JPS5950443A - Ｘ線マスク - Google Patents
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- JPS5950443A JPS5950443A JP57159653A JP15965382A JPS5950443A JP S5950443 A JPS5950443 A JP S5950443A JP 57159653 A JP57159653 A JP 57159653A JP 15965382 A JP15965382 A JP 15965382A JP S5950443 A JPS5950443 A JP S5950443A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＸ線リングラフィに用いるＸｍマスクに係り、
特に、照射Ｘ線に対して高いコントラストの吸収パター
ンを形成することのできるＸ線マスクに関するもので１
例えばＩＣやＬＳＩなどのマイクロ・フアプリケーショ
ンにおける窓あけ作業などに使用できる。
特に、照射Ｘ線に対して高いコントラストの吸収パター
ンを形成することのできるＸ線マスクに関するもので１
例えばＩＣやＬＳＩなどのマイクロ・フアプリケーショ
ンにおける窓あけ作業などに使用できる。
Ｘ線リングラフィは、第１図に示すように、その周囲を
リング状支持枠１で固定された。照射Ｘ線に対して高い
透過性をもつ材料で作った薄膜２の面上に、低い透過性
をもつ材料で作られ、転写すべき形状に対応した形状を
有するマスクパターン３を備えたＸ線マスクにＸ線を照
射することて。
リング状支持枠１で固定された。照射Ｘ線に対して高い
透過性をもつ材料で作った薄膜２の面上に、低い透過性
をもつ材料で作られ、転写すべき形状に対応した形状を
有するマスクパターン３を備えたＸ線マスクにＸ線を照
射することて。
薄膜２及びＸ線マスク３の後方に配置された図示しない
Ｘ線感応利料に上記パターンを転写させるものである。
Ｘ線感応利料に上記パターンを転写させるものである。
薄膜２としては、ポリイミド、Ｓｌ。
Ｓｊ、、Ｎ、 、 Ｓｉ、０２なと、有機及び無機に亘
る種々の材料が使われる。これに対しマスクパターン３
０４４利としてはＡ、ｕ（金）が主に用いられている。
る種々の材料が使われる。これに対しマスクパターン３
０４４利としてはＡ、ｕ（金）が主に用いられている。
その理由としては、Ｘ線に対して線吸収率が高い（即ち
透過性が低い）こと、化学的に安定で高寿命であること
、真空蒸着やメッキにより薄膜が形成しやすいこと、な
どが挙げられる。
透過性が低い）こと、化学的に安定で高寿命であること
、真空蒸着やメッキにより薄膜が形成しやすいこと、な
どが挙げられる。
しかし、Ａｕは高価であるため、低順なＸ線マス夕を作
るうえで実用上９問題があった。
るうえで実用上９問題があった。
本発明の目的は、高コントラスト、高安定性。
パターン形成のしやすさを低下させることなく１低廉な
Ｘ線マスクを提供することにある。
Ｘ線マスクを提供することにある。
本発明の特徴は、手記目的を達成するために。
マスクパターンを、Ｎ１またはＮｉを主成分とする単層
膜、あるいはこの単層膜を一部に含む多層膜によって形
成するにある。
膜、あるいはこの単層膜を一部に含む多層膜によって形
成するにある。
Ｘ線リングラフィに使用するＸ線波長領域としては、薄
膜２のＸ線透過性を上げるためには短波長側が、マスク
パターン３及びＸ線感応レジストのＸ線吸収性を高める
ためには長波長側が望ましい口とから２両者の兼ね合い
から数Ａ〜数十への領域が適している。この波長領域に
おける主なＸ線マスク用材料の線吸収係数の波長特性を
第２図に示す。Ａｕに代る材料としてＷがあるが、しか
しＷには、蒸着膜とした場合の残留応力が極めて大きい
、実用できるメッキ法がない、などの制約がある。Ｍ□
はＸ線波長λが５八以下ではＮｉ、Ｃｒ。
膜２のＸ線透過性を上げるためには短波長側が、マスク
パターン３及びＸ線感応レジストのＸ線吸収性を高める
ためには長波長側が望ましい口とから２両者の兼ね合い
から数Ａ〜数十への領域が適している。この波長領域に
おける主なＸ線マスク用材料の線吸収係数の波長特性を
第２図に示す。Ａｕに代る材料としてＷがあるが、しか
しＷには、蒸着膜とした場合の残留応力が極めて大きい
、実用できるメッキ法がない、などの制約がある。Ｍ□
はＸ線波長λが５八以下ではＮｉ、Ｃｒ。
ｒ】に比べて高い吸収率を示すが５Ａ近傍に強い吸収端
があるため、前記最適波長領域ではそれほど有利ではな
くなる。これに対し、Ｎｉは１，５Ａ〜１２Ａの領域に
は吸収端がなく、はぼ５久〜１３久の領域においてはＡ
ｕ、、Ｗと同等の線吸収率を示し、マスクパターン用拐
料としてＡｌｊに代えて利用できる。また、Ｎ上はＡｕ
よりはるかに低順であり、 Ａｕ以上にメッキ法による
膜形成が容易である。即ち。
があるため、前記最適波長領域ではそれほど有利ではな
くなる。これに対し、Ｎｉは１，５Ａ〜１２Ａの領域に
は吸収端がなく、はぼ５久〜１３久の領域においてはＡ
ｕ、、Ｗと同等の線吸収率を示し、マスクパターン用拐
料としてＡｌｊに代えて利用できる。また、Ｎ上はＡｕ
よりはるかに低順であり、 Ａｕ以上にメッキ法による
膜形成が容易である。即ち。
Ｎ１は力！（電解メッキによる膜形成が容易であるのに
対し、 Ａｕの無電解メッキ４ま困難てあり、しかも下
地金属が必要である。さらに、Ｎｉは通常雰囲気に曝す
だけて緻密な表面酸化層が形成されるため。
対し、 Ａｕの無電解メッキ４ま困難てあり、しかも下
地金属が必要である。さらに、Ｎｉは通常雰囲気に曝す
だけて緻密な表面酸化層が形成されるため。
化学的に安定でありマスクとして長スｆ命か期待てきる
。
。
なお、 Ｎｊの吸収端波長は１．ド１２２２λ、ＬＨ：
１４２Ａ、 Ｌｍ ： １４．５Ａ （” Ｔｈ
ｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｊ、ｃｒｏ −ｐｒｏｂ
ｅ ” ｅｃＨ，ｔｅｄ ｂｙ Ｔ、 Ｄ、 Ｍｃｋｉ
ｎｇｅｙ ｅｔａ６．、 ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ ＆、
５ｏｎｓ、 ）にあり、また、ｌ〜Ｕの吸収端波長は３
．９３６ Ａ、 、 ４．５１８λ、 ５．３７４人（
Ｊ、 Ｂ、 Ｗｏｏｄｈｏｕｓｅｅｔ ａ６．、 Ｊ、
Ｐｈｙｓ、 Ｄ、、 、Ｌ ｐｐ、 ４８３−４８
９． Ｆｅｂ。
１４２Ａ、 Ｌｍ ： １４．５Ａ （” Ｔｈ
ｅ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｊ、ｃｒｏ −ｐｒｏｂ
ｅ ” ｅｃＨ，ｔｅｄ ｂｙ Ｔ、 Ｄ、 Ｍｃｋｉ
ｎｇｅｙ ｅｔａ６．、 ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ ＆、
５ｏｎｓ、 ）にあり、また、ｌ〜Ｕの吸収端波長は３
．９３６ Ａ、 、 ４．５１８λ、 ５．３７４人（
Ｊ、 Ｂ、 Ｗｏｏｄｈｏｕｓｅｅｔ ａ６．、 Ｊ、
Ｐｈｙｓ、 Ｄ、、 、Ｌ ｐｐ、 ４８３−４８
９． Ｆｅｂ。
１．９７４ ）などにある。上記記述ではＡｕ 、！：
Ｎｊの線吸］戊係数が同等となるＸ線波長λの範囲を
６λ〜１２以Ｆ２本発明の実施例を第３図〜第６図によ
り説明する。
Ｎｊの線吸］戊係数が同等となるＸ線波長λの範囲を
６λ〜１２以Ｆ２本発明の実施例を第３図〜第６図によ
り説明する。
〈実施例１〉
Ｎｊ吸収体（７，）マスクパターン形成法を実施例によ
って説明する。（１）片面を研磨したＳｌウェーハ上に
２ ｌｔｍ厚のポ°リイミド膜を形成したもの、 （２
１Ｓｉつ工−ハ上の０．１μｍ厚のＳｉ、Ｎ３の上にＩ
／ｚｍ厚の多結晶Ｓ１膜を形成したもの、 （３） Ｓ
ｉミラニー・上の旧／（ｊｌ’１厚のＳｉ３Ｎ３の上に
ＣＶＤ （化学的気相析出法）Ｋよって２μｍ厚のＢＮ
膜を形成したもの、 （４１Ｓｉウェーハ上に２μｍ厚
のＢＮ膜を形成したもの、０４種類の基板を用意した。
って説明する。（１）片面を研磨したＳｌウェーハ上に
２ ｌｔｍ厚のポ°リイミド膜を形成したもの、 （２
１Ｓｉつ工−ハ上の０．１μｍ厚のＳｉ、Ｎ３の上にＩ
／ｚｍ厚の多結晶Ｓ１膜を形成したもの、 （３） Ｓ
ｉミラニー・上の旧／（ｊｌ’１厚のＳｉ３Ｎ３の上に
ＣＶＤ （化学的気相析出法）Ｋよって２μｍ厚のＢＮ
膜を形成したもの、 （４１Ｓｉウェーハ上に２μｍ厚
のＢＮ膜を形成したもの、０４種類の基板を用意した。
この作成は公知の技術によった。
この基板上に２μｍ厚のレジストを多層レジスト法によ
って形成し、 １／ｉ−ｏ縮小投影法及び電子線直接
描画法によって最小０．５μｍのレジストパターンを形
成した。裏面は全体にレジストを塗布してＳ１面が露出
しないようにした。
って形成し、 １／ｉ−ｏ縮小投影法及び電子線直接
描画法によって最小０．５μｍのレジストパターンを形
成した。裏面は全体にレジストを塗布してＳ１面が露出
しないようにした。
Ｎ１のパターン形成にあたっては、この基板を塩化スズ
及び塩化パラジウム混合液で活性化処理を行い、引続い
て水洗後、硫酸ニッケル、クエン酸ソーダな主成分とす
る無電解メッキ液を用いて８０°Ｃ±１０°Ｃでメッキ
した。この際、メッキ液のｐ ＋−１制御のため硫酸ア
ンモニウム及び次亜リン酸水素１ナトｌ）ラムを加えた
。この処理によってＮｊ膜が全面に被着されてメッキ時
間を３０分ないし２時間と変化させることによってＮ−
ｉ膜を０５μｍ〜１５μｍと変えることができる。以上
のようにＮｉをメッキした後、レジストをその上に被着
されであるＮ１膜とともに除去すると、所望のＮ］パタ
ーンが得られる。これから裏面エッチによって中心部の
Ｓ］を除くことにより薄膜２上に所望のＮ１パターンを
備えたＸ線マスク３が形成される。
及び塩化パラジウム混合液で活性化処理を行い、引続い
て水洗後、硫酸ニッケル、クエン酸ソーダな主成分とす
る無電解メッキ液を用いて８０°Ｃ±１０°Ｃでメッキ
した。この際、メッキ液のｐ ＋−１制御のため硫酸ア
ンモニウム及び次亜リン酸水素１ナトｌ）ラムを加えた
。この処理によってＮｊ膜が全面に被着されてメッキ時
間を３０分ないし２時間と変化させることによってＮ−
ｉ膜を０５μｍ〜１５μｍと変えることができる。以上
のようにＮｉをメッキした後、レジストをその上に被着
されであるＮ１膜とともに除去すると、所望のＮ］パタ
ーンが得られる。これから裏面エッチによって中心部の
Ｓ］を除くことにより薄膜２上に所望のＮ１パターンを
備えたＸ線マスク３が形成される。
本実施例においては、レジストパターン上のへ１をレジ
ストパターンとともに除去する。いわゆるリフトオフ法
を用いたが、それ以外の方法を川しλ得ることはいうま
でもない。即ち、レジスト膜を被着する前に、上記活性
化処理を行ない、レジストパターンヲ形成すれば、レジ
ストパターン表面は活性化されない。従ってこのような
状態てＮｉメンキを１了なえばレジストパターン」二に
はＮ１は被着されず、下地上のみに選択的に被着するこ
とができる。
ストパターンとともに除去する。いわゆるリフトオフ法
を用いたが、それ以外の方法を川しλ得ることはいうま
でもない。即ち、レジスト膜を被着する前に、上記活性
化処理を行ない、レジストパターンヲ形成すれば、レジ
ストパターン表面は活性化されない。従ってこのような
状態てＮｉメンキを１了なえばレジストパターン」二に
はＮ１は被着されず、下地上のみに選択的に被着するこ
とができる。
本実施例によれば、基板に導電層を設けないでメッキす
ることができ、メッキの利きまわりも良く、残留応力の
小さいメッキパターンか得られ。
ることができ、メッキの利きまわりも良く、残留応力の
小さいメッキパターンか得られ。
でき上ったＸ線マスクの寸法安定性が優れている。
なお、パターンなＮ１のみでな（Ｎｊを主成分とする材
質で形成したい場合は２例えばＷを含有するパターンを
得たい場合は、タングステン酸ソーダをメッキ浴に適量
添加することにより１５％重量程度のＷが入ったパター
ンとなる。
質で形成したい場合は２例えばＷを含有するパターンを
得たい場合は、タングステン酸ソーダをメッキ浴に適量
添加することにより１５％重量程度のＷが入ったパター
ンとなる。
〈実施例２〉
第３図は前記実施例１に基づき、２μｍ厚のポリイミド
Ｈ膜−［二に種々の厚さのＮ１膜パターンを形成したＸ
線マスクに波長λが８３４ＡのＡａ−にα線をｌ［（１
射し、Ｘ線マスク後方に配置されたＰＭＭＡ（＋”ｏ７
１ｙ−Ｍｅｔｂｙ／ ＭｅｔｈａｃｒＪａＬｅ ）レジ
ストを感光せしめた時の、ポリイミド薄膜下及びＮ］模
膜ツマターン下現像後のレジスト残存膜厚比を示したも
のである０また。比較のため同図中に、２μ…厚ポリイ
ミド薄膜上にＱ、６ ｔｔｍ厚の△ＩＪ膜％ ）） −
ンヲ形成した場合も伴せて示しである。
Ｈ膜−［二に種々の厚さのＮ１膜パターンを形成したＸ
線マスクに波長λが８３４ＡのＡａ−にα線をｌ［（１
射し、Ｘ線マスク後方に配置されたＰＭＭＡ（＋”ｏ７
１ｙ−Ｍｅｔｂｙ／ ＭｅｔｈａｃｒＪａＬｅ ）レジ
ストを感光せしめた時の、ポリイミド薄膜下及びＮ］模
膜ツマターン下現像後のレジスト残存膜厚比を示したも
のである０また。比較のため同図中に、２μ…厚ポリイ
ミド薄膜上にＱ、６ ｔｔｍ厚の△ＩＪ膜％ ）） −
ンヲ形成した場合も伴せて示しである。
ポリイミド薄膜下
スト全厚を現像するＸ線照射時間で０６ Ｂｍ厚Ｎ１膜
パターン下の残存レジスト膜厚比は同じ厚さのΔＵ模膜
パターン下それと同等であり、実効的に５のコントラス
ト（Ｎ１膜パターン有無での残存レジスト膜厚比０８に
対応する）か得られる。
パターン下の残存レジスト膜厚比は同じ厚さのΔＵ模膜
パターン下それと同等であり、実効的に５のコントラス
ト（Ｎ１膜パターン有無での残存レジスト膜厚比０８に
対応する）か得られる。
〈実施例３〉
前記実施例２に見られるＡｅ −Ｋ −線に対するＮ１
膜による高いコントラストはＮｊを主成分とする金属間
化合物を用いた場合にも得られる。第４図はＮｉ３ Ｓ
ｎ 、 ’ｌ’１Ｎｉ３ 、 ＷＮｉ４の各金属間化合
物を吸収体として用いたときのレジスト残存膜厚比を示
したものである。このうち、 Ｎｉ３ＳｎはＳｎのＡＩ
Ｖ−Ｉくα線に対する質量吸収係数が小さいため、他の
金属間化合物に比し、フントラストが低くなっているが
、十分、マスクとして利用できるコントラストである。
膜による高いコントラストはＮｊを主成分とする金属間
化合物を用いた場合にも得られる。第４図はＮｉ３ Ｓ
ｎ 、 ’ｌ’１Ｎｉ３ 、 ＷＮｉ４の各金属間化合
物を吸収体として用いたときのレジスト残存膜厚比を示
したものである。このうち、 Ｎｉ３ＳｎはＳｎのＡＩ
Ｖ−Ｉくα線に対する質量吸収係数が小さいため、他の
金属間化合物に比し、フントラストが低くなっているが
、十分、マスクとして利用できるコントラストである。
以」−のＮｊを主成分とする金属間化合物を吸収体パタ
ーンとして用いた場合の高コントラスト性は、同様の組
合ぜて各純金属層の簿膜を積層し。
ーンとして用いた場合の高コントラスト性は、同様の組
合ぜて各純金属層の簿膜を積層し。
多層膜として用いる場合でも得られる。
〈実施例４〉
！＠５図は各種属さのＮ１膜パターンにＮｅカスプラズ
マから発生ずる波長１２．１３ Ａの特性Ｘ線を１ｋＩ
射した場合のＸ線照射量と現像後のレジスト残存膜厚比
との関係を示したものである。第５図から明らかなよう
に０４μｍ厚のＮ１膜を用いると。
マから発生ずる波長１２．１３ Ａの特性Ｘ線を１ｋＩ
射した場合のＸ線照射量と現像後のレジスト残存膜厚比
との関係を示したものである。第５図から明らかなよう
に０４μｍ厚のＮ１膜を用いると。
用いないときに比べて、レジスト膜に到達するＸ線の量
はほぼ１１５に減少し、コントラスト５を得られること
がわかった。
はほぼ１１５に減少し、コントラスト５を得られること
がわかった。
〈実施例５〉
半導体リソグラフィプロセスでのマスクに関する問題と
してマスク欠陥密度が挙げられる。このマスク欠陥の主
要因としてマスクへの塵埃の付着があり、この塵埃の除
去は２通常、有機溶剤の噴射あるいは有機溶剤中での超
音波洗浄が行なわれている。
してマスク欠陥密度が挙げられる。このマスク欠陥の主
要因としてマスクへの塵埃の付着があり、この塵埃の除
去は２通常、有機溶剤の噴射あるいは有機溶剤中での超
音波洗浄が行なわれている。
本発明に係るＮｉ膜パターンを有するＸ線マスクでは上
記有機溶剤洗浄によるＮｉ膜の腐蝕及び腐蝕による剥離
がマスク欠陥の増大、ひいてはマスク寿命低下の原因と
なることが予想される。第６図は、洗浄用有機溶剤とし
てトリクレン、アセトン、アルコールを用い、各溶剤に
つき５分の超音波洗浄を行ない、その後、 ｉ、ｓｏ
’ｃ ｔ７） Ｎ２Ｗ囲気で１０分間乾燥したときの洗
浄回数とマスク欠陥密度との関係を調べたものである。
記有機溶剤洗浄によるＮｉ膜の腐蝕及び腐蝕による剥離
がマスク欠陥の増大、ひいてはマスク寿命低下の原因と
なることが予想される。第６図は、洗浄用有機溶剤とし
てトリクレン、アセトン、アルコールを用い、各溶剤に
つき５分の超音波洗浄を行ない、その後、 ｉ、ｓｏ
’ｃ ｔ７） Ｎ２Ｗ囲気で１０分間乾燥したときの洗
浄回数とマスク欠陥密度との関係を調べたものである。
この結果より、マスクパターン形成材料としてＮ１を単
独で使用した場合、 Ａｕを用いた従来マスクに比べ
て、洗浄回数が５０回以上になると欠陥密度が大きいが
、しかし、洗浄回数１００回でも欠陥密度は０．０５個
／ Ｏｎ２程度であり、十分、実用に供し得る値である
。また、このＮ１膜パターンの上面及び側面に５０ＯＡ
厚のＡｕ膜を被着させた場合は、同図中に示すように、
Ａｕ単独のパターンと同等の寿命を有するものになる
ことが判り、欠陥防止の有効手段とすることがてきる。
独で使用した場合、 Ａｕを用いた従来マスクに比べ
て、洗浄回数が５０回以上になると欠陥密度が大きいが
、しかし、洗浄回数１００回でも欠陥密度は０．０５個
／ Ｏｎ２程度であり、十分、実用に供し得る値である
。また、このＮ１膜パターンの上面及び側面に５０ＯＡ
厚のＡｕ膜を被着させた場合は、同図中に示すように、
Ａｕ単独のパターンと同等の寿命を有するものになる
ことが判り、欠陥防止の有効手段とすることがてきる。
以上説明してきたように１本発明によれば、Ｘ線吸収拐
としてＮ１膜を用いることにより、 Ａｕ膜利川用従来
マスクよりも低度なマスクを供給することができ、はぼ
５Ａ〜１３ＡのＸ線波長領域でＡｌ４膜と同等のコント
ラストが得られ、欠陥密度から見たマスク寿命も、十分
、実用に耐え得る長さであり、さらに、 Ａｕの場合に
は困難であった無電解メッキでの膜被着が可能となるう
え、導電膜を設ける必要がなく、パターン形成が容易と
なるなどの効果がある。
としてＮ１膜を用いることにより、 Ａｕ膜利川用従来
マスクよりも低度なマスクを供給することができ、はぼ
５Ａ〜１３ＡのＸ線波長領域でＡｌ４膜と同等のコント
ラストが得られ、欠陥密度から見たマスク寿命も、十分
、実用に耐え得る長さであり、さらに、 Ａｕの場合に
は困難であった無電解メッキでの膜被着が可能となるう
え、導電膜を設ける必要がなく、パターン形成が容易と
なるなどの効果がある。
第１図はＸ線マスク説明用の断面図、第２図は各種材料
の線吸収係数のＸ線波長依存性を示す同第３図〜第５図
は本発明に係るＸ線マスクと従来マスクとのコントラス
ト比較図、第６図は本発明に係るＸ線マスクと従来マス
クとの寿命比較図である。 符号の説明 １ リング状支持枠 ２・・・薄膜 ３・・マスクパターン 代理人弁理士 中 イイ 純之助 ′１ｊＰｌ 図 十３図 １−２図 ×φ象ン皮渠へ（〆）
の線吸収係数のＸ線波長依存性を示す同第３図〜第５図
は本発明に係るＸ線マスクと従来マスクとのコントラス
ト比較図、第６図は本発明に係るＸ線マスクと従来マス
クとの寿命比較図である。 符号の説明 １ リング状支持枠 ２・・・薄膜 ３・・マスクパターン 代理人弁理士 中 イイ 純之助 ′１ｊＰｌ 図 十３図 １−２図 ×φ象ン皮渠へ（〆）
Claims (3)
- （１）照射Ｘ線に対し透過性の高い薄膜と該薄膜上に形
成された透過性の低い材料からなるマスクパターンを有
するＸ線マスクにおいて、前記マスクパターンはニッケ
ルまたはニッケルを主成分とする単層膜、あるいはこの
単層膜を含む多層膜から形成されていることを特徴とす
るＸ線マスク。 - （２）前記薄膜はほぼ５〜１３オングストロームの波長
領域内のＸ線を透過し得ることを特徴とする特Ｗ「請求
の範囲第１項記載のＸ線マスク。 - （３）前記多層膜が２層膜でありその２層目の膜が金薄
膜であるｑとを特徴とする特許請求の範囲第１項もしく
は第２項記載のＸｍマスク。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159653A JPS5950443A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | Ｘ線マスク |
| US06/529,710 US4599737A (en) | 1982-09-16 | 1983-09-06 | X-ray mask with Ni pattern |
| DE8383109046T DE3381021D1 (de) | 1982-09-16 | 1983-09-13 | Roentgen-strahlenmaske. |
| EP83109046A EP0103844B1 (en) | 1982-09-16 | 1983-09-13 | X-ray mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57159653A JPS5950443A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | Ｘ線マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950443A true JPS5950443A (ja) | 1984-03-23 |
Family
ID=15698405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57159653A Pending JPS5950443A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | Ｘ線マスク |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4599737A (ja) |
| EP (1) | EP0103844B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5950443A (ja) |
| DE (1) | DE3381021D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2018074512A1 (ja) * | 2016-10-21 | 2019-08-29 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
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| IL88837A (en) * | 1988-12-30 | 1993-08-18 | Technion Res & Dev Foundation | Method for the preparation of mask for x-ray lithography |
| US5258091A (en) * | 1990-09-18 | 1993-11-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing X-ray window |
| FI93680C (fi) * | 1992-05-07 | 1995-05-10 | Outokumpu Instr Oy | Ohutkalvon tukirakenne ja menetelmä sen valmistamiseksi |
| JP2002110505A (ja) * | 2000-09-27 | 2002-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 露光方法、露光装置、ｘ線マスク、レジスト、半導体装置および微細構造体 |
| KR100505014B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2005-08-01 | 전자부품연구원 | Ｘ-선 마스크 및 그 제조방법 |
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| JPS5691234A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Fujitsu Ltd | Manufacture of mask for x-ray exposure |
| JPS5760839A (en) * | 1980-09-30 | 1982-04-13 | Nec Corp | Manufacture of x-ray exposure mask |
| EP0057268A3 (en) * | 1981-02-02 | 1982-11-10 | International Business Machines Corporation | Method of fabricating x-ray lithographic masks |
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1982
- 1982-09-16 JP JP57159653A patent/JPS5950443A/ja active Pending
-
1983
- 1983-09-06 US US06/529,710 patent/US4599737A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-09-13 EP EP83109046A patent/EP0103844B1/en not_active Expired
- 1983-09-13 DE DE8383109046T patent/DE3381021D1/de not_active Expired - Lifetime
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| US11187972B2 (en) | 2016-10-21 | 2021-11-30 | Hoya Corporation | Reflective mask blank, method of manufacturing reflective mask and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2022009220A (ja) * | 2016-10-21 | 2022-01-14 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0103844A3 (en) | 1985-07-03 |
| EP0103844B1 (en) | 1989-12-27 |
| EP0103844A2 (en) | 1984-03-28 |
| DE3381021D1 (de) | 1990-02-01 |
| US4599737A (en) | 1986-07-08 |
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