JP2010141198A - 光電変換装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高出力の光電変換装置とすることができる裏面電極構造を提供する。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、少なくとも１層の光電変換層３と、裏面電極構造とを備える光電変換装置１００であって、前記裏面電極構造が、基板１側から順に、第１裏面透明電極層７と、低屈折率層８と、第２裏面透明電極層９と、金属膜からなる裏面電極層４とを積層されて構成され、前記低屈折率層８の屈折率が、前記第１裏面透明電極層７及び前記第２裏面透明電極層９の屈折率よりも低いことを特徴とする光電変換装置１００。
【選択図】図１

Description

本発明は、光電変換装置に関し、特に発電層を製膜で作製する太陽電池に関する。

光を受光して電力に変換する光電変換装置として、太陽電池が知られている。太陽電池の中でも、例えば発電層（光電変換層）に薄膜シリコン系の層を積層させた薄膜系太陽電池は、大面積化が容易であること、膜厚が結晶系太陽電池の１／１００程度と薄く、材料が少なくて済むこと、などの利点がある。このため、薄膜シリコン系太陽電池は、結晶系太陽電池と比較して低コストでの製造が可能となる。しかしながら、薄膜シリコン系太陽電池の短所としては、変換効率が結晶系に比べて低いことが挙げられる。

薄膜系太陽電池において、変換効率、すなわち、出力電力を増加させるために、種々の工夫がなされてきた。例えば、透明基板側から太陽光が入射するスーパーストレート型においては、太陽電池内で入射光を反射させて光路長を長くし、発電層での光吸収量を増大させるために、発電層に対して光入射側と反対側の裏面電極構造の改良が検討されてきた。

特許文献１には、裏面電極構造として、太陽光の放射スペクトルの波長域の光に対して高い反射率を示す金属で背面電極を形成し、背面電極とシリコン半導体層間に透明導電層を形成することが開示されている。金属背面電極と半導体層との間に透明導電層を介在させることによって、背面電極材料とシリコン薄膜とが合金化するのを防止して背面電極の高反射率を維持し、変換効率の低下を防止することができる。
特公昭６０−４１８７８号公報

２層構造の裏面電極を備える特許文献１の構成の太陽電池では、裏面電極での光反射を更に増大させて出力を向上させるには限界があった。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、高出力の光電変換装置とすることができる裏面電極構造を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、基板上に、透明電極層と、少なくとも１層の光電変換層と、裏面電極構造とを備える光電変換装置であって、前記裏面電極構造が、基板側から順に、第１裏面透明電極層と、低屈折率層と、第２裏面透明電極層と、金属膜からなる裏面電極層とを積層されて構成され、前記低屈折率層の屈折率が、前記第１裏面透明電極層及び前記第２裏面透明電極層の屈折率よりも低いことを特徴とする光電変換装置を提供する。

本発明の光電変換装置の裏面電極構造は、４層構成とされる。すなわち、光電変換層と金属膜の裏面電極層との間に、高屈折率／低屈折率／高屈折率とされる３層構成の透明層を設けることによって、１層の透明層を設けた特許文献１の光電変換装置よりも、裏面電極構造での光反射を増大させることができる。さらに、第２裏面透明電極層により、低屈折率層と裏面電極層とが接触することによる界面抵抗発生を防止して、シリーズ抵抗の増加を抑制することができる。この結果、光電変換装置の出力を増大させることができる。

上記発明において、前記低屈折率層の膜厚が、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。

低屈折率層を厚くすることにより、裏面構造での光反射強度を増大させることができる。しかし、低屈折率層が厚くなると、裏面電極構造全体の導電性が悪化する。低屈折率層の膜厚が１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であれば、裏面電極構造の導電性向上と反射強度増大とを両立させることができるため、より高出力の光電変換装置とすることができる。

上記発明において、前記低屈折率層が、炭素がドープされたＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＦ_２、ＬｉＦのうちのいずれかであることが好ましい。

上記材料は、屈折率が低く、透明性に優れる材料である。特に、炭素がドープされたＳｉＯ_２は高い導電性を示すため出力電流の低下を防止できるとともに、製膜が容易であることから、本発明の低屈折率層として好適である。

上記発明において、前記第２透明電極層の膜厚が、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることが好ましい。

第２透明電極層膜厚を上記範囲とすることにより、低屈折率層と裏面電極層とが接触することによる界面抵抗発生を防止するとともに、反射強度を増大させることができる。これにより、光電変換装置の出力の更なる向上を実現できる。

本発明によれば、４層構成の裏面電極構造とすることにより、裏面電極構造での光反射率を増大させることができる。また、低屈折率層と金属からなる裏面電極層との間に透明電極層を設けることにより、界面抵抗を低減してシリーズ抵抗増加を抑制することができる。このため、高出力の光電変換装置とすることができる。

図１は、本発明の光電変換装置の構成を示す概略図である。光電変換装置１００は、シングル型シリコン系太陽電池であり、基板１、透明電極層２、光電変換層３、及び裏面電極構造を備える。裏面電極構造は、基板側から順に、第１裏面透明電極層７、低屈折率層８、第２裏面透明電極層９、及び裏面電極層４を備える。本発明において、シリコン系とはシリコン（Ｓｉ）やシリコンカーバイト（ＳｉＣ）やシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）を含む総称である。また、結晶質シリコン系とは、非晶質シリコン系以外のシリコン系を意味するものであり、微結晶シリコンや多結晶シリコンも含まれる。

本実施形態に係る光電変換装置を、太陽電池パネルを製造する工程を例に挙げて説明する。図２から図５は、本実施形態の太陽電池パネルの製造方法を示す概略図である。

（１）図２（ａ）
基板１としてソーダフロートガラス基板（例えば１．４ｍ×１．１ｍ×板厚：３．５ｍｍ〜４．５ｍｍ）を使用する。基板端面は熱応力や衝撃などによる破損防止にコーナー面取りやＲ面取り加工されていることが望ましい。

（２）図２（ｂ）
透明電極層２として、酸化錫（ＳｎＯ_２）を主成分とする膜厚約５００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の透明導電膜を、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜する。この際、透明電極膜の表面には、適当な凹凸のあるテクスチャーが形成される。透明電極層２として、透明電極膜に加えて、基板１と透明電極膜との間にアルカリバリア膜（図示されず）を形成しても良い。アルカリバリア膜は、酸化シリコン膜（ＳｉＯ_２）を５０ｎｍ〜１５０ｎｍ、熱ＣＶＤ装置にて約５００℃で製膜処理する。

（３）図２（ｃ）
その後、基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、ＹＡＧレーザーの第１高調波（１０６４ｎｍ）を、図の矢印に示すように、透明電極膜の膜面側から照射する。加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極膜を発電セルの直列接続方向に対して垂直な方向へ、基板１とレーザー光を相対移動して、溝１０を形成するように幅約６ｍｍから１５ｍｍの所定幅の短冊状にレーザーエッチングする。

（４）図２（ｄ）

光電変換層３として、非晶質シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層及びｎ層を、プラズマＣＶＤ装置により製膜する。ＳｉＨ_４ガス及びＨ_２ガスを主原料にして、減圧雰囲気：３０Ｐａ以上１０００Ｐａ以下、基板温度：約２００℃にて、透明電極層２上に太陽光の入射する側から非晶質シリコンｐ層４１、非晶質シリコンｉ層４２、非晶質シリコンｎ層４３の順で製膜する。非晶質シリコンｐ層４１は非晶質のＢドープシリコンを主とし、膜厚１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｉ層４２は、膜厚２００ｎｍ以上３５０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｎ層４３は、非晶質シリコンに微結晶シリコンを含有するＰドープシリコンを主とし、膜厚３０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。非晶質シリコンｐ層４１と非晶質シリコンｉ層４２の間には、界面特性の向上のためにバッファー層を設けても良い。

（５）図２（ｅ）
基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、光電変換層３の膜面側から照射する。パルス発振：１０ｋＨｚから２０ｋＨｚとして、加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層２のレーザーエッチングラインの約１００μｍから１５０μｍの横側を、溝１１を形成するようにレーザーエッチングする。またこのレーザーは基板１側から照射しても良く、この場合は光電変換層３で吸収されたエネルギーで発生する高い蒸気圧を利用して光電変換層３をエッチングできるので、更に安定したレーザーエッチング加工を行うことが可能となる。レーザーエッチングラインの位置は前工程でのエッチングラインと交差しないように位置決め公差を考慮して選定する。

（６）図３（ａ）
裏面電極構造として、第１裏面透明電極層７／低屈折率層８／第２裏面透明電極層９／裏面電極層４を形成する。第１裏面透明電極層７及び第２裏面透明電極層９は、Ｇａ、Ｓｉ、Ａｌ、ＢのうちいずれかがドープされたＺｎＯ_２膜、ＩＴＯ膜、ＳｎＯ_２膜などの透明導電膜とされる。低屈折率層８は、炭素がドープされたＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＦ_２、ＬｉＦのうちのいずれかとされる。裏面電極層４は、例えば銀（Ａｇ）などの金属膜とされる。
第１裏面透明電極層７及び第２裏面透明電極層９とされる透明導電膜の屈折率は、１．８８〜２．２である。例えば、低屈折率層８とされるＭｇＦの屈折率は１．３８、炭素ドープＳｉＯ_２の屈折率は１．４５である。すなわち、光電変換層３と裏面電極層４との間に、高屈折率層／低屈折率層／高屈折率層の順で構成された透明積層体が形成される。これにより、光電変換層を透過し裏面電極層表面で反射される光の反射強度を増大させることができる。
本実施形態の裏面電極構造は、第２裏面透明電極層により、低屈折率層と裏面電極層とが接触しないため、シリーズ抵抗増大が防止される。

例えば、第１裏面透明電極層７及び第２裏面透明電極層９がＧＺＯ膜である場合、スパッタリング装置により、ターゲット：ＧａドープＺｎＯ、基板温度：約２０℃以上９０℃以下の条件で製膜される。
本実施形態において、第２裏面透明電極層９の膜厚は、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下とされる。上記膜厚範囲であれば、低屈折率層８と裏面電極層４とが接触することによるシリーズ抵抗増大を抑制できるとともに、反射光強度を増大させることができる。第１裏面透明電極層７の膜厚は、裏面電極構造の光学特性を考慮して、適宜決定される。

低屈折率層材料としては、導電性及び製造上の観点から、炭素ドープＳｉＯ_２が有利である。炭素ドープＳｉＯ_２は、例えば、ＳｉＯ_２に対し０．１〜３．０原子％の炭素量とされる。このように、ＳｉＯ_２に微量の炭素をドープすることにより、絶縁体であるＳｉＯ_２に導電性が付与される。炭素ドープＳｉＯ_２は、スパッタリング装置により、ターゲット：ＳｉＣ＋Ｓｉ、ガス種：Ａｒ＋Ｏ_２にて製膜する。膜組成は、Ａｒ／Ｏ_２ガス比で調整する。
低屈折率層８が厚いほど、裏面電極構造での光反射が増幅される。しかし、低屈折率層とされる炭素ドープＳｉＯ_２の導電率は、第１及び第２裏面透明電極層とされるＧＺＯの導電率と比較して低い。そのため、低屈折率層が厚くなるほど、太陽電池の出力電流が低下する。反射光強度及び導電性を考慮して、低屈折率層８の膜厚は、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とされる。

裏面電極層としてＡｇ膜を、スパッタリング装置により製膜温度：２０℃以上９０℃以下にて製膜する。本実施形態では、裏面電極層４としてＡｇ膜：１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、これを保護するものとして防食効果の高いＴｉ膜：１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下を、この順に積層する。あるいは、裏面電極層４として２５ｎｍから１００ｎｍの膜厚を有するＡｇ膜と、１５ｎｍから５００ｎｍの膜厚を有するＡｌ膜との積層構造としても良い。

（７）図３（ｂ）
基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、図の矢印に示すように、基板１側から照射する。レーザー光が光電変換層３で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層４が爆裂して除去される。パルス発振：１ｋＨｚ以上１０ｋＨｚ以下として加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、透明電極層２のレーザーエッチングラインの２５０μｍから４００μｍの横側を、溝１２を形成するようにレーザーエッチングする。

（８）図３（ｃ）と図３（ａ）
発電領域を区分して、基板端周辺の膜端部においてレーザーエッチングによる直列接続部分が短絡し易い影響を除去する。基板１をＸ−Ｙテーブルに設置して、レーザーダイオード励起ＹＡＧレーザーの第２高調波（５３２ｎｍ）を、基板１側から照射する。レーザー光が透明電極層２と光電変換層３で吸収され、このとき発生する高いガス蒸気圧を利用して裏面電極層４が爆裂して、裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２が除去される。パルス発振：１ｋＨｚ以上１０ｋＨｚ以下として加工速度に適切となるようにレーザーパワーを調整して、基板１の端部から５ｎｍから２０ｍｍの位置を、図３（ｃ）に示すように、Ｘ方向絶縁溝１５を形成するようにレーザーエッチングする。なお、図３（ｃ）では、光電変換層３が直列に接続された方向に切断したＸ方向断面図となっているため、本来であれば絶縁溝１５位置には裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２の膜研磨除去をした周囲膜除去領域１４がある状態（図３（ａ）参照）が表れるべきであるが、基板１の端部への加工の説明の便宜上、この位置にＹ方向断面を表して形成された絶縁溝をＸ方向絶縁溝１５として説明する。このとき、Ｙ方向絶縁溝は後工程で基板１周囲膜除去領域の膜面研磨除去処理を行うので、設ける必要がない。

絶縁溝１５は基板１の端より５ｍｍから１５ｍｍの位置にてエッチングを終了させることにより、太陽電池パネル端部からの太陽電池モジュール６内部への外部湿分浸入の抑制に、有効な効果を呈するので好ましい。

尚、以上までの工程におけるレーザー光はＹＡＧレーザーとしているが、ＹＶＯ４レーザーやファイバーレーザーなどが同様に使用できるものがある。

（９）図４（ａ：太陽電池膜面側から見た図、ｂ：受光面の基板側から見た図）
後工程のＥＶＡ等を介したバックシート２４との健全な接着・シール面を確保するために、基板１周辺（周囲膜除去領域１４）の積層膜は、段差があるとともに剥離し易いため、この膜を除去して周囲膜除去領域１４を形成する。基板１の端から５〜２０ｍｍで基板１の全周囲にわたり膜を除去するにあたり、Ｘ方向は前述の図３（ｃ）工程で設けた絶縁溝１５よりも基板端側において、Ｙ方向は基板端側部付近の溝１０よりも基板端側において、裏面電極層４／光電変換層３／透明電極層２を、砥石研磨やブラスト研磨などを用いて除去を行う。
研磨屑や砥粒は基板１を洗浄処理して除去した。

（１０）図５（ａ）（ｂ）
端子箱２３の取付け部分はバックシート２４に開口貫通窓を設けて集電板を取出す。この開口貫通窓部分には絶縁材を複数層で設置して外部からの湿分などの浸入を抑制する。
直列に並んだ一方端の太陽電池発電セルと、他方端部の太陽電池発電セルとから銅箔を用いて集電して太陽電池パネル裏側の端子箱２３の部分から電力が取出せるように処理する。銅箔は各部との短絡を防止するために銅箔幅より広い絶縁シートを配置する。
集電用銅箔などが所定位置に配置された後に、太陽電池モジュール６の全体を覆い、基板１からはみ出さないようにＥＶＡ（エチレン酢酸ビニル共重合体）等による接着充填材シートを配置する。
ＥＶＡの上に、防水効果の高いバックシート２４を設置する。バックシート２４は本実施形態では防水防湿効果が高いようにＰＥＴシート／Ａｌ箔／ＰＥＴシートの３層構造よりなる。
バックシート２４までを所定位置に配置したものを、ラミネータにより減圧雰囲気で内部の脱気を行い約１５０〜１６０℃でプレスしながら、ＥＶＡを架橋させて密着させる。

（１１）図５（ａ）
太陽電池モジュール６の裏側に端子箱２３を接着剤で取付ける。
（１２）図５（ｂ）
銅箔と端子箱２３の出力ケーブルとをハンダ等で接続し、端子箱２３の内部を封止剤（ポッティング剤）で充填して密閉する。これで太陽電池パネル５０が完成する。
（１３）図５（ｃ）
図５（ｂ）までの工程で形成された太陽電池パネル５０について発電検査ならびに、所定の性能試験を行う。発電検査は、ＡＭ１．５、全天日射基準太陽光（１０００Ｗ／ｍ^２）のソーラシミュレータを用いて行う。
（１４）図５（ｄ）
発電検査（図５（ｃ））に前後して、外観検査をはじめ所定の性能検査を行う。

図６に、非晶質シリコン系光電変換層を備えるシングル型太陽電池セルにおける低屈折率層膜厚と短絡電流との関係を表すグラフを示す。同図において、横軸は低屈折率層膜厚、縦軸は２層構成（第１裏面透明電極層／裏面電極層）の裏面電極構造とした場合の短絡電流値で規格化された太陽電池セルの短絡電流である。図６では、透明層（第１裏面透明電極層、低屈折率層、第２裏面透明電極層）の合計膜厚を８０ｎｍとした。

図６に示すように、３層構成（第１裏面透明電極層／低屈折率層／裏面電極層）、及び、第２裏面透明電極層膜厚が１０ｎｍまたは２０ｎｍとされた４層構成の裏面電極構造を備える太陽電池セルで、２層構成の場合よりも短絡電流が向上した。また、上記裏面電極構造の太陽電池セルでは、低屈折率層が厚くなるほど、短絡電流が増加する傾向が見られた。一方、第２裏面透明電極層膜厚が３０ｎｍとされた４層構成の裏面電極構造を備える太陽電池セルでは、２層構成の裏面電極構造よりも性能が低下した。

図７に、非晶質シリコン系光電変換層を備えるシングル型太陽電池セルにおける第２裏面透明電極層膜厚と短絡電流との関係を表すグラフを示す。同図において、横軸は第２裏面透明電極層の膜厚、縦軸は、短絡電流（２層構成の裏面電極構造を有する太陽電池セルの短絡電流値で規格化）である。図７において、透明層（第１裏面透明電極層、低屈折率層、第２裏面透明電極層）の合計膜厚を８０ｎｍとした。また、第２裏面透明電極層が０ｎｍとは、３層構成の裏面電極構成であることを表す。

図７に示すように、第２裏面透明電極層が厚くなるほど、短絡電流が低下する傾向があった。第２裏面透明電極層が２５ｎｍを超えると、２層構成の裏面電極構造を設けた場合よりも、短絡電流が低下した。

裏面電極構造が２層構成、３層構成、及び４層構成とされた太陽電池セルのシリーズ抵抗を表１に示す。表１におけるシリーズ抵抗は、複数の太陽電池セルの平均値とされる。

３層構成の裏面電極構造を有する太陽電池セルでは、２層構成及び４層構成の太陽電池セルに比べて、シリーズ抵抗が大幅に増大した。

図８に、裏面電極構造が２層構成、３層構成、及び４層構成とされた太陽電池セルの形状因子を示す。同図において、縦軸は複数の太陽電池セルの形状因子の平均値である。各層の膜厚は、表１と同じとした。図８に示すように、３層構成の裏面電極構造を有する太陽電池セルでは、形状因子が低下した。

図９に、２層構成、３層構成、及び４層構成とされた裏面電極構造の反射率を示す。同図において、縦軸は２層構成の裏面電極構造の値で規格化された反射率である。各層の膜厚は、表１と同じとした。

３層構成及び４層構成の裏面電極構造とすることにより、２層構成の場合よりも反射率が相対的に向上した。これは、低屈折率層を挿入した効果である。なお、３層構成の方が、４層構成よりも高い反射率が得られた。

図１０は、４層構成の裏面電極構造における低屈折率層膜厚と反射率との関係を表すグラフである。同図において、横軸は低屈折率層膜厚、縦軸は２層構成の裏面電極構造の値で規格化された反射率である。図１０では、第２裏面透明電極層膜厚を１０ｎｍとし、透明層の合計膜厚を８０ｎｍとした。
図１０から、低屈折率層の膜厚を増加させることで、各波長での反射率が向上する傾向が見られた。

以上の結果から、３層構成及び４層構成の裏面電極構造は、２層構成の裏面電極構造よりも性能的に優位性があることが示された。
３層構成の裏面電極構造は、４層構成の裏面電極構造に比べて、短絡電流及び光学特性の点で優れている。しかし、３層構成の裏面電極構造では、シリーズ抵抗が大幅に増大し、形状因子が低下した。一方、４層構成の裏面電極構造では、短絡電流及び光学特性が２層構造よりも優れながら、形状因子及びシリーズ抵抗は２層構成の裏面電極構造とほぼ同じであった。太陽電池の変換効率は、短絡電流及び形状因子に比例する。従って、４層構成の裏面電極構造の方が、３層構成の場合よりも、変換効率（出力）を増大させることができる。

４層構成の裏面電極構造においては、上述の結果より、低屈折率層の膜厚が１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下、特に２０ｎｍ以上４０ｎｍ以下で、性能を向上させることができると言える。また、第２裏面透明電極層の膜厚が５ｎｍ以上２５ｎｍ以下、特に１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下で、性能を向上させることができると言える。

上記実施の形態では太陽電池として、非晶質シリコン系シングル型太陽電池について説明したが、本発明は、この例に限定されるものではない。例えば、微結晶シリコンをはじめとする結晶質シリコン太陽電池、シリコンゲルマニウム太陽電池、タンデム型太陽電池、及び、トリプル型太陽電池などの他の種類の薄膜太陽電池にも同様に適用可能である。

本発明の一実施形態に係る光電変換装置の構成を模式的に示した断面図である。 本発明に係る光電変換装置として、太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。 本発明に係る光電変換装置として、太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。 本発明に係る光電変換装置として、太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。 本発明に係る光電変換装置として、太陽電池パネルを製造する一実施形態を説明する概略図である。 非晶質シリコン系光電変換層を備えるシングル型太陽電池における低屈折率層膜厚と短絡電流との関係を表すグラフである。 非晶質シリコン系光電変換層を備えるシングル型太陽電池における第２裏面透明電極層膜厚と短絡電流との関係を表すグラフを示す。 裏面電極構造が２層構成、３層構成、及び４層構成とされた太陽電池セルの形状因子を示すグラフである。 ２層構成、３層構成、及び４層構成とされた裏面電極構造の反射率を示すグラフである。 ４層構成の裏面電極構造における低屈折率層膜厚と反射率との関係を表すグラフである。

符号の説明

１ 基板
２ 透明電極層
３ 光電変換層
４ 裏面電極層
６ 太陽電池モジュール
７ 第１裏面透明電極層
８ 低屈折率層
９ 第２裏面透明電極層
４１ 非晶質シリコンｐ層
４２ 非晶質シリコンｉ層
４３ 非晶質シリコンｎ層
１００ 光電変換装置

Claims (4)

1. 基板上に、透明電極層と、少なくとも１層の光電変換層と、裏面電極構造とを備える光電変換装置であって、
   前記裏面電極構造が、基板側から順に、第１裏面透明電極層と、低屈折率層と、第２裏面透明電極層と、金属膜からなる裏面電極層とを積層されて構成され、
   前記低屈折率層の屈折率が、前記第１裏面透明電極層及び前記第２裏面透明電極層の屈折率よりも低いことを特徴とする光電変換装置。
2. 前記低屈折率層の膜厚が、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
3. 前記低屈折率層が、炭素がドープされたＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２、ＭｇＯ、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３、ＣａＦ_２、ＬｉＦのうちのいずれかであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光電変換装置。
4. 前記第２透明電極層の膜厚が、５ｎｍ以上２５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。

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