JPS631739B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS631739B2 JPS631739B2 JP16809379A JP16809379A JPS631739B2 JP S631739 B2 JPS631739 B2 JP S631739B2 JP 16809379 A JP16809379 A JP 16809379A JP 16809379 A JP16809379 A JP 16809379A JP S631739 B2 JPS631739 B2 JP S631739B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- pattern
- base layer
- ray absorption
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 12
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線露光用マスクの製造方法に関し、
特にそれのＸ線吸収パターンの形成方法に係るも
のである。
特にそれのＸ線吸収パターンの形成方法に係るも
のである。
Ｘ線露光用マスク（以下、単に「マスク」と略
称する）のＸ線吸収パターン（以下、単に「パタ
ーン」と略称する）は一般にポリイミドやP++Si
の基板にAuメツキして形成されるが、直接では
Auメツキの密着性が悪いため、メツキ下地処理
として、まず基板上に密着性の良いCr、Ti、Ni、
NiCr等を蒸着し、その上に更にAuを蒸着する２
層構造となし、この下地Au膜上にAuメツキをす
る方法が採用されている。
称する）のＸ線吸収パターン（以下、単に「パタ
ーン」と略称する）は一般にポリイミドやP++Si
の基板にAuメツキして形成されるが、直接では
Auメツキの密着性が悪いため、メツキ下地処理
として、まず基板上に密着性の良いCr、Ti、Ni、
NiCr等を蒸着し、その上に更にAuを蒸着する２
層構造となし、この下地Au膜上にAuメツキをす
る方法が採用されている。
しかるに、下地Au膜は膜厚が200〜500Åもあ
つてマスクを通過するＸ線を約20％も減衰させて
しまうため、最終的にはこれを除去する必要があ
る。下地Au膜の除去は従来は化学エツチングま
たはイオンエツチングによつて行われているが、
この場合に次のような問題がある。すなわち、前
者の場合は下地Au膜のエツチングに伴つてAuメ
ツキパターンも削りとられ、もともと0.5〜2μm
の微細幅のパターンのやせ細りや剥離の欠陥が生
ずる。また後者のイオンエツチングではパターン
のやせ細りは少ないが、逆にパターン間隔が微細
でパターン根元部分に十分にイオンビームが到達
しないために下地Au膜のエツチング残しが生じ
る欠点がある。
つてマスクを通過するＸ線を約20％も減衰させて
しまうため、最終的にはこれを除去する必要があ
る。下地Au膜の除去は従来は化学エツチングま
たはイオンエツチングによつて行われているが、
この場合に次のような問題がある。すなわち、前
者の場合は下地Au膜のエツチングに伴つてAuメ
ツキパターンも削りとられ、もともと0.5〜2μm
の微細幅のパターンのやせ細りや剥離の欠陥が生
ずる。また後者のイオンエツチングではパターン
のやせ細りは少ないが、逆にパターン間隔が微細
でパターン根元部分に十分にイオンビームが到達
しないために下地Au膜のエツチング残しが生じ
る欠点がある。
従つて本発明の目的は、以上のような欠点のな
いすぐれたＸ線吸収パターンの形成方法を提出す
ることにある。
いすぐれたＸ線吸収パターンの形成方法を提出す
ることにある。
本発明は、概略的には上記の従来方法の問題が
下地Au膜の存在に起因することに鑑み、下地Au
膜を廃止してこれに代る新らしいメツキ下地処理
を工夫することにより上記目的の達成を図つたも
のである。すなわち本発明は、基板全面にCr、
Ti、Ni、NiCrのいずれかより選択された単層の
蒸着薄膜よりなるメツキ下地層を形成し、その上
にＸ線吸収パターンと対応するメツキ下地層部分
が露出したレジストパターンを形成し、該露出し
ているメツキ下地層部分にNiメツキを施し、該
Niメツキ上にAuメツキを施し、しかる後にレジ
ストを剥離してＸ線吸収パターンを形成するよう
に、したものである。
下地Au膜の存在に起因することに鑑み、下地Au
膜を廃止してこれに代る新らしいメツキ下地処理
を工夫することにより上記目的の達成を図つたも
のである。すなわち本発明は、基板全面にCr、
Ti、Ni、NiCrのいずれかより選択された単層の
蒸着薄膜よりなるメツキ下地層を形成し、その上
にＸ線吸収パターンと対応するメツキ下地層部分
が露出したレジストパターンを形成し、該露出し
ているメツキ下地層部分にNiメツキを施し、該
Niメツキ上にAuメツキを施し、しかる後にレジ
ストを剥離してＸ線吸収パターンを形成するよう
に、したものである。
以下、本発明について実施例にもとづき図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
図は本発明によるＸ線露光用マスクのＸ線吸収
パターン形成方法の基本工程を概略断面図で示し
たものであり、以下各工程順に説明する。
パターン形成方法の基本工程を概略断面図で示し
たものであり、以下各工程順に説明する。
(イ) まず、ポリイミドやP++Siなどの材料からな
る基板１（厚さ300〜800μm）にCr、Ti、Ni、
NiCrなどのメツキ下地層２（厚さ200〜500Å）
を蒸着によつて形成する。
る基板１（厚さ300〜800μm）にCr、Ti、Ni、
NiCrなどのメツキ下地層２（厚さ200〜500Å）
を蒸着によつて形成する。
(ロ) 次に、メツキ下地層２上にレジスト３を塗布
ベークする。このレジストにパターン（Ｘ線吸
収パターン）を例えば電子ビーム（EB）を用
いて描画し、これを現像することによりパター
ンと対応するメツキ下地層部分４が露出したレ
ジストパターンを形成する。
ベークする。このレジストにパターン（Ｘ線吸
収パターン）を例えば電子ビーム（EB）を用
いて描画し、これを現像することによりパター
ンと対応するメツキ下地層部分４が露出したレ
ジストパターンを形成する。
(ハ) 次に、メツキ下地層露出部分４に、ワツト浴
によつてNiメツキ５（厚さ200〜1000Å）を施
す。
によつてNiメツキ５（厚さ200〜1000Å）を施
す。
(ニ) そして、Niメツキ５上にAuメツキ６（厚さ
4000〜8000Å）を施す。
4000〜8000Å）を施す。
(ホ) 最後に、レジストを除去し、メツキ下地層２
を化学エツチングまたはガスプラズマエツチン
グ等によつて除去することによりＸ線吸収パタ
ーン７が形成される。メツキ下地層のエツチン
グに際しては、Auメツキパターン６がやせ細
らないような選択性のあるエツチング液または
エツチング方法を使用可能である。また、メツ
キ下地層のCr、Ti、NiCr等によるＸ線の減衰
は実質上問題とならないので、これをエツチン
グせずにそのまま残しておくこともできる。
を化学エツチングまたはガスプラズマエツチン
グ等によつて除去することによりＸ線吸収パタ
ーン７が形成される。メツキ下地層のエツチン
グに際しては、Auメツキパターン６がやせ細
らないような選択性のあるエツチング液または
エツチング方法を使用可能である。また、メツ
キ下地層のCr、Ti、NiCr等によるＸ線の減衰
は実質上問題とならないので、これをエツチン
グせずにそのまま残しておくこともできる。
また、マスクの基板１は図のニおよびホに示す
ように裏面（図では下面）にエツチングマスク８
を当てて窓明けを行い、パターン支持層９（厚さ
２〜4μm）が形成される。
ように裏面（図では下面）にエツチングマスク８
を当てて窓明けを行い、パターン支持層９（厚さ
２〜4μm）が形成される。
以上のように、本発明の方法によれば、メツキ
下地処理にAuを用いないので当然にこれを除去
する必要もなく、従つて従来方法におけるような
Auメツキパターンのやせ細りや剥離あるいは除
去残し等の問題は全くない。メツキ下地層のCr
等とNiメツキ、更にNiメツキとAuメツキの密着
性は良好であり、品質および信頼性の点でも問題
はない。
下地処理にAuを用いないので当然にこれを除去
する必要もなく、従つて従来方法におけるような
Auメツキパターンのやせ細りや剥離あるいは除
去残し等の問題は全くない。メツキ下地層のCr
等とNiメツキ、更にNiメツキとAuメツキの密着
性は良好であり、品質および信頼性の点でも問題
はない。
このように本発明によるＸ線露光用マスクの製
造法は実用性の非常に高いすぐれた方法である。
造法は実用性の非常に高いすぐれた方法である。
図は本発明によるＸ線露光用マスクの製造方法
の基本工程を説明するための概略断面図。 １…基板、２…メツキ下地層、３…レジスト、
４…メツキ下地層露出部、５…Niメツキ、６…
Auメツキ、７…Ｘ線吸収パターン。
の基本工程を説明するための概略断面図。 １…基板、２…メツキ下地層、３…レジスト、
４…メツキ下地層露出部、５…Niメツキ、６…
Auメツキ、７…Ｘ線吸収パターン。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｘ線露光用マスクのＸ線吸収パターンを形成
する方法において、 基板全面にCr、Ti、Ni、NiCrのいずれかより
選択された単層の蒸着薄膜よりなるメツキ下地層
を形成し、 その上にＸ線吸収パターンと対応するメツキ下
地層部分が露出したレジストパターンを形成し、 該露出しているメツキ下地層部分にNiメツキ
を施し、 該メツキ上にAuメツキを施し、 しかる後にレジストを剥離してＸ線吸収パター
ンを形成する、 ことを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16809379A JPS5691234A (en) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | Manufacture of mask for x-ray exposure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16809379A JPS5691234A (en) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | Manufacture of mask for x-ray exposure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5691234A JPS5691234A (en) | 1981-07-24 |
| JPS631739B2 true JPS631739B2 (ja) | 1988-01-13 |
Family
ID=15861707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16809379A Granted JPS5691234A (en) | 1979-12-26 | 1979-12-26 | Manufacture of mask for x-ray exposure |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5691234A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5950443A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-23 | Hitachi Ltd | Ｘ線マスク |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5212002A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-29 | Ibm | Method of high aspect ratio mask |
| JPS5312793A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-04 | Midori Anzen Kogyo | Oxygen generating apparatus |
| JPS5329574A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | Transmitting type photoelectric switch |
-
1979
- 1979-12-26 JP JP16809379A patent/JPS5691234A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5212002A (en) * | 1975-06-30 | 1977-01-29 | Ibm | Method of high aspect ratio mask |
| JPS5312793A (en) * | 1976-07-23 | 1978-02-04 | Midori Anzen Kogyo | Oxygen generating apparatus |
| JPS5329574A (en) * | 1976-08-31 | 1978-03-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | Transmitting type photoelectric switch |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5691234A (en) | 1981-07-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2994407B2 (ja) | Ｘ線リソグラフィ用マスクの製法 | |
| JPH0137728B2 (ja) | ||
| US4528071A (en) | Process for the production of masks having a metal carrier foil | |
| JPS631739B2 (ja) | ||
| EP0103844B1 (en) | X-ray mask | |
| JPH01246391A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JPH01116920A (ja) | 容量性サーボ・パターン生成方法 | |
| JPS5968745A (ja) | Ｘ−線リトグラフイによりパタ−ンをラツカ−層に形成するマスクおよびその製造方法 | |
| JPS5864616A (ja) | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS58114428A (ja) | 微細パタ−ン形成方法 | |
| JPS583232A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH05291124A (ja) | リソグラフィ用マスクの製造方法 | |
| JPH0416009B2 (ja) | ||
| JPH0469410B2 (ja) | ||
| JPS61198722A (ja) | Ｘ線露光マスク及びその製造方法 | |
| JP2625107B2 (ja) | 露光用マスクの製造方法 | |
| JPS63112841A (ja) | 光デイスク用スタンパの製造方法 | |
| JPS62144328A (ja) | Ｘ線マスク及びその製造方法 | |
| JPS5992531A (ja) | Ｘ線露光用マスク | |
| JPS58114427A (ja) | Ｘ線マスク作製方法 | |
| JPS5989422A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPS6350018A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH0629194A (ja) | Ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPS60120526A (ja) | 微細パタン形成法 | |
| JPS6116527A (ja) | 金属電極の製造方法 |