JP2008300732A - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】薄膜太陽電池の製造方法において、透光性絶縁基板(1)の一主面の全領域を覆うように、表面凹凸を有する透光性絶縁下地層(2)を形成し、その透光性絶縁下地層の全周縁エッジから所定幅の内側までの全周縁領域を覆うマスク(11)を設け、そのマスクの内側領域内において、透光性の酸化亜鉛電極層(3)、半導体光電変換層(4)、および裏面電極層(5)を順次堆積し、その後にマスクを除去し、さらに裏面電極層および透光性絶縁下地層の全周縁領域を覆うように裏面保護層(61、62)を接合させる工程を含む。
【選択図】図1
Description
図1は、実施例1による集積型非晶質シリコン薄膜太陽電池の製造方法に関しても参照することができる。本実施例1においては、まず透光性絶縁基板1として360mm×465mm×4mmの白板ガラス基板が準備された。この白板ガラス基板1の上面の全領域に、透光性絶縁下地層2として厚さ100nmのSiO2膜をロールコート法によって堆積した。
比較例1においては、図2の模式的な断面図で示されているような集積型薄膜太陽電池が作製された。すなわち、実施例1の集積型非晶質シリコン薄膜太陽電池の作製方法に比べて、比較例1の製造方法は、SUS304フレームからなるマスク11が設置されなかったことのみにおいて異なっていた。
実施例2の集積型薄膜太陽電池の製造方法においては、白板ガラス基板1上のSiO2膜2の全周縁エッジから幅5mmの内側までの全周縁領域を覆うように、マスク11としてSUS304フレームの代わりにアルミ箔テープが貼り付けられたことのみにおいて実施例1と異なっていた。
図1は、実施例3による集積型タンデム薄膜太陽電池の製造方法に関しても参照することができる。すなわち、実施例3による集積型タンデム薄膜太陽電池においては、半導体層4が非晶質シリコン薄膜光電変換ユニットのみならずその上に積層された結晶質シリコン薄膜光電変換ユニットをも含んでいる。
実施例3の集積型タンデム薄膜太陽電池の製造方法に比べて、比較例2の製造方法は、アルミフレームからなるマスク11が設置されなかったことのみにおいて異なっていた。
Claims (6)
- 透光性絶縁基板の一主面の全領域を覆うように、表面凹凸を有する透光性絶縁下地層を形成し、
前記透光性絶縁下地層の全周縁エッジから所定幅の内側までの全周縁領域を覆うマスクを設け、
前記マスクの内側領域内において、透光性の酸化亜鉛電極層、半導体光電変換層、および裏面電極層を順次堆積し、
前記マスクを除去し、
前記裏面電極層および前記透光性絶縁下地層の前記全周縁領域を覆うように保護層を接合させる工程を含むことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記透光性絶縁下地層が前記マスクによって覆われる前記全周縁領域は5mm以上で15mm以下の幅を有していることを特徴とする請求項1に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記マスクとして金属フレームまたは金属テープを用いることを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記酸化亜鉛電極層、半導体光電変換層、および裏面電極層を複数の短冊状セル領域に分割するためのレーザスクライブ工程をさらに含み、前記複数の短冊状セル領域が電気的に直列接続されることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記半導体光電変換層の堆積においては、1以上の非晶質半導体光電変換ユニットが形成されることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
- 前記半導体光電変換層の堆積においては、1以上の非晶質半導体光電変換ユニットと1以上の結晶質光電変換ユニットが積層されることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の薄膜太陽電池の製造方法。
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