JP2006253417A - 太陽電池パネル及び太陽電池パネルの製造方法 - Google Patents

太陽電池パネル及び太陽電池パネルの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】太陽電池モジュールや長期信頼性を低下させずに、太陽電池モジュールの溝加工の工程を適切に行い、溝加工の工程を短縮し、太陽電池モジュールの周囲領域の研磨を適切に行うことが可能となる太陽電池パネルを提供する。
【解決手段】太陽電池パネルは、基板1と複数の発電セル5とを具備する。基板1は、第1辺1aと第2辺1bと第3辺1cと第4辺1dとを有する。複数の発電セル5は、基板1上に設けられ、第1辺1aに沿って並び、互いに直列に接続されている。第1辺1aの近傍に第1辺1aに沿う第1溝15aと、第2辺1bの近傍に第2辺1bに沿う第2溝15bとを有する。第3辺1cの近傍で第3辺1cに沿う溝及び第4辺1dの近傍で第4辺1dに沿う溝が無い。第1溝15a及び第2溝15bは、複数の発電セル5の表面から基板1の表面へ伸び、基板1の端に達しないように第3辺1c及び第4辺1dの近傍まで伸びている。
【選択図】 図1

Description

本発明は、アモルファスシリコン系太陽電池、微結晶シリコン系太陽電池、及びアモルファスシリコン系太陽電池と微結晶シリコン系太陽電池とを積層させたタンデム型太陽電池などの薄膜シリコン系太陽電池の太陽電池パネル及び太陽電池パネルの製造方法に関し、特に、太陽電池の生産性及び長期的信頼性を向上することが可能な太陽電池パネル及び太陽電池パネルの製造方法に関する。
透光性の基板上にシリコン系薄膜を積層して形成された薄膜シリコン系太陽電池(以下、太陽電池パネルと称する)が知られている。図10は、従来の太陽電池パネルを示す図である。(a)は上面図、(b)は(a)におけるXX部分断面図である。
太陽電池パネルは、基板101と、太陽電池モジュール106とを具備する。太陽電池モジュール106は基板101表面の周囲領域114の内側に設けられている。太陽電池モジュール106は、複数の太陽電池発電セル105を備え、太陽電池モジュール106の端部の内側の全周に設けられたX方向絶縁溝115とY方向絶縁溝113とを有する。X方向絶縁溝115は、X方向へ伸びている。Y方向絶縁溝113はY方向へ伸びている。太陽電池発電セル105は、透明導電層102、光電変換層103及び裏面電極層104を含む。透明導電層102は、基板101上に設けられ、Y方向に伸びる溝110で複数の太陽電池発電セル105に対応するように分割されている。光電変換層103は、透明導電層102上に設けられ、Y方向に伸びる溝111で複数の太陽電池発電セル105に対応するように分割されている。裏面電極層104は、光電変換層103上に設けられ、Y方向に伸びる溝112で複数の太陽電池発電セル105に対応するように分割されている。
このように従来の太陽電池パネルは、太陽電池モジュール106の端部の内側の全周に絶縁用の分離溝(X方向絶縁溝115とY方向絶縁溝113)を有している(例えば、特許第3243227号公報、特許第3243229号公報、特許第3243232号公報)。このような分離溝は、太陽電池発電セル105の太陽電池モジュール106の端面付近にて透明導電層102と裏面電極層104との短絡発生部分を電気的に切り離して、太陽電池発電セル105の短絡発生を防止するために重要である。また、太陽電池パネルの端部周辺でシールした領域から外部湿分などが浸入して太陽電池モジュール106の性能を低下することを抑制することにも効果がある。ただし、分離溝(溝110も同様)は、基板の端部まで達しているので、その溝の基板端部に達した部分から太陽電池発電セル105へ外部湿分が浸入する恐れがある。その場合、その湿分により太陽電池発電セル105が劣化し、長期信頼性を低下させる要因となる。長期信頼性をより向上させることが可能な技術が望まれる。加えて、太陽電池モジュール106の端部の内側の全周に分離溝を設けるので、処理時間がかかる工程である。太陽電池モジュール106の性能低下を抑制し長期信頼性を向上するとともに、太陽電池モジュール106の端部における絶縁用の溝加工の工程に必要な処理時間を短縮して生産性を向上可能な技術が望まれる。
また、従来の太陽電池パネルは、太陽電池モジュールの周囲領域114に存在していた太陽電池発電セルの膜を研磨により除去している(例えば、特開平8−83923号公報、特開2003−142717号公報)。このように周辺領域114の膜を無くすことは、太陽電池モジュール106を封入するシート(図示されず、後述でバックシートをEVAを介して接合することを記載する)と周辺領域114の露出した表面との接着性を向上させ、シートによる太陽電池モジュール106の保護効果を向上するために重要である。ただし、周囲領域114の膜が充分に除去されずにいて接着強度が不十分だったり、膜が部分的に残留して接着部分に空洞が残留したり、膜を除去する際に基板101の露出部に基板の周りの辺と交わる方向に研磨による溝が生じていると、シートと基板101との間に毛細管現象を発生させる可能性のあるスジ(数10μm)が残留し、そこから太陽電池発電セル105へ外部湿分が浸入する恐れがある。その場合、その湿分により太陽電池発電セル105が劣化し、長期信頼性を低下させる要因となる。この性能低下を引き起こす状況が、最近の長期間にわたる屋外暴露試験により判明したが、その対策については具体化されていない。長期信頼性を低下させずに、周囲領域114の研磨を適切に行うことが可能な技術が望まれる。なお、ここで、シリコン系とはシリコン(Si)やシリコンカーバイト(SiC)やシリコンゲルマニウム(SiGe)のようなシリコンを含む材料の総称であり、微結晶シリコン系とは、アモルファスシリコン系すなわち非晶質シリコン系以外のシリコン系を意味するものであり、多結晶シリコン系や非晶質を含んだ結晶質シリコン系も含まれる。また薄膜シリコン系とは、このアモルファスシリコン系、微結晶シリコン系、アモルファスシリコン系と微結晶シリコン系とを積層させたタンデム型を含むものを表す。
特許第3243227号公報 特許第3243229号公報 特許第3243232号公報 特開平8−83923号公報 特開2003−142717号公報
従って、本発明の目的は、長期信頼性をより向上させるように太陽電池モジュールの溝加工の工程を適切に行うことが可能な太陽電池パネル及び太陽電池パネルの製造方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、太陽電池モジュールの性能を落とさずに、太陽電池モジュールの端部の溝加工の工程を短縮して生産性を向上可能な太陽電池パネル及び太陽電池パネルの製造方法を提供することにある。
本発明の更に他の目的は、長期信頼性を低下させずに、太陽電池モジュールの周縁領域の発電セルの膜の研磨を適切に行うことが可能な太陽電池パネル及び太陽電池パネルの製造方法を提供することにある。
以下に、発明を実施するための最良の形態で使用される番号・符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための最良の形態との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
上記課題を解決するために、本発明の太陽電池パネルは、基板(1)と、複数の発電セル(5)とを具備する。基板(1)は、第1辺(1a)と、第1辺(1a)と対向する第2辺(1b)と、第1辺(1a)と第2辺(1b)との間の第3辺(1c)と、第3辺(1c)に対向する第4辺(1d)とを有する透光性のものである。複数の発電セル(5)は、基板(1)上に設けられ、第1辺(1a)に沿って並び、互いに直列に接続されている。複数の発電セル(5)の各々は、基板(1)上に透明導電層(2)と光電変換層(3)と裏面電極層(4)とをこの順で含み、第1辺(1a)の近傍に複数の発電セル(5)の表面である裏面電極層(4)から基板(1)の表面へ伸びる溝であって、第1辺(1a)に沿う第1溝(15a)と、第2辺(1b)の近傍に第2辺(1b)に沿う第2溝(15b)とを有する。第3辺(1c)の近傍で第3辺(1c)に沿う溝及び第4辺(1d)の近傍で第4辺(1d)に沿う溝が無い。第1溝(15a)及び第2溝(15b)は、基板(1)の端に達しないように第3辺(1c)及び第4辺(1d)の近傍まで伸びている。
ここで、光電変換層(3)は薄膜シリコンのp層、i層、n層を積層したもの、更にはこの複数組みを積層したタンデム型太陽電池を構成していてもよい。第1溝(15a)及び第2溝(15b)は絶縁溝として、発電セル(5)の太陽電池モジュール(6)の端面付近にて透明導電層(2)と裏面電極層(4)との短絡発生部分を電気的に切り離して、発電セル(5)の短絡発生を防止するために重要である。また、太陽電池パネルの端部周辺でシールした領域から外部湿分などが浸入して太陽電池モジュール(6)の性能を低下することを抑制することにも効果がある。
第1溝(15a)及び第2溝(15b)が基板(1)の端に達しないので、基板(1)の端から外部の湿分が浸入して、第1溝(15a)及び第2溝(15b)で毛細管現象が発生して太陽電池モジュール(6)内部まで湿分が浸入することを防止ぐことができる。加えて、太陽電池モジュールの周囲領域(4)に存在していた発電セル(5)の膜を研磨により除去している工程があることにより、第3辺(1c)に沿う溝及び第4辺(1d)に沿う溝は省くことが出来ることが判明した。それにより、第3辺(1c)に沿う溝及び第4辺(1d)に沿う溝が無いので、溝加工の工程の処理時間を短縮できる。すなわち、前記複数の発電セルの表面である前記裏面電極層から前記基板の表面へ伸びる溝であって、太陽電池モジュール(6)の性能低下を抑制し長期信頼性を向上するとともに、太陽電池モジュールの端部の溝加工の工程を短縮することが可能となる。
上記の太陽電池パネルにおいて、第1溝(15a)及び第2溝(15b)の端は、基板(1)の端から5mm以上10mm以下の距離(d1)だけ離れていることが好ましい。
この距離は、基板端部から外部湿分の浸入を抑制するには周辺領域(4)におけるシートとの健全な接着領域が5mm以上あることが望ましく、周囲領域を確保しながら、太陽電池モジュール(6)の面積を広く取るには10mm以下とすることが望ましい。
上記の太陽電池パネルにおいて、複数の発電セル(5)は、基板(1)上に製膜される第1膜(2)を備えることが好ましい。第1膜(2)は、第1辺(1a)及び第2辺(1b)の方向とは異なる方向に伸びる第3溝(10)を有する。第3溝(10)は、第1膜(2)の表面から基板(1)の表面へ伸び、基板(1)の端に達しないように第1辺(1a)及び第2辺(1b)の近傍まで伸びている。
第3溝(10)は、基板(1)上に短冊状の複数の発電セル(5)を直列接続して構成させるに必要である。第3溝(10)が基板(1)の端に達しないので、前述の絶縁溝である第1溝(15a)及び第2溝(15b)と同様に、基板(1)の端から外部の湿分が浸入することを防止ぐことができる。すなわち、長期信頼性をより向上させるように太陽電池モジュールの溝加工の工程を適切に行うことができる。
上記の太陽電池パネルにおいて、第3溝(10)の端は、基板(1)の端から5mm以上10mm以下の距離(d2)だけ離れていることが好ましい。
この距離は、前述の絶縁溝である第1溝(15a)及び第2溝(15b)と同様にな判断により、周囲領域を確保しながら、太陽電池モジュールの面積を広く取る上で好ましい。
上記課題を解決するために、本発明の太陽電池パネルの製造方法は、(a)第1辺(1a)と、第1辺(1a)と対向する第2辺(1b)と、第1辺(1a)と第2辺(1b)との間の第3辺(1c)と、第3辺(1c)に対向する第4辺(1d)とを有する基板(1)上に、第1辺(1a)に沿って並び、互いに直列に接続された複数の発電セル(5)を形成する工程と、(b)第1辺(1a)の近傍に第1辺(1a)に沿う第1溝(15a)と、第2辺(1b)の近傍に第2辺(1b)に沿う第2溝(15b)とを形成する工程とを具備する。複数の発電セル(5)の表面である裏面電極層(4)から基板(1)の表面へ伸び、第3辺(1c)の近傍で第3辺(1c)に沿う溝及び第4辺(1d)の近傍で第4辺(1d)に沿う溝を形成しない。第1溝(15a)及び第2溝(15b)は、複数の発電セル(5)の表面である裏面電極層(4)から基板(1)の表面へ伸び、基板(1)の端に達しないように第3辺及び第4辺(1d)の近傍まで伸びている。ただし、複数の発電セル(5)の各々は、基板(1)上に透明導電層(2)と光電変換層(3)と裏面電極層(4)とをこの順で含む。
上記の太陽電池パネルの製造方法において、(b)工程は、(b1)第1溝(15a)及び第2溝(15b)の端が基板(1)の端から5mm以上10mm以下の距離(d1)だけ離れるように第1溝(15a)及び第2溝(15b)を形成する工程を備えることが好ましい。
上記の太陽電池パネルにおいて、(a)工程は、(a1)基板(1)に透明導電層(2)を形成する工程と、(a2)透明導電層(2)に第1辺(1a)及び第2辺(1b)の方向とは異なる方向に伸びる第3溝(10)を形成する工程とを備えることが好ましい。第3溝(10)は、透明導電層(2)の表面から基板(1)の表面へ伸び、基板(1)の端に達しないように第1辺(1a)及び第2辺(1b)の近傍まで伸びている。
上記の太陽電池パネルにおいて、(a2)工程は、(a21)第3溝(10)の端が基板(1)の端から5mm以上10mm以下の距離(d2)だけ離れるように第3溝(10)を形成する工程を含むことが好ましい。
上記の太陽電池パネルの製造方法において、(c)シート材を用いて基板(1)上に積層された複数の発電セル(5)用の膜の一部を除去して露出した面をそのシート材の接着面とする工程をさらに具備する。(c)工程は、(c1)基板(1)の周縁部(14)における複数の発電セル(5)の膜を、回転砥石研磨で削る工程と、(c2)(c1)工程の後に、基板(1)の周縁部(14)における複数の発電セル(5)用の膜を、ブラスト研磨で削る工程とを備えることが好ましい。
太陽電池モジュール(6)の周縁領域の発電セル(5)の膜を一部除去して、基板(1)上に露出した部分を、EVA(エチレン酢酸ビニル共重合体)等を介して太陽電池モジュール(6)を封入するバックシートとの接着面とする。この接着面は基板(1)が露出していることが望ましく、透明導電層(2)の導電質部分が残留していると、絶縁特性が低下する場合がある。またこの時、基板(1)上の露出した部分に発生した数10μmレベルの微小な傷や溝が、基板(1)の周りの辺と交わる方向に残留すると、太陽電池パネル端部のシール部分から外部湿分の浸入があった際に、太陽電池モジュール(6)内部まで湿分が浸入することがあることが判明した。
回転砥石研磨で粗削りし、ブラスト研磨で残りの膜を除去するようにすることで、生産効率の低下を抑制しながら、傷や溝の形成を抑えて確実に膜を除去することができる。それにより、太陽電池モジュール(6)の周縁領域のEVA等を介したバックシートとの接着部分に毛細管現象を発生させる傷や溝により、外部湿分が太陽電池モジュール(6)内部に浸入することがなくなり、長期信頼性を低下させずに、太陽電池モジュールの周囲領域の研磨を適切に行うことができる。
上記の太陽電池パネルの製造方法において、(d)(c1)工程の後に、(c2)工程を行うものと、(c2)工程を行なわないそれぞれの場合において、第1辺(1a)、第2辺(1b)、第3辺(1c)及び第4辺(1d)を砥石により生じる研磨溝が横切らないようにしながら、基板(1)の周縁部(14)を砥石で研磨する工程を更に具備することが好ましい。
砥石は同一番手もしくは更に細かいもので研磨することが好ましい。基板(1)の各辺を横切らないようにしながら周縁部(14)を仕上げ研磨するので、太陽電池パネルの端部から太陽電池モジュール内部に向かう傷や溝を伝って基板(1)の端から外部の湿分が浸入する経路を断ち切ることになり、湿分の浸入を防止ぐことができる。すなわち、太陽電池モジュール(6)の周縁領域のEVA等を介したバックシートとの接着部分に毛細管現象を発生させる傷や溝により、外部湿分が太陽電池モジュール(6)内部に浸入することがなくなり、長期信頼性をより向上させるように太陽電池モジュールの周囲領域の研磨を適切に行うことができる。
本発明により、太陽電池モジュールの性能低下を抑制して、長期信頼性を低下させずに、太陽電池モジュールの溝加工の工程を適切に行い、溝加工の工程の処理時間を短縮し、太陽電池モジュールの周囲領域の研磨を適切に行い、長期信頼性を向上させることが可能となる。
以下、本発明の太陽電池パネル及び太陽電池パネルの製造方法の実施の形態に関して、添付図面を参照して説明する。
まず、本発明の太陽電池パネルの実施の形態の構成について、添付図面を参照して説明する。図1は、本発明の太陽電池パネルの実施の形態の構成を示す上面図である。太陽電池パネルは、基板1と、太陽電池モジュール6とを具備する。
基板1は、第1辺1aと、第1辺1aと対向する第2辺1bと、第1辺1aと第2辺1bとの間の第3辺1cと、第3辺1cに対向する第4辺1dとを有する。基板1は、透光性を有しており、例えばガラスが好適である。
太陽電池モジュール6は、基板1表面における膜の無い周囲領域14の内側に設けられている。太陽電池モジュール6は、複数の太陽電池発電セル5(後述)を備え、太陽電池モジュール6の端部の内側に設けられたX方向絶縁溝15aと、X方向絶縁溝15bとを有する。
X方向絶縁溝15aは、第1辺1aの近傍に第1辺1aに沿うように設けられている。X方向絶縁溝15bは、第2辺1bの近傍に第2辺1bに沿うように設けられている。X方向絶縁溝15a及びX方向絶縁溝15bは、深さ方向に関して、複数の発電セル5の表面である裏面電極層4から基板1の表面へ伸びている。そして、基板1表面に達しているが、基板1の強度を確保するために、基板1の中まで伸びていないことが好ましい。一方、長さ方向に関して、X方向に伸びている。そして、一方の端が第3辺1cの近傍まで伸び、他方の端が第4辺1dの近傍まで伸びている。そして、両端が基板1の端に達していない。X方向絶縁溝15の幅は、例えば50〜100μmである。
図2は、本発明の太陽電池パネルの実施の形態における太陽電池モジュール6の構成を示す断面図である。図1のXX断面の一部を示している。複数の太陽電池発電セル5の各々は、基板1上に設けられ、第1辺1aに沿って並び、互いに直列に接続されている。発電セル5は、透明導電層2、光電変換層3及び裏面電極層4を含む。
透明導電層2は、基板1上に製膜され、Y方向に伸びる溝10により複数の短冊状の太陽電池5の各々に対応するように分割されている。溝10は、深さ方向に関して透明導電層2の表面から基板1の表面へ伸びている。長さ方向に関して第1辺1a及び第2辺1bの近傍まで伸び、基板1の端に達していない。溝10の幅は、例えば10〜50μmである。
光電変換層3は、薄膜シリコンのp層、i層、n層を積層したもの、更には、この積層したものを複数積層したタンデム型、トリプル型太陽電池を構成している。光電変換層3は、透明導電層2上に設けられ、溝10の隣近傍にY方向に伸びる溝11により複数の太陽電池5の各々に対応するように分割されている。溝11は、深さ方向に関して光電変換層3の表面から透明導電層2の表面へ伸びている。
裏面電極層4は、光電変換層3上に設けられ、溝11の隣近傍にY方向に伸びる溝12により複数の太陽電池5の各々に対応するように分割されている。溝12は、深さ方向に関して裏面電極層4の表面から光電変換層3の表面へ伸びている。
図3は、図1のA部を拡大した概略図である。X方向絶縁溝15aにおける第3辺1c側の端は、基板1の端から距離d1だけ離れている。図示されていないが、X方向絶縁溝15aにおける第4辺1d側の端も同様に、基板1の端から距離d1だけ離れている。図示していないが、X方向絶縁溝15bの両端についても同様である。基板1の両端から距離d1だけ離すことにより、X方向絶縁溝15(15a、15b)は、基板の端部まで達していないので、太陽電池パネルの端部から外部湿分が溝の毛細管現象で太陽電池モジュール6内部へと浸入する恐れが無くなる。すなわち、X方向絶縁溝15からの湿分浸入による太陽電池発電セル5の劣化が発生することを防止することができる。それにより、長期信頼性をより向上させるように太陽電池モジュールの端部における絶縁用の溝加工の工程を適切に行うことが可能となる。
距離d1は、太陽電池モジュール6の面積をできるだけ大きくとることから、10mm以下が好ましい。一方、太陽電池パネルの端部から外部湿分が浸入することを抑制する各種比較試験を実施したところ、周辺領域14におけるEVA等を介したバックシートとの健全な接着領域が5mm以上あることが望ましいことが判明していることから、距離d1も5mm以上が好ましい。
溝10における第1辺1a側の端は、基板1の端から距離d2だけ離れている。図示されていないが、溝10における第2辺1b側の端も同様に、基板1の端から距離d2だけ離れている。基板1の両端から距離d2だけ離すことにより、溝10は、基板1の端部まで達していないので、その溝から太陽電池5へ外部湿分が浸入する恐れが無くなる。すなわち、溝10からの湿分浸入による太陽電池発電セル5の劣化が発生することを防止することができる。それにより、長期信頼性をより向上させるように太陽電池モジュールの溝加工の工程を適切に行うことが可能となる。
距離d2は、太陽電池モジュール6の面積をできるだけ大きくとることから、10mm以下が好ましい。一方、絶縁溝15a、15bにおける距離d1と同様に、周辺領域14におけるEVA等を介したバックシートとの健全な接着領域が5mm以上あることが望ましいことから、距離d2も5mm以上が好ましい。
本発明では、複数の太陽電池発電セル5の表面である裏面電極層4から基板1の表面へ伸び、第3辺1cの近傍で第3辺1cに沿う溝及び第4辺1dの近傍で第4辺1dに沿うY方向絶縁溝が無い。
図9は、発明者らの実験による本発明の太陽電池パネルの絶縁溝の加工形態による性能比較を示す表である。各絶縁溝における条件にて製作した太陽電池パネル10枚をAM1.5、全天日射基準太陽光(1000W/m2)のソーラシミュレータを用いて発電特性を確認した。XおよびY方向の太陽電池パネルの全周方向に絶縁溝がある従来工程による太陽電池パネル(図10)の計測値の平均値を100%として、比較評価したものである。本発明によるX方向のみに絶縁溝加工した太陽電池パネル(図1)の特性は、開放電圧Voc、短絡電流Isc、最大出力Pmaxのいずれについても、従来型の太陽電池パネル(図10)との間で初期性能の差は無かった。
一方、比較例としてY方向のみに絶縁溝加工した太陽電池パネルでは、従来工程による太陽電池パネルに対して、特に開放電圧Vocでの性能低下が見られた。これは、絶縁溝工程の後の工程にて行われる太陽電池周辺領域での発電セル5の膜の研磨を行った際に、Y方向においては絶縁溝加工と同様な絶縁効果を得るため、Y方向の絶縁溝加工を省略することが可能である。しかしながら、X方向においては、周辺領域での発電セル5の膜の研磨の際に、複数の発電セル5どうしの直列接続領域において、裏面電極層4と透明導電層2とが短絡を発生し易く、X方向の絶縁溝を省略することが出来ないためである。
また、本発明による太陽電池パネル(図1)を、屋外での過酷な条件を模擬した確認実験も行った。予めAM1.5、全天日射基準太陽光(1000W/m2)で20時間の光暴露を行い性能安定化させた後に、JISC8938で規定された高温高湿試験(温度85℃、湿度85%、評価時間1000時間)にて、性能に変化が無いことを確認した。
すなわち、Y方向絶縁溝を設けなくても、Y方向絶縁溝を有するものと同等の初期性能を得ることができた。従って、太陽電池モジュールの性能低下を抑制しながら、太陽電池モジュールの端部における絶縁用の溝加工の工程の処理時間を短縮することが可能となる。
図4は、本発明の太陽電池パネルの実施の形態における周囲領域に関する図である。周囲領域14は、基板に製膜された太陽電池用の膜を研磨により除去された領域である。周囲領域14の膜を除去するにあたり、通常では、回転砥石により研磨やブラスト研磨(約10〜50μm粒径のアルミナ粒子などを使用)のいずれか一方の方法を実施する。しかし、回転砥石の研磨は、除去する膜の膜厚の制御が困難であり、基板1まで削り過ぎると基板1の強度を低下させたり、逆に透明導電層2が残るとEVA等を介してバックシートと接合する接着不良部分の不具合や、残留した透明導電層2を経由した絶縁特性の低下を発生する不具合が発生しやすい。一方、ブラスト研磨は、除去/非除去の領域を区分けするマスキングが煩雑で難しく、除去する膜が厚いときはマスキングの早期な消耗や変形が起き易くなる。
本願発明では、初期においては、太陽電池発電セル5の全積層膜厚の50%以上を占める裏面電極層と光電変換層の全てと透明導電層2の一部の粗削りを回転砥石の研磨で行い、残りの膜をブラスト研磨で削ることとする。これにより、研磨の精度及びその信頼性を向上させることができる。それにより、基板1まで削り過ぎたり、逆に透明導電層2が残る不具合を防止することができる。それにより、EVA等を介したバックシートと基板1との間の接着状況が均一に密着して接着強度がある良好な状態となり、ここから太陽電池発電セル5へ外部湿分が浸入することを防止でき、長期信頼性を維持することが可能となる。
図4において、周囲領域14の膜を回転砥石研磨のみ、または回転砥石研磨とブラスト研磨の組合せで除去した後、本発明では更に周囲領域14においてヘアライン処理を行う。研磨方向21は、ヘアライン処理を行うおよその位置及び方向を示している。ヘアライン処理は、後工程で用いる太陽電池モジュール6を覆うEVA等を介したバックシートと基板1との接着性を高めるとともに、太陽電池パネルの端部の辺から周辺領域14を横切って太陽電池モジュール6側へと伸びる研磨による傷や溝をなくして外部湿分の浸入を断ち切るために行う接着面(周囲領域14)の仕上げ工程である。
周囲領域14の膜を除去するまでの工程で、何らかの理由で周囲領域14を横切って太陽電池モジュール6側へと伸びる傷や溝が残留していると、毛細管現象により太陽電池モジュール6内部に外気からの湿分の浸入を招く恐れがある。このため、最終処理として、膜を除去した後の周囲領域14を砥石で軽く研磨して、ヘアラインを形成する。これにより、傷や溝が残留していてもそれらが研磨、除去され、更に残留した傷や溝においても周辺領域14を横切って太陽電池モジュール6側へと伸びる溝を断ち切るので、基板1とEVA等を介したバックシートとの接着面の密着性と封入の信頼性を極めて高くすることができる。
過剰研磨による深いヘアラインを残すとEVA等との接着面の密着性が悪くなり、逆効果になる恐れがあるため、ヘアライン処理に用いる仕上げ砥石は、柔らかめの研磨材が望ましい。そのような研磨材としては、例えば、炭化ケイ素系の#400〜#1200程度を使用することができる。仕上げ砥石は、回転砥石として軽荷重を掛けながら周囲領域14内を自動走行させても良いし、手作業でも良い。ただし、基板1の端を横切って外へ向かうことが無いように、仕上げ砥石を研磨方向21のように動かすようにする。このように、周囲領域14からはみ出ずに研磨することで、傷や溝が残ったとしても基板1の端部まで達していないので、その溝から太陽電池5へ外部湿分が浸入する恐れが無くなる。すなわち、傷や溝からの湿分による太陽電池発電セル5の劣化が発生することを防止することができる。それにより、EVA等を介したバックシートとの接着性を向上させながら、長期信頼性をより向上させることができる。
次に、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態について説明する。ここでは、基板1としてのガラス基板上に太陽電池発電セル5として単層アモルファスシリコン薄膜太陽電池を用いた例について説明する。図5〜図8は、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。
(1)図5(a):
基板1としてソーダフロートガラス基板(1.4m×1.1m×板厚:4mm)を使用する。基板端面は破損防止にコーナー面取りやR面取り加工されていることが望ましい。
(2)図5(b):
透明導電層2として酸化錫膜(SnO2)を主成分とする透明電極膜を約500〜800nm、熱CVD装置にて約500℃で製膜処理する。この際、透明電極膜の表面は適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明導電層2として、透明電極膜に加えて、基板1と透明電極膜との間にアルカリバリア膜(図示されず)を形成しても良い。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜(SiO2)を50〜150nm、熱CVD装置にて約500℃で製膜処理する。
(3)図5(c):
その後、基板1をX−Yテーブルに設置して、レーザーダイオード励起YAGレーザーの第1高調波(1064nm)を、図の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から入射する。パルス発振:5〜20kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極膜を発電セル5の直列接続方向に対して垂直な方向へ、溝10を形成するように幅約6〜10mmの短冊状にレーザーエッチングする。
溝10は基板1の端より5〜10mmの位置にてエッチングを終了させる。エッチングの終了はレーザー光の停止でも良いが、簡易的には基板1の非レーザーエッチング領域に金属性のマスキング板を設置することで対応が可能である。この基板1の端より5〜10mmの位置にてエッチングを終了させることにより、太陽電池パネル端部からの太陽電池モジュール6内部への外部湿分浸入の抑制に、有効な効果を呈する。
(4)図5(d):
プラズマCVD装置により、減圧雰囲気:30〜150Pa、約200℃にて光電変換層3としてのアモルファスシリコン薄膜からなるp層膜/i層膜/n層膜を順次製膜する。光電変換層3は、SiHガスとHガスとを主原料に、透明導電層2の上に製膜される。太陽光の入射する側からp層、i層、n層がこの順で積層される。光電変換層3は本実施形態では、p層:BドープしたアモルファスSiCを主とし膜厚10〜30nm、i層:アモルファスSiを主とし膜厚250〜350nm、n層:pドープした微結晶Siを主とし膜厚30〜50nmである。またp層膜とi層膜の間には界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。
(5)図5(e)
基板1をX−Yテーブルに設置して、レーザーダイオード励起YAGレーザーの第2高調波(532nm)を、図の矢印に示すように、光電変換層3の膜面側から入射する。パルス発振:10〜20kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層2のレーザーエッチングラインの約100〜150μmの横側を、溝11を形成するようにレーザーエッチングする。
(6)図6(a)
裏面電極層4としてAg膜/Ti膜をスパッタリング装置により減圧雰囲気、約150℃にて順次製膜する。裏面電極層4は本実施形態では、Ag膜:200〜500nm、これを保護するものとして防食効果の高いTi膜:10〜20nmをこの順に積層する。n層と裏面電極層4との接触抵抗低減と光反射向上を目的に、光電変換層3と裏面電極層4との間にGZO(GaドープZnO膜)を膜厚:50〜100nm、スパッタリング装置により製膜して設けても良い。
(7)図6(b)
基板1をX−Yテーブルに設置して、レーザーダイオード励起YAGレーザーの第2高調波(532nm)を、図の矢印に示すように、基板1側から入射することで、レーザー光が光電変換層3で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層4が爆裂して除去される。パルス発振:1〜10kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明導電層2のレーザーエッチングラインの約250μm〜400μmの横側を、溝12を形成するようにレーザーエッチングする。
(8)図6(c)
発電領域を区分して、基板端周辺の膜端部においてレーザーエッチングによる直列接続部分が短絡し易い影響を除去する。基板1をX−Yテーブルに設置して、レーザーダイオード励起YAGレーザーの第2高調波(532nm)を、基板1側から入射することで、レーザー光が透明導電層2と光電変換層3で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層4が爆裂して除去される。パルス発振:1〜10kHzとして加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、基板1の端部から5〜15mmの位置を、X方向絶縁溝15を形成するようにレーザーエッチングする。このとき、Y方向絶縁溝は設けない。
溝11は基板1の端より5〜10mmの位置にてエッチングを終了させる。エッチングの終了はレーザー光の停止でも良いが、簡易的には基板1の非レーザーエッチング領域に金属性のマスキング板を設置することで対応が可能である。この基板1の端より5〜10mmの位置にてエッチングを終了させることにより、太陽電池パネル端部からの太陽電池モジュール6内部への外部湿分浸入の抑制に、有効な効果を呈する。
(9)図7(a)
後工程のEVA等を介したバックシートとの健在な接着面を確保するために、基板1周辺(周囲領域14)の積層膜は、段差があるとともに剥離し易いため、この膜を除去する。まず、基板の端から5〜15mmで、前述の図6(c)工程で設けた絶縁溝15よりも基板端側における裏面電極層4/光電変換層3/透明導電層2において、初期の粗削りを回転砥石の研磨で行う。初期においては、太陽電池発電セル5の全積層膜厚の50%以上を占める裏面電極層4と光電変換層3の全てと透明導電層2の一部の粗削りを回転砥石の研磨で削る。粗削りの終了後、残りをブラスト研磨で膜の研磨除去を行う。次に、幅3〜5mmの#800炭化珪素系研磨材による回転砥石を用いて仕上げの研磨(ヘアライン処理)により残留した傷や溝においても周辺領域14を横切って太陽電池モジュール6側へと伸びる溝を断ち切る処理を行う。研磨屑や砥粒は基板1を洗浄処理して除去した。
(10)図7(b)
端子箱取付け部分はバックシートに開口貫通窓を設けて集電板を取出す。この開口貫通窓部分には絶縁材を複数層を設置して外部からの湿分などの浸入を抑制する。
直列に並んだ一方端の太陽電池発電セル5と、他方端部の太陽電池発電セル5とから銅箔を用いて集電して太陽電池パネル裏側の端子箱部分から電力が取出せるように処理する。銅箔は各部との短絡を防止するために銅箔幅より広い絶縁シートを配置する。
集電用銅箔などが所定位置に配置された後に、太陽電池モジュール6の全体を覆い、基板1からはみ出さないようにEVA(エチレン酢酸ビニル共重合体)等による充填材シートを配置する。
EVAの上に、防水効果の高いバックシートを設置する。バックシートは本実施形態では防水防湿効果が高いようにPTEシート/AL箔/PETシートの3層構造よりなる。
バックシートまでを所定位置に配置したものを、ラミネータにより減圧雰囲気で内部の脱気を行い約150〜160℃でプレスしながら、EVAを架橋させて密着させる。
(11)図8(a)
太陽電池モジュール6の裏側に端子箱を接着剤で取付ける。
(12)図8(b)
銅箔と端子箱の出力ケーブルとをハンダ等で接続し、端子箱内部を封止剤(ポッティング剤)で充填して密閉する。これで太陽電池パネルが完成する。
(13)図8(c)
XおよびY方向の太陽電池パネルの全周方向に絶縁溝がある従来工程による太陽電池パネル(図10)と比較を行うために、図8(b)までの工程で形成された太陽電池パネルについて発電検査ならびに、所定の性能試験を行う。発電検査は、AM1.5、全天日射基準太陽光(1000W/m2)のソーラシミュレータを用いて行う。
(14)図8(d)
発電検査(図8(c))に前後して、所定の性能試験を行う。
(i)絶縁検査:
ラミネートされた太陽電池パネルの出力端子と基板端面やバックシートなど導電部分との間にDC:1000V負荷を印加して抵抗値≧100MΩなることを確認する。
(ii)耐電圧検査
ラミネートされた太陽電池パネルの出力端子と基板端面やバックシートなど導電部分との間にDC:3800V(または2200V)を1分間負荷をかけて、絶縁破壊がないことを確認する。
(iii)高温高湿試験
製造方法の変更を実施したことによる、構造と製造条件が適切であることの最終確認には、屋外での過酷条件を模擬して、JISC8938に従い、20時間光暴露で予め性能を安定させた後に、高温高湿条件:温度85℃、湿度:85%、評価時間1000時間で性能に変化ないことを確認する。(外観変化が無く、初期性能値の95%以上を確保し、性能に変化ないことを確認する。
上記製造方法により、本発明を用いた製品となる太陽電池パネルが製造され、その特性が従来の工程によるものと変わりないことを確認した。また高温高湿試験における長期信頼性確認試験においては、更に評価時間を延長させても外観変化がみられなく、従来の工程より信頼性が向上していることを確認した。
本発明では、基板1の両辺(第1辺1a及び第2辺1b)よりも手前に溝10の両端を設けるようにするので、溝10から太陽電池発電セル5へ外部湿分が浸入する恐れが無くなる。そして、傷や溝からの湿分浸入による太陽電池発電セル5の劣化が発生することを防止することができる。すなわち、長期信頼性をより向上させるように太陽電池モジュールの溝加工の工程を適切に行うことが可能となる。
本発明では、X方向絶縁溝15を設けるがY方向絶縁溝を設けないので、溝加工のプロセスを短縮し処理時間を短縮することができる。本発明者の実験から、この場合でも太陽電池モジュールの特性が全く変わらないことが判明している。すなわち、太陽電池モジュールの性能を低下させることなく、太陽電池モジュールの端部の溝加工の工程に必要な処理時間を短縮して、生産性を向上することができる。
本発明では、基板1の両辺(第1辺1a及び第2辺1b)に達しないように溝10の両端を設けるので、溝10から太陽電池発電セル5へ外部湿分が浸入する恐れが無くなる。そして、溝からの湿分浸入による太陽電池発電セル5の劣化が発生することを防止することができる。すなわち、長期信頼性をより向上させるように太陽電池モジュールの溝加工の工程を適切に行うことが可能となる。
本発明では、基板1の両辺(第3辺1c及び第4辺1d)に達しないようにX方向絶縁溝15の両端を設けるので、X方向絶縁溝15から太陽電池発電セル5へ外部湿分が浸入する恐れが無くなる。そして、溝からの湿分浸入による太陽電池発電セル5の劣化が発生することを防止することができる。すなわち、長期信頼性をより向上させるように太陽電池モジュールの溝加工の工程を適切に行うことが可能となる。
本発明では、上述のような3つの段階に分けて異なる方法で周囲領域14の研磨を行うので、周囲領域14に傷や溝が残らないようにしながら、周囲領域14の膜を確実に除去することができる。それにより、長期信頼性を低下させずに、太陽電池モジュールの周囲領域の研磨を適切に行うことが可能となる。
上記実施の形態では光電変換層3としてアモルファスシリコン薄膜太陽電池を用いたものについて説明したが、本発明は、微結晶シリコン太陽電池、ならびにアモルファスシリコン太陽電池と微結晶シリコン太陽電池を各1〜複数層に積層させたタンデム型太陽電池のような他の種類の薄膜太陽電池にも同様に適用可能である。更に本発明は、金属基板などの上に、裏面電極(光入射と反対という意味で裏面という)を形成し、その上に光電変換層、光入射側透明導電層を形成するタイプの太陽電池にも同様に適用することができる。
図1は、本発明の太陽電池パネルの実施の形態の構成を示す上面図である。 図2は、本発明の太陽電池パネルの実施の形態における太陽電池モジュール6の構成を示す断面図である。 図3は、図1のA部を拡大した概略図である。 図4は、本発明の太陽電池パネルの実施の形態における周囲領域に関する図である。 図5は、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。 図6は、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。 図7は、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。 図8は、本発明の太陽電池パネルの製造方法の実施の形態を示す概略図である。 図9は、本発明の太陽電池パネルの絶縁溝の加工形態による性能比較を示す表である。 図10は、従来の太陽電池パネルを示す図である。
符号の説明
1 基板
1a 第1辺
1b 第2辺
1c 第3辺
1d 第4辺
2 透明導電層
3 光電変換層
4 裏面電極層
5 太陽電池発電セル
6 太陽電池モジュール
10、11、12 溝
14 周囲領域
15、15a、15b X方向絶縁溝
21 研磨方向
101 基板
102 透明導電層
103 光電変換層
104 裏面電極層
105 太陽電池発電セル
106 太陽電池モジュール
110、111、112 溝
113 Y方向絶縁溝
114 周囲領域
115 X方向絶縁溝

Claims (10)

  1. 第1辺と、前記第1辺と対向する第2辺と、前記第1辺と前記第2辺との間の第3辺と、前記第3辺に対向する第4辺とを有する透光性の基板と、
    前記基板上に設けられ、前記第1辺に沿って並び、互いに直列に接続された複数の発電セルと
    を具備し、
    前記複数の発電セルの各々は、
    前記基板上に透明導電層と光電変換層と裏面電極層とをこの順で含み、
    前記複数の発電セルの表面である前記裏面電極層から前記基板の表面へ伸びる溝であって、前記第1辺の近傍に前記第1辺に沿う第1溝と、前記第2辺の近傍に前記第2辺に沿う第2溝とを有し、前記第3辺の近傍で前記第3辺に沿う溝及び前記第4辺の近傍で前記第4辺に沿う溝が無く、
    前記第1溝及び前記第2溝は、前記基板の端に達しないように前記第3辺及び第4辺の近傍まで伸びる
    太陽電池パネル。
  2. 請求項1に記載の太陽電池パネルにおいて、
    前記第1溝及び前記第2溝の端は、前記基板の端から5mm以上10mm以下の距離だけ離れている
    太陽電池パネル。
  3. 請求項1又は2に記載の太陽電池パネルにおいて、
    前記複数の発電セルは、前記基板上に製膜される第1膜を備え、
    前記第1膜は、前記第1辺及び前記第2辺の方向とは異なる方向に伸びる第3溝を有し、
    前記第3溝は、前記第1膜の表面から前記基板の表面へ伸び、前記基板の端に達しないように前記第1辺及び第2辺の近傍まで伸びる
    太陽電池パネル。
  4. 請求項3に記載の太陽電池パネルにおいて、
    前記第3溝の端は、前記基板の端から5mm以上10mm以下の距離だけ離れている
    太陽電池パネル。
  5. 基板上に透明導電層と光電変換層と裏面電極層とをこの順で含む複数の発電セルを備える太陽電池パネルの製造方法であって、
    (a)第1辺と、前記第1辺と対向する第2辺と、前記第1辺と前記第2辺との間の第3辺と、前記第3辺に対向する第4辺とを有する基板上に、前記第1辺に沿って並び、互いに直列に接続された複数の前記発電セルを形成する工程と、
    (b)前記第1辺の近傍に前記第1辺に沿う第1溝と、前記第2辺の近傍に前記第2辺に沿う第2溝とを形成する工程と
    を具備し、
    前記複数の発電セルの表面から前記基板の表面へ伸び、前記第3辺の近傍で前記第3辺に沿う溝及び前記第4辺の近傍で前記第4辺に沿う溝を形成せず、
    前記第1溝及び前記第2溝は、前記複数の発電セルの表面から前記基板の表面へ伸び、前記基板の端に達しないように前記第3辺及び第4辺の近傍まで伸びる
    太陽電池パネルの製造方法。
  6. 請求項5に記載の太陽電池パネルの製造方法において、
    前記(b)工程は、
    (b1)前記第1溝及び前記第2溝の端が前記基板の端から5mm以上10mm以下の距離だけ離れるように前記第1溝及び前記第2溝を形成する工程を備える
    太陽電池パネルの製造方法。
  7. 請求項5又は6に記載の太陽電池パネルにおいて、
    前記(a)工程は、
    (a1)前記基板に透明導電層を形成する工程と、
    (a2)前記透明導電層に前記第1辺及び前記第2辺の方向とは異なる方向に伸びる第3溝を形成する工程と
    を備え、
    前記第3溝は、前記透明導電層の表面から前記基板の表面へ伸び、前記基板の端に達しないように前記第1辺及び第2辺の近傍まで伸びる
    太陽電池パネルの製造方法。
  8. 請求項7に記載の太陽電池パネルにおいて、
    前記(a2)工程は、
    (a21)前記第3溝の端が前記基板の端から5mm以上10mm以下の距離だけ離れるように前記第3溝を形成する工程を含む
    太陽電池パネルの製造方法。
  9. 請求項5乃至8のいずれか一項に記載の太陽電池パネルの製造方法において、
    (c)シート材を用いて前記基板上に積層された前記複数の発電セルを封止するにあたり、前記複数の発電セル用の膜の一部を除去して露出した面を前記シート材の接着面とする工程を更に具備し、
    前記(c)工程は、
    (c1)前記基板の周縁部における前記複数の発電セル用の膜を、回転砥石研磨で削る工程と、
    (c2)前記(c1)工程の後に、前記基板の周縁部における前記複数の発電セル用の膜を、ブラスト研磨で削る工程と
    を備える
    太陽電池パネル。
  10. 請求項9に記載の太陽電池パネルの製造方法において、
    (d)前記(c1)工程の後に、前記(c2)工程を行うものと前記(c2)工程を行わないそれぞれの場合において、前記第1辺、前記第2辺、前記第3辺及び前記第4辺を砥石により生じる研磨溝が横切らないようにしながら、前記基板の周縁部を前記砥石で研磨する工程を更に具備する
    太陽電池パネルの製造方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008029476A1 (en) * 2006-09-08 2008-03-13 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Solar battery panel and method for manufacturing solar battery panel
JP2008283023A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換装置の製造方法
JP2009071221A (ja) * 2007-09-18 2009-04-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
JP2009297742A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 V Technology Co Ltd レーザ加工装置
JP2010021361A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Ulvac Japan Ltd 太陽電池およびその製造方法
WO2010049495A2 (en) * 2008-10-29 2010-05-06 Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach Thin-film solar cell device with curved edges
JP2010186854A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換装置の製造方法
EP1939948A3 (en) * 2006-12-26 2010-11-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Method and apparatus for breaking semiconductor substrate, method for breaking solar cell and method for fabrication of solar cell module
WO2013121839A1 (ja) * 2012-02-14 2013-08-22 本田技研工業株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法
WO2013125143A1 (ja) * 2012-02-23 2013-08-29 シャープ株式会社 光電変換装置の製造方法
JP2014239086A (ja) * 2013-06-05 2014-12-18 三菱化学株式会社 有機薄膜太陽電池の製造方法
WO2024128042A1 (ja) * 2022-12-15 2024-06-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 光電変換モジュールおよび光電変換モジュールの製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059784A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置の作製方法
JPH08125209A (ja) * 1994-10-25 1996-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置及びその製造方法
JP2000349325A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜太陽電池モジュール
JP2001210851A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Sharp Corp 集積型薄膜太陽電池
JP2002076379A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池とその製造方法
JP2002280579A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 集積化薄膜太陽電池の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6059784A (ja) * 1983-09-12 1985-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換半導体装置の作製方法
JPH08125209A (ja) * 1994-10-25 1996-05-17 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置及びその製造方法
JP2000349325A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 薄膜太陽電池モジュール
JP2001210851A (ja) * 2000-01-25 2001-08-03 Sharp Corp 集積型薄膜太陽電池
JP2002076379A (ja) * 2000-08-23 2002-03-15 Fuji Electric Co Ltd 薄膜太陽電池とその製造方法
JP2002280579A (ja) * 2001-03-21 2002-09-27 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 集積化薄膜太陽電池の製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008029476A1 (en) * 2006-09-08 2008-03-13 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. Solar battery panel and method for manufacturing solar battery panel
EP1939948A3 (en) * 2006-12-26 2010-11-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Method and apparatus for breaking semiconductor substrate, method for breaking solar cell and method for fabrication of solar cell module
US8034653B2 (en) 2006-12-26 2011-10-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Method and apparatus for breaking semiconductor substrate, method for breaking solar cell and method for fabrication of solar cell module
JP2008283023A (ja) * 2007-05-11 2008-11-20 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換装置の製造方法
JP2009071221A (ja) * 2007-09-18 2009-04-02 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換装置及び光電変換装置の製造方法
JP2009297742A (ja) * 2008-06-13 2009-12-24 V Technology Co Ltd レーザ加工装置
JP2010021361A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Ulvac Japan Ltd 太陽電池およびその製造方法
WO2010049495A2 (en) * 2008-10-29 2010-05-06 Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach Thin-film solar cell device with curved edges
WO2010049495A3 (en) * 2008-10-29 2011-01-13 Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach Thin-film solar cell device with curved edges
JP2010186854A (ja) * 2009-02-12 2010-08-26 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換装置の製造方法
WO2013121839A1 (ja) * 2012-02-14 2013-08-22 本田技研工業株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法
WO2013125143A1 (ja) * 2012-02-23 2013-08-29 シャープ株式会社 光電変換装置の製造方法
JP2014239086A (ja) * 2013-06-05 2014-12-18 三菱化学株式会社 有機薄膜太陽電池の製造方法
WO2024128042A1 (ja) * 2022-12-15 2024-06-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 光電変換モジュールおよび光電変換モジュールの製造方法

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