JPH0629194A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPH0629194A JPH0629194A JP18375292A JP18375292A JPH0629194A JP H0629194 A JPH0629194 A JP H0629194A JP 18375292 A JP18375292 A JP 18375292A JP 18375292 A JP18375292 A JP 18375292A JP H0629194 A JPH0629194 A JP H0629194A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 Ｘ線マスクの製造で、Ｘ線吸収体パターンを
形成する際のエッチングマスクにネガレジストを用いた
時、露光時間を大幅に短縮してプロセスマージンを向上
させることができる方法を提供する。 【構成】 基板１上に形成されたＸ線透過膜２表面のブ
ロッカー部分以外のセル部分の領域をアモルファス状態
にし、次いで、全面にＴａを成膜してこの領域上に（０
０２）面に配向したβ−Ｔａ膜４ａを形成し、又一方膜
２表面のアモルファス状態にされていない領域上にそれ
以外のＴａ膜４ｂを形成した後、膜４ａをドライエッチ
ングにより除去して膜２が露出された開口部５を形成し
て膜４ｂを残し全面にＸ線吸収体部材６ａ、６ｂを成膜
し、次いで、部材６ａをエッチングしてＸ線吸収体パタ
ーン６ｃを形成する。
形成する際のエッチングマスクにネガレジストを用いた
時、露光時間を大幅に短縮してプロセスマージンを向上
させることができる方法を提供する。 【構成】 基板１上に形成されたＸ線透過膜２表面のブ
ロッカー部分以外のセル部分の領域をアモルファス状態
にし、次いで、全面にＴａを成膜してこの領域上に（０
０２）面に配向したβ−Ｔａ膜４ａを形成し、又一方膜
２表面のアモルファス状態にされていない領域上にそれ
以外のＴａ膜４ｂを形成した後、膜４ａをドライエッチ
ングにより除去して膜２が露出された開口部５を形成し
て膜４ｂを残し全面にＸ線吸収体部材６ａ、６ｂを成膜
し、次いで、部材６ａをエッチングしてＸ線吸収体パタ
ーン６ｃを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線マスクの製造方法
に係り、特に、Ｘ線吸収体パターンを形成する際のエッ
チングマスクにネガレジストを用いた時、露光時間を短
縮することができる他、プロセスマージンを向上させる
ことができるＸ線マスクの製造方法に関する。
に係り、特に、Ｘ線吸収体パターンを形成する際のエッ
チングマスクにネガレジストを用いた時、露光時間を短
縮することができる他、プロセスマージンを向上させる
ことができるＸ線マスクの製造方法に関する。
【０００２】ＶＬＳＩの高密度化に伴って、超微細加工
が要求されている。例えば線幅0.5μｍのパターンを形
成するためには、マスク自体の歪みは少なくとも0.05μ
ｍ以下に抑える必要がある。ところで、複数のショット
を露光する際にはＸ線の漏れを防ぐためにセルの周辺部
にはブロッカーが必要である。そして、Ｘ線を完全に遮
断するためには、ブロッカーの膜厚は厚いほど良いが、
厚くすると、吸収体の内部応力によって膜厚に応じて歪
みが増加してしまう。このため、ブロッカー部分のみ多
重露光を考慮して厚く、セル部分は薄くすることが必要
である。
が要求されている。例えば線幅0.5μｍのパターンを形
成するためには、マスク自体の歪みは少なくとも0.05μ
ｍ以下に抑える必要がある。ところで、複数のショット
を露光する際にはＸ線の漏れを防ぐためにセルの周辺部
にはブロッカーが必要である。そして、Ｘ線を完全に遮
断するためには、ブロッカーの膜厚は厚いほど良いが、
厚くすると、吸収体の内部応力によって膜厚に応じて歪
みが増加してしまう。このため、ブロッカー部分のみ多
重露光を考慮して厚く、セル部分は薄くすることが必要
である。
【０００３】
【従来の技術】図３、４は従来のＸ線マスクの製造方法
を説明する図である。図３、４において、31はＳｉ等の
基板であり、32は基板31上に形成されたＸ線透過膜とな
るＳｉＣ膜であり、33はＳｉＣ膜32上に形成されたＸ線
吸収体となるＴａ膜であり、33ａはＳｉＣ膜32が露出さ
れた開口部である。次いで、34はＴａ膜33上に形成され
たレジストであり、34ａはレジスト34が露光、現像によ
りパターニングされ形成され、Ｔａ膜33が露出された開
口部34ｂを有するレジストマスクである。そして、35は
開口部33ａ内のＳｉＣ膜32上及びＴａ膜33上に形成され
たＸ線吸収体となるＴａ膜であり、35ａはセル部分の開
口部33ａ内のＴａ膜35がエッチングされ形成されたＸ線
吸収体パターンとなるＴａ膜パターンであり、36はＴａ
膜パターン35ａを形成する際のエッチングマスクとなる
レジストマスクである。次に、そのＸ線マスクの製造方
法を説明する。
を説明する図である。図３、４において、31はＳｉ等の
基板であり、32は基板31上に形成されたＸ線透過膜とな
るＳｉＣ膜であり、33はＳｉＣ膜32上に形成されたＸ線
吸収体となるＴａ膜であり、33ａはＳｉＣ膜32が露出さ
れた開口部である。次いで、34はＴａ膜33上に形成され
たレジストであり、34ａはレジスト34が露光、現像によ
りパターニングされ形成され、Ｔａ膜33が露出された開
口部34ｂを有するレジストマスクである。そして、35は
開口部33ａ内のＳｉＣ膜32上及びＴａ膜33上に形成され
たＸ線吸収体となるＴａ膜であり、35ａはセル部分の開
口部33ａ内のＴａ膜35がエッチングされ形成されたＸ線
吸収体パターンとなるＴａ膜パターンであり、36はＴａ
膜パターン35ａを形成する際のエッチングマスクとなる
レジストマスクである。次に、そのＸ線マスクの製造方
法を説明する。
【０００４】まず、図３（ａ）に示すように、ＣＶＤ法
等によりＳｉ基板31上にＳｉＣを堆積してＳｉＣ膜32を
形成した後、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＣ膜32をＡ
ｒスパッタ処理する。ここでのＡｒスパッタ処理は次に
成膜するＴａ膜33を表面平坦性良く形成するために行っ
ている。次に、図３（ｃ）に示すように、スパッタ法等
によりＳｉＣ膜32上にＴａを堆積してＴａ膜33を形成
し、図３（ｄ）に示すように、Ｔａ膜33上にレジスト34
を塗布した後、図３（ｅ）に示すように、レジスト34を
露光、現象しセル部分に対応する領域が開口するように
パターニンングしてレジストマスク34ａを形成する。こ
の時、Ｔａ膜33が露出された開口部34ｂが形成される。
等によりＳｉ基板31上にＳｉＣを堆積してＳｉＣ膜32を
形成した後、図３（ｂ）に示すように、ＳｉＣ膜32をＡ
ｒスパッタ処理する。ここでのＡｒスパッタ処理は次に
成膜するＴａ膜33を表面平坦性良く形成するために行っ
ている。次に、図３（ｃ）に示すように、スパッタ法等
によりＳｉＣ膜32上にＴａを堆積してＴａ膜33を形成
し、図３（ｄ）に示すように、Ｔａ膜33上にレジスト34
を塗布した後、図３（ｅ）に示すように、レジスト34を
露光、現象しセル部分に対応する領域が開口するように
パターニンングしてレジストマスク34ａを形成する。こ
の時、Ｔａ膜33が露出された開口部34ｂが形成される。
【０００５】次に、図３（ｆ）に示すように、レジスト
マスク34ａを用い、ＲＩＥ等により開口部34ｂ内のセル
部分に対応する領域のＴａ膜33をエッチングしてＳｉＣ
膜32が露出された開口部33ａを形成した後、図４（ｇ）
に示すように、レジストマスク34ａを除去する。次に、
図４（ｈ）に示すように、スパッタ法等により全面にＴ
ａを成膜することにより、開口部33ａ内のＳｉＣ膜32上
及びＴａ膜33上にＴａ膜35を形成する。
マスク34ａを用い、ＲＩＥ等により開口部34ｂ内のセル
部分に対応する領域のＴａ膜33をエッチングしてＳｉＣ
膜32が露出された開口部33ａを形成した後、図４（ｇ）
に示すように、レジストマスク34ａを除去する。次に、
図４（ｈ）に示すように、スパッタ法等により全面にＴ
ａを成膜することにより、開口部33ａ内のＳｉＣ膜32上
及びＴａ膜33上にＴａ膜35を形成する。
【０００６】次に、図４（ｉ）に示すように、全面にレ
ジストを塗布し、露光、現象によりＴａ膜35上及びセル
部分のＸ線吸収体パターンに対応する領域にレジストが
残るようにレジストパターニングしてレジストマスク36
を形成し、図４（ｊ）に示すように、このレジストマス
ク36を用いてセル部分の開口部33ａ内のＴａ膜35をエッ
チングしてＸ線吸収体パターンとなるＴａ膜パターン35
ａを形成する。次いで、レジストマスク36を除去する。
ジストを塗布し、露光、現象によりＴａ膜35上及びセル
部分のＸ線吸収体パターンに対応する領域にレジストが
残るようにレジストパターニングしてレジストマスク36
を形成し、図４（ｊ）に示すように、このレジストマス
ク36を用いてセル部分の開口部33ａ内のＴａ膜35をエッ
チングしてＸ線吸収体パターンとなるＴａ膜パターン35
ａを形成する。次いで、レジストマスク36を除去する。
【０００７】そして、Ｓｉ基板31側にセラミック等の支
持枠を接着剤等により張り付け、基板31裏面のセル部分
に対応する領域をフッ硝酸等でエッチングして開口する
ことにより、Ｘ線マスクを得ることができる。なお、こ
の基板31及び支持枠の加工は、例えばＸ線吸収体パター
ンのＴａ膜パターン35ａを形成する前に行ってもよい。
持枠を接着剤等により張り付け、基板31裏面のセル部分
に対応する領域をフッ硝酸等でエッチングして開口する
ことにより、Ｘ線マスクを得ることができる。なお、こ
の基板31及び支持枠の加工は、例えばＸ線吸収体パター
ンのＴａ膜パターン35ａを形成する前に行ってもよい。
【０００８】この従来のＸ線マスクでは、セル部分以外
のブロッカー部分のＸ線吸収体となるＴａ膜33、35を厚
く形成しているため、多重露光した時、薄く形成した場
合に生じる感光してほしくないレジスト部分が露光され
るという問題を生じ難くすることができる。しかも、セ
ル部分のＸ線吸収体パターンとなるＴａ膜パターン35ａ
を薄く形成しているため、厚く形成する場合よりもＴａ
膜35の内部応力による歪みを生じ難くすることができる
とともに、アスペクト比が小さくて済むのでプロセスを
容易にすることができる。なお、ブロッカー部分のＴａ
膜33、35は厚く形成しているため、内部応力による歪み
の問題が考えられるが、裏面にＳｉ基板31及びセラミッ
ク支持枠で保持するため、厚く形成しても内部応力によ
る歪みを緩和することができる。なお、Ｔａ膜35はセル
領域にも存在し、この部分ではブロッカー部分よりも厚
く形成されているのは言うまでもない。
のブロッカー部分のＸ線吸収体となるＴａ膜33、35を厚
く形成しているため、多重露光した時、薄く形成した場
合に生じる感光してほしくないレジスト部分が露光され
るという問題を生じ難くすることができる。しかも、セ
ル部分のＸ線吸収体パターンとなるＴａ膜パターン35ａ
を薄く形成しているため、厚く形成する場合よりもＴａ
膜35の内部応力による歪みを生じ難くすることができる
とともに、アスペクト比が小さくて済むのでプロセスを
容易にすることができる。なお、ブロッカー部分のＴａ
膜33、35は厚く形成しているため、内部応力による歪み
の問題が考えられるが、裏面にＳｉ基板31及びセラミッ
ク支持枠で保持するため、厚く形成しても内部応力によ
る歪みを緩和することができる。なお、Ｔａ膜35はセル
領域にも存在し、この部分ではブロッカー部分よりも厚
く形成されているのは言うまでもない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のＸ線マ
スクの製造方法では、Ｘ線吸収体パターンとなるＴａ膜
パターン35ａを形成する際のエッチングマスクとなるレ
ジストマスク36は、本来セル部分の開口部33ａ内のＳｉ
Ｃ膜32上のみに形成さえすればよいのであるが、ブロッ
カー部分のＴａ膜33、35がエッチングされないように保
護するためにこのＴａ膜33、35上にも形成していたた
め、ネガレジストの場合は、ブロッカー部分のレジスト
も感光しなければならず、露光時間に長時間を要してし
まうという問題があった。また、ブロッカー部分のＴａ
膜33、35エッジに正確に位置合わせしてレジストマスク
36を形成しなければならないため、プロセスマージンの
点でも問題があった。
スクの製造方法では、Ｘ線吸収体パターンとなるＴａ膜
パターン35ａを形成する際のエッチングマスクとなるレ
ジストマスク36は、本来セル部分の開口部33ａ内のＳｉ
Ｃ膜32上のみに形成さえすればよいのであるが、ブロッ
カー部分のＴａ膜33、35がエッチングされないように保
護するためにこのＴａ膜33、35上にも形成していたた
め、ネガレジストの場合は、ブロッカー部分のレジスト
も感光しなければならず、露光時間に長時間を要してし
まうという問題があった。また、ブロッカー部分のＴａ
膜33、35エッジに正確に位置合わせしてレジストマスク
36を形成しなければならないため、プロセスマージンの
点でも問題があった。
【００１０】そこで本発明は、Ｘ線吸収体パターンを形
成する際のエッチングマスクにネガレジストを用いた
時、露光時間を大幅に短縮することができる他、プロセ
スマージンを向上させることができるＸ線マスクの製造
方法を提供することを目的としている。
成する際のエッチングマスクにネガレジストを用いた
時、露光時間を大幅に短縮することができる他、プロセ
スマージンを向上させることができるＸ線マスクの製造
方法を提供することを目的としている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によるＸ線マスク
の製造方法は上記目的達成のため、基板上にＸ線透過膜
を形成する工程と、次いで、該Ｘ線透過膜表面のブロッ
カー部分以外のセル部分の領域をアモルファス状態にす
る工程と、次いで、全面にＴａを成膜することにより、
該Ｘ線透過膜表面のアモルファス状態にされたセル部分
の領域上に（００２）面に配向したβ−Ｔａ膜を形成す
るとともに、該Ｘ線透過膜表面のアモルファス状態にさ
れていないブロッカー部分の領域上に（００２）面に配
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜を形成する工程と、次い
で、セル部分の領域上に形成された該（００２）面に配
向したβ−Ｔａ膜をドライエッチングにより除去して該
Ｘ線透過膜が露出された開口部を形成するとともに、ブ
ロッカー部分の領域上に形成された該（００２）面に配
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜を残す工程と、次いで、全
面にＸ線吸収体部材を成膜する工程と、次いで、セル部
分に形成された該Ｘ線吸収体部材をエッチングしてＸ線
吸収体パターンを形成する工程を含むものである。
の製造方法は上記目的達成のため、基板上にＸ線透過膜
を形成する工程と、次いで、該Ｘ線透過膜表面のブロッ
カー部分以外のセル部分の領域をアモルファス状態にす
る工程と、次いで、全面にＴａを成膜することにより、
該Ｘ線透過膜表面のアモルファス状態にされたセル部分
の領域上に（００２）面に配向したβ−Ｔａ膜を形成す
るとともに、該Ｘ線透過膜表面のアモルファス状態にさ
れていないブロッカー部分の領域上に（００２）面に配
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜を形成する工程と、次い
で、セル部分の領域上に形成された該（００２）面に配
向したβ−Ｔａ膜をドライエッチングにより除去して該
Ｘ線透過膜が露出された開口部を形成するとともに、ブ
ロッカー部分の領域上に形成された該（００２）面に配
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜を残す工程と、次いで、全
面にＸ線吸収体部材を成膜する工程と、次いで、セル部
分に形成された該Ｘ線吸収体部材をエッチングしてＸ線
吸収体パターンを形成する工程を含むものである。
【００１２】本発明においては、前記Ｘ線吸収体パター
ンが形成される側とは反対側の前記基板裏面には、Ｘ線
を透過する開口部を形成するのは言うまでもないが、例
えばＸ線吸収体パターンを形成する前に形成してもよい
し、Ｘ線吸収体パターンを形成した後に行ってもよい。
本発明においては、前記配向性は70％以上である場合が
好ましく、70％以上の配向性が好ましいのは、70％より
小さくなると、セル部分に形成した（００２）面に配向
したβ−Ｔａ膜のエッチングスピードが著しく低下して
好ましくないからである。
ンが形成される側とは反対側の前記基板裏面には、Ｘ線
を透過する開口部を形成するのは言うまでもないが、例
えばＸ線吸収体パターンを形成する前に形成してもよい
し、Ｘ線吸収体パターンを形成した後に行ってもよい。
本発明においては、前記配向性は70％以上である場合が
好ましく、70％以上の配向性が好ましいのは、70％より
小さくなると、セル部分に形成した（００２）面に配向
したβ−Ｔａ膜のエッチングスピードが著しく低下して
好ましくないからである。
【００１３】本発明においては、前記アモルファス状態
にする方法は、セル部分の領域のＸ線透過膜表面をスパ
ッタリング処理するか、あるいはイオン注入処理する
か、若しくは該表面上にアモルファス層を形成すること
によって行う方法等が挙げられる。スパッタリングに
は、例えばＡｒガスによるスパッタリングが挙げられ、
イオン注入には、例えばＡｒによるイオン注入が挙げら
れる。アモルファス層には、酸化による酸化膜や、堆積
あるいは塗布による酸化膜、窒化膜等が挙げられる。
にする方法は、セル部分の領域のＸ線透過膜表面をスパ
ッタリング処理するか、あるいはイオン注入処理する
か、若しくは該表面上にアモルファス層を形成すること
によって行う方法等が挙げられる。スパッタリングに
は、例えばＡｒガスによるスパッタリングが挙げられ、
イオン注入には、例えばＡｒによるイオン注入が挙げら
れる。アモルファス層には、酸化による酸化膜や、堆積
あるいは塗布による酸化膜、窒化膜等が挙げられる。
【００１４】本発明においては、前記（００２）面に配
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は、（００２）面に70％以
下に配向したβ−Ｔａ、あるいはα−Ｔａ、若しくは
（００２）面に70％以下に配向したβ−Ｔａとα−Ｔａ
を含有するＴａからなる場合等が挙げられる。（００
２）面に70％以下に配向したβ−Ｔａからなるか、ある
いは（００２）面に70％以下に配向したβ−Ｔａとα−
Ｔａからなれば、70％より大きく配向した場合よりもエ
ッチングされ難くなることができる。また、α−Ｔａか
らなれば、ほとんどエッチングされないようにすること
ができる。
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は、（００２）面に70％以
下に配向したβ−Ｔａ、あるいはα−Ｔａ、若しくは
（００２）面に70％以下に配向したβ−Ｔａとα−Ｔａ
を含有するＴａからなる場合等が挙げられる。（００
２）面に70％以下に配向したβ−Ｔａからなるか、ある
いは（００２）面に70％以下に配向したβ−Ｔａとα−
Ｔａからなれば、70％より大きく配向した場合よりもエ
ッチングされ難くなることができる。また、α−Ｔａか
らなれば、ほとんどエッチングされないようにすること
ができる。
【００１５】本発明においては、前記（００２）面に配
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は、下地の前記Ｘ線透過膜
表面が炭化処理されている領域上に形成されたものであ
る場合が好ましく、この場合、炭化処理されたＸ線透過
膜上に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外
のＴａ膜は、ほとんどエッチングされないようにするこ
とができる。なお、セル部分の炭化処理されたＸ線透過
過膜表面はＡｒスパッタ等の処理をすれば容易にアモル
ファス状態にすることができる。
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は、下地の前記Ｘ線透過膜
表面が炭化処理されている領域上に形成されたものであ
る場合が好ましく、この場合、炭化処理されたＸ線透過
膜上に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外
のＴａ膜は、ほとんどエッチングされないようにするこ
とができる。なお、セル部分の炭化処理されたＸ線透過
過膜表面はＡｒスパッタ等の処理をすれば容易にアモル
ファス状態にすることができる。
【００１６】また、前記（００２）面に配向したβ−Ｔ
ａ以外のＴａ膜は、ブロッカー部分の前記Ｘ線透過膜上
のみに形成されたＴｉＮ膜が形成されている領域上に形
成されたものである場合が好ましく、この場合、ブロッ
カー部分のＴｉＮ膜上に形成された（００２）面に配向
したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は、ほとんどエッチングされ
ないようにすることができる。なお、セル部分のＸ線透
過膜上に形成したＴｉＮ膜は、エッチングにより除去し
なければならないのは言うまでもない。
ａ以外のＴａ膜は、ブロッカー部分の前記Ｘ線透過膜上
のみに形成されたＴｉＮ膜が形成されている領域上に形
成されたものである場合が好ましく、この場合、ブロッ
カー部分のＴｉＮ膜上に形成された（００２）面に配向
したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は、ほとんどエッチングされ
ないようにすることができる。なお、セル部分のＸ線透
過膜上に形成したＴｉＮ膜は、エッチングにより除去し
なければならないのは言うまでもない。
【００１７】本発明に係るＸ線吸収体部材には、Ｔａ
（（００２）面への配向度は問わない）、Ｗ、あるいは
これらの合金等が挙げられる。
（（００２）面への配向度は問わない）、Ｗ、あるいは
これらの合金等が挙げられる。
【００１８】
【作用】本発明者は塩素系ガス等でドライエッチングを
行う際に、（００２）面に配向したβ−Ｔａはエッチン
グが効率良く進行し、一方（００２）面に配向したβ−
Ｔａ以外のＴａは著しくエッチング速度が遅いか、若し
くは全くエッチングできないことに着目し、この方法を
採用して（００２）面に配向したβ−Ｔａとこれ以外の
Ｔａを同時にＸ線透過膜上に成膜し、全面ドライエッチ
ングを行ってパターニングを行い、セル部分の（００
２）面に配向したβ−Ｔａを除去するとともに、ブロッ
カー部分にＸ線吸収体となる（００２）面に配向したβ
−Ｔａ以外のＴａを残し、更に全面にＸ線吸収体を成膜
することによってブロッカー部分の膜厚を厚くするよう
にしている。
行う際に、（００２）面に配向したβ−Ｔａはエッチン
グが効率良く進行し、一方（００２）面に配向したβ−
Ｔａ以外のＴａは著しくエッチング速度が遅いか、若し
くは全くエッチングできないことに着目し、この方法を
採用して（００２）面に配向したβ−Ｔａとこれ以外の
Ｔａを同時にＸ線透過膜上に成膜し、全面ドライエッチ
ングを行ってパターニングを行い、セル部分の（００
２）面に配向したβ−Ｔａを除去するとともに、ブロッ
カー部分にＸ線吸収体となる（００２）面に配向したβ
−Ｔａ以外のＴａを残し、更に全面にＸ線吸収体を成膜
することによってブロッカー部分の膜厚を厚くするよう
にしている。
【００１９】そして、ブロッカー部分の（００２）面に
配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は塩素系ガスでドライエ
ッチングしてもほとんどエッチングされないため、ブロ
ッカー部分の（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴ
ａ膜上には、レジストマスクを形成しないでセル部分の
みにＸ線吸収体となるＴａ膜パターン形成用のレジスト
マスクを形成すればよい。このため、ネガレジストを用
いた時、セル部分のみ露光すればよいので、従来のブロ
ッカー部分も露光する場合よりも露光時間を大幅に短縮
することができる。また、従来のようにブロッカー部分
の（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜エッジ
に正確に位置合わせしてレジストマスクを形成する必要
はないため、プロセスマージンを向上させることができ
る。
配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は塩素系ガスでドライエ
ッチングしてもほとんどエッチングされないため、ブロ
ッカー部分の（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴ
ａ膜上には、レジストマスクを形成しないでセル部分の
みにＸ線吸収体となるＴａ膜パターン形成用のレジスト
マスクを形成すればよい。このため、ネガレジストを用
いた時、セル部分のみ露光すればよいので、従来のブロ
ッカー部分も露光する場合よりも露光時間を大幅に短縮
することができる。また、従来のようにブロッカー部分
の（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜エッジ
に正確に位置合わせしてレジストマスクを形成する必要
はないため、プロセスマージンを向上させることができ
る。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を図面に基づいて説明する。図
１、２は本発明の一実施例に則したＸ線マスクの製造方
法を説明する図である。図１、２において、１はＳｉ等
の基板であり、２は基板１上に形成されたＸ線透過膜と
なるＳｉＣ膜であり、２ａはＳｉＣ膜２をＡｒスパッタ
処理してアモルファス状態にされた領域であり、３はＳ
ｉＣ膜２上に形成されたレジストであり、３ａはレジス
ト３が露光、現像によりパターニングされ形成され、Ｓ
ｉＣ膜２が露出された開口部３ｂを有するレジストマス
クである。次いで、４ａはセル部分のＳｉＣ膜のアモル
ファス状態にされた領域２ａ上に形成された（００２）
面に配向したβ−Ｔａ膜であり、４ｂはブロッカー部分
のアモルファス状態にされていない領域のＳｉＣ膜２上
に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴ
ａ膜であり、５は（００２）面に配向したβ−Ｔａ膜４
ａがエッチングされてＳｉＣ膜２のアモルファス状態に
された領域２ａが露出された開口部である。そして、６
ａはセル部分のＳｉＣ膜２のアモルファス状態にされた
領域２ａ上に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔ
ａ膜であり、６ｂはブロッカー部分の（００２）面に配
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂ上に形成された（００
２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜であり、６ｃは
セル部分の開口部５内の（００２）面に配向したβ−Ｔ
ａ膜６ａがエッチングされ形成されたＸ線吸収体パター
ンとなるＴａ膜パターンであり、７はＴａ膜パターン６
ｃを形成する際のエッチングマスクとなるレジストマス
クである。
１、２は本発明の一実施例に則したＸ線マスクの製造方
法を説明する図である。図１、２において、１はＳｉ等
の基板であり、２は基板１上に形成されたＸ線透過膜と
なるＳｉＣ膜であり、２ａはＳｉＣ膜２をＡｒスパッタ
処理してアモルファス状態にされた領域であり、３はＳ
ｉＣ膜２上に形成されたレジストであり、３ａはレジス
ト３が露光、現像によりパターニングされ形成され、Ｓ
ｉＣ膜２が露出された開口部３ｂを有するレジストマス
クである。次いで、４ａはセル部分のＳｉＣ膜のアモル
ファス状態にされた領域２ａ上に形成された（００２）
面に配向したβ−Ｔａ膜であり、４ｂはブロッカー部分
のアモルファス状態にされていない領域のＳｉＣ膜２上
に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴ
ａ膜であり、５は（００２）面に配向したβ−Ｔａ膜４
ａがエッチングされてＳｉＣ膜２のアモルファス状態に
された領域２ａが露出された開口部である。そして、６
ａはセル部分のＳｉＣ膜２のアモルファス状態にされた
領域２ａ上に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔ
ａ膜であり、６ｂはブロッカー部分の（００２）面に配
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂ上に形成された（００
２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜であり、６ｃは
セル部分の開口部５内の（００２）面に配向したβ−Ｔ
ａ膜６ａがエッチングされ形成されたＸ線吸収体パター
ンとなるＴａ膜パターンであり、７はＴａ膜パターン６
ｃを形成する際のエッチングマスクとなるレジストマス
クである。
【００２１】次に、そのＸ線マスクの製造方法を説明す
る。まず、図１（ａ）に示すように、ＣＶＤ法等により
Ｓｉ基板１上にＳｉＣを堆積して膜厚２μｍ程度のＳｉ
Ｃ膜２を形成し、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＣ膜２
上全面にレジスト３を塗布した後、図１（ｃ）に示すよ
うに、露光、現象によりレジスト３をセル部分に対応す
る領域が開口するようにパターニングしてレジストマス
ク３ａを形成する。この時、ＳｉＣ膜２が露出された開
口部３ｂが形成される。
る。まず、図１（ａ）に示すように、ＣＶＤ法等により
Ｓｉ基板１上にＳｉＣを堆積して膜厚２μｍ程度のＳｉ
Ｃ膜２を形成し、図１（ｂ）に示すように、ＳｉＣ膜２
上全面にレジスト３を塗布した後、図１（ｃ）に示すよ
うに、露光、現象によりレジスト３をセル部分に対応す
る領域が開口するようにパターニングしてレジストマス
ク３ａを形成する。この時、ＳｉＣ膜２が露出された開
口部３ｂが形成される。
【００２２】次に、図１（ｄ）に示すように、レジスト
マスク３ａを用い、セル部分の開口部３ｂ内のＳｉＣ膜
２部分をＡｒスパッタ処理してアモルファス状態にし
て、ＳｉＣ膜２のアモルファス状態にされた領域２ａを
形成する。この時、ブロッカー部分のレジストマスク３
ａ下にはアモルファス状態にされていないＳｉＣ膜２が
そのままの状態で残る。
マスク３ａを用い、セル部分の開口部３ｂ内のＳｉＣ膜
２部分をＡｒスパッタ処理してアモルファス状態にし
て、ＳｉＣ膜２のアモルファス状態にされた領域２ａを
形成する。この時、ブロッカー部分のレジストマスク３
ａ下にはアモルファス状態にされていないＳｉＣ膜２が
そのままの状態で残る。
【００２３】次に、図１（ｅ）に示すように、レジスト
マスク３ａをＯ2 プラズマ等により除去した後、図１
（ｆ）に示すように、スパッタ法等により全面にＴａ膜
厚 1,5μｍ程度で堆積してセル部分のＳｉＣ膜２のアモ
ルファス状態にされた領域２ａ上に（００２）面に配向
したβ−Ｔａ膜４ａを形成するとともに、ブロッカー部
分のＳｉＣ膜２上に（００２）面に配向したβ−Ｔａ以
外のＴａ膜４ｂを形成する。次に、図２（ｇ）に示すよ
うに、塩素系ガス、例えばＣｌ2 ＋ＣＨＣｌ3 ガス等の
ＲＩＥ等によりセル部分の（００２）面に配向したβ−
Ｔａ膜４ａをエッチングしてＳｉＣ膜２のアモルファス
状態にされた領域２ａが露出された開口部５を形成す
る。この時、ブロッカー部分の（００２）面に配向した
β−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂはエッチングされない。
マスク３ａをＯ2 プラズマ等により除去した後、図１
（ｆ）に示すように、スパッタ法等により全面にＴａ膜
厚 1,5μｍ程度で堆積してセル部分のＳｉＣ膜２のアモ
ルファス状態にされた領域２ａ上に（００２）面に配向
したβ−Ｔａ膜４ａを形成するとともに、ブロッカー部
分のＳｉＣ膜２上に（００２）面に配向したβ−Ｔａ以
外のＴａ膜４ｂを形成する。次に、図２（ｇ）に示すよ
うに、塩素系ガス、例えばＣｌ2 ＋ＣＨＣｌ3 ガス等の
ＲＩＥ等によりセル部分の（００２）面に配向したβ−
Ｔａ膜４ａをエッチングしてＳｉＣ膜２のアモルファス
状態にされた領域２ａが露出された開口部５を形成す
る。この時、ブロッカー部分の（００２）面に配向した
β−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂはエッチングされない。
【００２４】次に、図２（ｈ）に示すように、スパッタ
法等により全面にＴａを膜厚 0.8μｍ程度で堆積してセ
ル部分の開口部５内のＳｉＣ膜２のアモルファス状態に
された領域２ａ上に下地と同じ（００２）面に配向した
β−Ｔａ膜６ａを形成するとともに、ブロッカー部分の
（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂ上に
下地と同じ（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ
膜６ｂを形成する。
法等により全面にＴａを膜厚 0.8μｍ程度で堆積してセ
ル部分の開口部５内のＳｉＣ膜２のアモルファス状態に
された領域２ａ上に下地と同じ（００２）面に配向した
β−Ｔａ膜６ａを形成するとともに、ブロッカー部分の
（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂ上に
下地と同じ（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ
膜６ｂを形成する。
【００２５】次に、図２（ｉ）に示すように、全面にレ
ジストを塗布し、露光、現象によりセル部分のＸ線吸収
体パターンに対応する領域にレジストが残るようにレジ
ストをパターニングしてレジストマスク７を形成した
後、このレジストマスク７を用い、（００２）面に配向
したβ−Ｔａ膜４ａをエッチングした時と同様、Ｃｌ2
＋ＣＨＣｌ3 ガス等のＲＩＥ等により（００２）面に配
向したβ−Ｔａ膜６ａをドライエッチングしてＸ線吸収
体パターンとなるＴａ膜パターン６ｃを形成する。この
時、ブロッカー部分の（００２）面に配向したβ−Ｔａ
以外のＴａ膜６ｂは（００２）面に配向したβ−Ｔａ以
外のＴａ膜４ｂの時と同様ドライエッチングされない。
次いで、レジストマスク７を除去する。
ジストを塗布し、露光、現象によりセル部分のＸ線吸収
体パターンに対応する領域にレジストが残るようにレジ
ストをパターニングしてレジストマスク７を形成した
後、このレジストマスク７を用い、（００２）面に配向
したβ−Ｔａ膜４ａをエッチングした時と同様、Ｃｌ2
＋ＣＨＣｌ3 ガス等のＲＩＥ等により（００２）面に配
向したβ−Ｔａ膜６ａをドライエッチングしてＸ線吸収
体パターンとなるＴａ膜パターン６ｃを形成する。この
時、ブロッカー部分の（００２）面に配向したβ−Ｔａ
以外のＴａ膜６ｂは（００２）面に配向したβ−Ｔａ以
外のＴａ膜４ｂの時と同様ドライエッチングされない。
次いで、レジストマスク７を除去する。
【００２６】そして、Ｓｉ基板１側にセラミック等の支
持枠を接着剤等により張り付け、基板１裏面のセル部分
に対応する領域をフッ硝酸等でエッチングして開口する
ことにより、Ｘ線マスクを得ることができる。なお、こ
の基板１及び支持枠の加工は、例えばＸ線吸収体パター
ンのＴａ膜パターン６ｃを形成する前に行ってもよい。
持枠を接着剤等により張り付け、基板１裏面のセル部分
に対応する領域をフッ硝酸等でエッチングして開口する
ことにより、Ｘ線マスクを得ることができる。なお、こ
の基板１及び支持枠の加工は、例えばＸ線吸収体パター
ンのＴａ膜パターン６ｃを形成する前に行ってもよい。
【００２７】このように本実施例では、基板１上に形成
されたＸ線透過膜となるＳｉＣ膜２表面のブロッカー部
分以外のセル部分の領域をＡｒスパッタ処理してアモル
ファス状態にし、全面にＴａを成膜することにより、Ｓ
ｉＣ膜２表面のアモルファス状態にされたセル部分の領
域上に（００２）面に配向したβ−Ｔａ膜４ａを形成す
るとともに、ＳｉＣ膜２表面のアモルファス状態にされ
ていないブロッカー部分の領域上に（００２）面に配向
したβ−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂを形成し、セル部分の領
域上に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔａ膜４
ａをドライエッチングにより除去してＸ線透過膜となる
ＳｉＣ膜２のアモルファス状態にされた領域２ａが露出
された開口部５を形成するとともに、ブロッカー部分の
領域上に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔａ以
外のＴａ膜４ｂを残した後、全面にＸ線吸収体部材とな
るＴａを堆積してセル部分の開口部５内のＳｉＣ膜２の
アモルファス状態にされた領域２ａ上に（００２）面に
配向したβ−Ｔａ膜６ａを形成するとともに、ブロッカ
ー部分の（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜
４ｂ上に下地と同じ（００２）面に配向したβ−Ｔａ以
外のＴａ膜６ｂを形成するようにしている。そして、ブ
ロッカー部分の（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外の
Ｔａ膜４ｂ、６ｂは塩素系ガスでドライエッチングして
もほとんどエッチングされないため、ブロッカー部分の
（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂ、６
ｂ上にはレジストマスク７を形成しないでセル部分のみ
にＸ線吸収体パターンとなるＴａ膜パターン６ｃ形成用
のレジストマスク７を形成すればよい。このため、ネガ
レジストを用いた時、セル部分のみ露光すればよいの
で、従来のブロッカー部分も露光する場合よりも露光時
間を大幅に短縮することができる。また、従来のように
ブロッカー部分の（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外
のＴａ膜４ｂ、６ｂエッジに正確に位置合わせしてレジ
ストマスク７を形成する必要はないため、プロセスマー
ジンを向上させることができる。
されたＸ線透過膜となるＳｉＣ膜２表面のブロッカー部
分以外のセル部分の領域をＡｒスパッタ処理してアモル
ファス状態にし、全面にＴａを成膜することにより、Ｓ
ｉＣ膜２表面のアモルファス状態にされたセル部分の領
域上に（００２）面に配向したβ−Ｔａ膜４ａを形成す
るとともに、ＳｉＣ膜２表面のアモルファス状態にされ
ていないブロッカー部分の領域上に（００２）面に配向
したβ−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂを形成し、セル部分の領
域上に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔａ膜４
ａをドライエッチングにより除去してＸ線透過膜となる
ＳｉＣ膜２のアモルファス状態にされた領域２ａが露出
された開口部５を形成するとともに、ブロッカー部分の
領域上に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔａ以
外のＴａ膜４ｂを残した後、全面にＸ線吸収体部材とな
るＴａを堆積してセル部分の開口部５内のＳｉＣ膜２の
アモルファス状態にされた領域２ａ上に（００２）面に
配向したβ−Ｔａ膜６ａを形成するとともに、ブロッカ
ー部分の（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜
４ｂ上に下地と同じ（００２）面に配向したβ−Ｔａ以
外のＴａ膜６ｂを形成するようにしている。そして、ブ
ロッカー部分の（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外の
Ｔａ膜４ｂ、６ｂは塩素系ガスでドライエッチングして
もほとんどエッチングされないため、ブロッカー部分の
（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂ、６
ｂ上にはレジストマスク７を形成しないでセル部分のみ
にＸ線吸収体パターンとなるＴａ膜パターン６ｃ形成用
のレジストマスク７を形成すればよい。このため、ネガ
レジストを用いた時、セル部分のみ露光すればよいの
で、従来のブロッカー部分も露光する場合よりも露光時
間を大幅に短縮することができる。また、従来のように
ブロッカー部分の（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外
のＴａ膜４ｂ、６ｂエッジに正確に位置合わせしてレジ
ストマスク７を形成する必要はないため、プロセスマー
ジンを向上させることができる。
【００２８】なお、ブロッカー部分の（００２）面に配
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂ、６ｂは厚く形成して
いるため、内部応力による歪みの問題が考えられるが、
裏面にＳｉ基板１及びセラミック支持枠で保持するた
め、厚く形成しても内部応力による歪みを緩和すること
ができる。なお、上記実施例では、セル部分のＸ線透過
膜となるＳｉＣ膜２表面をアモルファス状態にするのを
Ａｒスパッタ処理することにより行う場合について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ばイオン注入処理するか、あるいは表面上にアモルファ
ス層を形成することによって行う方法等であってもよ
く、イオン注入には例えばＡｒによるイオン注入が挙げ
られ、アモルファス層には、酸化による酸化膜や、堆積
あるいは塗布による酸化膜、窒化膜等が挙げられる。
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜４ｂ、６ｂは厚く形成して
いるため、内部応力による歪みの問題が考えられるが、
裏面にＳｉ基板１及びセラミック支持枠で保持するた
め、厚く形成しても内部応力による歪みを緩和すること
ができる。なお、上記実施例では、セル部分のＸ線透過
膜となるＳｉＣ膜２表面をアモルファス状態にするのを
Ａｒスパッタ処理することにより行う場合について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ばイオン注入処理するか、あるいは表面上にアモルファ
ス層を形成することによって行う方法等であってもよ
く、イオン注入には例えばＡｒによるイオン注入が挙げ
られ、アモルファス層には、酸化による酸化膜や、堆積
あるいは塗布による酸化膜、窒化膜等が挙げられる。
【００２９】次に、本発明においては、前記（００２）
面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜としては、（００
２）面に70％以下に配向したβ−Ｔａ、あるいはα−Ｔ
ａ、若しくは（００２）面に70％以下に配向したβ−Ｔ
ａとα−Ｔａを含有するＴａからなる場合に好ましく適
用させることができる。（００２）面に70％以下に配向
したβ−Ｔａからなるか、あるいは（００２）面に70％
以下に配向したβ−Ｔａとα−Ｔａからなれば、70％よ
り大きく配向した場合よりもエッチングされ難くなるこ
とができる。また、α−Ｔａからなれば、ほとんどエッ
チングされないようにすることができる。
面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜としては、（００
２）面に70％以下に配向したβ−Ｔａ、あるいはα−Ｔ
ａ、若しくは（００２）面に70％以下に配向したβ−Ｔ
ａとα−Ｔａを含有するＴａからなる場合に好ましく適
用させることができる。（００２）面に70％以下に配向
したβ−Ｔａからなるか、あるいは（００２）面に70％
以下に配向したβ−Ｔａとα−Ｔａからなれば、70％よ
り大きく配向した場合よりもエッチングされ難くなるこ
とができる。また、α−Ｔａからなれば、ほとんどエッ
チングされないようにすることができる。
【００３０】本発明においては、前記（００２）面に配
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は、下地の前記Ｘ線透過膜
表面が炭化処理されている領域上に形成されたものであ
る場合が好ましく、この場合、炭化処理されたＸ線透過
膜上に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外
のＴａ膜は、ほとんどエッチングされないようにするこ
とができる。なお、セル部分の炭化処理されたＸ線透過
過膜表面はＡｒスパッタ等の処理をすれば容易にアモル
ファス状態にすることができる。
向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は、下地の前記Ｘ線透過膜
表面が炭化処理されている領域上に形成されたものであ
る場合が好ましく、この場合、炭化処理されたＸ線透過
膜上に形成された（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外
のＴａ膜は、ほとんどエッチングされないようにするこ
とができる。なお、セル部分の炭化処理されたＸ線透過
過膜表面はＡｒスパッタ等の処理をすれば容易にアモル
ファス状態にすることができる。
【００３１】また、前記（００２）面に配向したβ−Ｔ
ａ以外のＴａ膜は、ブロッカー部分の前記Ｘ線透過膜上
のみに形成されたＴｉＮ膜が形成されている領域上に形
成されたものである場合が好ましく、この場合、ブロッ
カー部分のＴｉＮ膜上に形成された（００２）面に配向
したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は、ほとんどエッチングされ
ないようにすることができる。なお、セル部分のＸ線透
過膜上に形成したＴｉＮ膜は、エッチングにより除去し
なければならないのは言うまでもない。
ａ以外のＴａ膜は、ブロッカー部分の前記Ｘ線透過膜上
のみに形成されたＴｉＮ膜が形成されている領域上に形
成されたものである場合が好ましく、この場合、ブロッ
カー部分のＴｉＮ膜上に形成された（００２）面に配向
したβ−Ｔａ以外のＴａ膜は、ほとんどエッチングされ
ないようにすることができる。なお、セル部分のＸ線透
過膜上に形成したＴｉＮ膜は、エッチングにより除去し
なければならないのは言うまでもない。
【００３２】本発明においては、前記Ｘ線吸収体パター
ンとなるＸ線吸収体部材には、上記実施例のＴａには限
らず、Ｗ等の金属であってもよいし、あるいはＴａ、Ｗ
等の合金であってもよいし、例えば（００２）面に配向
（配向性は70％以下）していないβ−Ｔａ等であっても
よい。
ンとなるＸ線吸収体部材には、上記実施例のＴａには限
らず、Ｗ等の金属であってもよいし、あるいはＴａ、Ｗ
等の合金であってもよいし、例えば（００２）面に配向
（配向性は70％以下）していないβ−Ｔａ等であっても
よい。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、Ｘ線吸収体パターンを
形成する際のエチングマスクにネガレジストを用いた
時、露光時間を大幅に短縮することができる他、プロセ
スマージンを向上させることができるという効果があ
る。
形成する際のエチングマスクにネガレジストを用いた
時、露光時間を大幅に短縮することができる他、プロセ
スマージンを向上させることができるという効果があ
る。
【図１】本発明の一実施例に則したＸ線マスクの製造方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図２】本発明の一実施例に則したＸ線マスクの製造方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
【図３】従来例のＸ線マスクの製造方法を説明する図で
ある。
ある。
【図４】従来例のＸ線マスクの製造方法を説明する図で
ある。
ある。
１ 基板 ２ ＳｉＣ膜 ２ａ ＳｉＣ膜のアモルファス状態にされた領域 ３ レジスト ３ａ レジストマスク ３ｂ、５ 開口部 ４ａ、６ａ （００２）面に配向したβ−Ｔａ膜 ４ｂ、６ｂ （００２）面に配向したβ−Ｔａ以外の
Ｔａ膜 ６ｃ Ｔａ膜パターン
Ｔａ膜 ６ｃ Ｔａ膜パターン
Claims (7)
- 【請求項１】 基板（１）上にＸ線透過膜（２）を形成
する工程と、 次いで、該Ｘ線透過膜（２）表面のブロッカー部分以外
のセル部分の領域をアモルファス状態にする工程と、 次いで、全面にＴａを成膜することにより、該Ｘ線透過
膜（２）表面のアモルファス状態にされたセル部分の領
域上に（００２）面に配向したβ−Ｔａ膜（４ａ）を形
成するとともに、該Ｘ線透過膜（２）表面のアモルファ
ス状態にされていないブロッカー部分の領域上に（００
２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴａ膜（４ｂ）を形成
する工程と、 次いで、セル部分の領域上に形成された該（００２）面
に配向したβ−Ｔａ膜（４ａ）をドライエッチングによ
り除去して該Ｘ線透過膜（２）が露出された開口部
（５）を形成するとともに、ブロッカー部分の領域上に
形成された該（００２）面に配向したβ−Ｔａ以外のＴ
ａ膜（４ｂ）を残す工程と、 次いで、全面にＸ線吸収体部材（６ａ、６ｂ）を成膜す
る工程と、 次いで、セル部分に形成された該Ｘ線吸収体部材（６
ａ）をエッチングしてＸ線吸収体パターン（６ｃ）を形
成する工程を含むことを特徴とするＸ線マスクの製造方
法。 - 【請求項２】 前記Ｘ線吸収体パターン（６ｃ）が形成
される側とは反対側の前記基板（１）裏面には、Ｘ線を
透過する開口部を形成することを特徴とする請求項１記
載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記配向性は70％以上であることを特徴
とする請求項１乃至２記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項４】 前記アモルファス状態にする方法は、セ
ル部分の領域の前記Ｘ線透過膜（２）表面をスパッタリ
ング処理するか、あるいはイオン注入処理するか、若し
くは該表面上にアモルファス層を形成することによって
行うことを特徴とする請求項１乃至３記載のＸ線マスク
の製造方法。 - 【請求項５】 前記（００２）面に配向したβ−Ｔａ以
外のＴａ膜は、（００２）面に70％以下に配向したβ−
Ｔａ、あるいはα−Ｔａ、若しくは（００２）面に70％
以下に配向したβ−Ｔａとα−Ｔａを含有するＴａから
なることを特徴とする請求項１乃至４記載のＸ線マスク
の製造方法。 - 【請求項６】 前記（００２）面に配向したβ−Ｔａ以
外のＴａ膜は、下地の前記Ｘ線透過膜（２）表面が炭化
処理されている領域上に形成されたものであることを特
徴とする請求項１乃至５記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項７】 前記（００２）面に配向したβ−Ｔａ以
外のＴａ膜は、ブロッカー部分の前記Ｘ線透過膜（２）
上のみに形成されたＴｉＮ膜が形成されている領域上に
形成されたものであることを特徴とする請求項１乃至５
記載のＸ線マスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18375292A JPH0629194A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18375292A JPH0629194A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629194A true JPH0629194A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16141359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18375292A Withdrawn JPH0629194A (ja) | 1992-07-10 | 1992-07-10 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629194A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6488126B1 (en) | 2000-04-24 | 2002-12-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Elevator control device |
| JP2005340835A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Hoya Corp | 電子線露光用マスクブランクおよびマスク |
-
1992
- 1992-07-10 JP JP18375292A patent/JPH0629194A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6488126B1 (en) | 2000-04-24 | 2002-12-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Elevator control device |
| JP2005340835A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Hoya Corp | 電子線露光用マスクブランクおよびマスク |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |