JPH0770458B2 - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0770458B2 JPH0770458B2 JP30931686A JP30931686A JPH0770458B2 JP H0770458 B2 JPH0770458 B2 JP H0770458B2 JP 30931686 A JP30931686 A JP 30931686A JP 30931686 A JP30931686 A JP 30931686A JP H0770458 B2 JPH0770458 B2 JP H0770458B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- ray
- area
- plating
- auxiliary cathode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は微細パターンを高精度に転写するＸ線露光用マ
スクの製造方法に関する。
スクの製造方法に関する。
Ｘ線露光用マスクのＸ線吸収性パターンを被転写基板上
のＸ線感応性レジストに転写するには、Ｘ線透過性簿膜
を透過するＸ線量と、Ｘ線透過性簿膜とＸ線吸収性パタ
ーンの両者を透過したＸ線量とのコントラストが充分大
きいことが必要である。
のＸ線感応性レジストに転写するには、Ｘ線透過性簿膜
を透過するＸ線量と、Ｘ線透過性簿膜とＸ線吸収性パタ
ーンの両者を透過したＸ線量とのコントラストが充分大
きいことが必要である。
そのため、Ｘ線吸収性パターンは上記の条件を満たすよ
うに、充分な膜厚で形成しなければならない。
うに、充分な膜厚で形成しなければならない。
一方、微細パターンを忠実に転写するために、Ｘ線マス
クのＸ線吸収性パターンは側壁が垂直に切り立った断面
形状に形成されていることが要求される。
クのＸ線吸収性パターンは側壁が垂直に切り立った断面
形状に形成されていることが要求される。
こうしたＸ線吸収性パターンに求められる条件を満たし
たＸ線吸収性パターンを得る手段として、電気絶縁性材
料を、Ｘ線吸収性パターンに対応する領域が開口しため
っき母型を用いて、電気めっき法で、Au、Pt、Pd等の重
金属元素でＸ線吸収性パターンを形成する方法が知られ
ている。
たＸ線吸収性パターンを得る手段として、電気絶縁性材
料を、Ｘ線吸収性パターンに対応する領域が開口しため
っき母型を用いて、電気めっき法で、Au、Pt、Pd等の重
金属元素でＸ線吸収性パターンを形成する方法が知られ
ている。
Ｘ線吸収性パターンを電気めっき法で形成する場合、被
めっき面積を正確に算出出来るときにのみ、所要のめっ
き厚を得るのに要する電気量を正しく設定出来る。しか
し、一般にＸ線吸収性パターンの形状が複雑であること
から、面積を幾何学計算法によって求めることは容易で
はない。そのため、従来、Ｘ線吸収性パターンを正確な
膜厚で形成するために、実製造の前に膜厚モニター用の
先行めっきを行って、製造条件を設定することが行われ
てきた。
めっき面積を正確に算出出来るときにのみ、所要のめっ
き厚を得るのに要する電気量を正しく設定出来る。しか
し、一般にＸ線吸収性パターンの形状が複雑であること
から、面積を幾何学計算法によって求めることは容易で
はない。そのため、従来、Ｘ線吸収性パターンを正確な
膜厚で形成するために、実製造の前に膜厚モニター用の
先行めっきを行って、製造条件を設定することが行われ
てきた。
しかしながら、先行めっきを行ってＸ線吸収性パターン
の正確な膜厚を得るためには、多くの時間と材料が必要
であった。
の正確な膜厚を得るためには、多くの時間と材料が必要
であった。
また、一般にＸ線吸収性パターンは１μｍ以下の線幅を
有する微細パターンであることから、その総面積は極め
て小さい。そのため、製造過程で、僅かでも線幅の変動
が生じると、たとえ、線幅が許容誤差範囲内であって
も、パターン総面積は大きく変化してしまう。それ故、
同一パターンのＸ線吸収性パターンを有するＸ線露光用
マスクを複数個作製するときには、たとえ、膜厚モニタ
ー用先行めっきによって、電気量を設定したのちでも、
その後にめっき面積の変動が生じ、そのために、電流分
布が不均一となり、一定のめっき厚が得られず、良品が
得にくかった。
有する微細パターンであることから、その総面積は極め
て小さい。そのため、製造過程で、僅かでも線幅の変動
が生じると、たとえ、線幅が許容誤差範囲内であって
も、パターン総面積は大きく変化してしまう。それ故、
同一パターンのＸ線吸収性パターンを有するＸ線露光用
マスクを複数個作製するときには、たとえ、膜厚モニタ
ー用先行めっきによって、電気量を設定したのちでも、
その後にめっき面積の変動が生じ、そのために、電流分
布が不均一となり、一定のめっき厚が得られず、良品が
得にくかった。
また、甚だしい場合には、細いパターンと太いパターン
とで電流密度が異なることにより、Ｘ線吸収性パターン
のめっき厚が非めっき領域を被覆する電気絶縁性材料層
の厚よりも厚くなり、設計した所定のめっき厚が得られ
ないことがあった。
とで電流密度が異なることにより、Ｘ線吸収性パターン
のめっき厚が非めっき領域を被覆する電気絶縁性材料層
の厚よりも厚くなり、設計した所定のめっき厚が得られ
ないことがあった。
さらにめっき面積の変動は電流密度の変動を生ぜしめる
ため、めっき膜の質と電着応力が変化し、Ｘ線吸収性パ
ターンの基板への密着性が低下せしめられてしまうこと
があった。
ため、めっき膜の質と電着応力が変化し、Ｘ線吸収性パ
ターンの基板への密着性が低下せしめられてしまうこと
があった。
そこで、本発明が解決しようとする問題点は、Ｘ線吸収
性パターンのめっき膜厚が不均一となることを防止した
Ｘ線露光用マスクの製造方法を提供することにある。
性パターンのめっき膜厚が不均一となることを防止した
Ｘ線露光用マスクの製造方法を提供することにある。
本発明者は上記の問題点を解決すべく研究の結果、Ｘ線
露光用マスクのＸ線露光領域外に、Ｘ線吸収性パターン
の面積に比して充分に大きな面積の円環又は正方形等の
簡単な、面積計算が容易な形状の電気めっき補助陰極部
を設け、電流密度等のめっき条件を電気めっき補助陰極
部の面積をもとに設定し、この設定条件でＸ線吸収性パ
ターン部と電気めっき補助部の両者を同時に電気めっき
することにより、Ｘ線吸収性パターン部の面積に起因す
る困難性を解消しうることを見出し、かかる知見にもと
づいて本発明を完成したものである。
露光用マスクのＸ線露光領域外に、Ｘ線吸収性パターン
の面積に比して充分に大きな面積の円環又は正方形等の
簡単な、面積計算が容易な形状の電気めっき補助陰極部
を設け、電流密度等のめっき条件を電気めっき補助陰極
部の面積をもとに設定し、この設定条件でＸ線吸収性パ
ターン部と電気めっき補助部の両者を同時に電気めっき
することにより、Ｘ線吸収性パターン部の面積に起因す
る困難性を解消しうることを見出し、かかる知見にもと
づいて本発明を完成したものである。
即ち、本発明のＸ線露光用マスクの製造方法は、『Siウ
エハ基板の一面側にＸ線透過性簿膜を積層する工程と、
Siウエハ基板の他面側の支持枠下面に相当するSiウエハ
基板面領域に保護膜を設ける工程と、Ｘ線透過性簿膜上
に導電性めっき下地層を設けた後、その上に、Ｘ線吸収
性パターン、及びＸ線露光領域以外の部分に位置する電
気めっき補助陰極部パターンを形成するためのめっき母
型を形成するために、これらのパターンを設ける面領域
を除いたＸ線透過性簿膜の面領域を、電気絶縁性材料で
被覆する工程と、Ｘ線吸収性材料を用いて、電気めっき
補助陰極部パターンの面積にもとづいて設定した電流密
度等のめっき条件でめっきし、Ｘ線吸収性パターンと電
気めっき補助陰極部パターンの両者を同時に形成する工
程と、Siウエハ基板の一部を保護膜が設けられた面側か
らエッチングして除去し、窓を形成する工程とからな
り、且つ電気めっき補助陰極部パターンは、その面積が
Ｘ線吸収性パターンの面積より大きな面積であり、面積
計算が容易な形状であることを特徴とするＸ線露光マス
クの製造方法。』を要旨とするものである。
エハ基板の一面側にＸ線透過性簿膜を積層する工程と、
Siウエハ基板の他面側の支持枠下面に相当するSiウエハ
基板面領域に保護膜を設ける工程と、Ｘ線透過性簿膜上
に導電性めっき下地層を設けた後、その上に、Ｘ線吸収
性パターン、及びＸ線露光領域以外の部分に位置する電
気めっき補助陰極部パターンを形成するためのめっき母
型を形成するために、これらのパターンを設ける面領域
を除いたＸ線透過性簿膜の面領域を、電気絶縁性材料で
被覆する工程と、Ｘ線吸収性材料を用いて、電気めっき
補助陰極部パターンの面積にもとづいて設定した電流密
度等のめっき条件でめっきし、Ｘ線吸収性パターンと電
気めっき補助陰極部パターンの両者を同時に形成する工
程と、Siウエハ基板の一部を保護膜が設けられた面側か
らエッチングして除去し、窓を形成する工程とからな
り、且つ電気めっき補助陰極部パターンは、その面積が
Ｘ線吸収性パターンの面積より大きな面積であり、面積
計算が容易な形状であることを特徴とするＸ線露光マス
クの製造方法。』を要旨とするものである。
而して、上記の本発明の製造方法において、Ｘ線透過性
簿膜として、例えばCVD法、スパッタリング法等によりS
iウエハ基板の一面上に形成したSi3N4,SiN,SiO2,SiC,BN
等の無機材の0.2〜４μｍ厚の簿膜を適用しうる。
簿膜として、例えばCVD法、スパッタリング法等によりS
iウエハ基板の一面上に形成したSi3N4,SiN,SiO2,SiC,BN
等の無機材の0.2〜４μｍ厚の簿膜を適用しうる。
次に、保護膜としてSiウエハ基板の他面上にSi3N4,SiN,
SiO2,SiC,BN等の無機材の0.2〜４μｍの簿膜をCVD法や
スパッタリング法により形成したのち、不要部をエッチ
ング除去してなるものを適用しうる。
SiO2,SiC,BN等の無機材の0.2〜４μｍの簿膜をCVD法や
スパッタリング法により形成したのち、不要部をエッチ
ング除去してなるものを適用しうる。
次に、Ｘ線吸収性パターンと電気めっき補助陰極部パタ
ーンの材料としては、電気めっき可能なAu,Pt,Pd等の重
金属元素が用いられる。そして両パターンの形成は、Ｘ
線透過性簿膜面上に、例えば50〜200ÅのCr等の遷移金
属及び200〜600ÅのAuを順次蒸着、もしくはスパッタリ
ングしてめっき下地層を形成した後、めっき下地層面を
Ｘ線吸収性パターン及び電気めっき補助陰極部パターン
に対応する部分が開口した、電気絶縁性材料よりなるレ
ジストパターンで被覆してから、電気的に両パターンを
接続した状態で同時にＸ線吸収性パターン及び電気めっ
き補助陰極部パターンをAuめっきし、しかるのち、レジ
ストパターンを除去する方法により行うことが出来る。
尚、両パターンの形成後に、めっき下地層の不要部分
は、例えば、Arガスを用いたスパッタリング法により、
容易に除去出来る。
ーンの材料としては、電気めっき可能なAu,Pt,Pd等の重
金属元素が用いられる。そして両パターンの形成は、Ｘ
線透過性簿膜面上に、例えば50〜200ÅのCr等の遷移金
属及び200〜600ÅのAuを順次蒸着、もしくはスパッタリ
ングしてめっき下地層を形成した後、めっき下地層面を
Ｘ線吸収性パターン及び電気めっき補助陰極部パターン
に対応する部分が開口した、電気絶縁性材料よりなるレ
ジストパターンで被覆してから、電気的に両パターンを
接続した状態で同時にＸ線吸収性パターン及び電気めっ
き補助陰極部パターンをAuめっきし、しかるのち、レジ
ストパターンを除去する方法により行うことが出来る。
尚、両パターンの形成後に、めっき下地層の不要部分
は、例えば、Arガスを用いたスパッタリング法により、
容易に除去出来る。
本発明における電気めっき補助陰極部パターンの面積は
Ｘ線吸収性パターンの面積より充分大きいことが望まし
い。
Ｘ線吸収性パターンの面積より充分大きいことが望まし
い。
また、電気めっき補助陰極部パターンの形状は面積計算
が容易なように、円環、もしくは正方形が好ましく、ま
た、電気めっき補助陰極部パターンはＸ線露光領域と中
心を共有した形状に形成するのが望ましい。
が容易なように、円環、もしくは正方形が好ましく、ま
た、電気めっき補助陰極部パターンはＸ線露光領域と中
心を共有した形状に形成するのが望ましい。
次に、Siウエハ基板の一部を保護膜が設けられた両側か
らエッチングするには、エッチング液として、例えはKO
H水溶液、或いはHF,HNO3,CH3COOHを混合したHF系溶液等
を使用することが出来る。
らエッチングするには、エッチング液として、例えはKO
H水溶液、或いはHF,HNO3,CH3COOHを混合したHF系溶液等
を使用することが出来る。
第１図（ａ）〜（ｅ）に、この発明による一実施例の製
造工程を概略断面図によって示す。尚、第１図（ｅ）
は、この実施例により製造されたＸ線露光用マスクの断
面図である。
造工程を概略断面図によって示す。尚、第１図（ｅ）
は、この実施例により製造されたＸ線露光用マスクの断
面図である。
先ず、第１図（ａ）に示すように厚さ0.3〜3mmで鏡面研
摩されたSiウエハ基板５′上の一面に、Si3N4,SiN,Si
O2,SiC,BN等の無機材からなり、弱い引っぱり応力を有
した厚さ0.2〜４μｍのＸ線透過性簿膜２を、例えばCVD
（Chemical vapor deposition）法やスパッタリング
法等により積層固着させる。次いで、他面に、Si3N4,Si
N,SiO2,SiC,BN等の厚さ0.2〜４μｍの膜をCVD法やスパ
ッタリング法により形成した後、フォトレジストパター
ンをマスクとして不要部をエッチング除去することによ
り保護膜６を形成する。
摩されたSiウエハ基板５′上の一面に、Si3N4,SiN,Si
O2,SiC,BN等の無機材からなり、弱い引っぱり応力を有
した厚さ0.2〜４μｍのＸ線透過性簿膜２を、例えばCVD
（Chemical vapor deposition）法やスパッタリング
法等により積層固着させる。次いで、他面に、Si3N4,Si
N,SiO2,SiC,BN等の厚さ0.2〜４μｍの膜をCVD法やスパ
ッタリング法により形成した後、フォトレジストパター
ンをマスクとして不要部をエッチング除去することによ
り保護膜６を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、Ｘ線透過性簿膜２上
に50〜200ÅのCrと200〜600ÅのAuを連続して蒸着、も
しくはスパッタリングしてめっき下地層７及び導電性め
っき下地層８を形成した後、電子線レジストEBR−９
（東レ社製）を全面に1.2μｍの厚さにスピンナー塗布
し、電気絶縁性材料層９を得る。
に50〜200ÅのCrと200〜600ÅのAuを連続して蒸着、も
しくはスパッタリングしてめっき下地層７及び導電性め
っき下地層８を形成した後、電子線レジストEBR−９
（東レ社製）を全面に1.2μｍの厚さにスピンナー塗布
し、電気絶縁性材料層９を得る。
次に、第１図（ｃ）に示すように、電子ビーム露光し、
現像することにより、Ｘ線吸収性パターンに対応した開
口部と電気めっき補助陰極部パターンに対応した開口部
を同時に形成して、電気絶縁性材料層パターン９′を得
る。
現像することにより、Ｘ線吸収性パターンに対応した開
口部と電気めっき補助陰極部パターンに対応した開口部
を同時に形成して、電気絶縁性材料層パターン９′を得
る。
次に、Auめっき浴オウロール292M（ジャパンロナール社
製）を用い、50℃の浴温条件で、電流密度1.3mA/cm2で1
2分間電気めっきすることにより、レジストパターンの
間口部分に厚さ1.0±0.1μｍの精度でAuめっきし、しか
るのちレジストパターンを除去し、めっき下地層の不要
部分をArガスを用いたスパッタエッチング法により除去
し、第１図（ｄ）に示すように高精度のＸ線吸収性パタ
ーン３と、電気めっき補助陰極部パターン４を形成し
た。尚、第１図（ｄ）において、７′はめっき下地層パ
ターン、８′は導電性めっき下地層パターンを示す。
製）を用い、50℃の浴温条件で、電流密度1.3mA/cm2で1
2分間電気めっきすることにより、レジストパターンの
間口部分に厚さ1.0±0.1μｍの精度でAuめっきし、しか
るのちレジストパターンを除去し、めっき下地層の不要
部分をArガスを用いたスパッタエッチング法により除去
し、第１図（ｄ）に示すように高精度のＸ線吸収性パタ
ーン３と、電気めっき補助陰極部パターン４を形成し
た。尚、第１図（ｄ）において、７′はめっき下地層パ
ターン、８′は導電性めっき下地層パターンを示す。
次に、第１図（ｅ）に示すように、20％のKOH水溶液を
用いて、Siウエハの一部をエッチング除去して窓を形成
し、Ｘ線露光用マスク１が得られた。
用いて、Siウエハの一部をエッチング除去して窓を形成
し、Ｘ線露光用マスク１が得られた。
第２図（ａ）は第１図（ｅ）のＸ線露光用マスクの平面
図であり、露光領域10と電気めっき補助陰極部パターン
が接しているマスクの例を示す。
図であり、露光領域10と電気めっき補助陰極部パターン
が接しているマスクの例を示す。
また、第２図（ｂ）ないし（ｄ）はその他の例を示す。
また、第２図（ｅ）〜（１）は露光領域10と電気めっき
補助陰極部４が離れているマスクの例を示す。
補助陰極部４が離れているマスクの例を示す。
さらに、第２図（ｉ）は電気めっき補助陰極部パターン
４を二重に形成したマスクの例を示す。尚、第２図
（ｂ）〜（ｉ）においては、Ｘ線吸収性パターンは省略
されている。
４を二重に形成したマスクの例を示す。尚、第２図
（ｂ）〜（ｉ）においては、Ｘ線吸収性パターンは省略
されている。
次に、Ｘ線吸収性パターンと電気めっき補助陰極部パタ
ーンとの関係につき、説明する。
ーンとの関係につき、説明する。
例えば、直径76mmのＸ線露光用基板に、基板中心と共通
の中心を有する、一辺20mmの正方形の露光領域をもう
け、露光領域内部にはＸ線吸収性パターンを設ける。
の中心を有する、一辺20mmの正方形の露光領域をもう
け、露光領域内部にはＸ線吸収性パターンを設ける。
さらに、露光領域の外側に同様の基板中心と共通の中心
を有する、直径71mmの円から前記露光領域を除去した形
状の電気めっき補助陰極部パターン（面積;35.57cm2）
を形成した。ここにおいて、露光領域全域がＸ線吸収性
パターンであると仮定すると、全めっき面積は、4.00cm
2＋35.57cm2＝39.57cm2となり、電気めっき補助陰極部
パターンの面積は、全めっき面積の約90％に相当する。
一方、露光領域にＸ線吸収性パターンがない場合には、
電気めっき補助陰極部パターンの面積が全めっき面積の
100％となる。即ち、全めっき面積に対して電気めっき
補助陰極部パターンが占める割合は、Ｘ線吸収性パター
ンの面積が変化しても、90〜100％の範囲で変化するも
のであり、よってＸ線吸収性材料のめっき厚の変動をそ
の範囲内であることが理解される。
を有する、直径71mmの円から前記露光領域を除去した形
状の電気めっき補助陰極部パターン（面積;35.57cm2）
を形成した。ここにおいて、露光領域全域がＸ線吸収性
パターンであると仮定すると、全めっき面積は、4.00cm
2＋35.57cm2＝39.57cm2となり、電気めっき補助陰極部
パターンの面積は、全めっき面積の約90％に相当する。
一方、露光領域にＸ線吸収性パターンがない場合には、
電気めっき補助陰極部パターンの面積が全めっき面積の
100％となる。即ち、全めっき面積に対して電気めっき
補助陰極部パターンが占める割合は、Ｘ線吸収性パター
ンの面積が変化しても、90〜100％の範囲で変化するも
のであり、よってＸ線吸収性材料のめっき厚の変動をそ
の範囲内であることが理解される。
一例として、上記のＸ線露光用マスク基板の露光領域内
に、Ｘ線吸収性パターンとして、縦3mm、横1.5mmの寸法
を有する長方形を基本パターンとするポジパターンとネ
ガパターンがそれぞれ８個、5mmピッチで配列されてい
るＸ線露光用マスクを作製した。この場合、パターン形
状が複雑でも、ポジパターンとネガパターンを組み合わ
せると、縦3mm、横1.5mmの長方形になるように形成して
いることから、パターンの総面積は、0.36cm2ともとめ
ることができる。
に、Ｘ線吸収性パターンとして、縦3mm、横1.5mmの寸法
を有する長方形を基本パターンとするポジパターンとネ
ガパターンがそれぞれ８個、5mmピッチで配列されてい
るＸ線露光用マスクを作製した。この場合、パターン形
状が複雑でも、ポジパターンとネガパターンを組み合わ
せると、縦3mm、横1.5mmの長方形になるように形成して
いることから、パターンの総面積は、0.36cm2ともとめ
ることができる。
その結果、全面積は、 35.57cm2＋0.36cm2＝35.93cm2となり、全めっき面積に
対する電気めっき補助陰極部パターンの占める割合は99
％となり、電気補助陰極部パターンの面積を全めっき面
積とみなしても、膜厚の誤差は１％以内となることが期
待される。
対する電気めっき補助陰極部パターンの占める割合は99
％となり、電気補助陰極部パターンの面積を全めっき面
積とみなしても、膜厚の誤差は１％以内となることが期
待される。
以上詳記した通り、本発明に係るＸ線露光用マスクの製
造方法によれば、高精度のＸ線吸収性パターンを有する
Ｘ線露光用マスクを高品質を維持して、容易に、且つ安
定して供給することが出来る。
造方法によれば、高精度のＸ線吸収性パターンを有する
Ｘ線露光用マスクを高品質を維持して、容易に、且つ安
定して供給することが出来る。
また、従来方法におけるような先行めっきを必要としな
いので、従来よりも短かい作業時間で、且つ低コストで
製品を供給することができる。
いので、従来よりも短かい作業時間で、且つ低コストで
製品を供給することができる。
また、本発明の製造方法によれば、転写用のＸ線吸収性
パターンのレイアウトに変更があり、その面積が変わっ
ても、電気補助陰極部パターンの面積でめっき条件を決
めることができるので、安定したＸ線露光用マスクの製
造が可能である。
パターンのレイアウトに変更があり、その面積が変わっ
ても、電気補助陰極部パターンの面積でめっき条件を決
めることができるので、安定したＸ線露光用マスクの製
造が可能である。
第１図（ａ）ないし（ｅ）は本発明の製造方法の製造工
程を示す断面図、第２図（ａ）ないし（ｉ）は本発明の
製造方法により製造するＸ線露光用マスクの各種の例を
示す平面図である。 １……Ｘ線露光用マスク、 ２……Ｘ線透過性簿膜、 ３……Ｘ線吸収性パターン、 ４……電気めっき補助陰極部パターン、 ５……支持体、 ５′……Siウエハ基板、 ６……保護膜、 ７……めっき下地層、 ７′……めっき下地層パターン、 ８……導電性めっき下地層、 ８′……導電性めっき下地層パターン、 ９……電気絶縁性材料層、 ９′……電気絶縁性材料層パターン、 10……窓（Ｘ線露光領域）。
程を示す断面図、第２図（ａ）ないし（ｉ）は本発明の
製造方法により製造するＸ線露光用マスクの各種の例を
示す平面図である。 １……Ｘ線露光用マスク、 ２……Ｘ線透過性簿膜、 ３……Ｘ線吸収性パターン、 ４……電気めっき補助陰極部パターン、 ５……支持体、 ５′……Siウエハ基板、 ６……保護膜、 ７……めっき下地層、 ７′……めっき下地層パターン、 ８……導電性めっき下地層、 ８′……導電性めっき下地層パターン、 ９……電気絶縁性材料層、 ９′……電気絶縁性材料層パターン、 10……窓（Ｘ線露光領域）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−193031（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−200535（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−132323（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−128251（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−212844（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】Siウエハ基板の一面側にＸ線透過性簿膜を
積層する工程と、Siウエハ基板の他面側の支持枠下面に
相当するSiウエハ基板面領域に保護膜を設ける工程と、
Ｘ線透過性簿膜上に導電性めっき下地層を設けた後、そ
の上に、Ｘ線吸収性パターン、及びＸ線露光領域以外の
部分に位置する電気めっき補助陰極部パターンを形成す
るためのめっき母型を形成するために、これらのパター
ンを設ける面領域を除いたＸ線透過性簿膜の面領域を、
電気絶縁性材料で被覆する工程と、Ｘ線吸収材料を用い
て、電気めっき補助陰極部パターンの面積にもとづいて
設定した電流密度等のめっき条件でめっきし、Ｘ線吸収
性パターンと電気めっき補助陰極部パターンの両者を同
時に形成する工程と、Siウエハ基板の一部を保護膜が設
けられた面側からエッチングして除去し、窓を形成する
工程とからなり、且つ電気めっき補助陰極部パターン
は、その面積がＸ線吸収性パターンの面積より大きな面
積であり、面積計算が容易な形状であることを特徴とす
るＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30931686A JPH0770458B2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30931686A JPH0770458B2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166226A JPS63166226A (ja) | 1988-07-09 |
| JPH0770458B2 true JPH0770458B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=17991548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30931686A Expired - Lifetime JPH0770458B2 (ja) | 1986-12-27 | 1986-12-27 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770458B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57193031A (en) * | 1981-05-22 | 1982-11-27 | Toshiba Corp | Manufacture of mask substrate for exposing x-ray |
| JPS58200535A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-22 | Nec Corp | Ｘ線リソグラフイ用マスク |
| JPS60132323A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-15 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPS61128251A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-16 | Mitsubishi Electric Corp | Ｘ線露光用マスク |
| JPS61212844A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-20 | Sanyo Electric Co Ltd | Ｘ線露光用マスク |
-
1986
- 1986-12-27 JP JP30931686A patent/JPH0770458B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63166226A (ja) | 1988-07-09 |
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