸ−Ｙテーブル上に膜面を下向きにしてガ
ラス基板１を載置し、上方からガラス基板１を通してレ
ーザー光を照射することによって行った。このとき、Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波を用い、出力０．５５Ｗ、１
０ｋＨｚ、加工速度４００ｍｍ／ｓに設定して、線幅約
８０μｍのスクライブライン６を形成した。
に、厚さ約０．２５μｍのｐｉｎ型アモルファスシリコ
ン層４および厚さ約２μｍのｐｉｎ型ポリシリコン層５
を成膜した。その後、アモルファスシリコン層４および
ポリシリコン層５に接続溝となるスクライブライン６を
設けた。半導体層（ポリシリコン層５とアモルファスシ
リコン層４）のレーザースクライブ工程は、レーザース
クライバーのＸ−Ｙテーブル上に膜面を下向きにしてガ
ラス基板１を載置し、上方からガラス基板１を通してレ
ーザー光を照射することによって行った。このとき、Ｙ
ＡＧレーザーの第二高調波を用い、出力０．５５Ｗ、１
０ｋＨｚ、加工速度４００ｍｍ／ｓに設定して、線幅約
８０μｍのスクライブライン６を形成した。
【００２２】図１（Ｄ）に示すように、半導体層上に、
厚さ約０．１μｍのＺｎＯと厚さ約０．３μｍのＡｇと
の積層膜からなる裏面電極層７を成膜した。その後、裏
面電極層７および半導体層（ポリシリコン層５、アモル
ファスシリコン層４）にスクライブライン８を設けて単
位セルごとに分離した。このレーザースクライブ工程
は、レーザースクライバーのＸ−Ｙテーブル上に膜面を
下向きにしてガラス基板１を載置し、上方からガラス基
板１を通してレーザー光を照射することによって行っ
た。このとき、ＹＡＧレーザーの第二高調波を用い、出
力０．４０Ｗ、６ｋＨｚ、加工速度４００ｍｍ／ｓに設
定して、線幅約１００μｍのスクライブライン８を形成
した。
厚さ約０．１μｍのＺｎＯと厚さ約０．３μｍのＡｇと
の積層膜からなる裏面電極層７を成膜した。その後、裏
面電極層７および半導体層（ポリシリコン層５、アモル
ファスシリコン層４）にスクライブライン８を設けて単
位セルごとに分離した。このレーザースクライブ工程
は、レーザースクライバーのＸ−Ｙテーブル上に膜面を
下向きにしてガラス基板１を載置し、上方からガラス基
板１を通してレーザー光を照射することによって行っ
た。このとき、ＹＡＧレーザーの第二高調波を用い、出
力０．４０Ｗ、６ｋＨｚ、加工速度４００ｍｍ／ｓに設
定して、線幅約１００μｍのスクライブライン８を形成
した。
【００２３】図１（Ｅ）に示すように、ガラス基板１の
周縁部１１に形成されている裏面電極層７および半導体
層（ポリシリコン層５、アモルファスシリコン層４）を
周囲から約５ｍｍの幅でブラスト処理して除去した。こ
のとき、ブラスト処理による研磨速度は３０ｃｍ／ｓｅ
ｃに設定した。
周縁部１１に形成されている裏面電極層７および半導体
層（ポリシリコン層５、アモルファスシリコン層４）を
周囲から約５ｍｍの幅でブラスト処理して除去した。こ
のとき、ブラスト処理による研磨速度は３０ｃｍ／ｓｅ
ｃに設定した。
【００２４】得られた太陽電池モジュールを２分割して
９１０ｍｍ×４５５ｍｍの２枚の太陽電池モジュールを
製造した。
９１０ｍｍ×４５５ｍｍの２枚の太陽電池モジュールを
製造した。
【００２５】比較例 上記実施例に対して以下のように工程を変更した。すな
わち、図１（Ｂ）に対応する工程においてガラス基板１
の周縁部１１に形成されている透明電極層２のブラスト
処理を行わず、図１（Ｅ）に対応する工程でガラス基板
１の周縁部１１に形成されている裏面電極層７、半導体
層（ポリシリコン層５、アモルファスシリコン層４）お
よび透明電極層２を一括してブラスト処理により除去し
た。このとき、ブラスト処理による研磨速度は１５ｃｍ
／ｓｅｃに設定した。
わち、図１（Ｂ）に対応する工程においてガラス基板１
の周縁部１１に形成されている透明電極層２のブラスト
処理を行わず、図１（Ｅ）に対応する工程でガラス基板
１の周縁部１１に形成されている裏面電極層７、半導体
層（ポリシリコン層５、アモルファスシリコン層４）お
よび透明電極層２を一括してブラスト処理により除去し
た。このとき、ブラスト処理による研磨速度は１５ｃｍ
／ｓｅｃに設定した。
【００２６】上記の変更点以外は実施例と同様にして９
１０ｍｍ×４５５ｍｍの２枚の太陽電池モジュールを製
造した。
１０ｍｍ×４５５ｍｍの２枚の太陽電池モジュールを製
造した。
【００２７】以上の実施例および比較例の方法により製
造された太陽電池モジュールについて、開放端電圧（Ｖ
OC）、フィルファクター（ＦＦ）および変換効率（ｅｆ
ｆｉ）を評価した結果を表１に示す。
造された太陽電池モジュールについて、開放端電圧（Ｖ
OC）、フィルファクター（ＦＦ）および変換効率（ｅｆ
ｆｉ）を評価した結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
【００２９】表１から明らかなように、実施例の方法を
用いれば、比較例の方法よりも特性の良好な太陽電池モ
ジュールが得られることがわかる。また、実施例の方法
を用いた場合、比較例よりも収率が向上した。
用いれば、比較例の方法よりも特性の良好な太陽電池モ
ジュールが得られることがわかる。また、実施例の方法
を用いた場合、比較例よりも収率が向上した。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、縁
研磨に伴うセル面の損傷、セル性能の低下、ひいては歩
留りの低下を防止できる集積化薄膜太陽電池の製造方法
を提供できる。
研磨に伴うセル面の損傷、セル性能の低下、ひいては歩
留りの低下を防止できる集積化薄膜太陽電池の製造方法
を提供できる。
【図１】本発明の実施例におけるハイブリッド型の集積
化薄膜太陽電池の製造方法を示す断面図。
化薄膜太陽電池の製造方法を示す断面図。
【図２】図１（Ｂ）に対応する平面図。
１…ガラス基板 ２…透明電極層 ３…スクライブライン ４…アモルファスシリコン層 ５…ポリシリコン層 ６…スクライブライン ７…裏面電極層 ８…スクライブライン １１…周縁部 １２…中央部
Claims (3)
- 【請求項１】 透明絶縁基板上に形成された透明電極層
をスクライブして分離する工程と、前記透明電極層上に
光電変換半導体層を成膜した後、光電変換半導体層をス
クライブして接続用溝を形成する工程と、前記光電変換
半導体層上に裏面電極層を成膜した後、裏面電極層およ
び光電変換半導体層をスクライブして分離する工程とを
有する集積化薄膜太陽電池の製造方法において、前記光
電変換半導体層を成膜する前に、前記透明絶縁基板の周
縁部に形成されている透明電極層を除去することを特徴
とする集積化薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項２】 基板周縁部の透明電極層の除去をブラス
ト処理によって行うことを特徴とする請求項１記載の集
積化薄膜太陽電池の製造方法。 - 【請求項３】 基板周縁部の透明電極層のブラスト処理
を行う前に、透明電極層のスクライブを行うことを特徴
とする請求項２または３に記載の集積化薄膜太陽電池の
製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2001081072A JP4987191B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001081072A JP4987191B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002280579A true JP2002280579A (ja) | 2002-09-27 |
| JP4987191B2 JP4987191B2 (ja) | 2012-07-25 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2001081072A Expired - Lifetime JP4987191B2 (ja) | 2001-03-21 | 2001-03-21 | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 |
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