CN110603649A - 光电转换装置以及具备其的太阳能电池组件 - Google Patents

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Abstract

光电转换装置具备：配置于半导体基板(1)的背面的第一非晶质半导体层(3)以及第二非晶质半导体层(4)、电极(5、6)、以及布线基板(8)。电极(5、6)分别配置于第一非晶质半导体层(3)以及第二非晶质半导体层(4)上。布线基板(8)的布线(82)通过导电性联接层(7)而与电极(5)连接。布线基板(8)的布线(83)通过导电性联接层(7)而与电极(5)连接。电极(5)包含导电层(51、52)，电极(6)包含导电层(61、62)。导线层(51、61)各自以银为主要成分。导电层(52、62)分别覆盖导电层(51、52)。并且，导电层(52、62)各自由比银易于氧化的金属形成。

Description

光电转换装置以及具备其的太阳能电池组件
技术领域
本发明涉及一种光电转换装置以及具备其的太阳能电池组件。
背景技术
在日本特开2016-46362号公报中作为光电转换装置而公开了带布线片材的异质结背接触型太阳能电池。
光电转换装置具备异质结背接触型太阳能电池布线片材。异质结型背接触型太阳能电池具备：第一导电型或第二导电型的半导体基板、设置于半导体基板的一侧的第一导电型非晶质半导体膜、设置于半导体基板的一侧的第二导电型非晶质半导体膜、设置于第一导电型非晶质半导体膜上的第一电极、以及设置于第二导电型非晶质半导体膜上的第二电极。
布线片材具备绝缘性基材和设置于绝缘性基材上的第一布线以及第二布线。第一电极与第一布线电连接，第二电极与第二布线电连接。示出了满足第一电极的宽度为第一布线的宽度以上、以及第二电极的宽度为第二布线的宽度以上中的至少一方的关系。
在国际公开第2015/060432号单行本中，作为光电转换装置而公开了背面接合型太阳能电池。光电转换装置具备：半导体基板、具有第一导电型的第一半导体层、具有与第一导电型相反的第二导电型的第二半导体层、形成于第一半导体层上的第一电极、以及形成于第二半导体层上的第二电极。第一电极包含第一导电层和以与第一导电层接触的方式形成的第二导电层，第一导电层包含第一金属以作为主要成分，第二导电层包含比第一金属易于氧化的第二金属。
在日本特开2015-95653号公报中公开了太阳能电池。太阳能电池包含：光电转换部，其包含形成于相同的一侧的第一导电型区域以及第二导电型区域；以及电极，其形成于光电转换部上，并包含形成于光电转换部上的粘接层以及形成于粘接层上的电极层。粘接层的热膨胀系数比光电转换部的热膨胀系数大且比电极层的热膨胀系数小。
发明内容
在日本特开2016-46362号公报中，在带布线片材的异质结背接触型太阳能电池中，通过对电极的宽度和布线的宽度进行限定来抑制电性能的下降。此外，在国际公开第2015/060432号单行本中，对光电转换层的电极构成进行限定来抑制电性能的下降。而且，在日本特开2015-95653号公报中，作为太阳能电池的电极，而使用形成于光电转换部上的粘接层，对粘接层的热膨胀系数进行规定，从而抑制电性能的下降。
但是，在使用银作为与非晶质薄膜接触的电极的主要成分的情况下，在使电极与布线局部地连接的构造中，存在有电性能下降这样的问题。
在日本特开2015-95653号公报中，使用形成于光电转换部上的粘接层，而在与非晶质薄膜直接接触的电极的层中没有使用主要成分由银形成的电极。此外，在日本特开2016-46362号公报以及国际公开第2015/060432号单行本中，没有包含电极与布线连接构造的详细的记载。因此，在日本特开2016-46362号公报、国际公开第2015/060432号单行本、以及日本特开2015-95653号公报中，解决所述问题较为困难。
因此，根据本发明的实施方式，可提供一种在以银为与非晶质薄膜直接接触的电极的主要成分的情况下能够抑制电性能的下降的光电转换装置。
此外，根据本发明的实施方式，可提供一种具备在以银为与非晶质薄膜直接接触的情况下能够抑制电性能的下降的光电转换装置的太阳能电池组件。
(构成1)
根据本发明的实施方式，光电转换装置具备：半导体基板、第一非晶质半导体层、第二非晶质半导体层、第一电极、第二电极、第一布线、以及第二布线。半导体基板具有第一导电型。第一非晶质半导体层配置于半导体基板的一侧的面，并具有第一导电型。第二非晶质半导体层配置于半导体基板的一侧的面，并具有与第一导电型相反的第二导电型。第一电极与第一非晶质半导体层电连接。第二电极与第二非晶质半导体层电连接。第一布线经由导电性联接层而与第一电极的一部分连接，并与第一电极电连接。第二布线经由导电性联接层与第二电极的一部分连接，并与第二电极电连接。并且，第一电极包含：以与第一非晶质半导体层接触的方式配置，并且主要成分为银的第一导电层、以及配置于第一导电层与第一布线之间，并由比银易于氧化的金属形成的第二导电层。此外，第二电极包含：以与第二非晶质半导体层接触的方式配置，并且主要成分为银的第三导电层、以及配置于第三导电层与第二布线之间，并由比银易于氧化的金属形成的第四导电层。第二导电层包含与第一布线面对的部分，第四导电层包含与第二布线面对的部分。
根据构成1，在第二电极中，一部分经由导电性联接层与第二布线连接，剩余的部分与第二布线面对。此外，在第一电极中，一部分经由导电性联接层与第一布线连接，剩余的部分与第一布线面对。并且，在第一以及第二电极中，通过一部分经由导电性连接粘接层而分别与第一以及第二布线连接，因此第一以及第二电极分别以具有机械强度的方式与第一以及第二布线连接，并且第一以及第二电极通过一部分与第一以及第二布线连接，从而能够释放施加于第一以及第二电极的应力。
此外，第一以及第二电极分别与第一以及第二非晶质半导体层接触，且包含主要成分为银的第一以及第三导电层，因此反射率高且能够将未被半导体基板、第一非晶质半导体层以及第二非晶质半导体层吸收而透射过来的光，向半导体基板的光入射面侧反射，因此短路光电流增加。
而且，主要成分为银的第一以及第三导电层分别能够得到与第一非晶质半导体层以及第二非晶质半导体层比较良好的电接触。
而且，第一以及第二电极分别包含覆盖第一以及第三导电层，且以由比银易于氧化的金属为主要成分的第二以及第四导电层。第二以及第四导电层分别与第一以及第三导电层相比表面先氧化，氧化膜在第二以及第四导电层的表面形成得较薄。利用形成于第二以及第四导电层的表面的氧化膜，而使氧的侵入减少，能够防止氧向第一以及第三导电层(＝银)的透过。此外，第二以及第四导电层在未通过导电性联接层粘接的部分中，分别与第一以及第二布线面对，第二以及第四导电层的表面直接暴露在包含氧的气氛中，从而在第二以及第四导电层的表面形成更致密的氧化膜。该氧化膜在光电转换装置的使用中，通过包含氧的气氛而被增强以及维持，因此第一非晶质半导体层以及第二非晶质半导体层的氧化得以抑制，能够抑制第一以及第二电极的剥离。
因此，能够抑制使用以银为电极的主要成分的光电转换装置的电性能的下降。
(构成2)
在构成1中，具有第二导电层与第一布线直接接触的结构、以及第四导电层与第二布线直接接触的结构中的至少一个结构。
根据构成2，成为第一电极通过一部分与第一布线直接接触、或第二电极通过一部分与第二布线直接接触中的任意一者或这双方的结构，因此电极被第二导电层和/或第四导电层覆盖，从而与银相比第二导电层和/或第四导电层的表面先氧化，氧化膜在第二导电层和/或第四导电层的表面上形成得较薄，从而氧的侵入减少，能够防止氧向银的透过。此外，通过接触，能够附加地获得电极与布线的连接。
(构成3)
在构成1或构成2中，具有第二导电层由比第一布线易于氧化的金属形成的结构、以及第四导电层由比第二布线易于氧化的金属形成的结构中的至少一个结构。
根据构成3，第二导电层以及第四导电层分别为，由比第一布线以及第二布线易于氧化的金属形成的结构，因此能够防止布线先氧化，从而获得良好的电连接。当电极与布线通过导电性联接层连接的部分与未联接的部分混合时，有时化学反应以电化学方式进行，因此构成3是优选的结构。
(构成4)
在构成1至构成3的任意一个中，具有第二导电层由比第一布线硬度高的金属形成的结构、以及第四导电层由比第二布线硬度高的金属形成的结构中的至少一个结构。
根据构成4，第二导电层以及第四导电层分别为，由比第一布线以及第二布线硬度高的金属形成的结构，因此能够防止损伤的产生。在导电性联接层的连接时，由电极与布线的接触而引起的第二以及第四导电层中的损伤的产生，会破坏以比形成于第二以及第四导电层的表面的银易于氧化的金属为主要成分的氧化膜，因此存在有向银的透过氧进展的可能性，因此应该避免。
在第二以及第四导电层在通过一部分经由导电性联接层而与布线电连接的情况下，在制作时以及制作后电极与布线直接接触的情况较多，构成4是优选的结构。
(构成5)
在构成1至构成4的任意一个中，第二以及第四导电层以镍为主要成分。
根据构成5，第二以及第四导电层是以镍为主要成分的结构，特别是氧化镍为更致密的氧化膜，因此从防止氧的透过的观点出发，构成5是优选的。此外，即使第二以及第四导电层极薄，也可制作与导电性浆料适度地粘接的粘接层，且能够防止在导电性联接层的附近的氧的透过，因此是优选的。作为镍合金，通过与适度的原材料合金化，从而能够进一步增强效果，因此是优选的。
(构成6)
此外，本发明的实施方式的太阳能电池组件为，具备构成1至构成5中任一构成所述的光电转换装置的太阳能电池组件。
根据构成6，如果是由构成1至构成5的光电转换装置形成太阳能电池组件，则在与非晶质薄膜直接接触的电极的层使用主要成分由银构成的第一以及第三导电层来进行高效化，在将电极与布线局部地连接的构造中，能够防止电极的剥离，且即使放置在长期的环境中也能够将电性能的下降变为最小限度。
发明效果
在光电转换装置中，能够在将与非晶质薄膜直接接触的电极的主要成分设为银的情况下抑制电性能的下降。
附图说明
图1为第一实施方式的光电转换装置的俯视图。
图2为图1所示的线II-II间的光电转换装置的剖视图。
图3为图1所示的线III-III间的光电转换装置的剖视图。
图4为图1所示的线IV-IV间的光电转换装置的剖视图。
图5为表示图1至图4所示的光电转换装置的制造工序的第一工序图。
图6为表示图1至图4所示的光电转换装置的制造工序的第二工序图。
图7为表示图1至图4所示的光电转换装置的制造工序的第三工序图。
图8为第二实施方式的光电转换装置的俯视图。
图9为图8所示的线IX-IX间的光电转换装置的剖视图。
图10为图8所示的线X-X间的光电转换装置的剖视图。
图11为图8所示的线XI-XI间的光电转换装置的剖视图。
图12为第三实施方式的太阳能电池组件的俯视图。
图13为图12所示的布线基板的俯视图。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。另外，对图中相同或相当部分标注相同符号且不重复其说明。
[第一实施方式]
图1为第一实施方式的光电转换装置的俯视图。图2为图1所示的线II-II间的光电转换装置的剖视图。图3为图1所示的线III-III间的光电转换装置的剖视图。图4为图1所示的线IV-IV间的光电转换装置的剖视图。另外，图1为从与光入射侧相反一侧观察到的光电转换装置的俯视图。
参照图1至图4，第一实施方式的光电转换装置10具备：半导体基板1、反射防止膜2、第一非晶质半导体层3、第二非晶质半导体层4、电极5、6、导电性联接层7、布线基板8、以及绝缘性粘接层9。
半导体基板1例如由n型单晶硅基板形成，并具有100～200μm的厚度。此外，半导体基板1具有例如(100)的面取向以及1～10Ωcm的电阻率。并且，半导体基板1在光入射侧的表面具有绒面构造。
反射防止膜2配置于半导体基板1的光入射侧的表面。反射防止膜2例如由氧化硅以及氮化硅的层压构造形成。在该情况下，氧化硅以与半导体基板1接触的方式配置，氮化硅以与氧化硅接触的方式配置。并且，反射防止膜2具有例如100～1000nm的膜厚。
第一非晶质半导体层3配置于半导体基板1的与光入射侧的表面相反一侧的表面。在该情况下，第一非晶质半导体层3在x-y平面中以包围第二非晶质半导体层4的周围的方式配置。并且，第一非晶质半导体层3包含i型非晶质半导体层31和p型非晶质半导体层32。
i型非晶质半导体层31以与半导体基板1接触的方式配置于半导体基板1上。i型非晶质半导体层31例如由i型非晶硅、i型非晶碳化硅、i型非晶氮化硅、i型非晶氧化硅以及i型非晶氮氧化硅等形成。并且，i型非晶质半导体层31具有例如5～30nm的膜厚。
“i型”是指，不仅包含完全的本征的状态，还包含如果是充分地低浓度(n型杂质浓度小于1×1015个/cm3，且p型杂质浓度小于1×1015个/cm3)则混入有n型或p型的杂质的状态。
此外，在本发明的实施方式中，在“非晶硅”中，不仅包含硅原子的悬键(悬空键)未以氢为终端的非晶硅，还包含氢化非晶硅等的硅原子的悬键以氢等为终端的非晶硅。
p型非晶质半导体层32以与i型非晶质半导体层31接触的方式配置于i型非晶质半导体层31上。p型非晶质半导体层32例如由p型非晶硅、p型非晶碳化硅、p型非晶氮化硅、p型非晶氧化硅以及p型非晶氮氧化硅等形成。并且，p型非晶质半导体层32具有例如5～30nm的膜厚。
作为p型非晶质半导体层32中包含的p型杂质，例如能够使用硼(B)。此外，在本发明的实施方式中，“p型”是指，p型杂质浓度为1×1015个/cm3以上的状态。
第二非晶质半导体层4配置为，在半导体基板1的与光入射侧的表面相反一侧的表面，具有第一方向(x轴向)上较长的形状。第二非晶质半导体层4配置于与和第一方向(x轴向)正交的方向即第二非晶质半导体层4的宽度方向(y轴向)上的第一非晶质半导体层3的配置位置不同的配置位置。并且，第二非晶质半导体层4包含i型非晶质半导体层41和n型非晶质半导体层42。
i型非晶质半导体层41以与半导体基板1接触的方式配置于半导体基板1上。i型非晶质半导体层41例如由i型非晶硅、i型非晶碳化硅、i型非晶氮化硅、i型非晶氧化硅以及i型非晶氮氧化硅等形成。并且，i型非晶质半导体层41具有例如5～30nm的膜厚。
n型非晶质半导体层42以与i型非晶质半导体层41接触的方式配置于i型非晶质半导体层41上。n型非晶质半导体层42例如由n型非晶硅、n型非晶碳化硅、n型非晶氮化硅、n型非晶氧化硅以及n型非晶氮氧化硅等形成。并且，n型非晶质半导体层42具有例如5～30nm的膜厚。
另外，作为n型非晶质半导体层42中包含的n型杂质，例如能够使用磷(P)。此外，在本发明的实施方式中，“n型”是指，n型杂质浓度为1×1015个/cm3以上的状态。
电极5配置于第一非晶质半导体层3上。电极5由长度方向(x轴向)上分离的多个电极50形成。多个电极50以规定的间隔配置。
电极5包含导电层51、52。导电层51以与第一非晶质半导体层3接触的方式配置。导电层51例如由银形成。并且，导电层51具有例如50～300nm的膜厚。
导电层52以与导电层51接触的方式配置于导电层51上。导电层52由易于制作良好的氧化覆膜且电化学稳定的金属形成。优选为，导电层52由比银易于氧化的金属形成、或由比布线82、83易于氧化的金属形成、或由比布线82、83硬度高的金属形成。导电层52例如由铜、镍、铝、钼、钛以及它们的合金形成。在它们之中，铜、镍以及镍合金作为导电层52的材料是优选的。并且，导电层52具有例如100nm～500nm的膜厚。
另外，电极5也可以是沿长度方向(x轴向)相连的的构造。
电极6配置于第二非晶质半导体层4上。电极6由长度方向(x方向)上分离的多个电极60形成。多个电极60以规定的间隔配置。
电极6包含导电层61、62。导电层61以与第二非晶质半导体层4接触的方式配置。导电层61由与导电层51相同的材料形成，并具有与导电层51相同的膜厚。
导电层62以与导电层61接触的方式配置于导电层61上。并且，导电层62由与导电层52相同的材料形成，并具有与导电层52相同的膜厚。
另外，电极6也可以是沿长度方向(x轴向)相连的构造。
导电性联接层7以与导电层52以及布线82接触的方式配置于电极5的导电层52与布线基板8的布线82之间(参照图2)。此外，导电性联接层7以与导电层62以及布线83接触的方式配置于电极6的导电层62与布线基板8的布线83之间(参照图3)。并且，导电性联接层7例如由低熔点焊料、导电性浆料以及导电性糊剂等形成。导电性联接层7将电极5、6的导电层52、62与布线基板8的布线82、83电连接并且还进行机械连接。
布线基板8包含绝缘性基板81和布线82、83。布线82、83配置于绝缘性基板81上。布线82、83具有梳子形的平面形状(参照图1)。
绝缘性粘接层9包围电极5、6的周围。
在图2中，布线82通过导电性联接层7与电极5(导电层52)电连接，布线83与电极6对置。此外，在图3中，布线83通过导电性联接层7与电极6(导电层62)电连接，布线82与电极5对置。在电极5、6上的没有绝缘性粘接层9以及导电性联接层7的部分中，成为空间。
并且，在布线82通过导电性联接层7与电极5电连接的情况下，例如，在两个部位通过导电性联接层7与电极5(多个电极50各自)连接(参照图1)。此外，在布线83通过导电性联接层7与电极6电连接的情况下，例如，在两个部位通过导电性联接层7与电极6(多个电极60各自)连接(参照图1、4)。
绝缘性基板81由绝缘性材料形成，例如由聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、以及聚酰亚胺等的膜形成。
布线82、83各自由导电性材料形成，例如由对铝、铜、银、锡以及锌等叠层而成的导电材料形成。
图5至图7分别为表示图1至图4所示的光电转换装置10的制造工序的第一至第三工序图。另外，图5至图7所示的工序图使用图1所示的线IV-IV间的剖视图示出。
参照图5，当开始光电转换装置10的制造时，准备半导体基板1’(图5的工序(a))。另外，半导体基板1’具有与半导体基板1相同的面取向、电阻率、导电型以及厚度。
并且，在半导体基板1’的一侧的面形成保护膜20(图5的工序(b))。保护膜20例如由氧化硅以及氮化硅形成，例如通过溅镀来形成。
之后，使用NaOH以及KOH等碱溶液(例如，KOH：1～5wt％，异丙醇：1～10wt％的水溶液)对形成有保护膜20的半导体基板1’进行蚀刻。由此，对半导体基板1’的与形成有保护膜20的面相反一侧的表面实施各向异性蚀刻，从而形成有金字塔形状的绒面构造。并且，通过去除保护膜20而获得半导体基板1(参照图5的工序(c))。
接下来，在半导体基板1的形成有绒面构造的表面形成反射防止膜2(图5的工序(d))。更具体而言，例如通过溅射法，将氧化硅以及氮化硅依次堆积于半导体基板1上而形成反射防止膜2。
在工序(d)之后，在半导体基板1的与形成有绒面构造的表面相反一侧的表面依次形成i型非晶质半导体层21以及p型非晶质半导体层22(图5的工序(e))。i型非晶质半导体层21以及p型非晶质半导体层22的形成方法并不特别限定，例如可使用等离子CVD(Chemical Vapor Deposition)法。
在i型非晶质半导体层21由i型非晶硅、i型非晶碳化硅、i型非晶氮化硅、i型非晶氧化硅以及i型非晶氮氧化硅等形成的情况下，使用等离子CVD法形成i型非晶质半导体层21时的条件是公知的，因此能够使用其公知的条件形成i型非晶质半导体层21。
此外，在p型非晶质半导体层22由p型非晶硅、p型非晶碳化硅、p型非晶氮化硅、p型非晶氧化硅以及p型非晶氮氧化硅等形成的情况下，使用等离子CVD法形成p型非晶质半导体层22时的条件是公知的，因此能够使用其公知的条件形成p型非晶质半导体层22。
在工序(e)之后，在p型非晶质半导体层22上涂布蚀刻浆料23(图6的工序(f))。在此，作为蚀刻浆料23，只要能够对i型非晶质半导体层21以及p型非晶质半导体层22的层压体进行蚀刻，则并不特别限定。
接着，通过对蚀刻浆料23进行加热从而沿厚度方向对i型非晶质半导体层21以及p型非晶质半导体层22的层压体的一部分进行蚀刻(图6的工序(g))。由此，使半导体基板1的背面(与形成有绒面构造的面相反侧的表面)的一部分露出。此外，形成有包含i型非晶质半导体层31以及p型非晶质半导体层32的第一非晶质半导体层3。
并且，以与半导体基板1的背面的露出面以及p型非晶质半导体层32接触的方式形成i型非晶质半导体层24，之后，以与i型非晶质半导体层24的整个面接触的方式形成n型非晶质半导体层25(图6的工序(h))。i型非晶质半导体层24以及n型非晶质半导体层25的形成方法并不特别限定，例如能够使用等离子CVD法。
在i型非晶质半导体层24由i型非晶硅、i型非晶碳化硅、i型非晶氮化硅、i型非晶氧化硅以及i型非晶氮氧化硅等形成的情况下，使用等离子CVD法形成i型非晶质半导体层24时的条件是公知的，因此能够使用其公知的条件形成i型非晶质半导体层24。
此外，在n型非晶质半导体层25由n型非晶硅、n型非晶碳化硅、n型非晶氮化硅、n型非晶氧化硅以及n型非晶氮氧化硅等形成的情况下，使用等离子CVD法形成n型非晶质半导体层25时的条件是公知的，因此能够使用其公知的条件形成n型非晶质半导体层25。
在工序(h)之后，在n型非晶质半导体层25上涂布蚀刻掩膜26(图6的工序(i))。作为蚀刻掩膜26，只要在对i型非晶质半导体层24以及n型非晶质半导体层25的层压体进行蚀刻时作为掩膜发挥功能，则并不特别限定。
接着，在将蚀刻掩膜26用作掩膜实施蚀刻，沿厚度方向对i型非晶质半导体层24以及n型非晶质半导体层25的层压体的一部分进行蚀刻，之后，去除蚀刻掩膜26。由此，使p型非晶质半导体层32的表面的一部分露出(图7的工序(j))。此外，形成包含i型非晶质半导体层41以及n型非晶质半导体层42的第二非晶质半导体层4。
并且，在p型非晶质半导体层32上形成电极5，在n型非晶质半导体层42上形成电极6(图7的工序(k))。在此，电极5、6能够使用金属掩膜等的掩膜通过溅镀或蒸镀来形成。对于金属掩膜，在欲形成电极的部位开口，为了维持金属掩膜的机械强度，存在有开口与未开口的部分的比率、最小开口宽、以及形状等的限制，因此理想的是开口为矩形等简单的形状。此外，与开口处于各种位置的情况相比，将开口排列易于维持机械强度。
通过将导电层51、52连续地使用相同金属掩膜进行成膜从而能够形成电极5，通过将导电层61、62连续地使用相同金属掩膜进行成膜从而能够形成电极6。此外，例如，使用相同溅镀装置在真空中连续地对导电层51、61以及导电层52、62进行成膜从而能够形成电极5、6。由此，能够削减成本。
如此，在使用金属掩膜利用溅镀装置等进行成膜的情况下，能够以覆盖导电层51、61的大概上表面的方式设置导电层52、62。此外，如此形成的电极5、6有时根据开口宽和形成条件而膜厚从周边部朝向中心部变厚。
在工序(k)之后，作为导电性联接层7通过印刷等将低熔点焊接浆料在电极5、6上的多个部位形成为点状。此外，以包围电极5、6的方式通过印刷等涂布绝缘性粘接层9(图7的工序(l))。
接着，准备150μm左右的绝缘性的布线基板81，布线82、83分别与电极5、6大致平行，以在规定的位置获得电连接的方式调节位置而使半导体基板1与布线基板8贴合。并且，通过从两面对贴合后的半导体基板1以及布线基板8施加压力并进行加热等，从而进行电气接合。由此，完成光电转换装置10(图7的工序(m))。
在光电转换装置10中，电极5的一部分经由导电性联接层7与布线82连接，剩余的部分与布线82面对。此外，电极6的一部分经由导电性联接层7与布线83连接，剩余的部分与布线83面对。并且，电极5、6通过一部分经由导电性联接层7而分别与布线82、83连接，因此电极5、6分别以具有机械强度的方式与布线82、83连接，并且电极5、6通过一部分与布线82、83连接，从而能够释放施加于电极5、6的应力。
此外，电极5、6分别与p型非晶质半导体层32以及n型非晶质半导体层42接触，且包含主要成分为银的导电层51、61，因此反射率高且能够使未被半导体基板1、p型非晶质半导体层32以及n型非晶质半导体层42吸收而透射过来的光向半导体基板1的光入射面侧反射，因此短路光电流增加。
而且，主要成分为银的导电层51、61分别与p型非晶质半导体层32以及n型非晶质半导体层42可以取得比较良好的电接触。
而且，电极5、6分别包含覆盖导电层51、61的导电层52、62，因此导电层52、62分别比导电层51、61表面先氧化，氧化膜在导电层52、62的表面形成得较薄，氧的侵入减少，能够防止氧向导电层51、61(＝银)的透过。其结果为，p型非晶质半导体层32以及n型非晶质半导体层42的氧化得以抑制，能够抑制电极5、6的剥离。
因此，根据上述的主要原因，能够抑制作为以银为电极的主要成分使用的光电转换装置10的电性能的下降。
以往，当将具备主要成分由银形成的电极的光电转换装置放置于大气中时，有时电性能会下降。这是由于，银不易氧化，氧透过银之中，而到达p型非晶质半导体层和/或n型非晶质半导体层，从而使p型非晶质半导体层和/或n型非晶质半导体层氧化。此外，能够减少如此形成的氧化界面部分在界面处的联接力。
考虑到放置于大气中而太阳能电池的电极被剥离是因为此。特别是，在带布线基板的异质结型背接触太阳能电池中，在将由实心的银形成的材料用于电极的情况下，能够减薄电极的膜厚，得知有时会产生影响。另外，实心是指，构成电极的物质的密度为构成的金属的密度的95％以上。例如，在由银形成的电极的情况下，元素的密度为10.49g/cm3，因此只要是9.97g/cm3以上即可。
此外，银的导电率高，因此能够减薄主要成分由银形成的电极的膜厚，但当电极的膜厚变薄时，氧会到达电极与p型非晶质半导体层32以及n型非晶质半导体层42的界面，从而p型非晶质半导体层32以及n型非晶质半导体层42被氧化。
但是，在光电转换装置10中，如上所述，导电层51、61分别被导电层52、62覆盖，从而氧不易向导电层51、61侵入，p型非晶质半导体层32以及n型非晶质半导体层42的氧化得以抑制。
因此，上述的光电转换装置10的结构为，作为带布线基板的异质结型背接触太阳能电池而言是优选的结构。
此外，想到了导电性联接层7由电极材料形成，但发现了由于对电极以及布线与粘接层进行制作并接合，因此会向电极中的混合而一部分产生空隙，从而来自导电性联接层的附近的氧的透过增加。特别是，在不是实心的存在有空隙的电极的情况下，氧的透过显著。
因此，对于光电转换装置10的导电层52、62，通过适度地制作粘接层而实施与导电性联接层7的良好的连接，并且能够减少导电性联接层7的浸透，防止银向导电性联接层7的扩散，此外，防止导电性联接层7的附近的空隙的增加，同时还负责防止氧的透过的责任。
当在导电性联接层的附近施加有应力时，由于电流集中，因此有时会发现在导电性联接层的附近，被认为在环境试验后导电型的非晶质半导体层与银的界面的剥离的现象、以及被认为导电型的非晶质半导体层与电极的接合不良的产生的电性能不良，但通过使用导电层52、62，可减少导电性联接层7的附近的电极5、6的剥离，并且p型非晶质半导体层32以及n型非晶质半导体层42与电极5、6的接合不良的产生得以抑制，光电转换装置10的电性能得以改善并且能够增加可靠性。
在未利用导电性联接层7粘接的部分，导电层52、62分别与布线82、83面对，导电层52、62的表面直接暴露在含有氧的气氛中，从而能够在导电层52、62形成更致密的氧化膜，氧的侵入减少，能够防止氧向银的透过。
在该部分，当表面未被导电层52、62覆盖时，有时会有银的硫化进展，有时会导致可靠性的下降。例如，在银浆料浆料电极等的不是实心的结构中，由于通过印刷来进行制作，因此电极的膜厚比较厚且几乎不会发现银表面的影响，但通过溅射、蒸镀、电镀等进行制作的电极是实心的，因此即使薄电阻也低，因为制作的薄，因此易受到表面的硫化的影响。
此外，以往电极与布线的对置面的大部分通过导电性联接层连接，没有特别地问题，但电极与布线通过导电性联接层粘接的部分和未粘接的部分混合存在，会有化学反应以电化学的方式进行，因此根据电极与布线导电性联接层的材质，有时会对可靠性产生影响。
在导电层52、62分别覆盖导电层51、61的情况下，能够进一步形成更致密的氧化膜，能够减少电化学反应的进行，能够提高可靠性。
此外，导电层52、62为由比布线82、83易于氧化的金属形成的结构，因此能够防止布线82、83先氧化，能够获得良好的电连接。当电极5、6通过导电性联接层7与布线82、83连接的部分、和电极5、6未通过导电性联接层7粘接的部分混合存在时，有时会以电化学的方式进行化学反应，因此导电层52、62由比布线82、83易于氧化的金属形成的结构是优选的。
而且，导电层52、62为由比布线82、83硬度高的金属形成的结构，因此能够防止损伤的产生。在获得导电性联接层7的连接时，存在有由电极5、6与布线82、83的接触而引起的导电层52、62的损伤的产生，会有使氧向导电层51、61(＝银)的透过得以进展的可能性，因此应该避免。
对于导电层52、62，在电极5、6通过一部分经由导电性联接层7与布线82、83电连接的情况下，在制作时以及制作后，电极5、6与布线82、83直接接触的情况较多且导电层52、62由比布线82、83硬度高的金属形成的结构是优选的。
在所述内容中，说明了半导体基板1由n型单晶硅基板形成，但在第一实施方式中，并不限于此，半导体基板1也可以由n型多结晶硅基板、p型单晶硅基板以及p型多结晶硅基板中的任一者形成。
在半导体基板1由p型单晶硅基板或p型多结晶硅基板形成的情况下，能够将所述的说明中的第一非晶质半导体层3以及第二非晶质半导体层4相互替换。
国际公开第2015/060432号单行本中公开了由第一导电层和第二导电层形成的电极。第一导电层包含第一金属以作为主要成分，第二导电层包含第二金属。第二金属比第一金属易于氧化(参照国际公开第2015/060432号单行本的第[0009]段)。在国际公开第2015/060432号单行本中，第一导电层相当于图1所公开的导电层26n，第二导电层相当于图1所公开的导电层28n。并且，根据国际公开第2015/060432号单行本的图1，导电层28n以与n型非晶硅层20n接触的方式配置，导电层26n以与导电层28n接触的方式配置。也就是说，在国际公开第2015/060432号单行本中公开了，以与n型非晶硅层20n接触的方式配置由更易于氧化的金属形成的导电层28n的结构。因此，在国际公开第2015/060432号单行本中，在n型非晶硅层20n与导电层28n的界面形成有氧化膜，n型非晶硅层20n被氧化。其结果为，在国际公开第2015/060432号单行本所公开的结构中，无法获得上述的光电转换装置10中的效果，也无法解决电极的剥离这样的问题。
因此，上述的光电转换装置10的结构为，与国际公开第2015/060432号单行本所公开的结构完全不同的结构，在国际公开第2015/060432号单行本中，对于上述的光电转换装置10的结构不存在启示，因此本领域技术人员难以基于国际公开第2015/060432号单行本，而容易地想到上述的光电转换装置10的结构。
[第二实施方式]
图8为第二实施方式的光电转换装置的俯视图。图9为图8所示的线IX-IX间的光电转换装置的剖视图。图10为图8所示的线X-X间的光电转换装置的剖视图。图11为图8所示的线XI-XI间的光电转换装置的剖视图。另外，图8为从与光入射侧相反一侧观察到的光电转换装置的俯视图。
参照图8至图11，在第二实施方式光电转换装置10A中，将图1至图4所示的光电转换装置10的布线基板8替代为布线基板8A，其他与光电转换装置10相同。
图8所示的光电转换装置10A的俯视图与图1所示的光电转换装置10的俯视图相同。
参照图9至图11，在布线基板8A中，将图2至图4所示的布线基板8的绝缘性基板81替代为绝缘性基板81A，其他与布线基板8相同。
绝缘性基板81A由与绝缘性基板81相同的材料形成。并且，绝缘性基板81A比绝缘性基板81薄，例如具有50μm的厚度。
参照图9，电极5通过导电性联接层7而与布线82连接。
另一方面，电极6与布线83接触。其结果为，电极6与布线83电连接，但未机械地连接。因此，对于电极6的导电层62，在光电转换装置10A被放置于大气中的情况下，表面被氧而被氧化。
绝缘性基板81A较薄，因此通过在半导体基板1与布线基板8A面接触时进行加压，而成为配置有布线83的部分以向电极6的方向突出的方式弯曲的构造(参照图9)。
参照图10，电极5与布线82接触。其结果为，电极5与布线82电连接，但未机械地连接。因此，电极5的导电层52在光电转换装置10A被放置于大气中的情况下，表面被氧而氧化。
另一方面，电极6通过导电性联接层7与布线83连接。
绝缘性基板81A较薄，因此通过在半导体基板1与布线基板8A面接触时进行加压，而成为配置有布线82的部分以向电极5的方向突出的方式弯曲的构造(参照图10)。
参照图11，电极6通过导电性联接层7而在两个部位与布线83连接，并且在不存在有导电性联接层7的部分与布线83的突出部831接触。突出部831向电极6的方向突出。其结果为，电极6通过导电性联接层7而与布线83电连接和机械连接并且与布线83的突出部831电连接，不与突出部831机械连接。因此，电极6的导电层62中的、与布线83的突出部831接触的部分在光电转换装置10A被放置于大气中的情况下，表面被氧而氧化。
另外，在光电转换装置10A中，在与配置有电极5的部分的x轴向平行的线中的剖视图中，电极5通过导电性联接层7而在两个部位与布线82连接，并且在不存在有导电性联接层7的部分与布线82的突出部接触。布线82的突出部向电极5的方向突出。其结果为，电极5通过导电性联接层7而与布线82电连接及机械连接，并且与布线82的突出部电连接，不与布线82的突出部机械连接。因此，电极5的导电层62中的、与布线82的突出部接触的部分，在光电转换装置10A被放置于大气中的情况下，表面被氧而氧化。
另外，光电转换装置10A按照图5至图7所示的工序(a)至工序(m)进行制造。在该情况下，通过半导体基板1与布线基板8A面接触，从而绝缘性基板81A的一部分向电极5、6方向突出，并且布线82、83的一部分分别向电极5、6方向突出。其结果为，光电转换装置10A的剖视图成为图9至图11所示那样的截面构造。
在光电转换装置10A中，电极5、6通过导电性联接层7分别与布线82、83连接，并且在不存在有导电性联接层7的部分分别与布线82、83接触。
因此，光电转换装置10A与光电转换装置10相比能够增加电极5、6与布线82、83电连接的部分。其结果为，能够提高光电转换装置10A的电性能。
第二实施方式中的其他说明与第一实施方式中的说明相同。
[第三实施方式]
图12为第三实施方式太阳能电池组件的俯视图。另外，图12为从光入射侧观察到的太阳能电池组件的俯视图。
参照图12，第三实施方式太阳能电池组件100具备布线基板110和多个太阳能电池120。
多个太阳能电池120例如呈4行×6列配置于布线基板110上。并且，多个太阳能电池120例如进行电连接且串联连接。
多个太阳能电池120各自形成为，具备上述的光电转换装置10或光电转换装置10A中的、半导体基板1、反射防止膜2、第一非晶质半导体层3、第二非晶质半导体层4、以及电极5、6的结构。
图13为图12所示的布线基板110的俯视图。参照图13，布线基板110具备绝缘性基板111和布线112～114。
作为绝缘性基板111，可以使用绝缘性的基材，例如能使用聚酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚酰亚胺等的膜。并且，绝缘性基板111具有与绝缘性基板81或绝缘性基板81A相同的厚度。
布线112包含多个布线1121和布线1122。多个布线1121相互并排排列配置，一方端部与布线1122连接，并且从布线1122向一侧的方向突出。
布线113包含布线1131、多个布线1132、以及多个布线1133。多个布线1132相互并排排列配置，多个布线1133相互并排排列配置。
多个布线1132的一方端部与布线1131连接，并从布线1131向一侧的方向突出。
多个布线1133的一方端部与布线1131连接，并从布线1131向与多个布线1132的突出方向相反方向突出。
布线114包含多个布线1141和布线1142。多个布线1141相互并排排列配置，一方端部与布线1142连接，并且从布线1142向一侧的方向突出。
布线基板110由将两个布线112、18个布线113、五个布线114配置于绝缘性基板111上的结构形成。在该情况下，在布线112、113间，布线112的多个布线1121以与布线113的多个布线1132啮合的方式配置。此外，在相邻的两个布线113间，一侧的布线113的多个布线1132以与另一侧的布线113的多个布线1133啮合的方式配置。而且，在布线113、114间，布线113的多个布线1132或多个布线1133以与布线114的多个布线1141啮合的方式配置。
其结果为，通过将24个太阳能电池120呈4行×6列配置于布线基板110上，从而24个太阳能电池120被电连接且串联连接。
布线112～114各自由导电性材料构成，例如由铜、镀银铜、镀锡铜等形成。
另外，布线1131以及多个布线1132、1133、1141可以如下方式形成：例如在绝缘性基材111的表面的整个面形成有金属膜等导电膜后，通过蚀刻等去除其一部分而图案化。
例如，通过一直以来公知的方法利用树脂等对如此获得的带布线基板的背面接合型太阳能电池串进行密封，从而能够制作太阳能电池组件100。
利用作为密封材料的EVA(乙酰醋酸乙烯酯)膜夹入如此连接的太阳能电池串，而且，通过作为表面保护层的玻璃板与由丙烯酸树脂等形成的背面膜夹持该EVA膜。当对进入EVA膜间的气泡进行减压、排出(层压)、加热(硬化)时，EVA硬化而背面接合型太阳能电池被密封。之后，在其外周嵌入作为框体的铝框，在向外部延伸的一对外部接线处连接线盒，从而完成太阳能电池组件100。
即使在这样的结构的太阳能电池组件100中，在构成太阳能电池组件100的各个背面接合型太阳能电池(太阳能电池120)中，由于发现了电性能提高效果，因此太阳能电池组件100的电性能协同地提高，此外，构成太阳能电池组件100的背面接合型太阳能电池(太阳能电池120)彼此的连接也分别变容易，因此太阳能电池组件100的制作也变容易并且可靠性提高。
以下，对实施例进行说明。
(实施例1)
在实施例1中，根据第一实施方式，制作光电转换装置，并进行其电性能的评价。在制作中，以下具体地进行说明。
首先，从156mm的n型的块状硅上切出150μm的厚度硅片，并实施了用于去除硅片表面的损伤层的蚀刻和用于调节厚度的蚀刻。
在这些蚀刻的硅片的单面形成保护膜。作为保护膜而形成氮化硅膜。使用KOH：1～5wt％，异丙醇：1～10wt％的水溶液对形成有保护膜的硅片进行湿蚀刻。在蚀刻后去除保护膜。
接下来，在半导体基板1的受光面形成由氧化硅膜和氮化硅膜形成的反射防止膜2。首先，对半导体基板1的表面进行热氧化而形成基板的受光面氧化膜，之后，通过在受光面的氧化膜上形成氮化硅膜从而形成反射防止膜2。
接着，作为i型非晶质半导体膜31，等离子CVD装置形成5nm实质上为本征且含有氢的非晶硅膜。对于导入至等离子CVD装置所具备的反应室的反应气体，使用硅烷气体以及氢气体。并且，使用将半导体基板1的温度设定为200℃，将氢气体流量设定为100sccm，将硅烷(SiH4)气体的流量设定为40sccm，将反应室内的压力设定为100Pa，将高频(13.56MHz)电力的密度设定为10mW/cm2的条件进行了成膜。
接下来，在i型非晶质半导体膜31上形成10nm p型非晶质半导体膜32。
p型非晶质半导体膜32使用等离子CVD法来形成。对于导入至等离子CVD装置所具备的反应室的反应气体，使用硅烷气体、氢气体、以及氢稀释的乙硼烷(B2H6)气体(乙硼烷浓度为2％)。并且，使用将氢气体流量设定为100sccm，将硅烷气体流量设定为40sccm，将乙硼烷气体流量设定为40sccm，将半导体基板1的温度设定为200℃，将反应室内的压力设定为100Pa，将高频电力的密度设定为10mW/cm2的条件进行了成膜。
在p型非晶质半导体膜32上通过丝网印刷涂布市售的蚀刻浆料23。接着，以200℃对蚀刻浆料23加热10分钟，从而沿厚度方向对i型非晶质半导体膜31以及p型非晶质半导体膜32的层压体的一部分进行了蚀刻。蚀刻的硅膜以及蚀刻浆料的固溶物在超声波清洗槽中浸渍10分钟并被去除。由此，如图6的工序(g)所示，使半导体基板1的背面的一部分露出。
接着，作为i型非晶质半导体膜24，通过等离子CVD装置形成5nm实质上为本征且含有氢的非晶硅膜。对于导入至等离子CVD装置所具备的反应室的反应气体，使用硅烷气体以及氢气体。并且，使用将半导体基板1的温度设定为200℃，将氢气体流量设定为100sccm，将SiH4气体的流量设定为40sccm，将反应室内的压力设定为100Pa，将高频(13.56MHz)电力的密度设定为10mW/cm2的条件进行了成膜。
接下来，在i型非晶质半导体膜24上形成10nm n型非晶质半导体膜25。
n型非晶质半导体膜25使用等离子CVD来形成。对于导入至等离子CVD装置所具备的反应室的反应气体，使用硅烷气体、氢气体、以及氢稀释的膦(PH3)气体(膦浓度例如为1％)。并且，使用将半导体基板1的温度设定为170℃，将氢气体的流量设定为100sccm，将硅烷气体的流量设定为40sccm，将膦气体的流量设定为40sccm，将反应室内的压力设定为40Pa，将高频(13.56MHz)电力的密度设定为8.33mW/cm2的条件进行了成膜。
接着，如图6的工序(i)所示，在n型非晶质半导体膜25上通过丝网印刷涂布由市售的抗蚀剂形成的蚀刻掩膜26，并进行了充分干燥。接着，将蚀刻掩膜26作为掩膜，并浸渍于1％的KOH液。通过进行蚀刻，从而沿厚度方向对i型非晶质半导体膜24以及n型非晶质半导体膜25的层压体的一部分进行蚀刻，使i型非晶质半导体膜24以及n型非晶质半导体膜25的层压体一部分露出。之后，通过SPM清洗液去除蚀刻掩膜26。
接着，在n型非晶质半导体膜42的形成后，在p型非晶质半导体膜32以及n型非晶质半导体膜42上分别形成了电极5、6。
对于电极5、6，将整体的金属掩膜配置于半导体基板1上，通过溅射法，作为导电层51、61而连续地形成200nm包含0.5％wt的钛的银电极，作为导电层52、62而连续地形成300nm镍电极。
金属掩膜的图案如下所示。将电极5的宽度设为900μm，将电极6的宽度设为200μm，将重复间距设为1.5mm。电极6的外缘部的端部与基板的端部相比，而成为1000μm内侧，电极5的外缘部的端部与基板的端部相比，而成为500μm内侧。非开口部的宽度成为200μm。金属掩膜的厚度鉴于机械强度而被设为200μm。此外，鉴于机械强度，开口沿长边方向按照约每10mm进行分割，设置有200μm的非开口部。
接着，如图7的工序(l)所示，在电极5、6上作为导电性浆料7形成为，通过印刷市售的主要成分由铋以及锡形成的低熔点焊接浆料，从而配置于电极5、6。低熔点焊接浆料的印刷间距大概为1mm间隔，点尺寸被设为150μm。接着，在电极5、6的周围通过印刷而形成市售的绝缘性粘接层9。
接着，如图7的工序(m)所示，准备具备150μm程度的绝缘基板81和由50μm的铜形成的布线82、83的布线基板8，电极5、6与布线82、83以大致平行的方式设定，并以在规定的位置获得电连接的方式调节位置并对半导体基板1和布线基板8进行粘贴。
接着，对粘贴后的半导体基板1和布线基板8从两面施加压力，以200℃加热10分钟，从而实施电气接合。如此，制作20张带布线基板的异质结型背接触太阳能电池120。
将如以上所述制作的异质结型背接触太阳能电池120中的10张放置于大气中10天。在沿将半导体基板1与布线基板8剥离的方向轻轻拉拽时，没有特别变化。
利用市售的玻璃、由PET树脂形成的背板、EVA夹持剩余10张的太阳能电池120的半导体基板1并进行层压，从而制作组件。
(实施例2)
在实施例2中，根据第二实施方式，制作光电转换装置，并进行了其电性能的评价。
如图7的工序(m)所示，准备具备50μm程度的绝缘基板81A和由50μm的铜形成的布线82、83的布线基板8A，电极5、6与布线82、83以大致平行的方式设定，以在规定的位置获得电连接的方式调节位置，并对半导体基板1和布线基板8A进行了粘贴。
接着，对粘贴后的半导体基板1和布线基板8A从两面施加压力，以190℃加热12分钟，从而进行了电气接合。如此，制作20张带布线基板的异质结型背接触太阳能电池120。
将如以上所述制作的异质结型背接触太阳能电池120中的10张放置于大气中10天。在沿将半导体基板1与布线基板8A剥离的方向轻轻拉拽时，没有特别变化。
利用市售的玻璃、由PET树脂形成的背板、EVA夹持剩余10张的太阳能电池120的半导体基板1并进行层压，从而制作组件。
除此以外，以与实施例1同样的方式进行制作。
(实施例3)
在实施例3中，根据第二实施方式，制作光电转换装置，并进行了其电性能的评价。
对于电极5、6，将整体的金属掩膜配置于半导体基板1上，通过溅射法，作为导电层51、61而连续地形成200nm包含0.5％wt钛的银电极，作为导电层52、62而连续地形成300nm钛电极。
接着，如图7的工序(l)所示，在电极5、6上作为导电性浆料7，通过印刷市售的银糊剂来形成。银糊剂的印刷间距为1mm间隔，点尺寸被设为150μm。
接着，对粘贴后的半导体基板1和布线基板8A从两面施加压力，以190℃加热12分钟，从而进行了电气接合。如此，制作20张带布线基板的异质结型背接触太阳能电池120。
将如以上所述制作的异质结型背接触太阳能电池120中的10张放置于大气中10天。在沿将半导体基板1与布线基板8A剥离的方向轻轻拉拽时，存在有一张导电性浆料7被剥离的电池。可认为稍微反映了导电层52、62与导电性联接层7的机械强度较低。
利用市售的玻璃、由PET树脂形成的背板、EVA夹持剩余10张的太阳能电池120的半导体基板1并进行层压，从而制作组件。
除此以外，以与实施例2同样的方式进行制作。
<比较例1>
作为比较例1，以未设置导电层52、62的方式进行制作。
将如以上所述制作的异质结型背接触太阳能电池中的10张放置于大气中10天。在沿将半导体基板1与布线基板8A剥离的方向轻轻拉拽时，存在有一张电极的一部分被剥离的电池。
利用市售的玻璃、由PET树脂形成的背板、EVA夹持剩余10张的太阳能电池的半导体基板1并进行层压，从而制作组件。
其他以与实施例1同样的方式进行制作。
<比较例2>
作为比较例2，与比较例1相比，在导电层51、61之下作为粘接层而设置5nm钛的层来进行制作。
将如以上所述制作的异质结型背接触太阳能电池中的10张放置于大气中10天。在沿将半导体基板1与布线基板8A剥离的方向轻轻拉拽时，没有特别变化。
利用市售的玻璃、由PET树脂形成的背板、EVA夹持剩余10张的太阳能电池的半导体基板1并进行层压，从而制作组件。
其他以与实施例1同样的方式进行制作。
<比较例3>
作为比较例3，将导电性联接层7设为线状，在半导体基板1整体，电极5、6与布线82、83的对置面的重叠部分大概为80％以上的面积。
其他以与实施例1同样方式进行制作。确认到10张中的5张的半导体基板1稍微翘曲。
将如以上所述制作的异质结型背接触太阳能电池中的10张放置于大气中10天。在沿将半导体基板1与布线基板8A剥离的方向轻轻拉拽时，可知在一张上产生了裂纹。
利用市售的玻璃、由PET树脂形成的背板、EVA夹持剩余10张的半导体基板1并进行层压，从而制作组件。其他以与实施例1同样的方式进行制作。
针对放置于大气中的10张，在放置的前后，对电性能进行了评价。此外，针对作为组件的10张，在环境试验的前后对电性能进行了评价。
使用太阳光模拟器，对制作的光电转换装置的转换效率进行测量，在计算出平均值时，与实施例1的转换效率相比，实施例2的转换效率为1.02，实施例3的转换效率为0.99，比较例1的转换效率为0.99，比较例2的转换效率为0.93，比较例3的转换效率为1.00。可知对于初始转换效率，实施例1、2、3具有比比较例2优异的电性能。
针对大气放置后的转换效率，与实施例1的转换效率相比，实施例2的转换效率为1.02，实施例3的转换效率为0.99，比较例1的转换效率为0.91，比较例2的转换效率为0.93，比较例3为0.99。
可知对于大气放置后的转换效率，实施例1、2、3与比较例1、2相比具有优异的电性能。
此外，在将制作的组件放置于温度85℃、湿度85％的高温高湿槽中一个月后，在再次使用太阳光模拟器对转换效率进行了测量时，与实施例1的转换效率相比，实施例2的转换效率为1.01，实施例3的转换效率为0.99，比较例1的转换效率为0.90，比较例2的转换效率为0.93，比较例3的转换效率为0.98。可知实施例1、2、3与比较例1、2、3相比具有优异的电性能。
在将实施例1以及实施例2的成本与比较例3的成本进行比较时，减少2％。实施例3的成本增加了实施例1以及实施例2的1％。
应认为此次公开的实施方式的所有方面为例示而并不用于限制本发明。本发明的范围并不通过所述的实施方式的说明示出而通过权利要求书示出，并且意图在于包含与保护范围均等的意味以及范围内的所有变更。
产业上的可利用性
本发明可应用于光电转换装置以及具备其的太阳能电池组件。

Claims (6)

1.一种光电转换装置，其特征在于，具备：
半导体基板，其具有第一导电型；
第一非晶质半导体层，其配置于所述半导体基板的一侧的面，并具有所述第一导电型；
第二非晶质半导体层，其配置于所述半导体基板的一侧的面，并具有与所述第一导电型相反的第二导电型；
第一电极，其与所述第一非晶质半导体层电连接；
第二电极，其与所述第二非晶质半导体层电连接；
第一布线，其经由导电性联接层与所述第一电极的一部分连接；以及
第二布线，其经由导电性联接层与所述第二电极的一部分连接，
所述第一电极包含：
第一导电层，其以与所述第一非晶质半导体层接触的方式配置，并且主要成分为银；以及
第二导电层，其配置于所述第一导电层与所述第一布线之间，并由比所述银易于氧化的金属形成，
所述第二电极包含：
第三导电层，其以与所述第二非晶质半导体层接触的方式配置，并且主要成分为银；以及
第四导电层，其配置于所述第三导电层与所述第二布线之间，并由比所述银易于氧化的金属形成，
所述第二导电层包含与所述第一布线面对的部分，
所述第四导电层包含与所述第二布线面对的部分。
2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，
具有所述第二导电层与所述第一布线直接接触的结构、以及所述第四导电层与所述第二布线直接接触的结构中的至少一个结构。
3.根据权利要求1或2所述的光电转换装置，其特征在于，
具有所述第二导电层由比所述第一布线易于氧化的金属形成的结构、以及所述第四导电层由比所述第二布线易于氧化的金属形成的结构中的至少一个结构。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，
具有所述第二导电层由比所述第一布线硬度高的金属形成的结构、以及所述第四导电层由比所述第二布线硬度高的金属形成的结构中的至少一个结构。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光电转换装置，其特征在于，
所述第二导电层以及所述第四导电层以镍为主要成分。
6.一种太阳能电池组件，其特征在于，
具备权利要求1至5中任一项所述的光电转换装置。
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