CN104835873A - 一种太阳能光伏电池清边绝缘方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公布了一种太阳能光伏电池清边绝缘方法，属于光伏电池制造领域。该方法包括以下步骤：（A）提供一衬底，将所述衬底清洗、烘干备用；（B）采用丝网印刷的方法在所述衬底四周边部涂覆一圈流体可剥胶；（C）将涂有流体可剥胶的衬底送入固化炉经过一定的固化工艺固化为固态可剥胶薄膜；（D）在带有所述固态可剥胶薄膜的衬底上沉积薄膜光伏电池所需的功能膜层；（E）待所述功能膜层沉积完成后，将所述固态可剥胶薄膜从所述衬底上剥离。本发明工艺简单、清边后绝缘效果好，清边过程无污染，应用在薄膜电池绝缘清边上具有明显的优势。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能光伏电池清边绝缘方法，尤其是涉及一种薄膜太阳能电池的清边绝缘方法，属于光伏电池制造领域。
背景技术
随着世界能源危机和环境污染问题的日趋严重，人们加快了对太阳能光伏发电技术的研究，于是太阳电池制造技术得到了迅猛的发展，其中薄膜太阳电池作为太阳电池领域的重要分支近十年发展迅速，其种类涵盖了包括非晶硅薄膜电池系列（包括非晶硅、非晶硅锗、微晶硅、或由它们构成的双结或多结叠层薄膜电池）、碲化镉薄膜电池、 铜铟镓硒薄膜电池等。为了保证封装后的这些薄膜电池组件的内部电路与外界环境有效隔离，在薄膜电池的制备工艺过程中有一道非常重要的工序叫做清边绝缘，即把电池边缘的导电功能膜层清除掉从而起到与外界绝缘的作用。目前常见的清边方法主要有两种：一是激光清边，二是喷砂清边。激光清边是采用高能量的激光器发出特定波长的激光，膜层吸收高能激光后温度瞬间上升并熔融蒸发，从而与衬底脱离。虽然激光清边方法效果较好，但是设备控制系统复杂，一套激光清边设备动辄上百万，不利于降低光伏组件的制造成本。而喷砂清边是采用一定粒度的细沙在高压空气的带动下与膜层高速碰撞从而除去膜层的方法，这种方法虽然成本很低，但是清边界面不清晰，容易对临近有效发电区的膜层造成破坏，并且产生的粉尘对洁净车间的无尘环境影响较大。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于提供一种太阳能光伏电池清边绝缘方法，尤其是用于薄膜电池的清边绝缘方法，从而使清边过程操作简单、成本降低、且不污染车间环境。
为实现本发明的目的，本发明所采用的技术方案为：一种太阳能光伏电池清边绝缘方法，所述清边绝缘方法包括以下步骤：
（A）提供一衬底，将所述衬底清洗、烘干备用；
（B）采用丝网印刷的方法在所述衬底四周边部涂覆一圈流体可剥胶；
（C）将涂有流体可剥胶的衬底送入固化炉经过一定的固化工艺固化为固态可剥胶薄膜；
（D）在带有所述固态可剥胶薄膜的衬底上沉积薄膜光伏电池所需的功能膜层；
（E）待所述功能膜层沉积完成后，将所述固态可剥胶薄膜从所述衬底上剥离，附着在所述固态可剥胶薄膜的之上的所述功能膜层也随之去除，从而实现光伏电池四周的清边绝缘，进一步的，所述步骤（A）中的衬底材料为平板玻璃或柔性的金属箔不锈钢或柔性的有机高分子聚酰亚胺或硅片，进一步的，所述步骤（B）中的流体可剥胶在常温下为粘稠状流体，采用丝网印刷工艺，印刷后的宽度0.3-20mm、厚度0.1-1mm，进一步的，步骤（C）中的固化工艺为：热固化采用固化工艺为温度100-200℃，固化时间5-20min，或接受紫外线照射剂量800-1200mJ/cm2，进一步的，所述步骤（D）中的功能膜层的材质为下面所列的一种或几种组合：透明导电氧化物薄膜：包括ITO、ZnO、AZO、BZO；金属薄膜：包括Mo、Al、Ni、Ag；半导体薄膜：包括非晶硅、微晶硅、铜铟镓硒、碲化镉、硫化镉。
本发明所具有的积极有益技术效果为：通过在衬底上制作可剥胶薄膜，完成所有的功能层制作后，通过剥离可剥胶实现光伏电池的请边绝缘，与传统的激光清边和喷砂清边相比，本发明设备简单、操作简便，清边彻底，清边后绝缘效果好，清边过程无污染，成本低，效果好，应用在薄膜电池绝缘清边工艺上具有明显的优势。
附图说明
图1是薄膜电池的衬底材料示意图。
图2是在衬底四周涂覆一圈可剥胶示意图。
图3是在涂覆可剥胶的衬底上沉积薄膜电池所需功能膜层示意图。
图4是将可剥胶去除后完成清边绝缘的薄膜电池示意图。
具体实施方式
为了更充分的解释本发明的实施，提供本发明的实施实例，这些实施实例仅仅是对本发明的阐述，不限制本发明的范围。
结合附图对发明进行详细的说明，附图中各标记为：1：衬底；2：可剥胶；3：功能膜层；4：清边区。
实施例1：
如附图1、2、3、4所示，衬底1材料选用超白浮法玻璃，将玻璃清洗、干燥后，送入丝网印刷机，将可剥胶2印刷到玻璃的四周，调整丝网印刷机的参数，使得可剥胶2的宽度为10mm，厚度为0.5 mm，外沿与玻璃外沿重合。然后将带有可剥胶2的玻璃送入烘干炉，烘干炉温度设定150℃，烘干时间10min。烘干后的可剥胶2由流体变成柔性的固态薄膜附着于玻璃上。然后将玻璃依次经过低压化学气相沉积生长透明导电薄膜BZO、等离子体增强化学气相沉积生产非晶硅p-i-n薄膜、磁控溅射生长背电极Ag薄膜，以及子电池划线等步骤完成薄膜电池功能膜层3的制备工序，下一步用镊子或刀片轻轻的将玻璃四周的覆盖有功能膜层3并固化的可剥胶2剥离去除，在玻璃四周即留下了清边区4，简单的实现了薄膜电池的清边绝缘。
实施例2：
如附图1、2、3、4所示，衬底1材料选用柔性的聚酰亚胺，将聚酰亚胺送入丝网印刷机，将紫外固化可剥胶2印刷到聚酰亚胺1的四周，调整丝网印刷机的参数，使得可剥胶2的宽度为8mm，厚度为0.3mm，外沿与聚酰亚胺外沿重合。然后将带有可剥胶2的聚酰亚胺1、送入紫外灯箱，照射剂量为1000mJ/cm2。固化后的可剥胶2由流体变成柔性的固态薄膜附着于聚酰亚胺上。然后将聚酰亚胺依次经过磁控溅射生长Mo膜、共蒸发生长铜铟镓硒CIGS薄膜、水浴法生长CdS薄膜、磁控溅射生长背电极ZnO薄膜，以及子电池划线等步骤完成薄膜电池功能膜层3的制备工序。下一步用镊子或刀片轻轻的将聚酰亚胺四周的覆盖有功能膜层3并固化的可剥胶2剥离去除，在聚酰亚胺四周即留下了清边区4，简单的实现了柔性薄膜电池的清边绝缘。
实施例3：
如附图1、2、3、4所示，衬底1材料选用光伏行业常用的156x156mm n型硅片，将硅片清洗制绒后送入丝网印刷机，将紫外固化可剥胶2印刷到硅片的四周，调整网版和丝网印刷机的参数，使得可剥胶2的宽度为1mm，厚度为0.1mm，外沿与硅片外沿重合。然后将带有可剥胶2的硅片送入紫外灯箱，照射剂量为900mJ/cm2。固化后的可剥胶2由流体变成柔性的固态薄膜附着于硅片上。然后将硅片翻转，在其背面按照同样的方法也印刷一圈可剥胶并固化，然后将硅片按照晶硅-非晶硅异质结电池的成膜方法，依次经过等离子体增强化学气项沉积生长非晶硅薄膜、磁控溅射生长ITO薄膜，丝网印刷栅线电极等工序完成功能膜层3的制备。接下来用镊子轻轻的将硅片四周的覆盖有功能膜层3并固化的可剥胶2剥离去除，在硅片四周即留下了清边区4，简单的实现了异质结电池的清边绝缘。
在详细说明本发明的实施方式之后，熟悉该项技术人士可清楚地了解，在不脱离上述申请专利范围与精神下可进行各种变化与修改，凡依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均属于本发明技术方案的范围，且本发明亦不受限于说明书中所举实例的实施方式。
Claims (5)
1.一种太阳能光伏电池清边绝缘方法，其特征在于：所述清边绝缘方法包括以下步骤：
（A）提供一衬底，将所述衬底清洗、烘干备用；
（B）采用丝网印刷的方法在所述衬底四周边部涂覆一圈流体可剥胶；
（C）将涂有流体可剥胶的衬底送入固化炉经过一定的固化工艺固化为固态可剥胶薄膜；
（D）在带有所述固态可剥胶薄膜的衬底上沉积薄膜光伏电池所需的功能膜层；
（E）待所述功能膜层沉积完成后，将所述固态可剥胶薄膜从所述衬底上剥离，附着在所述固态可剥胶薄膜的之上的所述功能膜层也随之去除，从而实现光伏电池四周的清边绝缘。
2.根据权利要求1所述的光伏电池清边绝缘方法，其特征在于：所述步骤（A）中的衬底材料为平板玻璃或柔性的金属箔不锈钢或柔性的有机高分子聚酰亚胺或硅片。
3.根据权利要求1所述的光伏电池清边绝缘方法，其特征在于：所述步骤（B）中的流体可剥胶在常温下为粘稠状流体，采用丝网印刷工艺，印刷后的宽度0.3-20mm、厚度0.1-1mm。
4.根据权利要求1或3所述的光伏电池清边绝缘方法，其特征在于：步骤（C）中的固化工艺为：热固化采用固化工艺为温度100-200℃，固化时间5-20min，或接受紫外线照射剂量800-1200mJ/cm2。
5.根据权利要求1所述的光伏电池清边绝缘方法，其特征在于：所述步骤（D）中的功能膜层的材质为下面所列的一种或几种组合：透明导电氧化物薄膜：包括ITO、ZnO、AZO、BZO；金属薄膜：包括Mo、Al、Ni、Ag；半导体薄膜：包括非晶硅、微晶硅、铜铟镓硒、碲化镉、硫化镉。
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108336227A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-27 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示屏的衬底结构及其制备方法、显示屏、柔性显示装置及其制备方法 |
| CN111352266A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-06-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制备方法 |
| CN112993742A (zh) * | 2019-12-13 | 2021-06-18 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种半导体激光器芯片及其制作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008300732A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Kaneka Corp | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| CN102403396A (zh) * | 2010-09-10 | 2012-04-04 | 杜邦太阳能有限公司 | 薄膜太阳能电池的制造方法 |
| CN102403403A (zh) * | 2011-11-21 | 2012-04-04 | 汉能科技有限公司 | 一种薄膜太阳能电池绝缘处理方法 |
| CN102916081A (zh) * | 2012-10-19 | 2013-02-06 | 张立国 | 一种薄膜太阳能电池的清边方法 |
-
2014
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008300732A (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Kaneka Corp | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| CN102403396A (zh) * | 2010-09-10 | 2012-04-04 | 杜邦太阳能有限公司 | 薄膜太阳能电池的制造方法 |
| CN102403403A (zh) * | 2011-11-21 | 2012-04-04 | 汉能科技有限公司 | 一种薄膜太阳能电池绝缘处理方法 |
| CN102916081A (zh) * | 2012-10-19 | 2013-02-06 | 张立国 | 一种薄膜太阳能电池的清边方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108336227A (zh) * | 2018-01-19 | 2018-07-27 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示屏的衬底结构及其制备方法、显示屏、柔性显示装置及其制备方法 |
| CN112993742A (zh) * | 2019-12-13 | 2021-06-18 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种半导体激光器芯片及其制作方法 |
| CN112993742B (zh) * | 2019-12-13 | 2022-02-18 | 山东华光光电子股份有限公司 | 一种半导体激光器芯片及其制作方法 |
| CN111352266A (zh) * | 2020-04-08 | 2020-06-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制备方法 |
| CN111352266B (zh) * | 2020-04-08 | 2023-01-24 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150812 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |